Dày của mẫu phải đủ mỏng (thường dưới 100 nm).

Một phần của tài liệu Đề tài màng điện sắc (Trang 56)

Hình II 3.1.2:Ảnh chụp HRTEM lớp phân cách Si/SiO2, lớp Si đơn tinh thể cho hình ảnh các cột nguyên tử, cịn lớp SiO2 là vơ định

III.2 Phương pháp nhiễu xạ tia X (XRD):

•Chiếu một chùm tia X tới thì các electron của nguyên tử sẽ dao động, nếu các điện tử này hấp thu photon tới chuyển lên mức kích thích cao hơn và trở về mức ban đầu phát ra photon mới, từ đĩ tạo ra các vạch phổ.Chúng ta cĩ thể dựa vào chúng để phân tích các đặc trưng của tinh thể.

Từ phương trình Bragg, ứng với giá trị bước sĩng tia X nhất định, đối với một họ mặt mạng tinh thể tia X nhất định, đối với một họ mặt mạng tinh thể sẽ cĩ 1 giá trị θ tương ứng thỏa mãn điều kiện nhiễu xạ. Nghĩa là bằng cách đo phổ nhiễu xạ tia X chúng ta sẽ nhận được tổ hợp các giá trị dhkl đặc trưng cho khoảng cách giữa các họ mặt mạng theo các hướng khác nhau của một cấu trúc tinh thể. Và bằng cách so sánh tổ hợp này với bản tra cứu cấu trúc các mẫu chuẩn chúng ta sẽ xác định được cấu trúc tinh thể của mẫu cần nghiên cứu.

Qua phổ XRD ta xác định được:

-khoảng cách giữa các họ mặt mạng => cấu trúc tinh thể của mẫu cần nghiên cứu

-kích thước hạt trung bình được xác định như sau:

-Trong đĩ: t là kích thước hạt trung bình, λ là bước sĩng của nguồn chụp tia X, β là độ bán rộng của đỉnh phổ tính theo radian,θ là gĩc ứng với đỉnh nhiễu xạ.

Các giá trị trên đều được xác đinh từ ảnh XRD và thơng số của máy chụp, ngoại trừ giá trị β.

Giá trị β được xác định như sau:

- Tại đỉnh phổ cĩ cường độ I cần tính kích thước hạt trung bình, ta kẻ đường I/2 cắt đỉnh phổ tại 2 điểm x1 và x2

Một phần của tài liệu Đề tài màng điện sắc (Trang 56)