Đang tải... (xem toàn văn)
Bài viết tập trung vào việc xây dựng đường chuẩn công suất, nhiệt độ làm việc của cảm biến và khảo sát khả năng làm việc của thiết bị cảm biến với khí H2 tại công suất thấp dựa trên cơ sở màng mỏng Pd/SnO2 chế tạo bằng phương pháp phún xạ kết hợp với công nghệ vi điện tử.
JST: Engineering and Technology for Sustainable Development Vol 1, Issue 2, April 2021, 079-083 Xây dựng đường chuẩn khảo sát đặc tính nhạy khí H2 thiết bị cảm biến hoạt động công suất thấp Calibration Curve Building and Sensing Characteristics of Low Power Consumption H2 Gas Sensor Nguyễn Văn Toán*, Nguyễn Xuân Thái, Nguyễn Văn Duy, Chử Mạnh Hưng Viện Đào tạo Quốc tế Khoa học Vật liệu, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội, Hà Nội, Việt Nam Email: ntoan@itims.edu.vn; toan.nguyenvan2@hust.edu.vn Tóm tắt Phát báo động rị rỉ khí hydro (H2) vấn đề quan trọng trình sử dụng Trong nghiên cứu này, xây dựng đường chuẩn nhiệt độ, công suất khảo sát đặc tính nhạy khí H2 cho thiết bị đo dựa sở cảm biến sử dụng màng mỏng nano SnO2 biến tính tính đảo xúc tác Pd Dựa điện áp đặt vào từ 0,5 đến V, công suất tiêu thụ lò vi nhiệt tăng dến 665 mW tương ứng với nhiệt độ cấp cho cảm biến từ 70,8°C đến 362,8°C Công suất làm việc tối ưu thiết bị cảm biến tìm thấy 180 mW, thiết bị cho độ nhạy 2,7 lần 100 ppm H2 Kết khảo sát cho thấy thiết bị đo khí đo tới nồng độ 25 ppm H2 Thiết bị cho độ chọn lọc khí H2 cao hẳn so với khí khác CO C2H5OH Từ khóa: Màng mỏng SnO2/Pd, Cảm biến khí, Thiết bị đo khí H2 Abstract Detection and alarm of hydrogen (H2) gas leakage is an extremely important issue In this study, we have built temperature, power calibration curves of the H2-sensitive instrumentation using the sensor based on the SnO2 thin film decorated with catalytic Pd islands Based on the applied voltage of 0.5 to V, the power consumption of the micro-heater increased to 665 mW, which corresponds to the temperature of the sensor ranging from 70.8°C to 362.8°C The optimum working power of the sensor was found to be 180 mW, in which the instrumentation showed the highest response of 2.7 times to 100 ppm H2 The findings show that this gas instrumentation can measure down to 25 ppm H2 The instrumentation showed a highest selectivity to H2 compared to other gases such as CO and C2H5OH Keywords: SnO2/Pd thin film, gas sensors, H2 detection instrument Giới thiệu trúc nano có nhiều tiềm để ứng dụng làm cảm biến khí Khí hydro (H2) có tiềm lớn trở thành nguồn lượng xanh, lượng tái tạo để ứng dụng làm pin nhiên liệu cho phương tiện vận tải ô tô, máy phát điện, v.v [1] Khí H2 chất khí nhẹ, khơng màu, khơng mùi, khó khăn việc lưu trữ vận chuyển dễ cháy nổ rị rỉ dễ dàng từ bình chứa khơng xử lý cẩn thận [2-4] Vì vậy, việc phát rị rỉ khí H2 trở thành vấn đề quan trọng việc rị rỉ khí H2 gây nên tai nạn cháy nổ, ảnh hưởng nghiêm trọng đến sức khỏe người tài sản Do đó, địi hỏi lượng lớn cảm biến khí để phát báo động rị rỉ khí H2 sản xuất, bảo quản, vận chuyển sử dụng [5-7] Có nhiều loại vật liệu ơxít kim loại bán dẫn SnO2, TiO2, ZnO, WO3,…dưới dạng dây nano, hạt nano, màng mỏng nano sử dụng làm cảm biến đo khí, có khí hydro [8-10] Nhiều nghiên cứu rằng, vật liệu màng mỏng có cấu Màng mỏng nano có nhiều ưu điểm dễ dàng tích hợp với cơng nghệ vi điện tử mặt công nghệ, đơn giản việc chế tạo Điều thích hợp cho việc sản xuất hàng loạt để thương mại hóa sản phẩm Tác giả Shahabuddin cộng công bố cảm biến đo khí H2 dựa cơng nghệ chế tạo màng mỏng SnO2 phương pháp phún xạ, sau biến tính với vật liệu kim loại khác để đo khí H2 [11] Cũng dựa cơng nghệ in lưới tác giả Xie cộng công bố chế tạo màng mỏng SiO2 vật liệu WO3 biến tính với kim loại Pd, Pt theo tỷ lệ nồng độ khác để cảm biến lọc khí với khí khác CO, NO, NO2 H2 [12] Sự tăng độ đáp ứng khí H2 phụ thuộc vào hoạt động xúc tác kim loại quý Pd phân biên H2 ơxy phân tử hình thành vùng nghèo làm thay đổi độ dẫn vật liệu [13] Tác giả German cộng tính tốn mơ hấp phụ khí H2 bề mặt (110) màng mỏng SnO2 nguyên tử Pd thêm vào bề mặt làm chất xúc tác Dựa kết nghiên cứu tính tốn, tác giả nhận thấy hấp phụ khí H2 có khơng có ngun tử Pd Pdn có ngun tử Pd ISSN: 2734-9381 https://doi.org/10.51316/jst.149.etsd.2021.1.2.13 Received: February 25, 2020; accepted: June 15, 2020 79 JST: Engineering and Technology for Sustainable Development Vol 1, Issue 2, April 2021, 079-083 Pdn tốt [14] Phương pháp thông thường để biến tính vật liệu kim loại vào bán dẫn ôxít kim loại làm xúc tác pha tạp, biến tính chức hóa bề mặt Các phương pháp dễ dàng tiến hành phương pháp hóa học ion kim loại dễ dàng xảy phản ứng Việc pha tạp mẫu khối bề mặt kim loại chủ yếu sử dụng phương pháp ơxy hóa ướt Ưu điểm phương pháp đơn giản, giá thành rẻ Tuy nhiên phương pháp lại có nhược điểm khơng kiểm soát chiều dày màng mật độ xúc tác vật liệu pha tạp [5] Gần đây, phương pháp vật lý sử dụng để pha tạp hay biến tính bề mặt ơxít kim loại Khi pha tạp thêm kim loại quý, hạt nano kim loại quý làm tăng trình hấp thụ gốc oxy (O-, O2-, O2-,) bề mặt vật liệu hiệu ứng Spillover, dẫn tới làm tăng tính nhạy khí vật liệu Trong hiệu ứng spillover kim loại q đóng vai trị “cổng dẫn” “điểm tích cực” cho gốc oxy qua hấp thụ vào vật liệu [4,13] Bên cạnh đó, kim loại xúc tác thay đổi trạng thái điện tử dẫn tới thay đổi chiều cao bề mặt, từ làm thay đổi điện tử dẫn vật liệu bán dẫn ơxít Với kích thước cỡ micro-mét đảo xúc tác làm tăng cường độ đáp ứng cảm biến khí sở màng mỏng SnO2 [11,13] Đây tiền đề quan trọng để đưa cảm biến đo khí H2 sở màng mỏng SnO2/Pd vào ứng dụng sống thực tiễn Tuy nhiên, hướng tới ứng dụng thực tế giám sát nhiễm khơng khí, rị rỉ, cháy nổ khí H2 chip cảm biến nên tích hợp vào hệ thống đo cầm tay Trong nghiên cứu này, tập trung vào việc xây dựng đường chuẩn công suất, nhiệt độ làm việc cảm biến khảo sát khả làm việc thiết bị cảm biến với khí H2 công suất thấp dựa sở màng mỏng Pd/SnO2 chế tạo phương pháp phún xạ kết hợp với công nghệ vi điện tử Bảng Các thông số điện nhiệt độ lò vi nhiệt Điện thế(V) 0,5 Dịng điện(A) 0,008 Điện trở(Ω) 61,35 Cơng suất(W) 0,004 Nhiệt độ(oC) 70,804 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,016 0,023 0,03 0,036 0,041 0,045 62,5 64,655 67,002 70,126 73,439 77,093 0,016 0,035 0,06 0,089 0,123 0,159 78,006 89,04 100,614 115,613 131,593 149,044 4,0 0,05 80,645 0,198 166,103 4,5 5,0 5,5 6,0 0,053 0,057 0,059 0,062 84,666 88,496 92,671 96,618 0,239 0,283 0,326 0,373 185,374 203,636 223,624 242,521 6,5 7,0 0,065 0,067 100,775 105,263 0,419 0,466 262,409 283,872 7,5 0,069 109,489 0,514 304,081 8,0 8,5 9,0 0,071 0,072 0,074 113,475 117,729 121,786 0,564 0,614 0,665 323,144 343,479 362,814 Chip ghép nối cổng USB Máy tính Ghi số liệu điện áp nồng độ khí Nối máy tính Truyền tín hiệu mã hóa điện áp cảm biến Chip điều khiển cảm biến Thực nghiệm Trên sở kết đo khảo sát đặc trưng nhạy khí H2 màng mỏng SnO2/Pd (dày 10 nm) [13], thiết kế chế tạo thiết bị đo khí H2 dựa nguyên lý đo thay đổi điện áp biến trở mắc nối tiếp với cảm biến: có thay đổi nồng độ khí thổi vào/ra điện trở cảm biến thay đổi, từ điện áp rơi biến trở thay đổi tương ứng Sơ đồ nguyên lý thiết bị đo khí H2 thể Hình Chíp cảm biến kết nối với máy tính thơng qua cổng kết nối USB để cấp nguồn 5V để cấp điện áp để gia nhiệt cho lò vi nhiệt điện áp màng nhạy cảm biến hoạt động Cũng thông qua cổng kết nối USB để lấy tín hiệu điện áp cảm biến Máy tính ghi số liệu vào cảm biến nồng độ khí cấp hoạt động Kết nối cổng USB lấy nguồn V truyền tín hiệu máy tính Cấp nguồn 5V Gia nhiệt cho lò: tăng từ - điện áp đặt phút Cấp điện áp V cho cảm biến Lấy điện áp biến trở phân áp 500 kΩ Hình Sơ đồ ghép nối hệ thống thiết bị đo Bước 1: Chuẩn nhiệt độ cảm biến điện trở lò vi nhiệt Từ việc đo điện trở cảm biến nhiệt độ khác đưa đường đặc tuyến điện trở, nhiệt độ cơng suất lị vi nhiệt cảm biến Bước 2: Cấp điện áp khác (từ 0,5 ÷ V) đo dịng điện chạy qua lị vi nhiệt qua tính giá trị điện trở Dựa giá trị điện trở này, xây dựng đường phụ thuộc nhiệt độ công suất tiêu thụ lò vi nhiệt vào điện áp cơng suất tiêu thụ Hình Từ đặc tuyến ta thấy ứng với điện áp cấp cho lò vi nhiệt cảm biến từ 0,5 ÷ V nhiệt độ lị vi nhiệt biến thiên từ 70 ÷ 362 oC cơng suất tiêu thụ nhỏ 700 mW Chúng khảo sát đặc trưng đáp ứng độ đáp ứng khí cảm biến vùng điện áp Theo thiết kế loại cảm biến nhiệt độ lị vi nhiệt nhiệt Việc khảo sát giá trị điện trở lò vi nhiệt phụ thuộc vào điện áp nhiệt độ lò vi nhiệt phụ thuộc vào điện trở tiến hành theo bước sau: 80 JST: Engineering and Technology for Sustainable Development Vol 1, Issue 2, April 2021, 079-083 độ vùng nhạy khí có sai khác định Tuy nhiên khoảng cách từ lị vi nhiệt đến vùng nhạy khí khoảng 40 µm, nên sai khác nhiệt độ hai vùng khơng đáng kể Chính vậy, nhiệt độ lị vi nhiệt coi nhiệt độ hoạt động cảm biến Từ đặc tuyến khảo sát đưa bảng thay đổi thơng số dịng điện, điện trở cơng suất theo điện đặt vào từ đóvà so sánh với nhiệt độ ngồi lị vi nhiệt trình bày Bảng cơng suất 270, 240, 210, 180 150 mW đạt giá trị 8, 16, 49, 80 110 giây Thời gian hồi phục 53, 65, 74, 96 180 giây tương ứng với công suất 270, 240, 210, 180 150 mW Trên Hình phụ thuộc nhiệt độ cấp nhiệt dải nhiệt độ từ 100°C – 362,8 °C cơng suất cấp cho lị vi nhiệt giải từ 60 mW đến 665 mW Các giá trị nhiệt độ công suất ta thấy tương đồng xét theo giá trị điện trở tương ứng lò vi nhiệt Hình Từ ta dựa vào cơng suất tiêu thụ lị vi nhiệt ta tính nhiệt độ lò vi nhiệt cấp cho cảm biến hoạt động [15] Kết thảo luận Khi đưa cảm biến lên mạch, thay đổi điện trở cảm biến chuyển thành biến thiên điện áp rơi biến trở 100 kΩ mắc nối tiếp với cảm biến Lúc độ biến thiên điện áp xác định theo công thức: Vout = Rv*5/(Rs+Rv), Vout, Rs, Rv tương ứng điện áp ra, điện trở cảm biến, giá trị đặt biến trở Như với có mặt khí H2 mơi trường dẫn tới tăng điện trở cảm biến Rs cho kết điện áp Vout giảm Do vậy, độ đáp ứng thiết bị cảm biến với khí H2 tính dựa theo cơng thức S = Vin/Vout, Vin điện áp cấp Hình Đường chuẩn nhiệt độ công suất tiêu thụ phụ thuộc điện trở lị vi nhiệt (b) Trên Hình 3(a) kết đo nhạy khí theo cơng suất tiêu thụ giải công suất từ 150 – 270 mW, với nồng độ 100 ppm khí H2 (nhiệt độ phịng, độ ẩm khoảng 80%) Ta thấy cảm biến đáp ứng tốt trì mức điện áp ổn định ứng với nồng độ khí đo Những thay đổi điện áp tiến hành xử lý hiển thị cho giá trị nồng độ khí thực tế đo Trên Hình 3(b) với công suất khác dải từ 150 mW đến 270 mW, ta nhận thấy thiết bị cảm biến đạt độ đáp ứng với giá trị 2,6; 2,7; 2,6; 2,2 1,2 lần ứng với trá trị dải công suất từ 150 đến 270 mW Thiết bị cảm biến cho độ đáp ứng cao giá trị công suất 180 mW, độ đáp ứng cảm biến đạt 2,7 lần Thời gian (s) Hình Đặc trưng nhạy khí thiết bị cảm biến SnO2/Pd phụ thuộc công suất theo thời gian (a) độ đáp ứng khí theo cơng suất nồng độ 100 ppm khí H2 (b) Sau tìm cơng suất làm việc tối ưu thiết bị cảm biến công suất 180 mW, dựa điều kiện công suất chúng tơi khảo sát đặc trưng nhạy khí H2 với nồng độ khác (25 – 1000 ppm) thiết bị cảm biến Hình Ta nhận thấy thiết bị cảm biến cho độ đáp ứng hồi phục tốt với nồng độ khí khác Độ đáp ứng thiết bị cảm biến giảm tuyến tính theo nồng độ khí cấp với giá trị nồng độ 1000; 500; 250; 100; 50 25 ppm khí H2 Thời gian đáp ứng (τres) thời gian hồi phục (τrec) thông số quan trọng khác để đánh giá cảm biến khí Thời gian đáp ứng tính thời gian để điện áp cảm biến giảm đến 90% giá trị điện áp ban đầu tính từ thời điểm đo khí H2 Thời gian hồi phục thời gian để điện áp cảm biến trở 90% giá trị điện áp ban đầu (trong mơi trường khơng khí) Thời gian đáp ứng, hồi phục cảm biến tùy thuộc vào công suất tiêu thụ cảm biến Thời gian đáp ứng cụ thể tính tốn với giá trị 81 JST: Engineering and Technology for Sustainable Development Vol 1, Issue 2, April 2021, 079-083 H2 (250 ppm), CO (250 ppm) C2H5OH (2500 ppm) công suất 180 mW Độ đáp ứng hàm nồng độ khí Hình (a) Ta nhận thấy thiết bị cảm biến màng mỏng SnO2/Pd đáp ứng với loại khí khác Kết Hình 5(b) cho thấy độ nhạy thiết bị cảm biến đạt giá trị 2,7 lần với nồng độ 250 ppm khí H2; 1,05 lần với giá trị 250 ppm khí C2H5OH 1,13 lần với 250 ppm khí CO Điều cho thấy thiết bị cảm biến có độ chọn lọc cao khí H2 3000 @ 180 (mW) 2500 1000 ppm 2000 500 ppm 250 ppm 1500 Kết luận 100 ppm 1000 50 ppm Thiết bị cảm biến nhạy khí H2 dựa màng mỏng SnO2/Pd chế tạo thành cơng phịng thí nghiệm cách sử dụng kỹ thuật vi điện tử Trên sở chúng tơi chế tạo xây dựng đường chuẩn thiết bị đo khí H2 cầm tay sở cảm biến SnO2/Pd chế tạo Kết cho thấy thiết bị cảm biến hoạt động ổn định, độ nhạy đạt xấp xỉ 8,67 lần nồng độ khí H2 1000 ppm Cảm biến có cơng suất tiêu thụ nhỏ đạt giá trị tốt 180 mW Các điều kiện thay đổi nồng độ khí, cơng suất tiêu thụ cảm biến khảo sát Thiết bị đo khí chế tạo phát khí H2 nồng độ thấp đến cỡ 25 ppm với độ đáp ứng cao Các cảm biến có độ chọn lọc tốt khảo sát với số loại khí khác H2, CO, C2H5OH Qua kết nghiên cứu cho thấy thiết bị đo cảm biến khí H2 sở màng mỏng SnO2/Pd hồn tồn có khả ứng dụng vào việc quan trắc mơi trường phịng chống cháy nổ khí H2 thực tế sống 25 ppm 500 1000 2000 3000 4000 Hình Đặc trưng đáp ứng khí H2 thiết bị cảm biến SnO2/Pd theo nồng độ khí khác công suất 180 mW 1500 250ppm H2 (a) (b) @ 180 mW S (Vin/Vout) 1200 900 600 250 ppm CO 250 ppm @ 180 mW 250 ppm C2H5OH 250 ppm 2000 4000 H2 CO 250 ppm Lời cảm ơn C2H5OH Nghiên cứu tài trợ Trường Đại học Bách khoa Hà Nội đề tài mã số T2018-PC-073 Hình Độ chọn lọc khí thiết bị cảm biến SnO2/Pd theo nồng khí khác công suất 180 mW (b) Tài liệu tham khảo [1] L Schlapbach, Technology: Hydrogen-fuelled vehicles., Nature, vol 460, no 7257, pp 809–811, Aug 2009, http://doi/org/10.1038/460809a So sánh với số cảm biến thương mại đo khí H2 có sẵn thị trường MQ-8 hãng Zhengzhou Winsen Electronics Technology CO., LTD cơng suất tiêu thụ cảm biến xấp xỉ 900 mW [16] Cũng mẫu MQ-8 hãng HANWEI ELETRONICS CO.,LTD cơng suất tiêu thụ cho cảm biến xấp xỉ 800 mW [17] Cảm biến đo khí H2 loại SGAS701 hãng Integrated Device Technology, Inc cơng suất tiêu thụ cảm biến khoảng 600 mW [18] Chúng nhận thấy thiết bị cảm biến chúng tơi chế tạo có công suất tiêu thụ cảm biến thấp hẳn so với số thiết bị đo có sẵn thị trường Đây điều có ý nghĩa nhằm giảm công suất tiêu thụ thiết bị từ nâng cao khả ứng dụng thiết bị đo cầm tay, thiết bị ứng dụng internet vạn vật kết nối [2] H Afgan and M G Carvalho, Sustainability assessment of a hybrid energy system, Energy Policy, vol 36, no 8, pp 2893–2900, 2008 [3] K Hacatoglu, I Dincer, and M a Rosen, Sustainability assessment of a hybrid energy system with hydrogen-based storage, Int J Hydrogen Energy, vol 40, no 3, pp 1559–1568, 2015, http://doi/org/10.1016/j.ijhydene.2014.11.079 [4] Hübert, L Boon-Brett, G Black, and U Banach, Hydrogen sensors – A review, Sensors Actuators B Chem., vol 157, no 2, pp 329–352, Oct 2011, http://doi/org/ 10.1016/j.snb.2011.04.070 [5] N Yamazoe, New approaches for improving semiconductor gas sensors, Sensors Actuators B Chem., vol 5, no 1–4, pp 7–19, Aug 1991, http://doi/org/ 10.1016/0925-4005(91)80213-4 Độ chọn lọc thông số quan trọng thiết bị cảm biến khí Do đó, khảo sát độ hồi đáp thiết bị cảm biến với khí khác 82 JST: Engineering and Technology for Sustainable Development Vol 1, Issue 2, April 2021, 079-083 [6] T Seiyama, K Fujiishi, M Nagatani, and A Kato, A New Detector for Gaseous Components Using Zinc Oxide Thin Films, J Soc Chem Ind Japan, vol 66, no 5, pp 652–655, 1963 Using Noble Metal (Pt, Pd) Decorated MOx (M = Sn, W) Combined with SiO2 Membrane, IEEE Sens J., vol 19, no 22, pp 10674–10679, 2019, http://doi/org/ 10.1109/jsen.2019.2929504 [7] S Korea, Low-power micro gas sensor, vol 33, pp 147–150, 1996, http://doi/org/10.1016/0925-4005(96)01822-9 [13] N V Toan, N V Chien, N V Duy, H S Hong, H Nguyen, N D Hoa, and N V Hieu, Fabrication of highly sensitive and selective H2 gas sensor based on SnO2 thin film sensitized with microsized Pd islands, J Hazard Mater., vol 301, pp 433–442, 2016, http://doi/org/ 10.1016/j.jhazmat.2015.09.013 [8] A Z Adamyan, Z N Adamyan, and V M Aroutiounian, Study of sensitivity and response kinetics changes for SnO2 thin-film hydrogen sensors, Int J Hydrogen Energy, vol 34, no 19, pp 8438– 8443, Oct 2009, http://doi/org/10.1016/j.ijhydene.2009.08.001 [14] E German, C Pistonesi, and V Verdinelli, A DFT study of H2 adsorption on Pdn/SnO2 (110) surfaces (n = 1−10), Eur Phys J B, vol 92, no 5, 2019, http://doi/org/ 10.1140/epjb/e2019-90659-y [9] H S Al-Salman and M J Abdullah, Hydrogen gas [15] N X Thai, N V Duy, N V Toan, C M Hung, N sensing based on ZnO nanostructure prepared by RFsputtering on quartz and PET substrates, Sensors Actuators B Chem., vol 181, pp 259–266, May 2013, http://doi/org/ 10.1016/j.snb.2013.01.065 V Hieu, and N D Hoa, Effective monitoring and classification of hydrogen and ammonia gases with a bilayer Pt/SnO2 thin film sensor, Int J Hydrogen Energy, vol 45, no 3, pp 2418–2428, 2020, http://doi/org/ 10.1016/j.ijhydene.2019.11.072 [10] R Godbole, V Godbole, and S Bhagwat, Palladium enriched tungsten oxide thin films: an efficient gas sensor for hazardous gases, Eur Phys J B, vol 92, no 4, Apr 2019, http://doi/org/ 10.1140/epjb/e2019-90622-0 [16] F G Sensor, Flammable Gas Sensor MQ-8, Zhengzhou Winsen Electronics Technology CO., LTD, p 7, 2014 [17] B Environment, Mq-8 Gas Sensor, Hanwei [11] M Shahabuddin, A Umar, M Tomar, and V Gupta, Eletronics Co.,Ltd, 2014 Custom designed metal anchored SnO2 sensor for H2 detection, Int J Hydrogen Energy, vol 42, no 7, pp 4597–4609,2017, http://doi/org/10.1016/j.ijhydene.2016.12.054 [18] Idt, Trace Hydrogen (H2) Datasheet, pp 1–16, 2017 [12] F Xie, W Li, Q Zhang, and S Zhang, Highly Sensitive and Selective CO/NO/H2/NO2 Gas Sensors 83 Sensor SGAS701 ... suất làm việc tối ưu thiết bị cảm biến công suất 180 mW, dựa điều kiện công suất khảo sát đặc trưng nhạy khí H2 với nồng độ khác (25 – 1000 ppm) thiết bị cảm biến Hình Ta nhận thấy thiết bị cảm. .. sở chế tạo xây dựng đường chuẩn thiết bị đo khí H2 cầm tay sở cảm biến SnO2/Pd chế tạo Kết cho thấy thiết bị cảm biến hoạt động ổn định, độ nhạy đạt xấp xỉ 8,67 lần nồng độ khí H2 1000 ppm Cảm. .. khơng khí, rị rỉ, cháy nổ khí H2 chip cảm biến nên tích hợp vào hệ thống đo cầm tay Trong nghiên cứu này, tập trung vào việc xây dựng đường chuẩn công suất, nhiệt độ làm việc cảm biến khảo sát