7. Nội dung
3.7.5Phƣơng pháp bóc tách
Hiện nay phƣơng pháp bóc tách là phƣơng pháp đơn giản sản xuất những mẩu graphene tƣơng đối lớn. Phƣơng này do Abhay Shukla và các cộng sự ở trƣờng Đại học Pierre và Marie ở Paris đề xuất. Nhóm nghiên cứu vừa chứng minh đƣợc rằng khối graphite có thể gắn kết lên trên thủy tinh borosilicate và rồi tách ra để
lại một lớp graphene trên chất nền đó.
Phƣơng pháp “bóc tách” thông dụng nhất dùng để sản xuất graphene chỉ có ích trong việc tạo ra những nguyên mẫu dụng cụ cỡ
Hình 3.18: Từ trước vào: Adrian Balan, Rakesh Kumar, Abhay Shukla.
39
nhỏ, nhƣng phƣơng pháp mới khiến cho có thể áp dụng cách thức này ở một quy mô lớn hơn trong khi vẫn giữ đƣợc chất lƣợng cao của mẫu. Các nhà nghiên cứu đã sử dụng kĩ thuật gọi là gắn kết dƣơng cực, gắn dính một chất dẫn hoặc chất bán dẫn lên trên một chất nền thủy tinh, sử dụng lực tĩnh điện lớn phát sinh từ sự dẫn ion của chất nền. Điều này có nghĩa là không cần đến chất kết dính nào cả. Phƣơng pháp đó đã đƣợc sử dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp vi điện tử để gắn kết các bánh xốp silicon với thủy tinh. Kĩ thuật này chƣa từng đƣợc thử nghiệm trên các chất nền phân lớp, kiểu nhƣ graphene, có lẽ là vì chúng không bám dính mà bị tách ra, chỉ có lớp đầu tiên hoặc vài ba lớp nguyên tử đầu tiên gắn kết với một chất nền, còn khối chất có thể bóc tách ra. Vì các mẫu đƣợc gắn kết với một chất nền thủy tinh rắn chắc, cho nên cách này tạo ra đƣợc các mẩu diện tích bề mặt lớn hơn có chất lƣợng cao theo kiểu hiệu quả và đơn giản. Phƣơng pháp này có thể sử dụng cho các chất
phân lớp khác.
Từ trƣớc đến nay, các nhà nghiên cứu đã sản xuất đƣợc các mẩu kích cỡ milimet, nhƣng họ nói có thể cải thiện tỉ lệ này.