V. Cấu tạo và nguyên lí hoạt động của tranzito lưỡng cực n-p-n
1. Hiệu ứng tranzito
Xét một tinh thể bán dẫn trên đĩ cĩ tạo ra một miền p, và hai miền n1và n2. Mật độ electron trong miền n2 rất lớn so với mật độ lỗ trống trong miền p. Trên các miền này cĩ hàn các điện cực C, B, E. Điện thế ở các cực E, B, C giữ ở các giá trị VE= 0, VBvừa đủ để lớp chuyển tiếp p-n2 phân cực thuận, VC cĩ giá trị tương
Yêu cầu học sinh phân tích sự phân cực của các lớp.
Kết luận về điện trở RCBkhi đĩ.
Yêu cầu học sinh phân tích sự phân cực của các lớp.
Kết luận về điện trở RCBkhi đĩ.
Giới thiệu hiệu ứng tranzito.
Giới thiệu khả năng khuếch đại tín hiệu điện nhờ hiệu ứng tranzito.
Giới thiệu tranzito. Vẽ kí hiệu tranzito n-p-n.
Phân tích sự phân cực của các lớp.
Ghi nhận về điện trở RCB trong trường hợp này.
Phân tích sự phân cực của các lớp.
Ghi nhận về điện trở RCB trong trường hợp này.
Ghi nhận khái niệm.
Ghi nhận khái niệm.
Ghi nhận khái niệm. Vẽ hình.
đối lớn (cở 10V).
+ Giã sử miền p rất dày, n1cách xa n2 Lớp chuyển tiếp n1-p phân cực ngược, điện trở RCBgiữa C và B rất lớn.
Lớp chuyển tiếp p-n2 phân cực thuận nhưng vì miền p rất dày nên các electron từ n2 khơng tới được lớp chuyển tiếp p- n1, do đĩ khơng ảnh hưởng tới RCB. + Giã sử miền p rất mỏng, n1rất gần n2
Đại bộ phận dịng electron từ n2 phun sang p cĩ thể tới lớp chuyển tiếp n1-p, rồi tiếp tục chạy sang n1 đến cực C làm cho điện trở RCBgiảm đáng kể.
Hiện tượng dịng điện chạy từ B sang E làm thay đổi điện trở RCBgọi là hiệu ứng tranzito.
Vì đại bộ phận electron từ n2 phun vào p khơng chạy về B mà chạy tới cực C, nên ta cĩ IB<< IEvà ICIE. Dịng IBnhỏ sinh ra dịng IC lớn, chứng tỏ cĩ sự khuếch đại dịng điện.