3.1 Diotde zener
- Cấu tạo: Diode zener cấu tạo từ hai chất bán dẫn P, N ghép lại với nhau (tương tự như diode thường, nhưng chúng có nồng dộ tạp chất đặc biệt).
- Ký hiệu: Diode zener có ký hiệu như HV
- Nguyên lý hoạt động
+ Phân cực thuận: Khi diode zener được phân cực thuận nó hoạt động như diode thông thường.
+ Phân cực ngược: Điốt ổn áp làm việc nhờ hiệu ứng thác lũ của chuyển tiếp p-n khi phân cực ngược. Trong các điôt thông thường hiện tượng đánh thủng này sẽ làm hỏng điôt, nhưng trong các điốt ổn định do được chế tạo đặc biệt và khi làm việc mạch ngoài có điện trở hạn chế dòng ngược (không cho phép nó tăng quá dòng ngược cho phép) nên điôt luồn làm việc ở chế độ đánh thủng nhưng không hỏng. Khác với điốt thông dụng, các điôt ổn định công tác ở chế độ phân cực ngược. Những tham số kĩ thuật của điôt Zener là:
Điện áp ổn định Uz (điện áp Zener) là điện áp ngược đặt lên điốt làm phát sinh ra hiện tượng đánh thủng. Trên thực tế đối với mọi điốt ổn áp chỉ có một khoảng rất hẹp mà nó có thể ổn định được. Khoảng này bị giới hạn một mặt bởi khoảng đặc tuyến của điôt từ phạm vi dòng bão hòa sang phạm vi đánh thủng làm dòng tăng đột ngột, mặt khác bởi công suất tiêu hao cho phép. Hay dòng cực đại cho phép.
Điện trở động rdz của điốt Zener được định nghĩa là độ dốc đặc tuyến tĩnh của điốt tại điểm làm việc.
Diode được ứng dụng trong các mạch ổn áp có dòng nhỏ. Thường chế tạo diode zener có điện áp từ vài vôn đến vài chục vôn
3.2 Diode tách sóng.
Cũng làm nhiệm vụ như diode chỉnh lưu nhưng thường với tín hiệu có biên độ nhỏ và tần số cao. Diode tách sóng thường được chế tạo có dòng thuận nhỏ và có thể là Ge hay Si nhưng diode Ge được dùng nhiều hơn vì điện thế ngưỡng VK nhỏ.
3.3 Diode schottky:
Ta đã thấy ảnh hưởng của thời gian hồi phục (tức thời gian chuyển mạch) lên dạng sóng ngõ ra của mạch chỉnh lưu. Để rút ngắn thời gian hồi phục. Các hạt tải điện phải di chuyển nhanh, vùng tiếp giáp phải hẹp. Ngoài ra, còn phải tạo điều kiện cho sự tái hợp giữa lỗ trống và điện tử dễ dàng và nhanh chóng hơn. Đó là nguyên tắc của diode schottky.
Ta thấy trong diode schottky, thường người ta dùng nhôm để thay thế chất bán dẫn loại P và chất bán dẫn loại N là Si. Do nhôm là một kim loại nên rào điện thế trong diode schottky giảm nhỏ nên điện thế ngưỡng của diode schottky khoảng 0,2V đến 0,3V. Để ý là diode schottky có điện thế bảo hoà ngược lớn hơn diode Si và điện thế sụp đổ cũng nhỏ hơn diode Si. Do thời gian hồi phục rất nhỏ ( đổi trạng thái nhanh) nên diode schottky được dùng rất phổ biến trong kỹ thuật số và điều khiển.
3.4 Diode biến dung: (Varicap – Varactor diode)
Phần trên ta đã thấy, sự phân bố điện tích dương và âm trong vùng tiếp giáp thay đổi khi điện thế phân cực nghịch thay đổi, tạo ra giữa hai đầu diode một điện dung:
Điện dung chuyển tiếp CT tỉ lệ nghịch với độ rộng của vùng tiếp giáp, tức tỉ lệ nghịch với điện thế phân cực.
Đặc tính trên được ứng dụng để chế tạo diode biến dung mà trị số điện dung sẽ thay đổi theo điện thế phân cực nghịch nên còn được gọi là VVC diode (voltage-variable capacitance diode). Điện dung này có thể thay đổi từ 5pF đến 100pF khi điện thế phân cực nghịch thay đổi từ 3 đến 25V.
Một ứng dụng của diode là dùng nó như một tụ điện thay đổi. Thí dụ như muốn thay đổi tần số cộng hưởng của một mạch, người ta thay đổi điện thế phân cực nghịch của một diode biến dung.