Các điôt công suất được chế tạo để chịu được một giá trị điện áp
ngược nhất định. Điều này đạt được nhờ một lớp bán dẫn N-
tiếp giáp với lớp
N- N
E
P N- N
Trường Đại học sư phạm Hà Nội 2 Khóa luận tốt nghiệp
P, có cấu tạo giống như lớp N, nhưng có ít các điện tử tự do hơn. Khi tiếp
giáp P – N- được đặt dưới tác dụng của điện áp bên ngoài, nếu điện trường
ngoài cùng chiều với điện trường E thì vùng nghèo điện tích sẽ mở rộng sang
vùng N- điện trở tương đương của điôt càng lớn và dòng điện sẽ không thể
chạy qua. Toàn bộ điện áp ngoài sẽ rơi trên vùng nghèo điện tích. Ta nói rằng
điôt bị phân cực ngược (hình 2.7a).
Khi điện áp ngoài tạo ra điện trường ngoài có hướng ngược với điện trường trong E, vùng nghèo điện tích sẽ bị thu hẹp lại. Nếu điện áp bên ngoài
đủ lớn hơn Uj, cỡ 0,65V, vùng nghèo điện tích sẽ thu hẹp đến bằng không và
các điện tích có thể di chuyển tự do qua cấu trúc tinh thể của điôt. Dòng điện chạy qua điôt lúc đó sẽ chỉ bị hạn chế do điện trở tải ở mạch ngoài và một phần điện trở trong điôt bao gồm điện trở của tinh thể bán dẫn giữa anôt và catôt, điện trở do phần kim loại và bán dẫn. Ta nói điôt được phân cực thuận (hình 2.7b).
2.1.2.3. Đặc tính vôn – ampe của điôt
Một số tính chất của điôt trong quá trình làm việc có thể được giải thích thông qua việc xem xét đặc tính vôn – ampe của điôt trên hình 2.8a. Đặc tính gồm hai phần, đặc tính thuận nằm trong góc phần tư thứ I tương ứng với
UAK > 0, đặc tính ngược nằm trong góc phần tư thứ III tương ứng với UAK <
0. i A iD iD Ung.max dòng rò 0 uD,0 u 0 uD,0 u 0 u mA a) b) c)
Trường Đại học sư phạm Hà Nội 2 Khóa luận tốt nghiệp
Hình 2.8. Đặc tính vôn – ampe của điôt