PHÂN TÍCH KẾT CẤU VỎ BẰNG PHẦN TỬ TRƠN ES + NS – MITC3

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Cấu trúc

Trang bia1
Trang bia2
QĐ giao đề tài IMG_0542
public-1980837-1980837Do-Anh-Vu-1607672617655
LVTN-1980837-XDC19BDT-Do Anh Vu
- LÝ LỊCH KHOA HỌC
- LỜI CAM ĐOAN
- LỜI CẢM ƠN
- TÓM TẮT
- ABSTRACT
- MỤC LỤC
- DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT
- DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU
- DANH MỤC CÁC HÌNH
- Chương 1: TỔNG QUAN
  - 1.1 Đặt vấn đề
  - 1.2 Tổng quan tình hình nghiên cứu trong và ngoài nước
    - 1.2.1 Lý thuyết phân tích vỏ
    - 1.2.2 Phương pháp phần tử hữu hạn cho kết cấu vỏ
    - 1.2.3 Phương pháp phần tử hữu hạn trơn
  - 1.3 Mục tiêu nghiên cứu, nhiệm vụ và giới hạn của đề tài
  - 1.4 Phương pháp nghiên cứu và cách tiếp cận
  - 1.5 Nội dung nghiên cứu
- Chương 2: CƠ SỞ LÝ THUYẾT
  - 2.1 Lý thuyết biến dạng cắt bậc nhất (FSDT)
  - 2.2 Trường chuyển vị trong tọa độ cục bộ
  - 2.3 Trường biến dạng trong tọa độ cục bộ
  - 2.4 Trường ứng suất trong tọa độ cục bộ
  - 2.5 Nội lực trong vỏ trong tọa độ cục bộ
- Chương 3: CÔNG THỨC PHẦN TỬ HỮU HẠN VỎ PHẲNG NS-MITC3 VÀ ES+NS-MITC3
  - 3.1 Công thức PTHH vỏ phẳng MITC3 trong hệ tọa độ cục bộ
  - 3.2 Công thức PTHH vỏ phẳng MITC3 trong hệ trục tọa độ toàn cục
  - 3.3 Công thức PTHH vỏ phẳng NS-MITC3
  - 3.4 Công thức PTHH vỏ phẳng ES+NS-MITC3
- Chương 4: CÁC VÍ DỤ SỐ
  - 4.1 Kiểm tra các điều kiện patch test
  - 4.2 Phân tích tĩnh vỏ trụ chịu tải trọng tập trung
  - 4.3 Vỏ mái vòm Scordelis-Lo chịu tải trọng bản thân
  - 4.4 Phân tích tĩnh vỏ panel cầu chịu tải trọng tập trung
  - 4.5 Phân tích tĩnh vỏ Hyperbolic paraboloid chịu tải trọng bản thân và kiểm tra điều kiện không phụ thuộc vào thứ tự đánh số nút phần tử
    - 4.5.1 Phân tích tĩnh vỏ Hyperbolic paraboloid
    - 4.5.2 Kiểm tra điều kiện không phụ thuộc vào thứ tự đánh số nút phần tử
- Chương 5: KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ
  - 5.1 Kết luận
  - 5.2 Kiến nghị
- TÀI LIỆU THAM KHẢO
Bài báo ES+NS-MITC3

Nội dung

Luận văn nghiên cứu kỹ thuật làm trơn trên nút bằng cách trung bình biến dạng các phần tử chung nút để phát triển cho phần tử vỏ phẳng MITC3, tạo nên một phần tử mới được gọi là phần tử NSMITC3 có khả năng phân tích tĩnh kết cấu vỏ đồng nhất.Tuy nhiên, để cải thiện khả năng tính toán và hạn chế các nhược điểm của phần tử NSMITC3, kỹ thuật kết hợp cả hai phương pháp làm trơn trên nút (NS) và trên cạnh (ES) của phần tử cũng được nghiên cứu. Phần tử được phát triển gọi là phần tử ES+NSMITC3 và cách tiếp cận này gọi là bêta phần tử hữu hạn (βFEM).Phần tử NSMITC3 và ES+NSMITC3 được phát triển dựa trên lý thuyết tấm vỏ dày lý thuyết biến dạng cắt bậc nhất (FSDT) của ReissnerMindlin, và các thành phần biến dạng cắt ngoài mặt phẳng của phần tử được xấp xỉ lại theo kỹ thuật MITC3 để khử hiện tượng “khoá cắt” xảy ra khi phân tích vỏ mỏng. Do đó, phần tử NSMITC3 và ES+NSMITC3 đề xuất có thể được dùng để tính toán cho các kết cấu vỏ dày và mỏng.Tính hiệu quả, độ chính xác và hội tụ của phần tử NSMITC3 và ES+NSMITC3 được đánh giá thông qua các ví dụ số phân tích kết cấu vỏ đồng nhất điển hình. Các ví dụ số được xây dựng và tính toán bằng ngôn ngữ lập trình MATLAB. Kết quả tính toán độ võng các kết cấu vỏ điển hình bằng phần tử NSMITC3 và ES+NSMITC3 được so sánh với các kết quả độ võng cho bởi các loại phần tử vỏ khác đã được công bố trong các nghiên cứu trong và ngoài nước.

Ngày đăng: 20/07/2021, 15:30