... lỗ trống vùng hoá trị phân bố có cực trị khác không gian E(k) Nếu cực tiểu lượng vùng dẫn nằm k=0 cực đại lượng vùng hoá trị xảy k=0 chuyển dời điện tử "thẳng" hay "trực tiếp" Có thể minh họa cấu ... triển âm (bị tan ra) hạt có kích thư c lớn kết tụ tốc độ phát triển chúng phụ thuộc mạnh vào kích thư c Sự hội tụ kích thư c xảy nano tinh thể dung dịch lớn rõ ràng kích thư c tới hạn Khi hạt nhỏ ... thể kích thư c tới hạn lớn kích thư c trung bình tại, kết tốc độ phát triển giảm phân bố kích thư c mở rộng số hạt nhỏ bị tan nhỏ kích thư c tới hạn, hạt lớn phát triển Khi phân bố kích thư c mở...
... quang vô định hình cần phải đạt yêu cầu sau: có điện trở suất tối cao, có điện áp đánh thủng cao, độ linh động hạt dẫn cao nhờ có tốc độ sụt bề mặt chiếu sang cao Có tốc độ đáp ứng quang ... sáng tới phảicó độ suốt cao mỏng để tránh tổn hao, thông thư ng người ta dùng lớp ITO có bề dày(750Å÷1µm) lớp thư ng có cấu trúc texture có tác dụng tán xạ ánh sáng làm tăng đường thực tế ánh sáng ... vào Phổ quang huynh quang điều chỉnh từ màu đỏ đến màu xanh bề rộng vùng cấm quang học thay đổi từ 2,25eV đến 3,5eV Phổ PL có cực đại rộng Giá trị lượng ứng với cực đại phổ PL ký hiệu Epl tăng...
... nguyên tử -Cấu trúc tinh thể cấu trúc có tính trật tự xa, có nghĩa tính chất xếp tuần hoàn có mặt độ dài lớn so với số mạng tinh thể Cấu trúc vô định hình có nghĩa bất trật tự, mặt thực chất, ... dẫn vô định hình mạnh bán dẫn tinh thể ,tuy nhiên có số đăc điểm sau đây: -Khác với bán dẫn tinh thể, mà độ quang dẫn thư ng đạt gi trị cực đại sau ngưỡng hấp thụ riêng giảm xuống dốc lượng phonon ... Wondershare Software C.Độ linh động Một cách gián tiếp để xác định xem có tồn hay • không trạng thái định xứ gần cực trị vùng dẫn vùng hóa trị sử dụng phun hạt dẫn từ điểm mẫu v xác định thời gian dịch...
... cứu dựa biếnđiệu nhiệt nung tinh thể Việc nung tinh thể đợc tiến hành cách cho điện áp biến thiên tần số thấp qua lò nung đặc biệt áp sát vào phận giữ tinh thể, dùng laser với tần số biếnđiệu ... n e U ( điềuphảichứng minh ) Công thức cho thấy vùng phổ đó, hệ số hấp thụcó giá trị lớn vùng phổ xạ tái hợp mạnh Công thức (3.1.1) cho trờng hợp cân nhiệt động Đối với tái hợp xạ điều kiện ... exiton Khi kích thích tạo exiton chiếu sáng, điện tử từ vùng hoá trị chuyển lên mức exiton, điềucó nghĩa lợng photon phải thoả mãn điều kiện sau: n = E g E (1) exc 2.5.2 E (1) exc n = E...
... muối sắt biếnchúng thành magnetite Fe3O4 1.4 Về bệnh ungthư vú Ungthư vú dạng ungthư xuất phát triển tế bào mô vú, lan rộng đến hầu hết phận khác thể Trong số bệnh ungthư nay, ungthư vú bệnh ... hóa trị, kháng thể herceptin làm nhiệm vụ dẫn đường cho hạt vàng tìm đến tế bào ungthư vú dòng KPL4 (có biểu mức thụ thể HER2), nhờ tạo ảnh giúp nhận biết tế bào ungthư vú Ảnh tế bào ungthư ... hóa trị, kháng thể herceptin làm nhiệm vụ dẫn đường cho hạt vàng tìm đến tế bào ungthư vú dòng KPL4 (có biểu mức thụ thể HER2), nhờ tạo ảnh giúp nhận biết tế bào ungthư vú Ảnh tế bào ung thư...
... AIVBIV nh cácbit silic SiCX với tỉ lệ l 70,045%Si + 29,955%C, đợc dùng để chế tạo điện trở cótrị số biến đổi theo điện áp (Varistor-VDR) Hoặc nhóm hợp chất AIIIBV kết hợp nguyên tử nhóm III ... nhiệt độ tính 0K http://hqhuy.wordpress.com 17/38 Bán dẫn loại N Đa lợng nhỏ chất khác có hoá trị (tức l có điện tử lớp ngo i cùng) v o mạng tinh thể chất bán dẫn nh chất Sb-(Antimoan), As-(Asen), ... http://hqhuy.wordpress.com 18/38 Bán dẫn loại N http://hqhuy.wordpress.com 19/38 Bán dẫn loại P Đa tạp chất có hoá trị (tức l có điện tử lớp ngo i cùng) v o mạng tinh thể bán dẫn, ví dụ chất B-Bo (Boron), In-Indi...
... hóa trị, Còn dư lại điện tử As Ở nhiệt độ thấp, tất điện tử nối hóa trịcó lượng vùng hóa trị, trừ điện tử thừa As không tạo nối hóa trịcó lượng ED Nhóm số 30: FireGoats Chapter: Giới thiệu chung ... kế cận tạo thành nối hóa trị, điện tử Si có lượng vùng hóa trị không tạo nối với Indium Giữa In Si ta cótrang thái lượng trống có lượng EA nằm vùng cấm cách vùng hóa trị khoảng lượng nhỏ chừng ... điện tử có lượng vùng hóa trị Nếu ta tăng nhiệt độ tinh thể có số điện tử vùng hóa trị nhận lượng vượt vùng cấm vào vùng dẫn điện, đồng thời có điện tử vượt vùng cấm lên chiếm chỗ lỗ trống có lượng...