Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống
1
/ 62 trang
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng
Số trang
62
Dung lượng
1,25 MB
Nội dung
I. Giới thiệu chung - Transistor trường – FET (Field Effect transistor) hay transistor đơn cực hoạt động dựa trên nguyên lý hiệu ứng trường , điều khiển độ dẫn điện của đơn tinh thể bán dẫn nhờ tác dụng của một điện trường ngoài - Dòng điện trong FET chỉ do một loại hạt dẫn tạo nên ( hạt cơ bản : điện tử tự do đối với nhóm kênh N , lỗ trống đối với nhóm kênh P) chạy qua kênh dẫn , kênh này được điều khiển bằng điện trường Các vấn đề về transistor trường 1.1 Cấu tạo chung - Transistor trường có 3 chân cực : cực nguồn , cực cổng , cực máng Cực nguồn S ( Source) : nơi mà các hạt dẫn cơ bản đi vào kênh tạo ra dòng điện nguồn IS Cực máng D ( Drain) : nơi các hạt dẫn đa số đi ra khỏi kênh Cực cổng G ( Gate) : là cửa điều khiển dòng điện hạy qua kênh 1.2 Phân loại - Transistor trường FET gồm 2 loại chính Transistor trường loại JFET (Junction Field Effect Transistor) là loại transistor điều khiển hạt tải diện qua kênh dẫn bằng lớp tiếp xúc p-n (gọi là FET mối nối đơn) Transistor trường loại MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Efect Transistor) là loại transistor trường điều khiển hạt tải điện qua kênh dẫn bằng cực cửa cách điện MOSFET gồm 2 loại : ▪Mosfet kênh đặt sẵn (kênh liên tục) ▪Mosfet kenh gián đoạn (kênh cảm ứng) - Mỗi loại FET lại được chia làm 2 loại : kênh N và kênh P 1.3 Ưu điểm , nhượcđiểm -Ưu điểm : Dòng điện qua FET chỉ do một loại hạt dẫn đa số tạo nên do vậy FET là linh kiện một loại hạt dẫn , FET có trở kháng rát cao , tiếng ồn trong FET ít hơn nhiều so với transistor lưỡng cực BJT (do 2 loại hạt điện hoat động) Nó không bù điện áp tại vùng ID = 0 → là phần tử ngắt điện FET có độ ổn định nhiệt độ cao và tần số làm việc cao - Nhược điểm : Hệ số khuếch đại thấp hơn so vớ BJT П. Transistor trường loại JFET Gồm : JFET kênh N JFET kênh P 1. JFET kênh N 1.1 - Cấu tạo và ký hiệu - Một phiến bán dẫn pha tạp ít loại N hình khối chữ nhật , hai đầu phiến bán dãn này là hai điện cực : cực nguồn S và cực máng D - Hai phía của phiến bán dẫn này được khuếch tán tạp chất để tạo ra bán dẫn loại P. Hai miền bán dẫn loại P được nối với nhau và đưa ra 1 điện cực gọi là cực cổng G - Phần bán dẫn nằm dưới cực cổng G từ cực nguồn S và cực máng D gọi là kênh dẫn. Kênh dẫn là bán dẫn loại N, bán dẫn nối với cực cổng G là loại P →Giữa cực G và kênh dẫn hình thành tiếp xúc P –N 1.2 Nguyên lý hoạt động Để cho JFET kênh N hoạt động ở chế độ khuếch đại thì phải cung cấp nguồn điện sao cho tiếp xúc P – N là phân cực ngược. Tức là cực D nối với dương nguồn, cực S nối với âm nguồn (UDS ≥ 0 , UGS < 0). Khi P-N phân cực thuận → có dòng điện từ cực nguồn S đến cực máng D lớn nhưng không điều khiển được ● Khi cực G hở (UGS = 0, UDS > 0) - Lúc này dòng điện sẽ đi qua kênh theo chiều từ cực dương nguồn vào cực D và ra ở cực S trở về âm nguồn của UDS → kênh có tính chất giống như 1 điện trở - Tăng UDS lên từ 0v thì dòng ID tăng lên nhanh nhưng sau đó đến 1 giới hạn thì dòng ID không tăng nữa gọi là dòng bão hoà IDSS. Điện thế UDS khi đó gọi là hiệu điện thế bão hoàt Ubh Khi cực G có điện áp âm (UGS < 0, UDS = const) - Khi cực G có điện áp âm nối vào chất bán dẫn P trong kênh N có dòng điện chạy qua → có điện áp dương ở giữa chất bán dẫn N làm cho tiếp xúc P-N bị phân cực ngược→ điện tử trong chất bán dẫn cua kênh N bị đẩy vào làm thu hẹp tiết diện kênh→điện trở kênh dân tăng lên→ ID- giảm xuống - Khi tăng điện áp âm ở cực G mức phân cực ngược càng tăng → ID càng giảm nhỏ và đến 1 giá trị giới hạn dòng ID gần như không còn. Điện áp này ở cực G gọi là điện áp ngắt Up