p n junction solar cell

... berkurang dengan pertambahan ketebalan filem nipis PT manakala kekonduksian elektrik adalah meningkat dengan pertambahan cahaya dan pertambahan ketebalan filem nipis CHLO Kesimpulannya, gabungan filem ... gabungan filem nipis yang paling nipis daripada PT dengan filem nipis CHLO yang paling tebal menghasilkan kekonduksian elektrik yang paling tinggi iaitu ± 0.1 Sm–1 (meningkat sebanyak 22% dibawah ... Electrical Conductivity of Chlorophyll 78 menunjukkan perubahan yang tidak seragam Kekonduksian elektrik dalam keamatan cahaya menunjukkan peningkatan dengan pertambahan keamatan cahaya Kekonduksian elektrik...

Ngày tải lên: 07/08/2014, 14:20

... Ed 2  Dp Dn  I s = Aq  + ni =constant for a given diode at a given temperature  L p N D Ln N A  n= empirical constant (typically 1 n 2, depending on the type of diode and its physical structure), ... across depletion region; occurs in heavily doped semiconductors, since higher doping results in narrower depletion region Avalanche Breakdown (predominates if VZK

Ngày tải lên: 23/12/2013, 14:15

... n- ZnO nanowire in polystyrene/PEDOT:PSS n- ZnO nanorod /p- Si substrate n- ZnO nanorod /p- NiO film n- ZnO nanowire in PMMA/NPB n- ZnO nanowire/PEDOT:PSS n- ZnO nanowire /p- GaN film n- ZnO nanorod /p- CuAlO2 ... Rfmagnetron sputtering Hybrid beam deposition n- ZnO /p- ZnO MOCVD n- ZnO /p- ZnO MBE n- ZnO /p- ZnO MBE n- ZnO /p- ZnO MBE n- ZnO /p- ZnO MOCVD p- ZnO/MgZnO/ZnO/MgZnO/nZnO PLD Structure n- MgZnO /p- MgZnO n- ZnO /p- ZnO ... n- ZnO /p- ZnO p- ZnO /n- ZnO substrate n- ZnO /p- ZnO p- ZnO /n- ZnO/Si n- ZnO /p- ZNO/GaAs substrate p- ZnO /n- ZnO /n- SiC N2 O implanted ZnO /n- ZnO/Al2O3 p- ZnO /n- ZnO/ZnO p- ZnO /n- ZnO/Al2O3 MOCVD MOCVD Excimer laser doping...

Ngày tải lên: 09/09/2015, 10:14

... đi n Jpn không phụ thuộc vào thời gian n n phương trình trở thành: d2Pn dx2 = Pn − Pn L2 p Trong Lp = √Dp. p [ ] Và có nghiệm số là: Pn(x) − Pn0 = Pn(x2) − Pn0 e Suy ra, Jpn(x2) = − e.Dp dPn dx ... V0-V, n i P- N thăng Lỗ trống khuếch t n từ vùng P sang vùng N tạo dòng đi n Ip Đi n tử khuếch t n từ vùng N sang vùng P tạo dòng đi n In Dòng đi n I qua n i P- N : I = Ip + In 4/32 N i P- N Diode (P- N ... N i P- N Diode (P- N junction Diot) Khi n i PN thành l p, lỗ trống vùng P khuếch t n sang vùng N ngược lại, đi n tử vùng N khuếch t n sang vùng P Trong di chuy n, đi n tử lỗ trống tái h p với...

Ngày tải lên: 31/12/2015, 17:06

... Jinjoo Park1, and Junsin Yi*1 School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, 300 Cheoncheon-dong, Jangan-gu, Suwon, 440-746, South Korea Photovoltaic Research Center, ... using a few-nanometerthick nc-Si layer Further improvements in the solar cell performance are possible through optimization of thickness of each layer, doping concentration, etc Competing interests ... characteristics of solar cells having (a) AZO /p- type a-SiC:H and AZO/ p+ a-SiC:H /p- type a-SiC:H front interface and (b) AZO/ptype a-SiC:H and AZO/nc-Si /p- type a-SiC:H front interface Figure Dependence of...

Ngày tải lên: 20/06/2014, 20:20

... Jinjoo Park1, and Junsin Yi*1 School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, 300 Cheoncheon-dong, Jangan-gu, Suwon, 440-746, South Korea Photovoltaic Research Center, ... using a few-nanometerthick nc-Si layer Further improvements in the solar cell performance are possible through optimization of thickness of each layer, doping concentration, etc Competing interests ... characteristics of solar cells having (a) AZO /p- type a-SiC:H and AZO/ p+ a-SiC:H /p- type a-SiC:H front interface and (b) AZO/ptype a-SiC:H and AZO/nc-Si /p- type a-SiC:H front interface Figure Dependence of...

Ngày tải lên: 21/06/2014, 17:20

... tunable band gap and possibility to manipulate injection and recombination processes, high extinction coefficients and improved light absorption properties, impact ionization effect and multiple ... its application 2.4 Tandem DSCs Concept of tandem solar cell is one of the major encouraging motivations of photocathode based solar cell improvements.[19] In tandem cell, conventional pt counter ... is the difference between the p- SC valence band potential and the n- SC conduction band potential which propose a potential to achieve higher Voc by choosing proper p- type and n- type materials.[22]...

Ngày tải lên: 27/11/2015, 12:39

... măt công nghệ ̣ ̣ outline • • • • • • History-lịch sử hình thành Defination-định nghĩa Properties-tính chất Principle-nguy n lí,giải thích Classification-ph n loại Application- ứng dụng QW GaAs/GaAsAl ... thành Defination-định nghĩa Properties-tính chất Principle-nguy n lí,giải thích Classification-ph n loại Application- ứng dụng Nguy n liệu làm QW • Chât lượng cua giao di n giữa hai vât liêu ... + Dải h p thụ rộng, làm việc n định nhiều điều ki n bi n đổi ánh sáng mặt trời + kích cỡ vài độ mini mét , dễ s n xuất Ứng dụng + Công trình tích h p n ng lượng quang đi n + Smart Windows   ...

Ngày tải lên: 06/12/2012, 08:28

Ngày tải lên: 05/03/2013, 17:08

Ngày tải lên: 27/09/2013, 23:10

Ngày tải lên: 23/10/2013, 19:15

Ngày tải lên: 06/11/2013, 02:15

... nghi m c a h phương trình x = y = z = t = Bài 4: T : x1 + x2 + + xn = n xn ⇒ n xn + xn +1 = ( n + 1) xn +1 ⇒ n xn = n ( n + ) xn +1 ⇒ xn +1 = ⇒ ⇒ xn +1 = n ( n − 1) n xn ⇒ xn +1 = x n+ 2 ( n ... ra: N u a < : Phương trình có nghi m th c N u a = : Phương trình có nghi m(1 nghi m k p x = ) N u a > : Phương trình có nghi m ph n bi t Bài 2: un +1 = un + ∫ t − un dt 1./ u0 ≥ T cách xác ñ nh ... {un } xác ñ nh sau: u0 ∈ ℝ và: un+1 = un + ∫ t − un dt , n ∈ ℕ 1./ Ch ng minh r ng: ñó dãy s tăng n u u0 ≥ thì: un+1 = 2un − , n ∈ ℕ T ñó ch ng minh r ng: lim un = +∞ n →∞ 2./ Ch ng minh r ng...

Ngày tải lên: 25/11/2013, 22:46

... khỏi kinh thành Huế, sông Hương “đột ngột rẽ dòng… để g p lại thành phố l n cuối” Nhà v n dùng bi n ph p nh n hóa để n i tâm hóa hình dáng dòng sông: “Đó n i vương v n, chút lẳng lơ k n đáo tình ... G n li n với dòng sông, địa danh quen thuộc: H n Ch n, Nguyệt Biều, Vọng Cảnh, Thi n Thai dường sống động h n: “sông Hương dư vang Trường S n , “sắc n ớc trở n n xanh thẳm”…-> Sông Hương t n ... nghệ nh n già, nghe câu thơ tả tiếng đ n nàng Kiều, nh n âm hưởng âm nhạc cung đình bật l n: “Đó Tứ đại cảnh” -> Bóng dáng Nguy n Du trang Kiều nhiều l n xuất kí bộc lộ khả li n tưởng phong phú,...

Ngày tải lên: 10/03/2014, 02:20

... Hs: Các nhóm lại theo dõi, đối Do : chiếu với nhóm cho nh n a) N u đạt C máy phát sóng truy n xét bổ xung có b n kính hoạt động 60km Gv:Chốt lại ý ki n nhóm đưa thành phố B không nh n t n hiệu ... theo ý ki n Hs sau hướng d n Hs ph n tích - Làm để c/minh BD > BC ? · · - Tại BCD > BDC ? · - BDC góc n o? Hs:Trình bày miệng to n sau ph n tích Gv:Ghi bảng ph n c/minh n i Tương tự ta c/minh BC ... khảo b) N u đạt C máy phát sóng truy n Gv:Qua t p gi p Hs có thêm ki n thức li n hệ vào thực tế việc có b n kính hoạt động 120km thành phố B nh n t n sử dụng máy đi n thoại hiệu 4.CỦNG CỐ: (5’)...

Ngày tải lên: 14/03/2014, 01:30

... A N P B GV hỏi: Vậy tam giác có đường trung tuy n ? GV nh n mạnh: Đường trung tuy n tam giác đo n thẳng n i từ đỉnh tam giác tới trung điểm cạnh đối di n Mỗi tam giác có ba đường trung tuy n ... tính chất ba đường trung giác qua điểm Điểm tuy n tam giác ? cách đỉnh khoảng độ dài đường trung tuy n qua đỉnh GV: Nh n xét đúng, người ta chứng minh định lí sau tính chất ba đường trung tuy n ... tuy n trọng tâm tam giác Để miếng bìa n m chứng minh GI = AH thăng giá nh n điểm đặt Có miếng bìa hình tam giác, đặt giá nh n phải trọng tâm tam giác miếng bìa n m thăng Một HS l n bảng đặt miếng...

Ngày tải lên: 14/03/2014, 01:33

... ph n gíc góc xOy Gv:Cho Hs đọc kĩ n i dung định lí nh n mạnh *Nh n xét: Từ định lí định lí ta có Từ định lí thu n đảo ta có : “T p T p h p điểm n m b n góc h p điểm n m b n góc và cách cạnh góc ... tia ph n giác góc thước lề HƯỚNG D N VỀ NHÀ: ( 2’) - Học thuộc n m vững n i dung định lí tính chất tia ph n giác góc, nh n xét tổng h p định lí - Làm 32 → 35/SGK - Mỗi học sinh chu n bị miếng ... góc t p h p điểm n m b n góc, cách hai cạnh góc 2.Kĩ n ng: - V n dụng hai định lí để tìm t p h p điểm cách hai đường thẳng cắt giải t p 3.Thái độ: - Học sinh biết vẽ thành thạo tia ph n giác...

Ngày tải lên: 14/03/2014, 01:34

... Perspectives [6] Shen, W Z (2011) Silicon Quantum Dots: Photoluminescence Controlling and Solar Cell Application Seventh International Conference on Thin Film Physics and Applications [7] Munteanu, ... resistance of cell depends on concentration of carriers in n- and p- region, depth of p- n junction, resistance and construction of frontal and back ohmic contacts Increase of ser‐ ies resistance produces ... Alessandro Romeo and Nicola Romeo Chapter Cu2ZnSnS4 Thin Film Solar Cells: Present Status and Future Prospects 107 Minlin Jiang and Xingzhong Yan Chapter Thin Film Solar Cells Using Earth-Abundant...

Ngày tải lên: 16/03/2014, 12:20

... brown in appearance To examine the optical properties of the SiNWs solar cell, a reflectance was measured by spectrophotometer with integrating sphere The reflectance of SiNWs and typical planar ... difference of reflectance between conventional planar c-Si solar cell and SiNWs solar cell the Schottky barrier between the evaporated Al contact and silicon wafer because of insufficient annealing ... c-Si wafer, phosphorous diffusion was performed on the front surface using spin-on phosphors silicate glass (PSG) coating Then the samples were diffused to fabricate p n+ junction in quartz tube...

Ngày tải lên: 16/03/2014, 15:12