7. Nội dung
3.8.1Graphene: chất bán dẫn có thể điều chỉnh tốc độ đóng mở siêu
qua quá trình này là có thể. Một thách thức hiện tồn tại là gắn graphene lên trên các bề mặt silicon hoặc thủy tinh cho thiết kế vi mạch. Ngƣời ta cũng có thể sử dụng graphite oxit cách điện để chế tạo mạch điện sau đó biến đổi nó thành graphene dẫn điện với một lóe sáng đèn flash. Ngoài ra, các mặt nạ cản sáng có thể đƣợc sử dụng để tạo ra những khuôn mẫu graphene phức tạp. Để phát triển nghiên cứu này, các nhà khoa học đang có kế hoạch sử dụng quá trình trên chế tạo một mạch điện cấp độ nano, nhƣng tiến trình không đơn giản khi nó có liên quan đến những lƣợng nhỏ vật liệu vì nhiệt phát sinh bởi xung sáng có thể tiêu tan quá nhanh để kích ngòi cho một phản ứng.
3.8 Ứng dụng graphene
3.8.1 Graphene: chất bán dẫn có thể điều chỉnh tốc độ đóng mở siêu nhanh nhanh
Hình 3.19: Cấu tạo của một transistor graphene với tần số cắt lên đến 100 GHz
41
Một nghiên cứu mới của trƣờng đại học Maryland chỉ ra electron trong graphene di chuyển nhanh hơn cả 100 lần so với electron trong Si. Nghiên cứu đã sử dụng graphene tạo ra transistor nhỏ nhất thế giới, dày 1 nguyên tử và rộng 10 nguyên tử.
Tỉ lệ này đƣợc xác định bằng phép đo độ linh động của electron. Chúng đã thể hiện một hiệu ứng điện trƣờng lƣỡng cực mạnh với nồng độ electron và lỗ trống lên đến 1013 cm-2. Độ linh động hơn 15000 cm-2
V-1 s-1, thỏa mãn về điều kiện tốc độ của những thiết bị nhƣ transistor có thể mở và đóng (hình 3.19). Theo những nghiên cứu này, có thể trong tƣơng lai các thiết bị điện tử và công nghệ máy tính dựa trên cơ sở Si sẽ chuyển thành những công nghệ dựa trên cơ sở của graphene, ít nhất là cho những công nghệ phức tạp và tinh xảo nhƣ máy thu tần suất cao.