phân+tích+bề+mặt+sem+afm

... Cu/ FeNi có hiệu ứng GMI chế tạo phương pháp điện kết tủa Phương pháp nghiên cứu: Phân tích bề mặt: SEM, AFM Phân tích thành phần, cấu trúc: EDS, AAS, XRD Đo từ: VSM Đo hiệu ứng GMI Nội dung luận ... tần số cao phân bố không đồng toàn tiết diện dây, chủ yếu tập trung gần bề mặt dây dẫn Mật độ dòng điện giảm theo hàm số mũ từ bề mặt vật liệu vào lõi vật dẫn Hiện tượng gọi hiệu ứng bề mặt PT(1.6) ... dày sau tương tác với bề mặt mẫu, sản phẩm tương tác (các điện tử thứ cấp) theo hướng khácra khỏi bề mặt mẫu Các điện tử thứ cấp thu nhận phân tích chuyển đổi thành hình ảnh SEM Nguyên lý phương...

Ngày tải lên: 23/07/2015, 17:37

Ngày tải lên: 21/09/2014, 13:56

Ngày tải lên: 17/10/2014, 20:29

... sau phun lên bề mặt trống đồng quay, hợp kim nóng chảy giàn bề mặt trống đồng, văng dạng băng mỏng Tuy nhiên phương pháp có nhược điểm dễ xảy sai khác mặt cấu trúc tính chất bề mặt hai phía băng ... từ dạng hạt theo thay đổi tỷ phần thể tích (0 xv 1)[12] Nếu mà hạt phân bố cách ngẫu nhiên tỷ phần diện tích bề mặt kim loại (xa) coi tương tự tỷ phần thể tích (xv) Nên: xa = xv (1.4) Đây thông ... có khe hẹp đặt gần sát bề mặt trống Dùng dòng khí nén (thường khí trơ để tránh oxi hoá, khí Ar) thổi hợp kim nóng chảy lên bề mặt trống quay Vì miệng vòi phun đặt gần mặt trống nên hợp kim bị...

Ngày tải lên: 23/07/2015, 14:28

... Nguyên nhân tính vượt trội tán xạ bề mặt tán xạ khối việc hình thành trạng thái bề mặt, giếng lượng tử bề mặt phân cách Tuy nhiên, số trường hợp tán xạ khối bỏ qua: Bề dày lớp từ lớn nhiều so với ... hưởng đến hiệu ứng GMR Sự có mặt tạp chất bề mặt phân cách lớp từ không từ bề mặt hạt từ gây hiệu ứng từ điện trở ngược (IMR- Inverse Magneto Resistance) IMR hiệu ứng có mặt từ trường điện trở mẫu ... spin bề mặt khối: Bảng 1.1: Hệ số bất đối xứng tán xạ spin bề mặt khối Hệ số Co/Ag Co/Cu NiFe/Cu 0,48 0,50 0,50 0,85 0,76 0,81 Từ kết thực nghiệm ta nhận thấy, tán xạ khối bỏ qua tán xạ bề mặt...

Ngày tải lên: 30/11/2015, 22:17

... sau phun lên bề mặt trống đồng quay, hợp kim nóng chảy giàn bề mặt trống đồng, văng dạng băng mỏng Tuy nhiên phương pháp có nhược điểm dễ xảy sai khác mặt cấu trúc tính chất bề mặt hai phía băng ... từ dạng hạt theo thay đổi tỷ phần thể tích (0 xv 1)[12] Nếu mà hạt phân bố cách ngẫu nhiên tỷ phần diện tích bề mặt kim loại (xa) coi tương tự tỷ phần thể tích (xv) Nên: xa = xv (1.4) Đây thông ... có khe hẹp đặt gần sát bề mặt trống Dùng dòng khí nén (thường khí trơ để tránh oxi hoá, khí Ar) thổi hợp kim nóng chảy lên bề mặt trống quay Vì miệng vòi phun đặt gần mặt trống nên hợp kim bị...

Ngày tải lên: 05/11/2016, 22:25

... Cu/ FeNi có hiệu ứng GMI chế tạo phương pháp điện kết tủa Phương pháp nghiên cứu: Phân tích bề mặt: SEM, AFM Phân tích thành phần, cấu trúc: EDS, AAS, XRD Đo từ: VSM Đo hiệu ứng GMI Nội dung luận ... tần số cao phân bố không đồng toàn tiết diện dây, chủ yếu tập trung gần bề mặt dây dẫn Mật độ dòng điện giảm theo hàm số mũ từ bề mặt vật liệu vào lõi vật dẫn Hiện tượng gọi hiệu ứng bề mặt PT(1.6) ... dày sau tương tác với bề mặt mẫu, sản phẩm tương tác (các điện tử thứ cấp) theo hướng khácra khỏi bề mặt mẫu Các điện tử thứ cấp thu nhận phân tích chuyển đổi thành hình ảnh SEM Nguyên lý phương...

Ngày tải lên: 20/11/2016, 15:17

Ngày tải lên: 06/10/2014, 17:03

... Ordinary Magnetoresistance T in tr thng RKKY Ruderman-Kittel-Kasuya- Tờn cỏc nh khoa hc tt -Yosida SEM Scanning Electron Hin vi in t quột Microscope Spin Spin up in t spin hng lờn Spin Spin down...

Ngày tải lên: 30/11/2015, 21:43

Ngày tải lên: 27/09/2014, 00:05

Ngày tải lên: 30/11/2015, 22:08

... protein hay cỏc -3 phõn t ca axit hu c Ngoi SEM cũn cho sõu trng nh ln hn so vi kớnh hin vi quang hc Mu dựng quan sỏt bng SEM phi c x lý b mt v thao tỏc ca SEM l chõn khụng C s ca phng phỏp hin ... microscopy Hin vi in t truyn qua SEM: Scanning electron microscopy - Hin vi in t quột Nguyờn lý to nh SEM v phúng i - 46 - Hỡnh 2.6 l s cu to v nguyờn lý hot ng ca SEM Quột trờn b mt mu bng mt chựm ... phn x ca tia trờn mt tinh th phõn tớch bng gúc trt 2.3 Phng phỏp hin vi in t quột SEM Hin vi in t quột (SEM - Scanning electron microscopy) l cụng c c s dng rt rng rói quan sỏt vi cu trỳc...

Ngày tải lên: 15/01/2015, 21:59

... thuận spin nghich phân vùng lượng 3d, có tách vùng phân vùng lượng điện tủ có spin thuận có lượng thấp phân vùng lượng điện tử có spin nghịch Theo nguyên tắc tối ưu mặt lượng, phân vùng spin thuận ... thuận spin nghich phân vùng lượng 3d, có tách vùng phân vùng lượng điện tủ có spin thuận có lượng thấp phân vùng lượng điện tử có spin nghịch Theo nguyên tắc tối ưu mặt lượng, phân vùng spin thuận ... Fem Co m Ni, Cu trình bày hình ….Ta thấy rằng,nói chung phân vùng 3d với spin thuận chủ yếu nằm mức lượng Fermi bị lấp đầy hoàn toàn , phân vùng 3d với spin nghịch có cắt mức lượng Fermi Bức...

Ngày tải lên: 15/08/2015, 09:09

... (H2PO2) - + H (bề mặt xúc tác)  P + H2O + OH- (1.18) Và mà nồng độ khí H2 tăng lên, bám vào bề mặt đế, làm tăng độ nhám bề mặt: H + H  H2  (1.19) Qua kết thu được, ta thấy bề mặt màng có khuyết ... catot anot riêng biệt xảy đồng thời bề mặt nền.[1-4] Các phản ứng tổng quát diễn trình mạ hoá học CoP: Bề mặt Co2+ + Na(H2PO2) + HOH Xúc tác Co + 2H+ + NaH(HPO3) Bề mặt (H2PO2)+ + P + H2O + OH- OH ... 30g/l, (d) 40g/l, (e)50g/l (Thời gian mạ 10 phút, bề dày màng 10 ) Các kết cho thấy màng CoP bám mặt đế Khi nồng độ NaH 2PO2 tăng dần lên độ nhám bề mặt màng tăng dần lên Kết giải thích, tăng nồng...

Ngày tải lên: 03/09/2015, 20:18

... chuyển động điện tử nằm mặt phang dòng điện tồn mặt cắt nhỏ tán xạ điện tử, dẫn tới vật dẫn có điện trở nhỏ Ngược lại, từ trường áp vào song song với chiều dòng điện, mặt cắt tán xạ điện tử tăng ... mw/cm2, độ phân giải tối đa 0,5 Ịim Hình 2.2 Thiết bị quang khắc MJB4 Các chế độ làm việc Hệ quang khắc MJB4: - Tiếp xúc xa (Soft Contact): Chế độ tiếp xúc xa đạt độ phân giải 2,0 jam Độ phân giải ... thuật phạm vi quang phố, khoảng cách mặt nạ - Tiếp xúc gần (Hard Contact): Ở chế độ này, khoảng cách mẫu mặt nạ rút ngắn nhờ hệ thống đẩy khí nitơ mẫu Độ phân giải đạt đến 1,0 Ịim - Tiếp xúc...

Ngày tải lên: 05/11/2015, 09:11

... mw/cm2, độ phân giải tối đa 0,5 µm Hình 2.2 Thiết bị quang khắc MJB4 Các chế độ làm việc Hệ quang khắc MJB4: - Tiếp xúc xa (Soft Contact): Chế độ tiếp xúc xa đạt đƣợc độ phân giải 2,0 µm Độ phân giải ... phạm vi quang phổ, khoảng cách mặt nạ nền… 17 - Tiếp xúc gần (Hard Contact): Ở chế độ này, khoảng cách mẫu mặt nạ đƣợc rút ngắn nhờ hệ thống đẩy khí nitơ dƣới mẫu Độ phân giải đạt đƣợc đến 1µm - ... chân không (Vacuum Contact): Chế độ giúp đạt đƣợc độ phân giải cao tiếp xúc xa gần khoảng cách mặt nạ mẫu tiếp tục đƣợc giảm Để đạt đƣợc độ phân giải cao độ dày lớp cảm quang phủ mẫu cần đƣợc...

Ngày tải lên: 05/11/2015, 14:58

... mw/cm2, độ phân giải tối đa 0,5 µm Hình 2.2: Thiết bị quang khắc MJB4 Các chế độ làm việc hệ quang khắc MJB4: + Tiếp xúc xa (Soft Contact): Chế độ tiếp xúc xa đạt đƣợc độ phân giải 2,0 µm Độ phân giải ... phạm vi quang phổ, khoảng cách mặt nạ nền… + Tiếp xúc gần (Hard Contact): Ở chế độ này, khoảng cách mẫu mặt nạ đƣợc rút ngắn nhờ hệ thống đẩy khí nitơ dƣới mẫu Độ phân giải đạt đƣợc đến 1µm + Tiếp ... chân không (Vacuum Contact): Chế độ giúp đạt đƣợc độ phân giải cao tiếp xúc xa gần khoảng cách mặt nạ mẫu tiếp tục đƣợc giảm Để đạt đƣợc độ phân giải cao độ dày lớp cảm quang phủ mẫu cần đƣợc...

Ngày tải lên: 05/11/2015, 15:00

... Xì khô máy nén khí để loại bỏ nước DI bám bề mặt đế - Nung mẫu 120 °c (trên nhiệt độ sôi nước 100°C) hotlate với thời gian phút để bốc bay hoàn toàn bề mặt 2.1.2 Thiết bị quay phủ Khi thực trình ... trình quang khắc Bước : Làm bề mặt mẫu Đe dùng để chế tạo cảm biến đế Si, mặt oxi hóa thành lớp SÍƠ2 (có chiều dày khoảng từ 500 nm đến 1000 nm) để cách điện đế với mặt chân đế Trên đế Si có nhiều ... mw/cm2, độ phân giải tối đa 0, Ịjm Hình 2.3 Thiết bị quang khắc MJB4 Các chế độ làm việc hệ quang khắc MJB4: - Tiếp xúc xa (Soft Contact): Chế độ tiếp xúc xa đạt độ phân giải 2, Ịim Độ phân giải...

Ngày tải lên: 05/11/2015, 15:56