4 lý thuyết về chấn tử đối xứng

Ngày tải lên: 05/03/2013, 17:07

... mạch hình 4. 24JC, gần hai lần hệ số khuếch đại tính được, a mạch chức năng; b tụ C3 hở mạch; 34 Hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu Q1 gần 3, a mạch chức năng; b tụ C4 hở mạch; c tụ C4 bị ngắn ... transistor 40 , mạch Darlington có beta ví lại (40 ) a 40 ; b 80; c 60; d 1600 Mạch Darlington hoạt động khuyếch đại chế độ A, điện áp cực base emitter ? a 0,2V; b 0,7V; c 1,4V; d 2V 5 .4 Tầng collector ... a hệ số khuyếch đại; b độ bảo hoà; c độ trôi DC; d trở kháng 4. 10 Sai hỏng mạch transistor 30 Điện áp đo collector Q1 mạch hình 4. 24JC, vào khoảng 20VDC, a mạch chức năng; b tụ C2 bị ngắn mạch;...

Ngày tải lên: 19/08/2013, 10:18

... ∂ϕ ⇒ =− + C1 ∂x 4. ε ⇒ϕ = − ρ0.x3 + C1.x + C2 4. ε 0.5 1  ϕ (0) = U C1 = ρ0.d − U ⇒ Ap dụng điều kiện bờ ,ta cóù:  4. ε d ϕ (d ) =  C2 = U  ρ x ρ d U ⇒ϕ = − +( − ) x + U 4. ε 4. ε d 3.ρ0.x2 ... dR = − 3.ε ε p dụng đònh luật Gauss ta được: D1 = 4. K π R s K R ε R K R ⇒ D 1= K R2 ⇒ E1 = Thế ∫ D1.ds = ∑ q ⇒ 4. π R ∫ D2.ds = ∑ q ⇒ 4. π R D2 = 4. K π a s K a K a ⇒ D2 = ⇒ E2 = R R ε Thế R a R 0 ... 10 t − 0 .4 z e x 1.Tìm H =? 2.Trường điện có tính chất hay khơng? Ta có: ∂E rotE = −ey x = −e y 4 cos ( 6π 10−7 t − 0 .4 z ) ∂z mà : ∂B rotE = − → B = − ∫ rotEdt = sin ( 6π 10−7 t − 0 .4 z ) e...

Ngày tải lên: 08/08/2014, 11:22

... c a diode Mô hình s t áp h ng v i i n tr Rf: ch Mô hình s t áp h ng: V Vγ Mô hình lý tư ng: DC Vγ Vγ ương Vγ 2 .4 Các tham sô c a diode bán d n i n tr m t chi u ( i n tr tĩnh): -Theo chi u thu ... Ω Ω phép c a VDC cho i n áp t i n nh 10V Bi t diode Zener có Izmin=10mA, Pzmax=0.3W S: 16.04V≤VDC≤22.64V i cho m c Ví d Cho m ch i n dùng diode zener hình v IS + VZ − V i VDC=50V, Vz=10V, Izmin=3.2mA, ... t t Vo E Vγ V(V) Vγ = 0.6V ÷0.7V i v i diode Silicon Vγ = 0.2V÷0.3V i v i diode Germanium Diode lý tư ng: Vγ = 0V ID = (E – Vγ)/R Vo = ID.R Có th xem diode h m ch trư ng h p E < Vγ ng n m ch γ...

Ngày tải lên: 24/07/2014, 17:51

... phương án thiết kế cho hệ thống MIMO đường 41 43 49 4. 1 xuống Lưu đồ thuật toán chương trình 70 4. 2 Lưu đồ thuật toán tạo ma trận sở 71 4. 3 4. 4 4. 5 4. 6 Lưu đồ thuật toán phân tích đáp ứng kênh ... TRUYỀN CỦA KỸ THUẬT OFDM 14 1 .4. 1 Sự suy hao 14 1 .4. 2 Tạp âm Gaussian 15 1 .4. 3 Trải trễ 15 1 .4. 4 Dịch tần số Doppler 16 1 .4. 5 Kênh truyền fading ... 41 2 .4. 2 Sai số lượng tử hồi tiếp 46 2.5 HỒI TIẾP HỮU HẠN MIMO VỚI NHIỀU NGƯỜI DÙNG TRONG MỘT CELL 48 2.5.1 Hai phương án thiết kế cho hệ thống MIMO đường xuống 48 2.5.2...

Ngày tải lên: 07/01/2015, 12:21

... cách ngun tử gần, điện tử chịu ảnh hưởng ngun tử xung quanh Vì điện tử hố trị hai ngun tử cạnh có quỹ đạo chung Quỹ đạo chung ràng buộc ngun tử với ngun tử khác Do liên kết với ngun tử xung quanh, ... góc 90o Với f = 2.1 .4 Mơ hình thực tế phần tử điện trở, điện cảm, điện dung Các mơ hình nêu phần mơ hình lý tưởng Trong thực tế, phần tử khơng đơn giản phần tử mà có nhiều phần tử kí sinh Các mơ ... định, ngun tử xếp theo trật tự chặt chẽ, tuần hồn tạo nên mạng lưới gọi mạng tinh thể Xung quanh ngun tử bán dẫn ln có ngun tử khác kế cận, liên kết chặt chẽ với ngun tử Mỗi ngun tử có điện từ...

Ngày tải lên: 12/10/2012, 13:41

... ĐIỆN – ĐIỆN TỬ BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ ĐỀ SỐ: 04 (Sinh viên nộp lại đề thi kết thúc) ĐỀ THI KẾT THÚC HỌC PHẦN Trình độ, loại hình đào tạo: Đại học quy Ngành đào tạo: Kỹ thuật điện tử Học phần: ... Câu1: (3 điểm) Thiết kế module nhớ SRAM có dung lượng 64Kx8 từ chip nhớ có dung lượng 16Kx4 Câu 2: (3 điểm) Cho đoạn chương trình sau: MOV AL ,41 H MOV AH,2 L1: MOV DL,AL INT 21H INC AL CMP AL,5AH ... ĐIỆN – ĐIỆN TỬ BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ ĐỀ SỐ: 03 (Sinh viên nộp lại đề thi kết thúc) ĐỀ THI KẾT THÚC HỌC PHẦN Trình độ, loại hình đào tạo: Đại học quy Ngành đào tạo: Kỹ thuật điện tử Học phần:...

Ngày tải lên: 12/10/2012, 14:42

... I2 gi l in tr vi phõn h22 (2 -42 ) = = S c gi l h dn truyn t r12 (2 -43 ) const =const U2 = = h11 l in tr vo vi phõn =const = l h s khuch i dũng in vi phõn (2 -44 ) (2 -45 ) Khi xỏc nh c tuyn tnh (ch ... > IE > IC < (2 -49 ) Cn c vo iu kin (2 -48 ) in ỏp UCB õm, dũng IC cng õm cú ngha l hng thc t ca in ỏp v dũng in ny ngc vi hng mi tờn trờn hỡnh 2. 34 - T mch chung emit hỡnh 2.35, lý lun tng t nh ... ú cú Ic = 0,525 mA ; UCE = 14, 75V Tớnh toỏn tng t nh trờn ta cú DIB = 10mA v DUc = 14, 75V Ngha l biờn bin i cc i ca in ỏp m bo khụng mộo dng lỳc ny ch l 4, 75V 49 Nh vy vic chn im cụng tỏc...

Ngày tải lên: 13/10/2012, 10:21

... UL (-) IS = ( 20 - 10 ) / 0,22K = 45 ,45 mA IZMAX = 40 0mW / 10 = 40 mA ILMIN = 45 ,45 - 40 = 5 ,45 mA RLMAX = 10 / 5 ,45 mA = 1,83K ILMAX = 45 ,45 mA RLMIN = 10 / 45 ,45 mA = 220 Cho mạch ổn áp sau có ...  4V S 1,5V Đáp án VGS  VGG   1,5V  V   1,5V   I D  I DSS 1  GS   12 mA1    4, 69V   VP   4V    VD  VDD  I D RD  12V  4, 69 mA1,2 k  6,4V VDS  VD  VS  6,4V ... i mass số liệ u khác cho sẵ n sơ đ ) 22V 47 0KΩ 9,1KΩ Ic Si 9,1KΩ Đáp án 14 IB = 7,9 A IC = 948 A IE = 955.9 A VB = 9 ,4 V VC = 13,3 V VE = 8.7V VCE = 4, 6V Câu hỏi Cho sơ đồ phân cực BJT NPN...

Ngày tải lên: 15/10/2012, 08:33

... i(+) = i(-) = Áp d ng KLC t i nút P: i2+i(+) =i4 (v1-vP)/R3=vP/R4 vP=v1R4/(R3+R4) Suy ra: vo=v1 R4 (R1+R2) - v2R2 (R3+R4) R1 R1 N u ch n R1=R3, R2=R4 R v o = ( v1 − v ) R1 M ch vi phân i AOL=∞ ... UBE=Vγ Áp d ng KLV cho nhánh B-E IB=(VBB-UBE)/RBB ~40 µA IC= βIB=4mA Áp d ng KLV cho nhánh C-E: UCE=VCC-ICRC=6V Công su t tiêu tán BJT: P=UCE.IC=24mW khu ch ñ i, ch n UCE Phân c c b ng dòng c ñ nh ... hi u xoay chi u: R1 R2 C1 AC T ñi n xem n i t t Ngu n m t chi u xem n i t t R4 E C2 R3 R1 R2 C1 AC R4 E C2 R3 R1 R2 R4 AC R3 M ch khu ch ñ i E-C en G i Rv: ñi n tr vào toàn m ch, rv: ñi n tr vào...

Ngày tải lên: 15/10/2012, 10:02

... v ùng dẫn Vì nhiệt độ phòng e nguyên tử P nhảy lên vùng dẫn Si Vì nguyên tử tạp chất dễ bị ion hoá thành ion dương Ngoài ch ế phát sinh cặp hạt dẫn điện tử –lỗ trống xảy giống chế chất bán dẫn ... tạo n ên gọi hạt dẫn đa số, điện tử gọi hạt thiểu số Năng lượng Vùng dẫn Si Mức tạp chất acceptor Vùng hoá trị Si Hình 1 .4 Giản đồ lượng chất bán dẫn tạp loại P 1 .4. Tiếp xúc p-n: Cho lớp bán dẫn ... loại P 1 .4. Tiếp xúc p-n: Cho lớp bán dẫn p, n tiếp xúc nhau, ta có tiếp xúc p -n 1 .4. 1 Nguyên lý làm việc: 1 .4. 1.1 Khi tiếp xúc p-n chưa phân cực: Điện trường p n Vùng nghèo Do có chênh lệch lớn...

Ngày tải lên: 15/10/2012, 14:08

Ngày tải lên: 15/10/2012, 14:08

... 2,6V 2,6 0,7 5,6 101 * 1,5 0,012mA 100.0,012mA 1,2mA I C RC I E Re VCC I C ( RC R E ) 15 0,012 * 4, 5 9,6V Ch ...

Ngày tải lên: 15/10/2012, 14:08

... BE R (1 ) Re (15 0.7)V 0. 043 mA (280 51)k IC I B 100.0, 043 mA 4, 3mA VCE VCC VCC I C RC I C RC I E Re Re 15V (4, 3mA)(1,5k ) 8,55V rS rbe rce Rt R1 vS re VT IE VT IC 26mV 4, 3mA RV R1 // rbe Ku Rc ... rV rs RV H ình 4. 17 H ình 4. 18 Dạng sóng điện áp dòng Khi tín hiệu vào có dạng sóng sin, công suất tín hiệu xác định theo biểu thức : VCEp I Cp Pr = VCE.IC = = V2 CEp I Cp (4. 14) 2RC Căn vào ... suất cực đại : P rmax= VCC VCC RC V 2CC RC VCC I CQ (4. 16) Công suất cung cấp cho mạch : PCC = 1T VCC I CQ T0 I Cp sin t dt VCCI CQ V2 CC 2RC (4. 17) Ta thấy tín hiệu vào hình sin trị trung bình...

Ngày tải lên: 15/10/2012, 14:08

Ngày tải lên: 15/10/2012, 14:08

Ngày tải lên: 15/10/2012, 14:08

Ngày tải lên: 15/10/2012, 14:08

... T = 0,7 C ( R b1 + Rb2 ) Âãø T khäng âäøi nhỉng T ,T2 thay âäøi âỉåüc Nãúu Rb1 = Rb2 = Rb T = 1 ,4 C R b 8.3.2 Mảch monostable dng BJT : 8.3.2.1 Så âäư mảch v dảng sọng : dng biãún tråí âãø thay...

Ngày tải lên: 15/10/2012, 14:08

... FNOR x1 t x2 t FNOR t Vcc R1 Rc x1 F R2 Q x2 x1 x X1 F X2 x1 t x2 t FNAND t Vcc D1 Rc Rc x1 D3 D4 F D2 Q x2 Rc x1 x1 x x x1 x1 x2 x2 x1 x2 x x x x x1 x2 F F ...

Ngày tải lên: 15/10/2012, 14:08

... Vẽ sơ đồ khối trình bày nguyên lý hoạt động máy đo cường độ trường sử dụng Varicap Câu 12: Vẽ sơ đồ khối, nêu chức khối trình bày nguyên lý hoạt động máy phát FM stereo Câu 13: Vẽ ... chức khối nêu nguyên lý hoạt động vòng giữ pha PLL Nêu tên ứng dụng chủ yếu vòng giữ pha PLL thiết bị thu phát Trong máy thu FM Stereo, vòng giữ pha PLL sử dụng để làm gì? Câu 14: Vẽ sơ đồ khối phần...

Ngày tải lên: 15/10/2012, 14:22