4. Trazisistor lưỡng hạt (Bipolar Junction Trazistor: BJT)
4.3.1 Phân cực cho trazistor NPN
- Khi phân cực như HV khi lực điện trường VEE≤Etr thì các lõ trống trong vùng B và các hạt điện tử trong vùng E không vượt được qua tiếp giáp BE lên tranzistor không dẫn điện.
- Khi lực điện trường VEE>Etr thì các hạt dẫn trong vùng B và các hạt điện tử trong vùng E vượt được qua tiếp giáp BE dòng chuyển động của các hạt dẫn này sinh ra dòng điện gọi là dòng Ib có chiều cùng chiều với điện trường ngoài (HV), dòng điện IB tăng theo điện áp. Do vùng B có nồng độ hạt dẫn ít và mỏng nhất (cỡ vài µmm) nên dòng điện này tương đối nhỏ (khoảng vài chục tới vài trăm µA). Mặt khác do lực điện trường VCC lớn hơn VEE rất nhiều lên các hạt điện tử từ vùng E sau khi vượt qua tiếp giáp BE nó sẽ vượt sang vùng C sinh ra dòng điện Ic có chiều như hình vẽ.
Vậy dòng điện Ib do các hạt dẫn trong vúng E sinh ra, dòng điện Ic cũng do dòng các hạt dẫn trong vùng E sing ra. Vậy dòng chuyển động của các hạt dẫn trong vùng E sinh ra dòng điện Ie (HV). Theo định luật Kiecshop 1 thì Ie = Ib + Ic
Dòng điện IB có thể cho giá trị tương đối nhỏ, dòng điện IC có thể cho dòng điện tương đối lớn. Vì vậy tranzistor có khả năng khuếch đại dòng điện.
Dòng điện IC lớn hay nhỏ là do dòng điện IB quyết định. Vậy dòng điện IB là dòng điền điều khiển cho tranzistor.
4.4 Ứng dụng
- Tranzistor lưỡng hạt dùng trong các mạch điện tử khuếch đại - Tranzistor lưỡng hạt dùng trong các mạch chuyển mạch điện tử …