1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều

119 5 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 119
Dung lượng 2,02 MB

Nội dung

Ngày đăng: 03/07/2021, 09:01

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
[1] Nguyễn Quang Báu, Hà Huy Bằng (2002), Lý thuyết trường lượng tử cho hệ nhiều hạt, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Lý thuyết trường lượng tử cho hệ nhiều hạt
Tác giả: Nguyễn Quang Báu, Hà Huy Bằng
Nhà XB: Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội
Năm: 2002
[2] Nguyễn Quang Báu, Bùi Bằng Đoan, Nguyễn Văn Hùng (1998), Vật lý thống kê, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Vật lý thống kê
Tác giả: Nguyễn Quang Báu, Bùi Bằng Đoan, Nguyễn Văn Hùng
Nhà XB: Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội
Năm: 1998
[3] Nguyễn Quang Báu, Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn (2004), Lý thuyết bán dẫn, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Lý thuyết bán dẫn
Tác giả: Nguyễn Quang Báu, Đỗ Quốc Hùng, Vũ Văn Hùng, Lê Tuấn
Nhà XB: Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội
Năm: 2004
[4] Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân, Phạm Văn Bền (2007), Vật lý bán dẫn thấp chiều, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Vật lý bán dẫn thấp chiều
Tác giả: Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân, Phạm Văn Bền
Nhà XB: Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội
Năm: 2007
[5] Nguyễn Quang Báu (1988), “Ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh biến điệu lên sự hấp thụ sóng điện từ yếu trong bán dẫn”, Tạp chí Vật lý, Tập VIII (3-4), tr.28-33 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh biến điệu lên sự hấp thụ sóng điện từ yếu trong bán dẫn”, "Tạp chí Vật lý
Tác giả: Nguyễn Quang Báu
Năm: 1988
[6] Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân, Hà Kim Hằng, Nguyễn Văn Hướng (1992), “ Ảnh hưởng của từ trường lên hệ số hấp thụ sóng điện từ đối với cơ chế tán xạ điện tử-phonon quang trong siêu mạng bán dẫn”, Báo cáo Hội nghị Vật lý Lý thuyết lần thứ 17, TP. Hồ Chí Minh, tr. 11 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Ảnh hưởng của từ trường lên hệ số hấp thụ sóng điện từ đối với cơ chế tán xạ điện tử-phonon quang trong siêu mạng bán dẫn
Tác giả: Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân, Hà Kim Hằng, Nguyễn Văn Hướng
Năm: 1992
[7] Nguyễn Xuân Hãn (1998), Cơ học lượng tử, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội Sách, tạp chí
Tiêu đề: Cơ học lượng tử
Tác giả: Nguyễn Xuân Hãn
Nhà XB: Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà Nội
Năm: 1998
[8] Nguyễn Văn Hướng, Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân (1991), “Ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh biến điệu lên sự hấp thụ sóng điện từ yếu trong siêu mạng”, Tạp chí khoa học, Trường Đại học tổng hợp Hà nội, số 3, tr.16-20.Tiếng Anh Sách, tạp chí
Tiêu đề: Ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh biến điệu lên sự hấp thụ sóng điện từ yếu trong siêu mạng”, "Tạp chí khoa học, Trường Đại học tổng hợp Hà nội
Tác giả: Nguyễn Văn Hướng, Nguyễn Quang Báu, Nguyễn Vũ Nhân
Năm: 1991
[9] Alexander Balandin and Kang L. Wang (1998), “Effect of phonon con- finement on the thermoelectric figure of merit of quantum wells”, J. Appl.Phys. 84, pp. 6149-6153 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Effect of phonon con- finement on the thermoelectric figure of merit of quantum wells”, "J. Appl. "Phys
Tác giả: Alexander Balandin and Kang L. Wang
Năm: 1998
[10] Antonyuk V. B., MalŠ shukov A. G., Larsson M. and Chao K. A. (2004), “Effect of electron-phonon interaction on electron conductance in one- dimensional systems”. Phys. Rev. B 69, pp. 155308-155314 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Effect of electron-phonon interaction on electron conductance in one- dimensional systems”. "Phys. Rev
Tác giả: Antonyuk V. B., MalŠ shukov A. G., Larsson M. and Chao K. A
Năm: 2004
[11] Ando T., Fowler A. B. and Stern F.(1982), “Electronic properties of two- dimensional systems”, Rev. Mod. Phys. 54, pp. 437-672 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Electronic properties of two-dimensional systems”, "Rev. Mod. Phys
Tác giả: Ando T., Fowler A. B. and Stern F
Năm: 1982
[12] Ariza-Flores A. D. and Rodriguez-Vargas I. (2008), “Electron subband structure and mobility trends in p-n delta-doped quantum wells in Si”. PIER Letters 1, pp. 159-165 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Electron subband structure and mobility trends in p-n delta-doped quantum wells in Si”. "PIER Letters
Tác giả: Ariza-Flores A. D. and Rodriguez-Vargas I
Năm: 2008
[13] N. Q. Bau and T. C. Phong (1998), “Calculations of the absorption coefficient of a weak electromagnetic wave by free carriers in quantum wells by the Kubo- Mori method”, J.Phys. Soc. Japan 67, pp. 3875-3880 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Calculations of the absorption coefficient of a weak electromagnetic wave by free carriers in quantum wells by the Kubo-Mori method”, "J.Phys. Soc. Japan
Tác giả: N. Q. Bau and T. C. Phong
Năm: 1998
[14] N. Q. Bau, N. V. Nhan, and T. C. Phong (2002), “Calculations of the absorption coefficient of a weak electromagnetic wave by free carriers in doped superlattices by using the Kubo-Mori method”, J. Korean. Phys. Soc 41, pp. 149-154 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Calculations of the absorption coefficient of a weak electromagnetic wave by free carriers in doped superlattices by using the Kubo-Mori method”, "J. Korean. Phys. Soc
Tác giả: N. Q. Bau, N. V. Nhan, and T. C. Phong
Năm: 2002
[15] N. Q. Bau, L. Dinh and T. C. Phong (2007), “Absorption coefficient of weak electromagnetic waves caused by confined electrons in quantum wires”, J.Korean. Phys. Soc 51, pp. 1325-1330 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Absorption coefficient of weak electromagnetic waves caused by confined electrons in quantum wires”, "J. "Korean. Phys. Soc
Tác giả: N. Q. Bau, L. Dinh and T. C. Phong
Năm: 2007
[16] N. Q. Bau, D. M. Hung, N. B. Ngoc (2009), “The nonlinear absorp- tion coefficient of a strong electromagnetic wave caused by confined electrons in quantum wells”, J. Korean Phys. Soc 54, pp. 765-773 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The nonlinear absorp- tion coefficient of a strong electromagnetic wave caused by confined electrons in quantum wells”, "J. Korean Phys. Soc
Tác giả: N. Q. Bau, D. M. Hung, N. B. Ngoc
Năm: 2009
[17] N. Q. Bau, L. T. Hung, and N. D. Nam (2010), “The nonlinear absorption coefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in quantum wells under the influences of confined phonons”, JEMWA, J. of Electromagnetic Waves and Appl. 24, pp. 1751-1761 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The nonlinear absorption coefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in quantum wells under the influences of confined phonons”, "JEMWA, J. of Electromagnetic Waves
Tác giả: N. Q. Bau, L. T. Hung, and N. D. Nam
Năm: 2010
[18] N. Q. Bau, D. M. Hung, and L. T. Hung (2010), “The influences of confined phonons on the nonlinear absorption coefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in doping superlattices”, PIER Letter 15, pp.175-185 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The influences of confined phonons on the nonlinear absorption coefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in doping superlattices”, "PIER Letter
Tác giả: N. Q. Bau, D. M. Hung, and L. T. Hung
Năm: 2010
[19] N. Q. Bau and D. M. Hung (2010), “Calculation of the nonlinear absorp- tion coefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in doping superlattices”, PIER B25, pp. 39-52 Sách, tạp chí
Tiêu đề: Calculation of the nonlinear absorp- tion coefficient of a strong electromagnetic wave by confined electrons in doping superlattices”, "PIER B25
Tác giả: N. Q. Bau and D. M. Hung
Năm: 2010
[20] N. Q. Bau and H. D. Trien (2010), “The nonlinear absorption coefficient of strong electromagnetic waves caused by electrons confined in quan- tum wires”, Journal of the Korean Physical Society 56, pp. 120-127 Sách, tạp chí
Tiêu đề: The nonlinear absorption coefficient of strong electromagnetic waves caused by electrons confined in quan- tum wires”, "Journal of the Korean Physical Society
Tác giả: N. Q. Bau and H. D. Trien
Năm: 2010

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

Tên hình vẽ Trang - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
n hình vẽ Trang (Trang 6)
Hình 1.1: Minh họa hình dạng và mật độ trạng thái của bán dẫn khối (3D), hố lượng tử (2D), dây lượng tử (1D) và chấm lượng tử (0D) - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 1.1 Minh họa hình dạng và mật độ trạng thái của bán dẫn khối (3D), hố lượng tử (2D), dây lượng tử (1D) và chấm lượng tử (0D) (Trang 16)
Cấu trúc của siêu mạng thành phần loạ iI đƣợc mô tả nhƣ Hình 1.2. Siêu mạng này đƣợc tạo thành từ các bán dẫn có độ rộng vùng cấm hoàn toàn bao nhau - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
u trúc của siêu mạng thành phần loạ iI đƣợc mô tả nhƣ Hình 1.2. Siêu mạng này đƣợc tạo thành từ các bán dẫn có độ rộng vùng cấm hoàn toàn bao nhau (Trang 20)
Hình 1.2 Siêu mạng bán dẫn thành phần loạ iI - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 1.2 Siêu mạng bán dẫn thành phần loạ iI (Trang 21)
Hình 1.3 Siêu mạng bán dẫn thành phần loại II - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 1.3 Siêu mạng bán dẫn thành phần loại II (Trang 21)
Hình 1. 4: Sự tách vùng năng lượng  (k z) của tinh thể với hằng số mạn ga thành các vùng con  n(kz) bởi thế siêu mạng với chu kì d - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 1. 4: Sự tách vùng năng lượng  (k z) của tinh thể với hằng số mạn ga thành các vùng con  n(kz) bởi thế siêu mạng với chu kì d (Trang 25)
Hình 1.5. Tinh thể n-i-p-i với nồng độ pha tạp không đổi trong các lớp loại n và loại p - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 1.5. Tinh thể n-i-p-i với nồng độ pha tạp không đổi trong các lớp loại n và loại p (Trang 27)
Hình 1.6. Sơ đồ hiệu ứng âm điện từ - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 1.6. Sơ đồ hiệu ứng âm điện từ (Trang 29)
Bảng 2.1. Các tham số của hố lượng tử AlGaAs/GaAs/AlGaAs. - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Bảng 2.1. Các tham số của hố lượng tử AlGaAs/GaAs/AlGaAs (Trang 43)
Hình 2.2: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào tần số của sóng âm tại những giá trị khác nhau của độ rộng hố lượng tử, với L=30nm (đường - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 2.2 Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào tần số của sóng âm tại những giá trị khác nhau của độ rộng hố lượng tử, với L=30nm (đường (Trang 44)
Hình 2.1: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào nhiệt độ và năng lượng Fermi với  q=3×1011s-1 - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 2.1 Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào nhiệt độ và năng lượng Fermi với  q=3×1011s-1 (Trang 44)
Hình 2.3: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào kích thước hố lượng tử tại những giá trị khác nhau của tần số sóng âm, với 101 - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 2.3 Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào kích thước hố lượng tử tại những giá trị khác nhau của tần số sóng âm, với 101 (Trang 45)
Hình 2.3 chỉ sự phụ thuộc của dòng âm điện vào kích thƣớc hố lƣợng tử với những giá trị khác nhau của tần số sóng âm, và Hình 2.4 chỉ sự phụ thuộc của dòng âm điện vào kích thƣớc của hố lƣợng tử tại giá trị khác nhau của nhiệt độ - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 2.3 chỉ sự phụ thuộc của dòng âm điện vào kích thƣớc hố lƣợng tử với những giá trị khác nhau của tần số sóng âm, và Hình 2.4 chỉ sự phụ thuộc của dòng âm điện vào kích thƣớc của hố lƣợng tử tại giá trị khác nhau của nhiệt độ (Trang 46)
Hình 3.1: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào tần số của sóng âm tại những giá trị khác nhau của nhiệt độ, với T = 45 K (đường liền nét), T - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 3.1 Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào tần số của sóng âm tại những giá trị khác nhau của nhiệt độ, với T = 45 K (đường liền nét), T (Trang 53)
Hình 3.2:Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào tần số của sóng âm tại những giá trị khác nhau của nồng độ pha tạp, với n D=1×1023m-3 (đường - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 3.2 Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào tần số của sóng âm tại những giá trị khác nhau của nồng độ pha tạp, với n D=1×1023m-3 (đường (Trang 53)
Hình 3.2 mô tả sự phụ thuộc của dòng âm điện vào tần số sóng âm tại những giá trị khác nhau của nồng độ pha tạp - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 3.2 mô tả sự phụ thuộc của dòng âm điện vào tần số sóng âm tại những giá trị khác nhau của nồng độ pha tạp (Trang 54)
Hình 3.4 mô tả sự phụ thuộc của dòng âm điện vào nồng độ pha tạp tại những giá trị khác nhau của tần số sóng âm - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 3.4 mô tả sự phụ thuộc của dòng âm điện vào nồng độ pha tạp tại những giá trị khác nhau của tần số sóng âm (Trang 55)
Hình 4.1: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường âm điện từ vào tần số sóng âm tại những giá trị khác nhau của từ trường ngoài, với B0.06( )T (đường liền nét), - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 4.1 Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường âm điện từ vào tần số sóng âm tại những giá trị khác nhau của từ trường ngoài, với B0.06( )T (đường liền nét), (Trang 68)
Hình 4.2: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường âm điện từ vào tần số sóng âm tại những giá trị khác nhau nhiệt độ, với T=220K (đường liền nét), T=250K (đường - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 4.2 Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường âm điện từ vào tần số sóng âm tại những giá trị khác nhau nhiệt độ, với T=220K (đường liền nét), T=250K (đường (Trang 69)
Hình 4.3: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường âm điện từ vào từ trường ngoài trong trường hợp từ trường yếu, nhiệt độ cao, với T=250K (đường liền nét), - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 4.3 Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường âm điện từ vào từ trường ngoài trong trường hợp từ trường yếu, nhiệt độ cao, với T=250K (đường liền nét), (Trang 70)
Hình 4.4: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường âm điện từ vào từ trường ngoài trong trường hợp từ trường yếu, nhiệt độ cao trong giới hạn  00 - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 4.4 Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường âm điện từ vào từ trường ngoài trong trường hợp từ trường yếu, nhiệt độ cao trong giới hạn  00 (Trang 70)
Hình 4.5: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường âm điện từ vào từ trường ngoài trong trường hợp từ trường mạnh, nhiệt độ thấp, với T=3K (đường liền nét), T=4K - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 4.5 Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường âm điện từ vào từ trường ngoài trong trường hợp từ trường mạnh, nhiệt độ thấp, với T=3K (đường liền nét), T=4K (Trang 71)
Hình 4.6: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường âm điện từ vào từ trường ngoài trong trường hợp từ trường mạnh, nhiệt độ thấp, trong giới hạn  00 - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 4.6 Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường âm điện từ vào từ trường ngoài trong trường hợp từ trường mạnh, nhiệt độ thấp, trong giới hạn  00 (Trang 72)
Bảng 5.1. Các tham số của hố lượng tử AlGaAs/GaAs/AlGaAs - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Bảng 5.1. Các tham số của hố lượng tử AlGaAs/GaAs/AlGaAs (Trang 80)
Hình 5.1 mô tả sự phụ thuộc của dòng âm điện phi tuyến lƣợng tử lên tần số sóng âm tại những giá trị khác nhau của tần số sóng điện từ - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 5.1 mô tả sự phụ thuộc của dòng âm điện phi tuyến lƣợng tử lên tần số sóng âm tại những giá trị khác nhau của tần số sóng điện từ (Trang 81)
Hình 5.2 chỉ sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện phi tuyến lên độ rộng của hố lƣợng tử tại những giá trị khác nhau của tần số sóng điện từ - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 5.2 chỉ sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện phi tuyến lên độ rộng của hố lƣợng tử tại những giá trị khác nhau của tần số sóng điện từ (Trang 82)
Hình 5.2: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào độ rộng hố lượng tử tại những giá trị khác nhau của tần số sóng điện từ ngoài, với - Các hiệu ứng âm điện từ trong các hệ thấp chiều
Hình 5.2 Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào độ rộng hố lượng tử tại những giá trị khác nhau của tần số sóng điện từ ngoài, với (Trang 82)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w