Bài viết tìm hiểu ảnh hưởng của quá trình ăn mòn bằng nguồn plasma cảm ứng cao tần (ICP) tới điện trở suất tiếp giáp kim loại - bán dẫn đã được nghiên cứu bằng phương pháp đường truyền tuyến tính.
JST: Engineering and Technology for Sustainable Development Vol 1, Issue 2, April 2021, 095-100 Nghiên cứu ảnh hưởng trình ăn mịn đến điện trở suất tiếp giáp Ohmic linh kiện AlGaN/GaN HEMT Studying the Effect of Etching Process on the Ohmic Specific Contact Resistance of AlGaN/GaN HEMT Nguyễn Trung Đô, Lưu Thị Lan Anh, Lê Thị Hồng Liên, Nguyễn Hoàng Thoan, Nguyễn Ngọc Trung* Trường Đại học Bách khoa Hà Nội, Hà Nội, Việt Nam * Email: trung.nguyenngoc@hust.edu.vn Tóm tắt Trong linh kiện điện tử, từ mạch tích hợp đến pin mặt trời, giá trị điện trở suât (ρc) tiếp giáp Ohmic kim loại bán dẫn thước đo hiệu suất thiết bị Trong báo này, ảnh hưởng trình ăn mòn nguồn plasma cảm ứng cao tần (ICP) tới điện trở suất tiếp giáp kim loại - bán dẫn nghiên cứu phương pháp đường truyền tuyến tính (LTLM) Kết thu cho thấy, lựa chọn độ sâu chế độ công nghệ phù hợp cho q trình ăn mịn phương pháp ICP trước phủ kim loại cơng đoạn có tính định việc chế tạo tiếp giáp Ohmic có điện trở suất thấp Giá trị điện trở Ohmic chế tạo thấp độ sâu ăn mòn đảm bảo cho lớp kim loại phủ lên vùng AlGaN pha tạp với khoảng cách bên bề mặt lớp 2DEG cấu trúc AlGaN/GaN HEMT khoảng nm Với công suất nguồn ion 30 W công suất nguồn plasma 250 W, tốc độ ăn mòn vật liệu AlGaN khoảng 27,21 nm/phút Điện trở suất tiếp giáp Ohmic lớp kim loại Ti(20 nm)/Al(200 nm)/Pd(60 nm)/Au(100 nm) với bán dẫn AlGaN có giá trị thấp ρc=1,08 x 10-7Ω.cm2, mẫu ủ nhiệt độ tương đối thấp 650oC, môi trường khí Nitơ Từ khóa: GaN/AlGaN, transistor độ linh động điện tử cao, điện trở suất tiếp giáp Ohmic, trình ăn mịn ICP Abstract In electronic devices, ranging from integrated circuits to solar cells, the Ohmic specific contact resistance between metal and semiconductor is a measure of device performance In this paper, the effect of Induction Coupled Plasma etching (ICP) on creating specific contact resistance between metals and semiconductors was investigated by linear transmission method (LTLM) The obtained results show that selecting etching depth and etch process conditions by ICP method before metal coating is a decisive step in the manufacture of low resistance Ohmic contact The value of formed Ohmic specific contact resistance is the lowest when the etching depth ensures the metal layers to cover the doped AlGaN region at a distance of about nm above the AlGaN/GaN interface With an ion power source (RIE) of 30 W and a plasma power source (ICP) of 250 W, the etching rate of AlGaN material is approximately 27,21 nm/minute The Ohmic specific contact resistance of metal layers Ti (20 nm)/Al (200 nm)/Pd (60 nm)/Au (100 nm) with AlGaN semiconductor has an optimal value of ρc = 1,08 x 10-7 Ω.cm2, despite the sample was annealing at a relatively low temperature of 650oC, in a nitrogen atmosphere at 650oC Keywords: GaN/AlGaN, high-electron mobility transistors (HEMT), Ohmic specific contact resistance, ICP etching process Giới thiệu * điện tử chiều (2DEG) Độ linh động điện tử (μ) lớp khí điện tử chiều đạt giá trị cao bất thường nhiệt độ phòng hiệu ứng tán xạ giảm [1-3] HEMT hoạt động tần số cao so với linh kiện bán dẫn thông thường sử dụng rộng rãi sản phẩm tần số cao điện thoại di động, máy thu vệ tinh, chuyển đổi điện áp thiết bị radar ngành thông tin truyền thông Ban đầu, vật liệu thường dùng cho HEMT tiếp giáp màng mỏng GaAs với Al(In)GaAs mức nồng độ Al In (theo mol.) khác nhau, tùy theo ứng dụng linh kiện Hiện nay, linh kiện HEMT GaN làm từ bán dẫn có lượng vùng cấm rộng (3,4 eV), độ linh động điện tử cao (2000 cm2V−1s−1 300K 1800 cm2V−1s−1 77 K), thân thiện với môi trường sử dụng Linh kiện transistor sử dụng tất thiết bị điện tử Transistor có độ linh động điện tử cao sở vật liệu GaN/AlGaN (HEMT) hệ linh kiện mới, bắt đầu sử dụng thiết bị điện tử tần số cao công suất cao Sự khác biệt trội HEMT so với linh kiện Silic truyền thống linh kiện làm từ màng vật liệu bán dẫn có lượng vùng cấm rộng khác nhau, gọi chuyển tiếp dị thể [1-3] Các điện tử linh kiện HEMT dịch chuyển từ vật liệu có vùng cấm rộng sang vật liệu có vùng cấm nhỏ hơn, tạo lớp khí ISSN: 2734-9381 https://doi.org/10.51316/jst.149.etsd.2021.1.2.16 Received: February 20, 2020; accepted: August 15, 2020 95 JST: Engineering and Technology for Sustainable Development Vol 1, Issue 2, April 2021, 095-100 rộng rãi Lớp 2DEG cấu trúc AlGaN/GaN hình thành dựa kết có từ hiệu ứng phân cực tự phát phân cực áp điện lớp AlGaN Đối với cấu trúc dị thể, giá trị mật độ hạt dẫn lớp 2DEG điển hình 1x1013 cm-2 với nồng độ Al ~ 20-30 % Các tính chất trội linh kiện sở vật liệu AlGaN/GaN so với linh kiện truyền thống sử dụng Silic GaAs là: Tần số làm việc cao (lên tới hàng chục, chí hàng trăm GHz), nhiệt độ làm việc cao (nên cần làm mát mức độ thấp nhất), điện trường đánh thủng cao (2 x 106 V/cm) vận tốc chuyển động điện tử lên tới 107 cm/s [2], [4]–[6] cực kim loại qua lớp Ti/Al đến lớp AlGaN làm giảm điện trở bán dẫn Các yếu tố ảnh hưởng đến độ sâu q trình ăn mịn GaN để chế tạo cấu trúc mesa kỹ thuật ICP, thành phần khí ăn mịn hiệu ứng ủ nhiệt xem xét Thực nghiệm Linh kiện AlGaN/GaN HEMT sử dụng nghiên cứu có cấu trúc hình Trong linh kiện thiết bị điện tử bán dẫn, tiếp giáp kim loại với bán dẫn điện trở tiếp xúc Ohmic đóng vai trò quan trọng trực tiếp ảnh hưởng đến hiệu suất hoạt động linh kiện Các đặc tính quan trọng transitor tần số dịng cắt (fT), tần số dao động cực đại (fmax) hiệu điện thê đánh thủng Để chế tạo linh kiện GaN HEMT có giá trị dịng máng cao, tốc độ cao nhiễu thấp, vấn đề cần giải điện trở tiếp xúc Ohmic cực nguồn máng Có nhiều nhóm nghiên cứu báo cáo tiếp giáp Ohmic AlGaN/GaN HEMTs chế tạo cách ủ lớp kim loại lắng đọng bề mặt n-AlGaN [1], [6-11] Sự hình thành tiếp giáp Ohmic có điện trở thấp cấu trúc với lớp bề mặt có chiều cao rào Schottky lớn n-GaN (hay AlGaN) yêu cầu lớp bán dẫn pha tạp mạnh gần với tiếp xúc kim loại nhằm tạo điều kiện thuận lợi cho hiệu ứng xuyên hầm Tuy nhiên, việc chế tạo tiếp xúc Ohmic điện trở thấp quy trình cơng nghệ phức tạp phải giải hàng loạt vấn đề liên quan đến hiệu ứng bề mặt kim loại lớp bán dẫn tiếp giáp Các hiệu ứng phụ thuộc vào độ dày/mỏng thành phần lớp bán dẫn epitaxy nitride loại n phụ thuộc vào điều kiện ủ nhiệt Do phức tạp hiệu ứng này, việc ủ nhiệt độ cao từ 800oC đến 900oC [10] không đủ để khiến cho lớp kim lại phản ứng hoàn toàn với lớp rào AlGaN nhằm tạo lớp khí điện tử chiều (2DEG) linh kiện GaN HEMT Trong trường hợp cụ thể, lớp AlGaN có tác dụng rào chắn không cho hiệu ứng xuyên hầm xảy làm tăng điện trở tiếp giáp Hình Cấu trúc linh kiện AlGaN/GaN HEMT Bộ MASK’s dùng cho quang khắc thiết kế phần mềm CleWin đặt Công ty Formosa Microsemi Co LTD (Đài Loan/Trung Quốc) chế tạo Phiến bán dẫn inch có cấu trúc epitaxy AlGaN/GaN mua từ nhà sản xuất NTT-AT (Nhật Bản), có thơng số kỹ thuật sau: Bề dày: 625 ± 25 µm; Điện trở suất: < 0,02 Ohm.cm; Điện trở bề mặt trung bình 400 Ohm/sq.; Nồng độ hạt tải bề mặt: 1013 (cm-2); Độ linh động điện tử: ~ 2000 cm2/Vs; Điện áp đánh thủng: ~ 1000 V Các lớp vật liệu bán dẫn chế tạo kỹ thuật epitaxy chùm phân tử (MBE) lắng đọng hóa học từ pha (MOCVD) bao gồm: Lớp mũ: màng vật liệu siêu mỏng GaN (1-2nm) lắng đọng phía lớp rào ALGaN với mục đích ngăn cản oxi hóa bề mặt làm giảm điện trở tiếp xúc Ohmic điện cực nguồn máng Trong báo này, đề cập tới nghiên cứu ảnh hưởng q trình ăn mịn Plasma kết hợp cảm ứng từ (ICP- Induction Coupled Plasma) tới tính chất điện tiếp xúc kim loại Ti/Al/Pd/Au với bán dẫn AlGaN/GaN Hệ điện cực kim loại Ti/Al sử dụng chúng tạo bề mặt iếp xúc kim loại/bán dẫn cho phép hạt tải di chuyển tốt qua bề mặt tiếp giáp KL/AlGaN/GaN [7] Pd sử dụng lớp thứ ba kim loại có khả ngăn cản nguyên tử Au khuếch tán từ bề mặt điện Lớp rào: có bề dày khoảng 15 nm, lớp có tính định cấu trúc HEMT Lớp làm từ loại vật liệu có độ rộng vùng cấm lớn lớp đệm Độ rộng vùng cấm phụ thuộc vào nồng độ Al có vật liệu Lớp kích thích: lớp bán dẫn loại n pha tạp Si với mục đích tăng nồng độ hạt tải, có bề dày khoảng nm 96 JST: Engineering and Technology for Sustainable Development Vol 1, Issue 2, April 2021, 095-100 Lớp đệm không pha tạp (~5nm) : làm từ vật liệu có độ rộng vùng cấm thấp lớp rào, lớp cách điện lớp GaN có điện trở cao sử dụng nhằm đảm bảo dịng máng bão hịa hồn hảo kênh dẫn bị thắt, giảm tổn hao tần số cao giảm nhiễu xuyên âm thiết bị liền kề Ngay sau ăn mòn, mẫu phủ màng kim loại Ti(20nm)/Al(200nm)/ Pd(60nm)/Au(100nm) sử dụng hệ bay chùm điện tử Edwards Các mẫu sau xử lý q trình ủ nhiệt nhanh (RTA) mơi trường khí trơ (N2) nhiệt độ tương đối thấp 650 oC nhiệt độ cao 900oC nhằm cải thiện chất lượng tiếp xúc Ohmic chế tạo Lớp đệm hạt nhân (UID- pha tạp tùy ý): lớp (~1,5µm) phụ thuộc vào vật liệu làm đế việc lựa chọn kỹ thuật tạo màng epitaxy (MBE hay MOCVD) Thông thường màng tinh thể mỏng AlN, AlGaN GaN nuôi trước lắng đọng lớp đệm bán cách điện GaN dầy Mục đích nhằm giảm áp lực khơng tương thích mạng tinh thể với lớp phi tự nhiên Đặc trưng I-V phép đo điện trở tiếp xúc kỹ thuật LTLM (H.4) thực hệ thiết bị HP 4145 Bảng Các thơng số q trình ăn mịn ICP Lớp nền: Do vật liệu GaN khơng tồn tự nhiên, nên màng GaN epitaxy thường lắng đọng đế tinh thể vật liệu nhân tạo Si SiC, Al2O3 hay Si (111) Đế sử dụng đế sapphire (0001) công nghệ chế tạo MBE) Mẫu thử MT1 MT21 MT22 MT3 Trước tiên, phiến bán dẫn epitaxy GaN rửa aceton nóng 10 phút, sau rung siêu âm methanol 10 phút cuối rửa nước khử ion Sau đó, sử dụng chất cảm quang Microposit S1800 photoresists (Nhật Bản) cho trình quang khắc MASK Công suất RIE (W) 300 30 30 30 Công suất ICP (W) 250 250 250 Tốc độ phun khí (sccm) 20/5 20/5 20/5 20/5 DCV Thời (-V) gian ăn mòn (s) 538 30 87 50 89 55 88 100 Kết thảo luận Như biết, chiều dày lớp bán dẫn AlGaN GaN nhỏ (thậm chí 10 nm) nên thông số công nghệ sử dụng q trình ăn mịn cần phải thiết lập cho tốc độ ăn mòn vật liệu phải đủ chậm để kiểm sốt điều khiển chiều sâu Để lựa chọn chế độ ăn mòn tối ưu cho mẫu thực M1/1, M2/1, M2/2 M3/1, điều kiện ăn mòn thực nhóm mẫu thử (buffer samples) Nhóm mẫu thử MT1 ăn mòn bề mặt bán dẫn AlGaN, MT21, MT22 MT3 ăn mòn độ sâu xác định thời gian ăn mòn chúng khác Nhóm mẫu thử MT21 ăn mịn xuống tới lớp bán dẫn AlGaN khơng pha tạp Nhóm mẫu thử MT22 chuẩn bị để tạo tiếp xúc Ohmic với lớp bán dẫn AlGaN loại n Ngoài ra, độ sâu gần với vị trí lớp 2DEG, tức bề mặt tiếp giáp lớp bán dẫn AlGaN GaN Cuối cùng, độ sâu ăn mịn nhóm mẫu thứ (MT3) với mục tiêu đạt đến vị trí bề mặt AlGaN/GaN nơi có xuất lớp 2DEG cho phép lớp kim loại tiếp giáp trực tiếp với kênh dẫn 2DEG Sự thăng giáng giá trị điện áp phân cực (DCV) đo q trình ăn mịn ICP tối thiểu Sau nhiều thử nghiệm, chế độ, công nghệ cho kết ăn mòn tốt thể bảng Mẫu sử dụng để xác định điện trở tiếp giáp phương pháp đường truyền tuyến tính (Linear Transmission line method - LTLM)) [1] thiết kế để chế tạo đồng thời với điện cực nguồn máng HEMT Các mẫu sau cắt máy cắt kim cương chia thành nhóm để thực q trình ăn mịn ICP độ sâu khác nhằm tạo cấu trúc mesa Các lớp kim loại làm điện cực sau phủ xác lên cấu trúc mesa quy trình quang khắc điển thể hình Quá trình ăn mịn thực hệ thiết bị PlasmaTherm 790 (Đại học Quốc gia Singapore) với hỗn hợp khí Cl2 (20sccm) Ar (5 sccm) áp suất mTorr nhiệt độ 10 oC Nguồn điện cảm ứng plasma (Inductively coupled plasma – ICP) công suất 1kW hoạt động tần số MHz để kiểm sốt thơng lượng ion Nguồn điện cho q trình ăn mịn ion (reactive ion etching – RIE) có cơng suất 500W hoạt động tần số 13,6 MHz để kiểm sốt lượng chùm ion Bảng trình bày kết độ sâu ăn mòn cấu trúc LTLM phiến bán dẫn AlGaN/GaN trước phủ kim loại nhóm mẫu đo Dễ nhận thấy hệ mẫu, thời gian ăn mịn tăng độ sâu ăn mòn tăng Độ sâu ăn mòn thực tế so với tính tốn lý thuyết có giá trị gần thời gian ăn mòn tăng Mẫu 2/1 ăn mịn tới lớp rào AlGaN khơng pha tạp mẫu 2/2 ăn mịn Hình Cấu trúc bề mặt mẫu thử sử dụng để đo điện trở tiếp giáp Ohmic phương pháp đường truyền tuyến tính (LTLM) 97 JST: Engineering and Technology for Sustainable Development Vol 1, Issue 2, April 2021, 095-100 tới vùng AlGaN kích thích Một điều quan trọng công suất nguồn ion giữ mức thấp (30W) để làm chậm tốc độ ăn mòn để đảm bảo q trình ăn mịn tốt Kết nghiên cứu cho thấy, với công suất nguồn ion 30 W công suất plasma 250 W, tốc độ ăn mịn AlGaN khoảng 27,21 nm/phút Hình thể kết LTLM mẫu 2/2 Đó đồ thị tổng điện trở hai lớp tiếp xúc mẫu LTLM, Rtot phụ thuộc vào khoảng cách hai lớp tiếp xúc Các tính tốn LTLM có liên quan đến điện trở tiếp xúc Ohmic (Rc) linh kiện AlGaN/GaN HEMT dựa phương trình [1]: Bảng Độ sâu ăn mòn cấu trúc LTLM HEMT AlGaN/GaN trước phủ kim loại Mẫu thử Thời gian (s) Độ sâu ăn mòn trung bình TN (nm) Độ sâu ăn mịn trung bình LT (nm) M1/1 30 1,8 2,0 M2/1 50 12,2 18,35 M2/2 55 18,35 19,71 M3/1 100 34,3 34,3 = Rc Rtot − R probe (1) Điện trở suất tiếp giáp ρc: ρc = Rc2 Rsh ρc = Rc2 W gradient (2) (3) đó, Rtot điện trở có giá trị Li = Rprobe điện trở mũi dò xác định từ thực nghiệm có giá trị khoảng 16,43Ω Li khoảng cách điện cực kim loại (H.5) Rsh điện trở bề mặt bán dẫn; L, W chiều dài chiều rộng vùng bán dẫn điện cực kim lọai Gradient độ dốc đồ thị I-V xác định từ hình Hình Sơ đồ đo đặc trưng I-V tiếp giáp kim loại – bán dẫn mũi dò (probe) Li khoảng cách điện cực kim loại Hình Ảnh hưởng độ sâu ăn mịn lên đặc trưng I-V tiếp xúc Ohmic Hình Cấu trúc TLM sử dụng để xác định điện trở tiếp xúc Hình Kết LTLM mẫu 2/2 sau ủ nhiệt độ 650oC, môi trường Ni-tơ, thời gian 60 giây Hình thể đặc trưng dòng điện phụ thuộc vào điện áp (I-V) tiếp giáp kim loại - bán dẫn xác định dựa cấu trúc LTLM Dễ nhận thấy rằng, mẫu 2/2 có tiếp giáp Ohmic tốt nhất, sau mẫu 2/1, M1/1 cuối M3/1 Kết rằng, chế độ công nghệ q trình ăn mịn, đặc biệt độ sâu ăn mịn ảnh hưởng quan trọng đến q trình tạo tiếp giáp Ohmic tốt Hơn nữa, kết xác định điện trở tiếp giáp cụ thể mẫu sử dụng cấu trúc LTLM chế tạo khẳng định điều Từ hình 6, xác định giá trị điện trở suất ρc=1,08 x 10-7 Ωcm2 tiếp giáp M2/2 ủ nhiệt tương đối thấp 650oC Giá trị điện trở suất phù hợp so sánh với số liệu tốt từ cơng trình nghiên cứu gần [10,11] Các giá trị điện trở suất tiếp giáp mẫu 1/1, 2/1 3/1 tính theo phương pháp tương tự có giá trị 124,0 x 10-7 Ωcm2, 83,4 x 10-7 Ωcm2 1790,0 x 10-7 Ω.cm2 98 JST: Engineering and Technology for Sustainable Development Vol 1, Issue 2, April 2021, 095-100 Các kết tổng hợp lại bảng biểu mối liên hệ độ sâu ăn mòn điện trở tiếp suất tiếp xúc Ohmic Điều cho thấy rằng, trình ủ cho dù nhiệt độ cao 900oC [4] không đủ cho khuếch tán nguyên tử kim loại đến lớp khí điện tử chiều 2DEG bề mặt phân cách AlGaN/GaN cấu trúc HEMT Lớp AlGaN không phản ứng cản trở hiệu ứng xuyên hầm cần thiết cho hạt tải di chuyển qua mặt phân cách kim loại - bán dẫn Việc ủ nhiệt độ cao bất lợi cho hình thái bề mặt kim loại hình thành mảng hợp kim hạt lớn làm giảm tiếp xúc cho liên kết dây sau Bảng Mối liên hệ độ sâu ăn mòn điện trở tiếp xúc đặc trưng Mẫu Độ sâu ăn mòn (nm) Điện trở suất tiếp xúc Ohmic (10-7x Ωcm2) M1/1 1,8 124,0 M2/1 12,2 83,4 M2/2 18,35 1,08 M3/1 34,3 1790 Mẫu 2/1 ăn mòn lớp AlGaN ~12,2 nm trước phủ kim loại, điều có nghĩa điện cực nguồn máng linh kiện tiếp xúc với lớp rào, chưa tới lớp bán dẫn pha tạp, dẫn tới giá trị điện trở tiếp xúc lớn nhiều so với mẫu 2/2 Đối với mẫu 2/2 điện cực kim loại phủ độ sâu ~18,35 nm Theo tính tốn thiết kế, điện cực kim loại tiếp xúc với lớp bán dẫn pha tạp Si Khi đó, khoảng cách lớp kim loại điện cực lớp 2DEG ngắn so với linh kiện ăn mòn kỹ thuật thơng thường Khi việc ủ mẫu 2/2 650oC hồn thành, khoảng cách ngắn chứng tỏ trở ngại cho kim loại việc khuếch tán đến lớp 2DEG cho phép hiệu ứng xuyên hầm phát xạ trường trực tiếp tối ưu diễn Trong cấu trúc vậy, tổng diện tích bề mặt kim loại tiếp xúc với bán dẫn tối đa, dẫn đến điện trở suất tiếp xúc thấp (Hình 8) Các kết từ bảng vẽ lại đồ thị hình Nhận thấy, giá trị ρc giảm độ sâu ăn mịn tăng lên đạt độ sâu lớp AlGaN pha tạp Si, vị trí mà quan sát giá trị ρc tăng Chúng ta kết luận tiếp xúc Ohmic chế tạo tốt độ sâu ăn mòn đảm bảo cho lớp kim loại phủ lên vùng AlGaN pha tạp bên bề mặt DEG cấu trúc AlGaN/GaN Mẫu 3/1 lại khơng có điện trở tiếp xúc tốt so sánh với mẫu lại lớp kim loại lúc tiếp giáp trực tiếp với lớp 2DEG thông qua vùng gần độ rộng kênh dẫn mà độ dầy lại không đáng kể Điều xảy kim loại đặt lên rãnh có độ sâu qua mặt phân cách AlGaN/GaN, vị trí 2DEG Do vậy, vùng tiếp giáp kim loại kênh nằm phía kim loại (H.8) Sự dồn nén dịng góp phần làm cho điện trở tổng cộng trở nên lớn Hình Ảnh hưởng độ sâu ăn mòn lên điện trở tiếp xúc đặc trưng Hình Mặt cắt linh kiện HEMT sau phủ kim loại ủ (a) mẫu 2/2, kim loại khuếch tán từ vị trí tiếp giáp đến lớp 2DEG với diện tích bề mặt tiếp xúc lớn (b) mẫu 3/1 – có cực kim loại tiếp giáp với lớp 2DEG 99 JST: Engineering and Technology for Sustainable Development Vol 1, Issue 2, April 2021, 095-100 Kết luận Từ kết nghiên cứu trên, kết luận rằng, lựa chọn độ sâu chế độ công nghệ phù hợp cho q trình ăn mịn phương pháp ICP trước phủ kim loại cơng đoạn có tính định việc chế tạo tiếp xúc Ohmic có điện trở thấp cấu trúc AlGaN/GaN HEMT Giá trị điện trở suất tiếp xúc Ohmic chế tạo thấp độ sâu ăn mòn đảm bảo cho lớp kim loại phủ lên vùng AlGaN pha tạp với khoảng cách bên bề mặt DEG cấu trúc AlGaN/GaN HEMT tối thiểu khoảng nm Lời cảm ơn Đề tài tài trợ Bộ Giáo dục Đào tạo thông qua đề tài mã số B20180-BKA-57 Chúng xin chân thành cảm ơn giáo sư Chua Soo Jin (Đại học Quốc gia Singapore) hợp tác với dự án Tài liệu tham khảo [1] Dieter Schroder, Semiconductor metarial and devicecharacterization, 3rd ed., John Wiley & sons,inc., 2006 J K S.J Pearton, C.R Abernathy, M.E Overberg, G.T Thaler, A.H Onstine, B.P Gila, F Ren, B Lou, New applications for Gallium, Mater today, vol 5, no 6, pp 24-31, June.2006 [4] D Jana, S Porwal, and T K Sharma, Confirmation of unintentional donors in AlGaN/GaN HEMT structures by Mg-doping during initial growth of GaN buffer layer,J Lumin., vol 219, March 2020 F Berthet et al.,Characterization and analysis of electrical trap related effects on the reliability of AlGaN/GaN HEMTs, Solid-State Electronics, vol 72, pp 15-21, June 2012 [6] S Dhakad, N Sharma, C Periasamy, and N Chaturvedi, Optimization of ohmic contacts on thick and thin AlGaN/GaN HEMTs structures, Superlattices Microstructure, vol.111, pp 922-926, November 2017 [7] A Soltani et al., Development and analysis of low resistance ohmic contact to n-AlGaN/GaN HEMT, Diamond Related Materials, vol 16, no 2, pp 262266, February 2007 [8] C Tang, G Xie, and K Sheng, Study of the leakage current suppression for hybrid-Schottky/ohmic drain AlGaN/GaN HEMT, Microelectronics Reliability, vol 55, no 2, pp 347-351, February 2015 [9] Q Feng, L M Li, Y Hao, J Y Ni, and J C Zhang, The improvement of ohmic contact of Ti/Al/Ni/Au to AlGaN/GaN HEMT by multi-step annealing method, Solid-State Electronics, vol 53, no 3, pp 955-958, September 2009 [10] A Taube et al., Temperature-dependent electrical characterization of high-voltage AlGaN/GaN-on-Si HEMTs with Schottky and ohmic drain contacts, Solid-State Electronics, vol 111, pp-12-17, September 2015 [2] S.I.Stepanov et al., Gallium oxide: Properties and application-A review, Rev.Adv.Mater.Sci., vol 44, pp 83-86, 2016 [3] [5] [11] Y Liu, M K Bera, L M Kyaw, G Q Lo, and E F Chor, Low resistivity Hf / Al / Ni / Au Ohmic Contact Scheme to n-Type GaN, International Journal of Electrical, Internaltional Journal of Electrical and Computer Engineering, vol 6, no 9, pp 602-605, 2012 100 ... Trong linh kiện thiết bị điện tử bán dẫn, tiếp giáp kim loại với bán dẫn điện trở tiếp xúc Ohmic đóng vai trò quan trọng trực tiếp ảnh hưởng đến hiệu suất hoạt động linh kiện Các đặc tính quan... tổng điện trở hai lớp tiếp xúc mẫu LTLM, Rtot phụ thuộc vào khoảng cách hai lớp tiếp xúc Các tính tốn LTLM có liên quan đến điện trở tiếp xúc Ohmic (Rc) linh kiện AlGaN/GaN HEMT dựa phương trình. .. M3/1 Kết rằng, chế độ công nghệ q trình ăn mịn, đặc biệt độ sâu ăn mịn ảnh hưởng quan trọng đến q trình tạo tiếp giáp Ohmic tốt Hơn nữa, kết xác định điện trở tiếp giáp cụ thể mẫu sử dụng cấu trúc