Nghiên cứu tổng hợp các hệ vật liệu bán dẫn của diazonium trên nền graphite và graphene

OỤVOTO TRƯỜNG ĐẠI HỌ C QUY NHƠN TRẦN THẾ THI NGHIÊN CỨU TỔNG HỢP CÁC HỆ VẬT LIỆU BÁN DẪN CỦA DIAZONIUM TRÊN NỀN GRAPHITE VÀ GRAPHENE Chu g h V t ch t r M s 44 Ng i h g d TS PHAN THANH HẢI L I CAM OAN Tôi xin cam đoan kết khoa học trình bày luận văn thành nghiên cứu thân Các kết số liệu luận văn hoàn toàn trung thực chưa cơng bố cơng trình khác Bình Định, ngày 20 tháng 09 năm 2020 Tác giả TI A Trần Thế Thi r T'l Ị r T'l • L I CẢM N Tơi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến thầy giáo TS Phan Thanh Hải người tận tình hướng dẫn, bảo, giúp đỡ tạo điều kiện cho suốt q trình học tập, nghiên cứu hồn thành luận văn Tơi xin chân thành cảm ơn đến quý thầy giáo, cô giáo khoa hoa học tự nhiên Trường ại học Quy Nhơn nhiệt tình giúp đỡ q trình nghiên cứu Tơi xin chân thành cảm ơn đến toàn thể CBCNV khu thí nghiệm Trường ại học Quy Nhơn nhiệt tình giúp đỡ trình nghiên cứu Cuối xin chân thành cảm ơn trao đổi, đóng góp ý iến bạn lớp cao học Vật lý chất rắn K21 giúp đỡ nhiều q trình hồn thành luận văn động viên, khích lệ bạn bè, người thân đặc biệt gia đình tạo niềm tin giúp tơi phấn đấu hồn thành luận văn Tơi xin chân thành cảm ơn! MỤC LỤC •• Trang DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ TỪ VIẾT TẮT DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ LÝ DO CHỌN Ề TÀI MỤ Í H N H ÊN ỨU Đ ỐI TƯỢNG VÀ PHẠM VI NGHIÊN CỨU 3.1 Đ ối tượng nghiên cứu .7 3.2 Phạm vi nghiên cứu .7 PHƯƠN PH P N H ÊN ỨU 4.1 Phương pháp chế tạo vật liệu 4.2 Phương pháp đặc trưng vật liệu Ý N HĨA KHOA HỌC VÀ THỰC TIỄN CỦA Ề TÀI CHƯƠNG - PHẦN TỔNG QUAN V t iệu bá d 1.1.1 Chất bán dẫn 1.1.2.2 Dị thể 11 1.1.2.3 Electron kích thích 11 1.1.2.4 Độ dẫn điện biến đổi 11 1.1.2.5 Độ dẫn nhiệt cao 12 1.1.2.6 Phát xạ nhẹ 12 1.1.2.7 Chuyển đổi lượng nhiệt 12 1.1.3 Vùng lượng chất bán dẫn 12 1.1.4 Bán dẫn pha tạp 13 1.1.4.1 Chất bán dẫn loại p 13 1.1.4.2 Chất bán dẫn loại n 14 1.1.5 Sự hình thành lớp chuyển tiếp p-n 15 1.2 Graphite 16 1.3 Graphite nhiệt phân (PG) HOPG (Graphite nhiệt phân có t nh định hướng cao) 18 1.4 Vật liệu graphene 18 1.4.1 Cấu trúc 18 1.4.2 Một số tính chất graphene 19 CHƯƠNG 2-CÁC PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 23 2.1 Phương pháp qt vịng tuần hồn (CV) 23 2.1.1 Giới thiệu 23 2.1.2 Nguyên lí hoạt động 24 2.2 Phương pháp đo Raman 25 2.2.1 Nguồn gốc Raman 25 2.2.2 Thiết bị 27 Ph g pháp đo AFM 29 Ph g pháp đo STM 30 HƯƠN PHẦN THỰC NGHIỆM 32 3.1 hu n bị dụng cụ hóa chất 3.1.1 Hóa chất 32 3.1.2 ng thiết ị 32 3.1.3 hu n ị h hất 32 3.1.4 Dung dịch H2SO4 mM 33 3.1.5 Dung dị h đệm clorua (KCl 10 mM + H2SO4 mM) 33 3.1.6 Pha 50 ml dung dịch (K4Fe(CN)6 mM + K2SO4 0.2 M) 33 3.1.7 Dung dịch NaNO2 0,1M 34 3.1.8 Pha 100 ml dung dịch (3,4,5-TMD mM + KCl 10 mM + H2SO4 mM) 34 3.1.9 Pha 100 ml dung dịch 3,5-TBD (3,5-TBD mM + KCl 10 mM + H2SO4 mM) 34 3.2 Chế tạo vật liệu 35 3.2.1 Tạo đế HOPG 35 3.2.2 Chế tạo hệ vật liệu 3,4,5-TMD/HOPG 35 3.2.3 Chế tạo hệ vật liệu 3,5-TBD/HOPG 36 3.2.4 So sánh khả nh ướt hệ vật liệu HOPG 3,4,5TMD/HOPG; 3,5-TBD/HOPG 37 3.2.5 Khảo sát so sánh khả ẫn điện bề mặt OP hệ vật liệu 3,4,5- TM D/HOPG; 3,5-TBD/HOPG 37 3.2.6 Khảo sát y H2 bề mặt HOPG; 3,4,5-TMD/HOPG; 3,5-TBD/HOPG 37 3.2.7 Khảo sát y O2 bề mặt HOPG; 3,4,5-TMD/HOPG; 3,5-TBD/HOPG 38 4.1 Kết 39 4.1.1 Cấy ghép điện hóa phân tử 3,5-TBD HOPG 39 4.1.1.1 So sánh khả dẫn điện bề mặt HOPG bề mặt hệ vật liệu 3,5- .TB D/HOPG .40 4.1.1.2 So sánh khả dẫn điện bề mặt HOPG bề mặt hệ vật liệu 3,5- .TB D/HOPG nồng độ khác 41 4.1.1.3 So sánh độ dính ướt bề mặt HOPG 3,5-TBD/HOPG 42 4.1.1.4 Nghiên cứu tính bền vững hệ vật liệu 3,5-TBD/HOPG mơi trường điện hóa .43 4.1.1.5 Kết đo Raman hệ vật liệu 3,5-TBD/HOPG 44 4.1.1.6 Hình thái học bề mặt hệ vật liệu 3,5-TBD/HOPG 45 4.1.2 Cấy ghép điện hóa phân tử 3,5-TBD graphene/Cu 47 4.1.2.1 Kết đo STM 47 4.1.2.2 Khảo sát tính chất điện hệ vật liệu 3,5-TBD/G-Cu 47 4.1.3 Cấy ghép điện hóa phân tử 3,4,5-TMD HOPG 49 4.1.3.1 Quá trình cấy ghép 49 4.1.3.2 So sánh khả dẫn điện bề mặt HOPG bề mặt hệ vật liệu 3,4,5- TM D/HOPG .50 4.1.3.3 So sánh khả dẫn điện bề mặt HOPG bề mặt hệ vật liệu 3,4,5- TM D/HOPG nồng độ khác 51 4.1.3.4 So sánh khả d nh ướt bề mặt HOPG 3,4,5-TMD/HOPG 53 4.1.3.5 Nghiên cứu tính bền vững hệ vật liệu 3,4,5-TMD/HOPG mơi trường điện hóa 54 4.1.3.6 Kết đo Raman 55 4.1.3.7 Hình thái học bề mặt hệ vật liệu 3,4,5-TMD/HOPG 56 4.1.3.8 Kết đo STM bề mặt 3,4,5-TMD/HOPG 57 4.1.3.9 Khảo sát tính chất điện hệ vật liệu 3,4,5-TMD/G-Cu 58 TÀI LIỆU THAM KHẢO 60 QUYẾT ỊNH AO Ề T LUẬN VĂN ( ản ) DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ STT Nội dun g Tran g Hình c ấu trúc 2D graphene Hình 1.1 Tinh thể silic Hình 1.2 Sơ đồ vùng lượng chất bán dẫn 13 Hình 1.3 Mơ hình chất bán dẫn loại p 14 Hình 1.4 Mơ hình chất bán dẫn loại n 15 Hình 1.5 Lớp chuyển tiếp p-n 15 Hình 1.6 Mạng tinh thể graphite 16 Hình 1.7 Hình ảnh SEM bề mặt graphite 18 Hình 1.8 c ấu trúc graphene 19 Hình 1.9 Cấu trúc phân tử diazonium 21 Hình 1.10 c ấu trúc phân tử 3,5-TBD (a) 3,4,5-TMD (b) 22 Hình 2.1 Hệ đo điện hóa ĐH Qui Nhơn 23 Hình 2.2 Nguyên tắc hoạt động hệ điện cực 24 Hình 2.3 ường cong biểu diễn mối quan hệ i-E có pic đặc trưng, ip,a ứng với Ep,a ip,c ứng với Ep,c 25 Hình 2.4 Sơ đồ biến đổi Raman 26 Hình 2.5 Sơ đồ hệ thống máy quang phổ Raman 27 Hình 2.6 Sơ đồ cấu tạo AFM 30 Nguyên tắc hoạt động nh hiển vi quét xuyên hầm Hình 2.7 31 (STM) Hình 3.1 Tế bào điện hóa Hình 4.1 V ghép điện hóa phân tủ 3,5-T mặt hệ vật liệu HOP 37 bề 39 phương pháp trình bày phần thực nghiêm Hình 4.11 Thế qt vịng tuần hồn hệ v t liệu HOPG dung dịch 10 mM KCl + mM H2SO4 chứa phân tử 3,4,5-TMD; t c độ qt dE/dt = 50mV/s Hình 4.11 mơ tả qt vịng tuần hồn hệ vật liệu HOPG dung dịch mM 3,4,5-TMD + 10 mM KCl + mM H 2SO4 Kết cho thấy, vòng quét thứ ghi nhận đỉnh khử vùng E = -0.14 V vs Ag/Ag l (đường màu đỏ) ác đỉnh kết trình khử cation 3,4,5- TMD thành gốc aryl tương ứng [22] Tuy nhiên, đỉnh khử khơng cịn xuất vòng quét thứ hai (đường màu đen) Đ iều cho thấy, vòng quét thứ hai, trình trao đổi electron bề mặt điện cực HOPG phân tử 3,4,5-TMD khơng cịn xảy Kết cho thấy toàn bề mặt điện cực HOP cấy ghép gốc tự vòng quét Hệ vật liệu tính gốc 3,4,5-TM đặt tên 3,4,5- TMD/HOPG 4.1.3.2 So sánh khả dẫn điện bề mặt HOPG bề mặt hệ vật liệu 3,4,5-TMD/HOPG Hình 4.12 g CV khảo sát t h d hệ v t iệu HOPG 3,4,5-TMD/HOPG ể kiểm tra khả trao đổi điện tích hệ vật liệu 3,4,5-TMD/HOPG sử dụng phép đo V dung dịch điện phân mM K 4Fe(CN)6 + 0.2 M Na2SO4 (Hình 4.12) Kết cho thấy, điện cực HOPG cặp đỉnh oxi hóa khử ghi nhận ER = +0.18 V EO = +0.24 V vs Ag/AgCl (CV màu đen), nghĩa trình trao đổi điện tích xảy bình thường điện cực HOPG chưa biến tính Tuy nhiên, điện cực HOPG biến tính màng hữu 3,4,5-TMD cặp đỉnh oxi hóa khử khơng xuất (đường V màu đỏ) iều cho thấy bề mặt điện cực HOP phủ hoàn toàn phân tử 3,4,5-TMD, dẫn đến cản trở trình trao đổi electron bề mặt giao diện chất điện phân/HOPG 4.1.3.3 So sánh khả dẫn điện bề mặt HOPG bề mặt hệ vật liệu 3,4,5-TMD/HOPG nồng độ khác ũ'.2 ’ 0'0 ’ 0'2 ’ 0'4 ’ o'e E (V) vs Ag/AgCI HOPG-TMDO.O Hình 4.13 g CV khảo sát t h d hệ v t iệuHOPG, 3,4,5-TMD/HOPG g độ khác hau Tương tự trường hợp hệ vật liệu 3,5-TBD/HOPG tăng dần nồng độ 3,4,5-TM hi cấy ghép t nh dẫn bề mặt t nh dẫn giảm dần iều cho ta thấy phủ bề mặt HOP phụ thuộc vào nồng độ 3,4,5- TMD Khi nồng độ cao tạo lớp n (phủ tốt hơn) 4.1.3.4 So sánh khả dính ướt bề mặt HOPG 3,4,5- TMD/HOPG Hình 4.14 Bề mặt HOPG v 3,4,5-TMD/HOPG (a,d) Giọt c tr HOPG v 3,4,5TMD/HOPG chụp từ tr xu g (b,e) Giọt c tr HOPG v 3,4,5- TMD/HOPG chụp ga g v góc hợp b i tiếp tu ế giọt c v i đ g ga g (c,f) B ằng mắt thường ta khó nhận khác bề mặt HOPG với bề mặt hệ vật liệu 3,4,5-TMD/HOPG Vì vậy, để hảo sát có mặt lớp phân tử 3,4,5-TM vật liệu HOP , sử dụng phương pháp đo sức (a) (b) (d) căng bề mặt để đo góc tiếp xúc ụ thể,(e) nhỏ giọt nước 0.3(f) ml(c) lên bề mặt đế trước sau cấy ghép ùng máy ảnh chụp hình giọt nước mặt đế sau vẽ đường tiếp tuyến giọt nước đường thẳng nằm mặt tiếp xúc qua giọt nước, dùng thước đo góc hai đường Kết cho thấy, bề mặt HOP góc đo 600, hệ vật liệu 3,4,5- TM /HOP 45 điều chứng tỏ d nh ướt hai bề mặt hác nên ta hẳng định có lớp 3,4,5-T M bám lên bề mặt HOP hệ vật liệu 3,4,5-TMD/HOPG 4.1.3.5 Nghiên cứu tính bền vững hệ vật liệu 3,4,5-TMD/HOPG môi trường điện hóa Hồn tồn tương tự hệ vật liệu 3,5-TBD/HOPG, để hảo sát độ bền hệ màng 3,4,5-TMD điều iện điện hóa, chúng tơi hảo sát q trình bay hydro vùng âm trình oxy bay vùng dương hai hệ vật liệu HOPG 3,4,5-TMD/HOPG Quá trình hydro bay vùng âm hảo sát phương pháp V (Hình 4.16 a) Kết hảo sát cho thấy vùng E=-2.1V vs Ag/AgCl cường độ dòng hydro bay hệ màng 3,4,5-TM /HOP 1/5 lần hệ màng HOP G (20 LiA/cm2 vs 110 LiA/cm2) Điều cho thấy màng phân tử 3,4,5- TM ngăn cản mạnh trình hydro bay Kết hồn tồn tương tự q trình oxy bay vùng dương (Hình 4.16 b) ể chứng minh tồn hệ màng 3,4,5-TMD, chúng tơi qt 40 vịng vùng hảo sát từ -2.1 V đến 1.6 V vs Ag/Ag l lặp lại trình hảo sát hai trình bay hydro oxy Kết thu ( hơng trình bày luận văn này) cho thấy hơng có thay đổi đáng ể cường độ dịng q trình hydro oxy bay so với hệ vật liệu ban đầu ựa vào ết thu ết luận sơ hệ vật liệu 3,4,5- TM /HOP có độ bền cao mơi trường điện hóa Hình 4.15 So sá h khả ă g ba h dro (a) v ox ba (b) hệ v t iệu HOPG 3,4,5-TMD/HOPG 4.1.3.6 Kết đo Raman Hình 4.16 Phổ Raman hệ v t liệu HOPG 3,4,5-TMD/HOPG Hình 4.16 mơ tả phổ Raman hệ vật liệu 3,4,5-TMD/HOPG Hai đỉnh phổ đặc trưng 1576 2679 cm-1 ghi nhận hai hệ vật liệu đỉnh G (G-band) 2D (2D-band) vật liệu carbon, cụ thể trường hợp vật liệu HOP G (đường màu đen) Tương tự trường hợp phân tử 3,5- TBD, phổ Raman hai hệ vật liệu cịn có thêm đỉnh phổ 1338 cm-1 (khung màu vàng) gọi đỉnh D (D-band) ỉnh phổ (hình chèn) xuất cấu trúc mạng carbon sp2 bị biến dạng Kết thu cho thấy cường đỉnh D hệ vật liệu 3,4,5-TMD/HOPG cao Cụ thể, tỷ số I D/IG chúng 0.092 Dựa vào kết phân tích tỷ số I D/IG kết luận số sai hỏng sp3 bề mặt HOPG cấy ghép điện hóa gốc 3,4,5-TMD với mật độ há cao, cường độ đỉnh D quan sát lớn Chú ý rằng, đỉnh D không xuất đế HOPG chưa biến t nh (đường màu đen), nghĩa bề mặt hệ vật liệu HOP sử dụng hồn hảo khơng bị hư hại sử dụng tia lazer trình đo Raman 4.1.3.7 Hình thái học bề mặt hệ vật liệu 3,4,5-TMD/HOPG Hình 4.17 Kết đo AFM bề mặt 3,4,5-TMD/HOPG Trong khuôn khổ luận văn này, sử dụng phương pháp A M để so sánh hình thái học bề mặt hệ vật liệu 3,4,5-TMD/HOPG (Hình 4.17) Kết cho thấy, phân tử 3,4,5-TM cấy ghép thành công bề mặt điện cực HOPG Tuy nhiên, phân tử 3,4,5-TMD ba nhóm chức (CH 3)3 gắn kết vị trí 3,4,5 vịng benzene Với phân bố này, gốc aryl tự sau hi hình thành từ q trình điện hóa hơng thể tương tác với gốc aryl cấy ghép bề mặt mà tham gia trình cấy ghép trực tiếp với bề mặt Kết bề mặt HOP biến t nh màng đơn lớp 3,4,5- TM o đó, mật độ gốc aryl tự do, nghĩa sai hỏng (sp 3) hình thành bề mặt HOPG cao Các kết phân tích bề mặt hoàn toàn phù hợp với kết đo Raman trình bày phần 4.1.3.8 Kết đo STM bề mặt 3,4,5-TMD/HOPG Hình 4.18 Kết đo STM bề mặt 3,4,5-TMD/HOPG Kết đo STM (Hình 4.18) cho thấy, toàn bề mặt HOP bao phủ phân tử 3,4,5-TMD Mật độ phân tử 3,4,5-TMD bề mặt HOPG cao Kết giải th ch chế hình thành màng đơn lớp (monolayer) Vì vậy, khảo sát STM, quan sát toàn gốc 3,4,5-TMD liên kết trực tiếp với bề mặt HOPG 4.1.3.9 Khảo sát tính chất điện hệ vật liệu 3,4,5-TMD/G-Cu Hình 4.19 Khảo sát tính ch t điện hệ v t liệu 3,4,5-TMD/HOPG-Cu ể hảo sát thay đổi t nh chất điện hệ vật liệu G- u, sử dụng phương pháp phổ Raman Hình 4.19 mơ tả phổ Raman hệ vật liệu GCu sau cấy ghép 1mM 3,4,5-TMD Kết thu cho thấy, đỉnh xuất với cường độ há cao phụ thuộc vào nồng độ phân tử 3,4,5TM dung dịch làm việc Trong giới hạn đề tài này, hảo sát thay đổi đỉnh đặc trưng cho vật liệu graphene theo nồng độ từ đến mM Kết sau (Hình 4.19) • Cường độ đỉnh D tăng dần dịch chuyển phí a đỏ Cường độ đạt giá trị bão hòa hi nồng độ phân tử 3,4,5-TM dung dịch vào hoảng mM • ỉnh dịch chuyển ph a đen, hi đỉnh dịch chuyển ph a đỏ ựa vào ết này, bước đầu nhận định hi cấy ghép điện hóa phân tử 3,4,5-TM lên bề mặt vật liệu graphene chúng làm thay đổi cấu trúc vùng lượng graphene bao gồm mở rộng vùng cấm lượng tăng nồng độ dẫn 4.2 Kết luận • Trên sở kết nghiên cứu tác giả đạt thời gian nghiên cứu trình bày phần kết thảo luận, luận văn xin kết luận lại kết ch nh sau: ã thử nghiệm chế tạo thành công bốn hệ vật liệu 3,5-TBD/HOPG, 3,5-TBD/G, 3,4,5- TMD/HOPG 3,4,5-TMD/G phương pháp cấy ghép điện hóa • Trên sở ết chế tạo hảo sát thành công t nh chất chúng t nh dẫn điện, làm bay hidro oxy hệ vật liệu khảo sát phân tích • So sánh hác t nh dẫn, d nh ướt, làm bay hidro oxi bề mặt vật liệu HOP với hai hệ vật liệu chế tạo Sử dụng phương pháp nghiên cứu đại bao gồm STM, A M để xác định hình thái cấu trúc bề mặt hệ vật liệu 3,5- TD/HOPG • T nh chất điện/điện tử hai hệ vật liệu 3,5-TBD/G, 3,4,5-TMD/G thay đổi so với với graphene chưa biến t nh cho thấy hi có mặt phân tử diazonium cấy ghép điện hóa bề mặt Như vậy, với ết nghiên cứu này, tác giả nghiên cứu chế tạo thành công hệ vật liệu bán dẫn 3,5-TBD/ 3,4,5-TMD/G phương pháp cấy ghép điên hóa Phương pháp cho phép cấy phân tử diazonium graphene thơng q liên ết cộng hóa trị Với có mặt phân tử làm t nh chất điện/điện tử graphene thay đổi Kết nghiên cứu cho góp phần mở rộng ứng dụng hệ vật liệu lĩnh vực bán dẫn nano TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Novoselov, K S.; Geim, A K.; Morozov, S V.; Jiang, D.; Zhang, Y.; Dubonos, S V.; Grigorieva, I V.; Firsov, A A., Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films, Science 2004, 306 (5696), 666-669 [2] Bai, L., et al Graphene for Energy Storage and Conversion: Synthesis and Interdisciplinary Applications, Electrochemical Energy Reviews 2020, 3, 395-430 [3] Machado, B.F., and Serp, P, Graphene-based materials for catalysis, Catal Sci Technol, 2012,2, 54-75 [4] Georgakilas, V.; Otyepka, M.; Bourlinos, A B.; Chandra, V.; Kim, N.; Kemp, K C.; Hobza, P.; Zboril, R.; Kim, K S., Functionalization of Graphene: Covalent and Non-Covalent Approaches, Derivatives and Applications Chemical Reviews 2012, 112 (11), 6156-6214 [5] https://vi.wikipedia.org/wiki/Silic [6] https://www.electronicsforu.com/resources/oled-displays-applications [7] Saravanan Yuvaraja et al., Organic field-effect transistor-based flexible sensors, Chem Soc Rev.,2020,49, 3423-3460 [8] Rao, C N R., Sood, A K.,Subrahmanyam, K S., and Govindaraj, A Graphene: The New Two Dimensional Nanomaterial Angew Chem., Int Ed 2009, 48, 7752-7777 [9] Phillipson, R.; Lockhart de la Rosa, C J.; Teyssandier, J.; Walke, P.; Waghray, D.; Fujita, Y.; Adisoejoso, J.; Mali, K S.; Asselberghs, I.; Huyghebaert, C.; Uji-i, H.; De Gendt, S.; De Feyter, S., Tunable doping of graphene by using physisorbed self-assembled networks Nanoscale 2016, (48), 20017-20026 [10] Park, J.; Yan, M., Covalent Functionalization of Graphene with Reactive Intermediates Accounts of Chemical Research 2013,46 (1), 181-189 [11] Johns, J E.; Hersam, M C., Atomic Covalent Functionalization of Graphene Accounts of Chemical Research 2013,46 (1), 77-86 [12] Phùng Hồ P Q P “ iáo trình Vật liệu bán dẫn,” NXB Khoa học Kỹ thuật (2008), 2-4 [13] Hồ Văn Sung “ iáo trình vật liệu bán dẫn vi mạch.” N Giáo D c 27942799 [14] Caterina Soldano, Ather Mahmood, Erik Dujardin Production,properties and potential of graphene, Carbon, 2010, 48, 2127-2150 [15] ae, et al “Roll-to-roll production of 30-inch graphene films for transparent electrodes”, Nat Nano, 2010, 574-578 [16] Caliman et al “One-pot synthesis of amine-functionalized graphene oxide by microwave-assisted reactions: An outstanding alternative for supporting materials in supercapacitors,” RSC Adv, 2018, vol 8, no 11, 6136-6145 [17] Alazmi A, El Tall O, Rasul S, Hedhili M N, Patole S P, and Costa P M J, “A process to enhance the specific surface area and capacitance of hydrothermally reduced graphene oxide,” Nanoscale, 2016, vol 8, no 41, 17782-17787 [18] Ayrat M, Dimiev, Lawrence B Alemany and James M Tour, Graphene Oxide.Origin of Acidity, Its Instability in Water, and a New Dynamic Structural Model, ACS Nano, 2013, 7(1), 576-588 [19] https://vi.wikipedia.org/wiki/Graphene [20] Balandin, A.A., et al., Superior thermal conductivity of single-layer graphene Nano letters, 2008, 8(3), 902-907 [21] Cecilia Mattevi, Hokwon Kim and Manish Chhowalla, A review of chemical vapour deposition of graphene on copper, J Mater Chem 2011, 21, 3324-3334 [22] Thanh Hai Phan, et al Covalent Modification of Graphene and Graphite Using Diazonium Chemistry: Tunable Grafting and Nanomanipulation, ACS Nano 2015, 9, 55520-5535 [23] http://doan.edu.vn/do-an/phuong-phap-quet-the-vong-cvcyclicvoltammetry-39290/ [24] http://biomedia.vn/review/quang-pho-raman [25] https://adtechnology.vn/afm [26] https://voer.edu.vn/m/kinh-hien-vi-quet-chui-ham [27] Ferrari, A C.; Robertson, J Interpretation of Raman Spectra of Disordered and Amorphous Carbon Phys Rev B 2000,61, 1409514107 [28] Niyogi, S.; Bekyarova, E.; Itkis, M E.; Zhang, H.; Shepperd, K.; Hicks, J.; Sprinkle, M.; Berger, C.; Lau, C N.; Deheer, W A.; et al Spectroscopy of Covalently Functionalized Graphene Nano Lett 2010, 10, 4061-4066 [29] Wang, Q H.; Jin, Z.; Kim, K K.; Hilmer, A J.; Paulus, G L C.;Shih, C.J.; Ham, M.-H.; Sanchez-Yamagishi, J D.; Watanabe,K.; Taniguchi, T.; et al Understanding and Controlling the Substrate Effect on Graphene Electron-Transfer Chemistryvia Reactivity Imprint Lithography Nat Chem 2012, 4, 724-732 CỘNG HÒA XÃVÀ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Bộ GIÁO DỰC ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI QUY Độc HỌC lập - Tự doNHON - Hạnh phúc số: J®’ /QĐ-ĐHQN Bĩnh Định, ngày tháng 12 năm 2019 QUYẾT ĐỊNH việc giao đề tài cử người hướng dẫn luận văn thạc sĩ HIỆU TRƯỞNG TRƯỜNG ĐẠI HỌC QUY NHƠN Căn Quyết định số 221/2003/QĐ-TTg ngày 30/10/2003 Thủ tướng Chính phủ việc đổi tên Trường Đại học sư phạm Quy Nhơn thành Trường Đại học Quy Nhơn; Căn nhiệm vụ quyền hạn Hiệu trưởng Trường đại học quy định Điều 11 “Điều lệ trường đại học” ban hành kèm theo Quyết định số 70/2014/QĐ- TTg ngày 10/12/2014 Thủ tướng Chính phủ; Căn Thơng tư số 15/2014/TT-BGDĐT ngày 15/5/2014 việc ban hành Quy chế đào tạo trình độ thạc sĩ Bộ trưởng Bộ Giáo dục Đào tạo Quyết định số 5508/QĐ-ĐHQN ngày 12/11/2015 Hiệu trưởng việc ban hành Quy định đào tạo trình độ thạc sĩ Trường Đại học Quy Nhơn; Căn Quyết định số 2399/QĐ-ĐHQN ngày 16/10/2018 việc công nhận học viên khóa đào tạo trình độ thạc sĩ 2018-2020 chuyên ngành Vật lý chất rắn Hiệu trưởng Trường Đại học Quy Nhơn; Xét đề nghị Trưởng phòng Đào tạo sau đại học, QUYẾT ĐỊNH: Điều Giao đề tài luận văn thạc sĩ: Nghiên cứu tổng hợp hệ vật liệu bán đẫn diazonium graphite graphene - Chuyên ngành Vật lý chất rắn, mã số: 8440104, cho học viên Trần Thế Thi - Khóa 21 (2018-2020, tuyển sinh tháng 9/2018) cử TS Phan Thanh Hải Trường Đại học Quy Nhơn, người hướng dẫn luận văn thạc sĩ Điều Học viêri người hướng dẫn thực nhiệm vụ hưởng quyền lợi theo quy chế, quy định đào tạo trình độ thạc sĩ hành Điều Các ơng (bà) Trưởng phịng Đào tạo sau đại học, Hành tổng hợp, Kế hoạch Tài chính, Trưởng khoa Khoa học Tự nhiên, người hướng dẫn học viên có tên Điều chịu trách nhiệm thi hành Quyết định này./ /VớỲ nhận: - I-Iiệu trường (để b/cỴ, - Như Điều 3; - Lưu: VT, ĐTSĐH KT HIỆU TRƯỞNG 'ĩ( ĐẠI HỌC 5] ,/ /’\QUY NHŨN/ // PGS.TS Nguyễn Đình Hiền ... bề mặt graphite Hệ vật liệu diazonium/ graphene cho vật liệu bán dẫn tiềm Với lý trên, chọn tên đề tài cho luận văn ? ?Nghiên cứu tổn g hợp hệ vật liệu bán d ẫ n diazonium n ền graphite graphene? ??... công nghệ nano loại vật liệu - Chế tạo hệ vật liệu bán dẫn diazonium graphite graphene 3 ỐI T ỢNG VÀ PH M VI NGHIÊN CỨU i t ợng nghiên cứu Hệ vật liệu HOPG, graphene dạng biến tính phân tử diazonium. .. liệu graphene [1] Tâm điểm lĩnh vực công nghệ vật liệu thập ỷ 2000 - 2009 xoay quanh nghiên cứu hai trạng thái cacbon, ống nano cacbon graphene Những nghiên cứu graphene, hẳng định loại vật liệu