công nghệ vi điện tử ra đời từ khi nào

... cạch thỉïc pha tảp cho vi ûc chãú tảo BJT nhổ hỗnh (1.6.1). Baỡi toaùn vaỡ lồỡi giaới õổồỹc toïm tàõt trong baíng sau . 1 BÀI GIẢNG MÔN HỌC CÔNG NGHỆ VI ĐIÊN TỬ Credits: 2 Prerequisites:- ... Ed., Mc.Graw-Hill, 2000. 3. SUNG-MO KANG and YUSUF LEBLEBICI, CMOS Digital Integrated Circuits Analysis and Design. Mc.Graw-Hill, 2005. 4. DAN CLEIN, CMOS IC Layout, Newnes, 2000. 5. DAVID A. ... HODGES, HORACE G. JACKSON, RESVE A. SALEH, Analysis and Design of Digital Integrated Circuits in Deep Submicron Technology, Mc.Graw-Hill, 2003. Tỉì hm phán bäú xạc sút Fermi-Dirac, säú...

Ngày tải lên: 20/08/2012, 09:27

... chiều dài kênh, C i : điện dung lớp cách điện trờn n v din tớch, n à linh ng b mặt của điện tử. 18 42 39 rng ca phán bäú tảp cháút. Cạc wafer phi traới qua nhióửu bổồùc khaùc ... vào tốc độ tiêm lỗ trống p được điều khi n bởi chuyển tiếp pn (Emitter- Base) phân cực thuận. → Good pnp Transistor cần gần như toàn bộ lỗ trống tiêm từ Emitter vào Base phải được góp vào ... Base cần đủ mỏng sao cho neutral length của Base W b nhỏ hơn nhiều so với quãng đường khuếch tán của lỗ trống (không xảy ra tái hợp trong vùng Base). Đồng thời dòng điện 14 Näưng âäü hảt ti...

Ngày tải lên: 10/10/2012, 09:28

... chỉnh và thực hiện kiểm tra các giá trị điện trở và điện dung sau khi chạy dây. Sau khi hoàn tất vi c kiểm tra, ta sẽ thực hiện biên dịch sang định dạng file gds2(Graphic Design System II). - ... Sau khi gõ xong code verilog bạn nhấp vào nút trên thanh công cụ để biên dịch Trang 25 Đề tài: Tìm hiểu về công nghệ ASIC Bước 4: Bạn nhấn Yes để chấp nhận các yêu cầu về license của Altera Bước ... design) Trang 9 Đề tài: Tìm hiểu về công nghệ ASIC Bước 15. Biên dịch file testbench sau đó nhấp vào tab Library. Toàn bộ file trong project sẽ được biên dịch vào thư vi n word. Bạn mở thư vi n...

Ngày tải lên: 23/04/2013, 15:35

... are used in dataflow and structural descriptions.  Sequential statements are used in behavioral descriptions. Slide 8 Procedural Constructs  Two Procedural Constructs – initial Statement – always ... 13 MUX 2-1 Behavior Slide 9 Event Control Slide 3 Module  General definition module module_name ( port_list ); port declarations; … variable declaration; … description of behavior endmodule  Example module ... event in the sensitivity list – Event: Change in the logical value  Statements with a Sequential Block: Procedural Assignments Slide 6 Description Styles (cont.)  Behavioral: Algorithmically...

Ngày tải lên: 27/04/2013, 09:49

Ngày tải lên: 25/11/2013, 10:44

Ngày tải lên: 14/12/2013, 18:30

Ngày tải lên: 14/12/2013, 19:50

... Programmale Logic Device (PLD). Một PLD thông thường gồm một dãy các cổng AND được nối với một dãy các cổng OR. Mạch logic có Chương 5 :Công nghệ mạch tích hợp 26 Công nghệ Vi điện tử ... trong khi các chip mask-programmable khi sản xuất phải mất hàng tuần hoặc vài tháng Hai biến thể field-programmable của PROM là Erasable Programmale Read-Only Memory (EPROM) và Electrical Erasable ... tính của công nghệ lập trình 7.4. Các loại FPGA trên thị trường Công ty Kiến trúc tổng quát Kiểu khối logic Công nghệ lập trình Xilinx Symetrical Array Lookup Table Static RAM Actel...

Ngày tải lên: 09/05/2014, 23:55

Ngày tải lên: 08/07/2014, 05:20

... âiãûn khi cọ hồûc khäng cọ kêch thêch. Cạc cháút cạch âiãûn cọ khe nàng lỉåüng låïn âãún mỉïc khäng dáùn âiãûn ngay caí khi kêch thêch maûnh. Khi 1 BÀI GIẢNG MÔN HỌC CÔNG NGHỆ VI ĐIÊN TỬ ... CƠ SỞ CÔNG NGHỆ MẠCH TÍCH HỢP Đ1.1 Caùc maỷch tờch hồỹp Caùc maỷch tờch hồỹp (IC) l cạc mảch âiãûn tỉí âỉåüc chãú tảo båíi vi ûc tảo ra mäüt cạch âäưng thåìi cạc pháưn tỉí riãng l nhỉ transistor, ... HODGES, HORACE G. JACKSON, RESVE A. SALEH, Analysis and Design of Digital Integrated Circuits in Deep Submicron Technology, Mc.Graw-Hill, 2003. Tỉì hm phán bäú xạc sút Fermi-Dirac, säú...

Ngày tải lên: 10/07/2014, 21:20

... bờ vùng điện tích không gian: () ( ) 1 / 0 −=−=∆ kTqV nenenn eppxpp ( ) ( ) 1 / 0 −=−−=∆ kTqV pepepp ennxnn 13 tử từ Base đến Emitter phải nhỏ hơn nhiều so với dòng lỗ trống từ E đến ... âäü ny chiãưu cao ra o thóỳ seợ tng khi tng nọửng õọỹ pha tảp. Cạc transistor cọ thãø âỉåüc dng nhỉ cạc pháưn tỉí khúch âải hồûc chuøn mảch. Trong cáúu trục ba lồùp cuớa BJT-transistor, lồùp ... dòng ngược từ n to p chỉ phụ thuộc vào tốc độ tiêm lỗ trống p được điều khi n bởi chuyển tiếp pn (Emitter- Base) phân cực thuận. → Good pnp Transistor cần gần như toàn bộ lỗ trống tiêm từ Emitter...

Ngày tải lên: 10/07/2014, 21:20

... () = 2 2 1 DDTG in D VVVV L ZC I à Z: chiu sõu ca kờnh, L: chiều dài kênh, C i : điện dung lớp cách điện trờn n v din tớch, n à linh ng b mặt của điện tử. 18 trong âọ η l hãû säú phủ thüc vo mỉïc pha tảp ... trỉåìng ạp âàût. Ngoi ra cn cọ hai tióu chuỏứn cho sổỷ hoaỷt õọỹng bỗnh thổồỡng cuớa transistor. Mäüt l thãú âạnh thng. Dỉåïi âiãưu kiãûn phán cỉûc ngỉåüc, cọ hai ngun nhán gáy ra hiãûn tỉåüng âạnh ... CBoB N Dt x xNN −−= ) 4 p(e 2 21 Đ1.6 Vờ duỷ thióỳt kóỳ BJT Phỏửn naỡy seợ xem xẹt mäüt thiãút kãú cho vi ûc chãú tảo mäüt BJT vồùi mọỹt lồùp ngỏửm nhổ õaợ noùi tồùi ồớ phỏửn trỉåïc. Tưn tỉû thiãút...

Ngày tải lên: 10/07/2014, 21:20

... chuyóứn tióỳp xaíy ra khi N(x j ,t) = N bo exp(-x jC 2 /4D 2B t 2B ) = N C Hoàûc D 2B t 2B = 1.6x10 -9 cm 2 . 28 Đ1.7 Caùc giai õoaỷn chờnh cuớa qui trỗnh chóỳ taỷo vi õióỷn tổớ Hỗnh ... õoùng kióỷn, lổu giổợ vaỡ kióứm tra. Mỷt sau ca cạc chip (die) âỉåüc gàõn cå hc hồûc nọi vồùi mọi trổồỡng gaù giổợ thờch hồỹp, thổồỡng laỡ plastic hồûc ceramic. Cạc wafer thỉåìng l cạc âéa ... x jC phaới tng v bỉåïc 4 âỉåüc làûp lải cho âãún khi âiãưu kióỷn trón thoớa maợn. Vồùi chuyóứn tióỳp chổa bở aùp õỷt thóỳ phỏn cổỷc thỗ V =0.7 V. Khi õoù : Âäü räüng toaìn bäü miãön âiãûn têch...

Ngày tải lên: 10/07/2014, 21:20

... duỷng rọỹng ra i nhỏỳt laỡ kyợ thuỏỷt Czochralski. Trong phổồng phaùp naỡy, mọỹt hảt âån tinh thãø máưm nh âỉåüc nhụng trong EGS noùng chaớy, vaỡ tinh thóứ mỏửm seợ õổồỹc keùo gradual sao cho ... mọỹt daợy caùc bọỹ taùch vaỡ chổng cỏỳt. Cọ hai phỉång phạp chênh âãø tảo ra Si sảch cáúp âäü âiãûn tæí (electronic grade, 33 37 ... nọng (ọỳng Si noùng taỷo ra caùc vở trờ kờch cồợ nguyãn tæí ). ÄÚng Si låïn ráút nhanh âãún âæåìng kờnh 20 cm. Nóỳu duỡng khờ trichlorosilane, thỗ phaớn ổùng xaíy ra nhæ sau: SiHCl 3 (gas)...

Ngày tải lên: 10/07/2014, 21:20

Ngày tải lên: 10/07/2014, 21:20

Ngày tải lên: 10/07/2014, 21:20

Ngày tải lên: 10/07/2014, 21:20

Ngày tải lên: 10/07/2014, 21:20

Ngày tải lên: 10/07/2014, 21:20