... HIỆUỨNGTỪĐIỆNTRỞKHỔNGLỒ GMR 1.1 Cấu trúc trạng thái từ vật liệu từđiệntrở dạng hạt 1.1.1 Thành phần cấu tạo vật liệu từđiệntrởkhổnglồ GMR Thành phần cấu tạo vật liệu từđiệntrởkhổng ... 1: Hiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ GMR 1.1 Cấu trúc trạng thái từ vật liệu từđiệntrở dạng hạt 1.1.1 Thành phần cấu tạo vật liệu từđiệntrở khỉng lå GMR……… 1.1.2 CÊu tróc nan« cđa vËt liệu từ ... phôc điện tÝch điệntử m1, m2 khèi lỵng hiƯu dụng vùng lượng 1.2.3 Hiệuứngtừ ®iƯn trë khỉng lå GMR (Giant magneto resistance) 1.2.3.1 HiƯu ứngtừđiệntrởkhổnglồ dạng màng đa líp Hiệuứng từ...
... HIỆUỨNGTỪĐIỆNTRỞKHỔNGLỒ GMR 1.1 Cấu trúc trạng thái từ vật liệu từđiệntrở dạng hạt 1.1.1 Thành phần cấu tạo vật liệu từđiệntrởkhổnglồ GMR Thành phần cấu tạo vật liệu từđiệntrởkhổng ... 1: Hiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ GMR 1.1 Cấu trúc trạng thái từ vật liệu từđiệntrở dạng hạt 1.1.1 Thành phần cấu tạo vật liệu từđiệntrở khỉng lå GMR……… 1.1.2 CÊu tróc nan« cđa vËt liệu từ ... đổi 50% điệntrở suất màng đa lớp tác dụng từ trường Do có thay đổi mạnh vậy, nên hiệuứng gọi hiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ (Giant Magneto Resistance-GMR) Độ lớn GMR thể qua tỉ số từđiện trở: ...
... 1.1 Hiệuứngtừđiệntrở 1.1.1 Hiệuứngtừđiệntrở thường OMR (Ordinary Magneto Resistance) Từđiện trở, hay gọi tắt từ trở, tính chất số vật liệu, thay đổi điệntrở suất tác dụng từ trường Hiệu ... lớn hiệuứngtừđiệntrở nữa, mà hiểu theo chế tạo nên hiệu ứng: chế tán xạ phụ thuộc spin điện tử, từ tất hiệuứng có chế tán xạ phụ thuộc spin, từ số GMR nhỏ gọi hiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ ... 1.1 Hiệuứngtừđiệntrở 1.1.1 Hiệuứngtừđiệntrở thường OMR (Ordinary Magneto Resistance) 1.1.2 Hiệuứngtừ dị hướng AMR (Anisotropic Magneto Resistance) 1.1.3 Hiệuứngtừđiện trở...
... kim gọi vật liệu từđiệntrởkhổnglồhiệuứng MR hợp kim gọi hiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ Cơ chế thay đổi điệntrở (điện trở suất) cấu trúc từ dị thể trình tán xạ phụ thuộc spin điệntử dẫn 4s ... nghiệp Lù Đức Hoàng -K32C Chương Tổng quan từđiệntrởkhổnglồ 1.1 Quá trình nghiên cứu hiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ 1.1.1 Sự phát hiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ dạng màng ®a líp HiƯn tỵng tõ ®iƯn ... khác hiệuứngtừđiệntrở cấu hình đo Từđiệntrở (Magneto Resistance MR) thay đổi điệntrở vật dẫn đặt từ trường ngoài, hiệuứngtừđiệntrở MR có giá trị dương âm, tùy thuộc vào điệntrở vật...
... dựa hiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ mà điệntrở hệ màng mỏng từ đa lớp gồm lớp sắt từ ngăn cách lớp phi từ thay đổi lớn tác dụng từ trường ngồi làm thay đổi điệntrở hệ (điện trở cao, điệntrở ... dựa hiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ mà điệntrở hệ màng mỏng từ đa lớp gồm lớp sắt từ ngăn cách lớp phi từ thay đổi lớn tác dụng từ trường làm thay đổi điệntrở hệ ( giá trị điệntrở cao, điệntrở ... dựa hiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ mà điệntrở hệ màng mỏng từ đa lớp gồm lớp sắt từ ngăn cách lớp phi từ thay đổi lớn tác dụng từ trường làm thay đổi điệntrở hệ (giá trị điệntrở cao, điện trở...
... 1.1 Hiệuứngtừđiệntrở 1.1.1 Hiệuứngtừđiệntrở thường OMR (Ordinary Magneto Resistance) Từđiện trở, hay gọi tắt từ trở, tính chất số vật liệu, thay đổi điệntrở suất tác dụng từ trường Hiệu ... lớn hiệuứngtừđiệntrở nữa, mà hiểu theo chế tạo nên hiệu ứng: chế tán xạ phụ thuộc spin điện tử, từ tất hiệuứng có chế tán xạ phụ thuộc spin, từ số GMR nhỏ gọi hiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ ... 1.1 Hiệuứngtừđiệntrở 1.1.1 Hiệuứngtừđiệntrở thường OMR (Ordinary Magneto Resistance) 1.1.2 Hiệuứngtừ dị hướng AMR (Anisotropic Magneto Resistance) 1.1.3 Hiệuứngtừđiện trở...
... nghiên cứu hiệuứngtừ tổng trở dải tần MHz 1.1.2 Lý thut tõ häc vỊ hiƯn tỵng GMI HiƯu øng từ tổng trởkhổnglồ (GMI) dạng khác hiệuứng cảm ứngtừ biết đến thay đổi mạnh tổng trở Z vËt dÉn cã ... cđa tõ trường H dòng điện tần số cao Cơ chế hiệuứng GMI mang chất điệntừ giải thích lý thuyết động lực học cổ điển Theo L V Panima, chất điệntừhiệuứng MI kết hợp hiệuứng bề mặt phụ thuộc ... tự đàn hồi hiệuứngtừ dẫn tới cần thêm lượng dư trình từ hòa từ trường từ hòa lớn (đạt tới từ trường bão hòa), bão hòa từ giảo xảy đồng thời với bão hòa từ độ Đại lượng từ giảo gọi từ giảo bão...
... nghiên cứu hiệuứngtừ tổng trở dải tần MHz 1.1.2 Lý thut tõ häc vỊ hiƯn tỵng GMI HiƯu øng từ tổng trởkhổnglồ (GMI) dạng khác hiệuứng cảm ứngtừ biết đến thay đổi mạnh tổng trở Z vËt dÉn cã ... cđa tõ trường H dòng điện tần số cao Cơ chế hiệuứng GMI mang chất điệntừ giải thích lý thuyết động lực học cổ điển Theo L V Panima, chất điệntừhiệuứng MI kết hợp hiệuứng bề mặt phụ thuộc ... tự đàn hồi hiệuứngtừ dẫn tới cần thêm lượng dư trình từ hòa từ trường từ hòa lớn (đạt tới từ trường bão hòa), bão hòa từ giảo xảy đồng thời với bão hòa từ độ Đại lượng từ giảo gọi từ giảo bão...
... ỨNGTỪ TỔNG TRỞKHỔNGLỒ (GMI) 1.1.1 Hiệuứngtừ tổng trởkhổnglồ GMI 1.1.1.1 Khái niệm hiệuứng GMI Hiệuứngtừ tổng trởkhổnglồ (Giant magneto-impedance-GMI) định nghĩa thay đổi lớn tổng trở ... từ học tượng GMI Hiệuứngtừ tổng trởkhổnglồ (GMI) dạng khác hiệuứng cảm ứngtừ biết đến thay đổi mạch tổng trở Z vật dẫn có từ tính tác dụng từ trường ngồi H dòng điện tần số cao Cơ chế hiệu ... KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU DANH MỤC CÁC HÌNH MỞ ĐẦU CHƯƠNG TỔNG QUAN 11 13 1.1 VẬT LIỆU CÓ HIỆUỨNGTỪ TỔNG TRỞKHỔNGLỒ (GMI) 13 1.1.1 Hiệuứngtừ tổng trởkhổng lồ...
... tác dụng từtrờng H dòng điện tần số cao Cơ chế hiệuứng GMI mang chất điệntừ đợc giải thÝch b»ng lý thut ®éng lùc häc cỉ ®iĨn Theo L V Panima, chất điệntừhiệuứng MI kết hợp hiệuứng bề mặt ... CoP đối tợng để nghiên cứu hiệuứngtừ tổng trở dải tần MHz 1.1.2 Lý thuyết từ học vỊ hiƯn tỵng GMI HiƯu øng tõ tỉng trë khỉng lồ (GMI) dạng khác hiệuứng cảm ứngtừ đợc biết đến nh thay ®ỉi m¹nh ... pháp điện kết tủa Mở đầu Hiệuứngtừ tổng trởkhổnglồ (Giant Magneto Impedance GMI) đợc phát vòng thập kỷ nhng cho thấy tiềm ứng dụng lớn, đặc biệt lÜnh vùc sensor tõ D¹ng vËt liƯu cã hiƯu ứng...
... Hiệuứng gọi hiệuứngtừđiệntrở dị hướng (AMR), hiệuứng phổ biến cho tất kim loại sắt từ Hình 1.1: Sự thay đổi điệntrở suất kim loại sắt từ theo từ trường 1.3 Hiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ ... < T (trật tự sắt từ) , M ≠ ρ ∼ T C m 1.2 Hiệuứngtừđiệntrở thường từđiệntrở dị hướng 1.2.1 Hiệuứngtừđiệntrở thường OMR (Ordinary Magneto Resistance) Hiệuứngtừđiệntrở thường quan sát ... từ đa lớp hay siêu mạng từ gồm lớp kim loại sắt từ xen kẽ lớp kim loại phi từhiệuứng GMR hệ từ dạng hạt bao gồm hạt kim loại sắt từ nằm kim loại phi từHiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ (GMR) hiệu...
... trị cực đại góc 450, Chương Màng đa lớp hiệuứngtừđiệntrởTừtrởkhổnglồ (GMR) Chương Màng đa lớp hiệuứngtừđiệntrở Kết hiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ siêu mạng Fe/Cr phát nhóm Albert Fert ... đa lớp hiệuứngtừđiệntrởTừtrởkhổnglồ (GMR) 23 Chương Màng đa lớp hiệuứngtừđiệntrởTừtrởkhổnglồ (GMR) • Vật lý GMR Độ dẫn phụ thuộc spin kim loại sắt từ 24 Trong kim loại sắt từ , ... khiển dòng spin điệntửHiệuứngtừđiệntrởkhổng lồ, từđiệntrở chui hầm hai trụ cột spintronics 16 Chương Màng đa lớp hiệuứngtừđiệntrở Liên kết từ vật liệu đa lớp Hệ số từtrở dao động theo...
... chương 1, trình bày hiệuứngtừđiện trở, hiệuứng Hall phang, loại nhiễu sensor sensor dạng cầu Wheatstone Ở chương này, nghiên cứu lý thuyết hiệuứngtừđiệntrở chọn hiệuứng làm sở chế tạo ... [R(0)-R(H)]/R(0) 1.1.1 (1.1) Hiệuứngtừtrở dị hướng AMR Hiệuứngtừđiệntrở dị hướng (AMR - Anisotropic magnetoresistance) xảy kim loại từ tính, tượng thay đổi điệntrở tác dụng từ trường lực Lorentz ... THựC NGHIỆM VÀ KẾT QUẢ CHƯƠNG 1: TỎNG QUAN 1.1 HiệuứngtừđiệntrởHiệuứngtừđiệntrở (magnetoresistance - MR) thay đổi điệntrở vật dẫn tác động từ trường, xác định công thức: MR= A p / p =...
... nhỏ… Phổ biến cảm biến từ cảm biến dựa hiệuứng Hall phẳng, hiệuứng cảm ứngđiệntừhiệuứngtừđiện trở, cảm biến dựa hiệuứng Hall phẳng hiệuứngtừđiệntrở hai hƣớng đƣợc triển khai nghiên ... (1.1) Trong đó: 0 , H , R0 , RH lần lƣợt điệntrở suất, điệntrở vật dẫn 1.1.1 Hiệuứngtừtrở dị hƣớng AMR Hiệuứngtừđiệntrở dị hƣớng (AMR- Anisotropic magnetoresistance) hiệuứng ... hiệuứngtừđiệntrở mà tỉ số từđiệntrở (sự thay đổi điệntrở suất dƣới tác dụng từ trƣờng ngoài) phụ thuộc vào hƣớng dòng điện, mà chất phụ thuộc điệntrở vào góc tƣơng đối từ độ dòng điện William...
... CHƢƠNG TỔNG QUAN 1.1 Hiệuứngtừđiệntrở dị hƣớng Hiệuứngtừđiệntrở xuất vật liệu sắt từHiệuứngtừđiệntrở (magnetoresistance - MR) thay đổi điệntrở vật dẫn dƣới tác động từ trƣờng, đƣợc xác ... biến Hiệuứngtừđiệntrở nghiên cứu khóa luận đƣợc thực thơng qua việc khảo sát thay đổi hiệuđiện lối (hoặc điện trở) cảm biến dƣới tác dụng từ trƣờng Trong khóa luận, hiệuứngtừđiệntrở cảm ... nhiệt ảnh hƣởng đến tín hiệutừ iện trở màng 3.2.2 Tính từđiệntrở cảm biến cầu Wheatstone 3.2.2.1 Tín hiệu cảm biến phụ thuộc vào từ trường ngồi Hiệuứngtừ - điệntrở cảm biến đƣợc nghiên...
... 3.2.2.1 Tín hiệu cảm biến phụ thuộc vào từ trường ngồi Hiệuứngtừ - điệntrở cảm biến nghiên cún thông qua phép khảo sát thay đổi điện áp lối theo từ trường sử dụng hệ đo từđiệntrởTrong trình ... R(o)-R{H) n n p p(0) я(о) u 'u Trong đó: p(0), p(H), R(0), R(H)lần lượt điệntrở suất, điệntrở vật dẫn khơng có từ trường ngồi có từ trường đặt vào Hiệuứngtừđiệntrở dị hướng (AMR - Anistropic ... cảm biến chế tạo CHƯƠNG1 TỎNG QUAN 1.1 Hiệuửngtừđiệntrở dị hướng AMR Hiệuứngtừđiệntrở (magnetoresistance - MR) thay đổi điệntrở vật dẫn tác động từ trường, xác định công thức: V p (0)-p{n...
... thái điệntrở cao b) trạng thái điệntrở thấp GMR 1.3.2 Cảm biến từđiệntrở dị hƣớng 1.3.2.1 Hiệuứngtừđiệntrở dị hướng Hiệuứngtừđiệntrở xuất vật liệu sắt từ tác dụng từ trường [9] Hiệuứng ... Một số loại cảm biến dựa hiệuứngtừ - điệntrởứng dụng biochip 1.3.1 Cảm biến từđiệntrởkhổnglồHiệuứngtừđiệntrởkhổnglồ (Giant Magneto resistance – GMR) hiệuứng lượng tử thường quan ... tính chất từđiệntrở màng mỏng cảm biến 2.7.1 Đo hiệuứng từ- điệntrở màng Hiệuứngtừđiệntrở nghiên cứu khóa luận thực thông qua khảo sát thay đổi điệntrở mẫu tác dụng từ trường Trong khóa...