- Tổng tổn hao công suất:
4.2Chuyển các linh iện trong datasheet vào thƣ viện phần mềm 1 Diode SBPC
CHƢƠNG IV: MÔ PHỎNG MÁY HÀN INVERTER BẰNG PHẦN MỀM LTSPICE
4.2Chuyển các linh iện trong datasheet vào thƣ viện phần mềm 1 Diode SBPC
ể tạo ra điện áp DC từ nguồn một pha AC 220V cấp vào khối ngh ch lƣu cần phải cho điện áp AC qua cầu chỉnh lƣu Diode SBPC 5010. Vì diode SBPC 5010 không có sẵn thông số trong phần mềm nên phải dựa vào thông số trên datasheet và đặc tuyến do nhà sản suất cung cấp để tính các thông số cần thiết.
69
Tại nhiệt độ phòng thí nghiệm từ 25oC, điện áp rơi tại dòng ID= IF=60A thì VD=VF=1.1V. Dựa trên datasheet tính các thông số cần thiết để đƣa vào LTspice nhƣ sau:
Tính dòng bão hòa IS dựa trên công thức: * * ( 1) D T V N V D S I I e (4.1)
VT là điện áp nhiệt ở nhiệt độ theo điều kiện max Tvj=250C. * T K T V q (4.2) trong đó: o K là hằng số Boltzmann. K=1.38*10-23 J/K.
o T: nhiệt độ tuyệt đối, q: (e) điệntích nguyên tử q=1.6*10-19 C. Ở nhiệt độ phòng 27°C (T = 300 K), VT ≈ 26 mV. Tính điện trở thuần RS: D T s D D V V R I I (4.3)
70
o với hệ số phát xạ: N đƣợc tính dựa theo công thức (4.1)
Từ các công thức trên ứng với nhiệt độ Tj=250C, VD=1.1V, ID=60A tính đƣợc:
o IS= 30.5pA,
o RS=.428mΩ, N=2
Các thông số đƣợc nhập vào model có sẵn trong phần mềm là do nhà sản xuất cung cấp dựa trên tính toán đo đạc thực tế. Vì vậy khi đƣa các thông số của những linh kiện không có sẵn vào phần mềm mô phỏng thì chỉ mang tính tƣơng đối và đƣợc điều chỉnh cho gần giống với đặc tuyến thực tế trên datasheet nên các thông số sau khi điều chỉnh sẽ khác so với tính toán ban đầu.
4.2.2 IGBT
Dựa vào sơ đồ tƣơng đƣơng của một IGBT, ta xây dựng mô hình là sự kết hợp giữa BJT và MOSFET.Vì dùng trong khối ngh ch lƣu ta có thể chọn Superfast NPT-IGBT Modules SKM 75GB063D.Sử dụng dữ liệu từ datasheet của IGBT đƣợc đề cập trong bảng 3.3 và đặc tuyến của IGBT (hình 4.11) để xây dựng mô hình IGBT trong phần mềm.
Chọn đặc tuyến tại điện áp kích cổng VGES = 17V.