Mô phỏng đặc tính làm việc của pin mặt trờ

Một phần của tài liệu Đề tài hệ thống pin mặt trời (Trang 56 - 59)

Từ sơ đồ mạch điện tương đương trên, ta dùng phần mềm Matlab để mô phỏng đặc tính làm việc của pin KC50T khi nhiệt độ thay đổi từ 0 đến 75oC và cường độ bức xạ thay đổi từ 400 đến 1000W/m2. Script lập trình mô phỏng được trình bày ở phần phụ lục.

Kết quả mô phỏng như sau:

Hình 5.2. Đặc tính I – V (ở trên) và P – V (ở dưới) của pin KC50T

khi cường độ bức xạ thay đổi từ 400W/m2 đến 1000W/m2

Nhận xét:

Khi cường độ bức xạ thay đổi từ 400 đến 1000 W/m2, giá trị Isc tăng dần từ 0,9A đến 3.8 A và Voc tăng dần từ 19 đến 22V. Đặc tính làm việc của pin và điểm làm việc MPP cũng xê dịch nhiều thay đổi rõ rệt khi cường độ bức xạ thay đổi.

Ta có thể thấy rõ ràng rằng khi cường độ ánh sáng càng lớn thì công suất ra của pin cũng càng lớn theo.

Hình 5.3. Đặc tính I – V (ở trên) và P – V (ở dưới) của pin KC50T

khi nhiệt độ pin thay đổi từ 0 đến 75oC

Nhận xét:

Khi nhiệt độ pin thay đổi từ 25oC đến 75oC, giá trị Isc tăng dần từ 3.8 A đến 3.92 A (khoảng 3%) và Voc giảm từ 21,5V xuống 17 V. Đặc tính làm việc của pin và điểm làm việc MPP cũng xê dịch nhiều thay đổi rõ rệt khi cường độ bức xạ thay đổi. Khi nhiệt độ pin càng lớn thì công suất ra của pin càng thấp.

Kiểm chứng mô phỏng bằng Simulink

Kết quả:

Hình 5.5. Kết quả mô phỏng ứng với T = 25, G = 1 và T = 75, G =1

Nhận xét: Kết quả mô phỏng bằng Matlab và Simulink đều cho kết quả như nhau

Một phần của tài liệu Đề tài hệ thống pin mặt trời (Trang 56 - 59)

Tải bản đầy đủ (DOC)

(95 trang)
w