Slide bộ nhớ feram vật liệu nano và mảng mỏng

u cu du o ng th an co ng c om Bộ nhớ FeRAM Thành viên nhóm: Trần Thị Ngân Lê Thị Huỳnh Như Bùi Thị Hương Thảo Hồ Thu Thảo Nguyễn Thị Thu Thảo CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt .c om NỘI DUNG u du o ng th an co ng Đặc điểm chung Cấu trúc FeRAM Nguyên lý hoạt động Ứng dụng Kết luận cu CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt Đặc điểm chung co ng c om  Định nghĩa: Ferroelectric RAM (FeRAM, F-RAM FRAM) nhớ truy cập ngẫu nhiên, thuộc loại nhớ không cảm biến Tương tự xây dựng DRAM sử dụng lớp sắt điện thay lớp điện mơi để không bay an  Ưu điểm: Của FeRAM so với flash bao gồm: ng th  Sử dụng điện thấp hơn, hiệu suất ghi nhanh độ bền đọc / ghi tối đa lớn nhiều (khoảng 1010 đến 1014 chu kỳ u du o  FeRAM có thời gian lưu giữ liệu 10 năm 85oC (nhiều thập kỷ nhiệt độ thấp hơn) cu  Nhược điểm:  Mật độ lưu trữ thấp nhiều so với thiết bị flash, dung lượng lưu trữ hạn chế chi phí cao  FeRAM có bất lợi kỹ thuật bất thường q trình đọc tàn phá, địi hỏi kiến trúc ghi sau đọc CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt .c om Cấu trúc FeRAM ng Vật liệu sắt từ sử dụng cho FeRAM: Lead Zireonate (PbZrO3 PZO), lead Titanate (PbTiO3 PTO) dung dịch rắn (PbZr1-x O3 PZT) co an th ng du o u cu CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt cu u du o ng th an co ng c om CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt u du o ng th an co ng c om Nguyên lý hoạt động cu CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt cu u du o ng th an co ng c om CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt .c om u du o ng th an co ng  Đồng hồ điện,ơ tơ (ví dụ hộp đen, túi khí thơng minh) cu Ứng dụng  Máy kinh doanh (ví dụ máy in, điều khiển đĩa RAID)  Dụng cụ, thiết bị y tế  Vi điều khiển công nghiệp  Các thẻ nhận diện tần số vô tuyến điện  Robot máy bay không người lái CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt .c om FeRAM  Không khả biến  Kể khơng có lượng liệu lưu trữ ng  Không sử dụng pin (thân thiện với môi trường) co  Tốc độ viết nhanh th an • Khơng cần thời gian chờ để xóa / ghi hoạt động - Thời gian ghi: 1/2,500 EEPROM  Độ bền chu kỳ đọc / ghi cao ng  Đảm bảo độ bền cao 1013 (=10 trillion) chu kì đọc/viết du o  Độ bền: gấp 10 nghìn lần EEPROM u  Tiêu thụ lượng thấp  Khơng có mạch tăng tốc cho hoạt động ghi cu Kết luận  Điện tiêu thụ lúc viết: Ít 1/13 EEPROM  Bảo mật cao  Khó phân tích bất hợp pháp cấu trúc FRAM CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt .c om Tài liệu tham khảo u du o ng th an co ng T ESHITA and T TAMURA,Fujitsu Semiconductor Ltd, Japan and Y.ARIMOTO,Fujitsu Laboratories Ltd, Japan, “Ferroelectric random access memory (FRAM) devices” cu 10 CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt ... sau đọc CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt .c om Cấu trúc FeRAM ng ? ?Vật liệu sắt từ sử dụng cho FeRAM: Lead Zireonate (PbZrO3 PZO), lead Titanate (PbTiO3 PTO) dung dịch rắn...  FeRAM có thời gian lưu giữ liệu 10 năm 85oC (nhiều thập kỷ nhiệt độ thấp hơn) cu  Nhược điểm:  Mật độ lưu trữ thấp nhiều so với thiết bị flash, dung lượng lưu trữ hạn chế chi phí cao  FeRAM. .. trúc FeRAM Nguyên lý hoạt động Ứng dụng Kết luận cu CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt Đặc điểm chung co ng c om  Định nghĩa: Ferroelectric RAM (FeRAM, F-RAM FRAM) nhớ truy