Luận văn nghiên cứu kỹ thuật làm trơn trên nút bằng cách trung bình biến dạng các phần tử chung nút để phát triển cho phần tử vỏ phẳng MITC3, tạo nên một phần tử mới được gọi là phần tử NSMITC3 có khả năng phân tích tĩnh kết cấu vỏ đồng nhất.Tuy nhiên, để cải thiện khả năng tính toán và hạn chế các nhược điểm của phần tử NSMITC3, kỹ thuật kết hợp cả hai phương pháp làm trơn trên nút (NS) và trên cạnh (ES) của phần tử cũng được nghiên cứu. Phần tử được phát triển gọi là phần tử ES+NSMITC3 và cách tiếp cận này gọi là bêta phần tử hữu hạn (βFEM).Phần tử NSMITC3 và ES+NSMITC3 được phát triển dựa trên lý thuyết tấm vỏ dày lý thuyết biến dạng cắt bậc nhất (FSDT) của ReissnerMindlin, và các thành phần biến dạng cắt ngoài mặt phẳng của phần tử được xấp xỉ lại theo kỹ thuật MITC3 để khử hiện tượng “khoá cắt” xảy ra khi phân tích vỏ mỏng. Do đó, phần tử NSMITC3 và ES+NSMITC3 đề xuất có thể được dùng để tính toán cho các kết cấu vỏ dày và mỏng.Tính hiệu quả, độ chính xác và hội tụ của phần tử NSMITC3 và ES+NSMITC3 được đánh giá thông qua các ví dụ số phân tích kết cấu vỏ đồng nhất điển hình. Các ví dụ số được xây dựng và tính toán bằng ngôn ngữ lập trình MATLAB. Kết quả tính toán độ võng các kết cấu vỏ điển hình bằng phần tử NSMITC3 và ES+NSMITC3 được so sánh với các kết quả độ võng cho bởi các loại phần tử vỏ khác đã được công bố trong các nghiên cứu trong và ngoài nước.