(Chemmical Vapor diposition)
Phương pháp lắng đọng hơi hóa học CVD là phương pháp mà nhờ nó vật liệu rắn được lắng đọng từ pha hơi thông qua các phản ứng hóa học xảy ra ở gần bề mặt đế được nung nóng.
Trong điều chế TiO2 phương pháp này sử dụng thiết bị bay hơi titan kim loại ở nhiệt độ cao sau đó kim loại dạng hơi sẽ tiếp xúc với oxy, sản phẩm thu được là TiO2 dạng bột hay màng mỏng.
Hình 1.6 sơ đồ mô tả quá trình tạo màng bằng phương pháp CVD[3]
Tiền chất để điều chế màng TiO2 thường dùng là hơi titan kim loại, được đưa vào dòng đối lưu vận chuyển gặp môi trường nhiệt độ cao hay plasma sẽ xảy ra hiện tượng va chạm giữa các electron với ion hay giữa electron với nơtron hay giữa electron với electron tạo ra gốc tự do sau đó các phân tử gốc tự do được khuếch tán xuống đế gặp môi trường nhiệt độ cao tại đế sẽ xảy ra phản ứng tạo màng tại bề mặt đế, sản phẩm phụ sinh ra sau phản ứng sau đó sẽ được khuếch tán ngược vào dòng chất lưu, dòng chất lưu đưa hơi titan kim loại, sản phẩm phụ, khí độc ra khỏi buồng.[15]
Ưu điểm của phương pháp này là khi thay đổi điều kiện thí nghiệm : nhiệt độ đế, vật liệu đế thành phần cấu tạo của hỗn hợp khí phản ứng, áp suất… có thể đạt được những vật liệu có đặc tính khác nhau. Ngoài ra với công nghệ CVD màng được tạo ra với độ dày đồng đều và ít bị xốp ngay khi hình dạng đế phức tạp, công nghệ này được dùng để chế tạo nhiều loại màng mỏng như màng cách điện, màng chống gỉ…hay chế tạo sợi quang chịu nhiệt….
