QUY CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA ĐỐI VỚI MÁY GIA TỐC TUYẾN TÍNH DÙNG TRONG XẠ TRỊ

Ver Date 05/6 CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM QCVN … : 201 /BKHCN QUY CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA ĐỐI VỚI MÁY GIA TỐC TUYẾN TÍNH DÙNG TRONG XẠ TRỊ National technical regulation on linear accelerator in radiotherapy HÀ NỘI – 201 Ver Date 05/6 QCVN … : 201…/BKHCN Lời nói đầu QCVN … : 201 /BKHCN Cục An toàn xạ hạt nhân biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng trình duyệt ban hành theo Thông tư số …/201 /TT-BKHCN ngày … tháng … năm 201 Bộ trưởng Bộ Khoa học Công nghệ Ver Date 05/6 QCVN … : 201…/BKHCN QUY CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA ĐỐI VỚI MÁY GIA TỐC TUYẾN TÍNH DÙNG TRONG XẠ TRỊ National technical regulation on linear accelerator in radiotherapy QUY ĐỊNH CHUNG 1.1 Phạm vi điều chỉnh Quy chuẩn quy định yêu cầu kỹ thuật, quản lý việc sử dụng, kiểm định quy trình để kiểm định máy gia tốc tuyến tính xạ trị 1.2 Đối tượng áp dụng Quy chuẩn áp dụng đối với: - Các tổ chức, cá nhân sử dụng máy gia tốc; - Các tổ chức hoạt động kiểm định máy gia tốc; - Các quan quản lý nhà nước tổ chức, cá nhân khác có liên quan 1.3 Thuật ngữ định nghĩa Trong Quy chuẩn này, từ ngữ hiểu sau: 1.3.1 Máy gia tốc tuyến tính xạ trị (sau Quy chuẩn kỹ thuật gọi tắt máy gia tốc) thiết bị xạ trị từ xa y tế sử dụng sóng điện từ cao tần để gia tốc hạt electron tới lượng cần thiết tạo chùm tia X (bức xạ hãm) sử dụng trực tiếp chùm electron cho mục đích điều trị 1.3.2 Các yêu cầu chấp nhận yêu cầu tối thiểu giới hạn phải đạt quan điểm an toàn xạ độ xác tham số kỹ thuật liên quan đến chế độ xác lập phẩm chất chùm tia máy gia tốc 1.3.3 Kiểm định máy gia tốc hoạt động kỹ thuật theo quy trình định nhằm đánh giá xác nhận phù hợp máy gia tốc theo yêu cầu quy định Quy chuẩn kỹ thuật 1.3.4 Kiểm tra kỹ thuật phép kiểm tra tính hoạt động hệ thống điều khiển, khí, hiển thị, dừng khẩn cấp, khóa liên động máy gia tốc 1.3.5 Kiểm tra đo lường phép kiểm tra sử dụng thiết bị đo để đánh giá đặc tính kỹ thuật máy gia tốc phù hợp với yêu cầu quy định Quy chuẩn kỹ thuật 1.3.6 MU (Monitor Unit) đơn vị sử dụng để đo liều phát máy gia tốc 1MU lượng điện tích ghi nhận từ buồng ion hóa gắn đầu máy gia tốc tương ứng với liều hấp thụ 1cGy phantom nước Ver Date 05/6 QCVN … : 201…/BKHCN chùm tia điều kiện tham chiếu 1.3.7 Bộ chuẩn trực chùm tia (Collimator) hệ thống khí thiết kế để chuẩn trường chiếu theo dạng: (1) hình chữ nhật hình vng hai cặp ngàm (jaws) X Y; (2) hình dạng hệ thống chuẩn trực đa (MLC); (3) hình nón chuẩn trực hình trụ 1.3.8 Vật liệu tương đương mơ chất liệu có đặc trưng hấp thụ tán xạ loại xạ định tương tự loại mô sinh học cụ thể 1.3.9 Phantom mơ hình làm nước vật liệu tương đương mô, dùng để đo liệu chùm tia mô đặc trưng tương tác xạ với thể người sinh vật 1.3.10 Bộ hội tụ chùm điện tử (Applicator hay Electron Applicator) thiết bị bổ trợ định dạng trường chiếu chùm electron với kích thước hình học cố định 1.3.11 Hệ số liều lối (OF) tỉ số liều hấp thụ trường s (hoặc applicator bất kỳ) với liều hấp thụ trường tham chiếu (hoặc applicator tham chiếu) độ sâu tham chiếu z ref (thường chọn độ sâu có liều hấp thụ cực đại zmax) trường chiếu tham chiếu trục trung tâm chùm tia Hệ số liều lối xác định biểu thức: OF ( s ) = D( z ref , s ) D( z ref , s ref ) OF(s): hệ số liều lối ra; D( z ref , s ) giá trị liều đo từ buồng ion hoá trường mở s (hoặc applicator bất kỳ); D( z ref , s ref ) giá trị liều đo từ buồng ion hoá trường tham chiếu 10cm x 10cm (hoặc applicator tham chiếu) 1.3.12 Điểm đồng tâm (isocenter) điểm giao trục quay cần máy, trục quay chuẩn trực trục quay bàn điều trị 1.3.13 Trục trung tâm chùm tia đường thẳng qua tâm nguồn phát xạ điểm đồng tâm 1.3.14 Phân bố tỉ số liều sâu cách tâm (off-axis ratios) phân bố tỉ số điểm liều đường thẳng vng góc với trục trung tâm chùm tia với giá trị liều điểm giao với trục trung tâm chùm tia Ver Date 05/6 QCVN … : 201…/BKHCN 1.3.15 Kích thước trường chiếu (FS) giới hạn hình học tạo độ rộng đường phân bố tỉ số liều sâu cách tâm theo phương X Y vị trí 50% giá trị liều hấp thụ trục trung tâm mặt phằng vng góc với trục trung tâm chùm tia 1.3.16 Độ phẳng trường chiếu (F) độ lệch giá trị tỉ số liều sâu cách tâm lớn nhỏ vùng có bề rộng 80% kích thước trường chiếu Độ phẳng trường chiếu tính theo cơng thức: F (%) = I max − I x100 I max + I Trong đó: Imax Imin tương ứng giá trị tỉ số liều sâu cách tâm lớn nhỏ vùng có bề rộng 80% kích thước trường chiếu Ghi chú: Định nghĩa không áp dụng cho chùm tia không lọc phẳng FFF: Flattening Filter-Free 1.3.17 Tính đối xứng trường chiếu (S) trung bình giá trị độ lệch hai điểm đối xứng qua trục trung tâm chùm tia Tính đối xứng trường chiếu tính theo cơng thức: S (%) = area left − area right arealeft + area right x100 arealeft: Vùng bên trái từ điểm liều 50% tới giá trị liều trục trung tâm arearight: Vùng bên phải từ điểm liều 50% tới giá trị liều trục trung tâm 1.3.18 Liều hấp thụ (D) định nghĩa thương số dE/dm, dE lượng trung bình mà xạ ion hóa truyền cho vật chất mơi trường có khối lượng dm Trong hệ SI, đơn vị đo liều hấp thụ Joule/kilôgam, viết tắt J/kg Trong thực tế, Đơn vị liều hấp thụ Gray, ký hiệu Gy (1Gy = 1J/kg) rad (viết tắt Roentgen Absorbed Dose) rad = 0,01 Gy 1.3.19 Liều sâu phần trăm (PDD) liều hấp thụ điểm nước độ sâu z biểu thị phần trăm so với với liều hấp thụ cực đại độ sâu zmax trục trung tâm chùm tia Liều sâu phần trăm (PDD) xác định biểu thức: Ver Date 05/6 PDD( s, Q, f , z ) = QCVN … : 201…/BKHCN D x100 Dmax Với D liều hấp thụ độ sâu z trục trung tâm chùm tia Dmax liều hấp thụ cực đại độ sâu z max trục trung tâm chùm tia; s kích thước trường chiếu bề mặt phantom; Q lượng chùm tia; f khoảng cách từ nguồn phát xạ đến bề mặt phantom 1.3.20 Nêm vật lý (nêm) thiết bị bổ trợ cấu tạo vật liệu hợp kim chì thép sử dụng để thay đổi đường phân bố liều lượng chùm tia photon Hệ số truyền qua nêm tỉ số liều độ sâu tham chiếu phantom nước trục trung tâm trường có nêm khơng có nêm chùm tia Hệ số truyền qua nêm tính sau: Fw: Hệ số truyền qua nêm; D w: Giá trị liều ghi nhận từ buồng ion hố trường chiếu có nêm; Dref: Giá trị liều ghi nhận từ buồng ion hố trường chiếu khơng có nêm 1.3.21 SSD khoảng cách từ nguồn phát tia đến bề mặt phantom da bệnh nhân trục trung tâm chùm tia 1.3.22 SAD khoảng cách từ nguồn phát tia tới điểm đồng tâm 1.3.23 Commissioning quy trình kỹ thuật tiến hành máy gia tốc trước đưa hệ thống vào hoạt động điều trị, bao gồm việc đo, thu thập liệu vật lý chùm tia; sau nạp liệu vào phần mềm lập kế hoạch điều trị; kiểm tra độ xác tồn hệ thống 1.3.24 R50 R80 độ sâu có liều hấp thụ 50% 80% giá trị liều hấp thụ cực đại trục trung tâm chùm electron 1.3.25 Tỉ số mô-phantom TPR20/10 tỉ số liều hấp thụ độ sâu 20cm 10cm phantom nước trục trung tâm chùm tia với khoảng cách từ nguồn phát xạ đến tâm buồng ion hóa (SCD) =100cm, trường chiếu 10cm x10cm mặt phẳng qua tâm buồng ion hóa YÊU CẦU KIỂM TRA 2.1 Máy gia tốc phải đáp ứng yêu cầu chấp nhận bảng sau (tương ứng với cấu hình máy gia tốc): Ver Date 05/6 QCVN … : 201…/BKHCN TT Thông số kiểm tra I Yêu cầu chấp nhận Kiểm tra bên - Máy gia tốc xạ trị kiểm định phải tình trạng hoạt động , có đầy đủ số liệu chủng loại máy, hãng sản xuất, năm sản xuất; - Máy gia tốc xạ trị bàn điều khiển phải sẽ, không bị han rỉ, không bị nứt vỡ; - Các ký hiệu, số liệu ghi khắc thiết bị phụ tùng phải đọc rõ ràng, đầy đủ II Kiểm tra kỹ thuật Kiểm tra bàn điều khiển - Các cơng tắc điều khiển phải có tác dụng điều khiển chuyển động quay nhẹ nhàng; - Các đèn thị phải thể trạng thái máy gia tốc Ver Date 05/6 QCVN … : 201…/BKHCN Kiểm tra hoạt động máy - Cần máy gia tốc phải quay quanh trục cách nhẹ nhàng dừng vị trí (một góc ấn định đó) cách xác, ổn định - Bộ chuẩn trực chùm tia máy gia tốc phải quay quanh trục cách dễ dàng dừng vị trí cách xác, ổn định - Các ngàm (jaw) – MLC (nếu có) di chuyển dễ dàng, trơn tru theo điều khiển để tạo trường chiếu theo yêu cầu - Chỉ thị kích thước trường xạ ánh sáng phải nhìn rõ nét - Các hệ thống xác định khoảng cách học, thị quang học laser phải quan sát rõ ràng - Hệ thống dừng khẩn cấp, khóa liên động hoạt động ổn định III Kiểm tra đo lường A Kiểm tra độ xác khí hình học máy Thước thị quang học Độ xác hiển thị góc quay chuẩn trực chùm tia, cần máy bàn điều trị ±2 mm ±10 Ver Date 05/6 QCVN … : 201…/BKHCN Độ trùng khít trường sáng trường xạ ± 3mm trường nhỏ 20cm x 20cm; ± mm trường lớn 20cm x 20cm ± 2mm độ lệnh tâm trường xạ khỏi tâm chữ thập Độ xác chùm laser ±2 mm Chuyển động bàn điều trị ±2 mm B Kiểm tra liều xạ chùm photon Đặc trưng lượng chùm photon 2% với TPR20/10 PDD20/10 (thiết lập commissioning) Chuẩn liều lối chùm photon 1cGy/MU ± 2% Hệ số liều lối theo kích thước trường chiếu 2% (thiết lập commissioning) Độ phẳng (F) Tính đối xứng (S) trường chiếu F ≤ 3% 10 Các hệ số nêm (các nêm vật lý) 2% (thiết lập commissioning) C Kiểm tra liều xạ chùm electron 11 Đặc trưng lượng chùm electron 12 Chuẩn liều lối chùm electron 1cGy/MU ± 2% 13 Hệ số liều lối cho applicator 2% (thiết lập commissioning) 14 Độ phẳng (F) Tính đối xứng (S) trường chiếu F ≤ 6% lượng < 10MeV ; 4% lượng ≥10MeV S ≤ 3% ± mm so với giá trị R50 R80 thiết lập commissioning S ≤ 3% D Kiểm tra chuẩn trực đa (MLC) Ver Date 05/6 15 QCVN … : 201…/BKHCN Kiểm tra độ xác xác lập vị trí MLC điểm đồng tâm (isocenter) ± 1mm so với giá trị tọa độ MLC xác lập theo phần mềm ± 0,5mm MLC sử dụng cho kỹ thuật xạ trị điều biến liều IMRT 16 Kiểm tra độ trùng tâm trường tạo MLC quay thân máy (MLC Gantry Spoke Shot) Tất điểm giao phải nằm phạm vi đường trịn bán kính 1mm 17 Đo trùng khít trường xạ trường sáng tạo MLC ± 1mm 18 Kiểm tra độ trùng tâm trường tạo MLC quay Collimator (MLC Collimator Spoke Shot) Tất điểm giao phải nằm phạm vi đường trịn bán kính 1mm 19 Đo độ rò xạ qua khe thân MLC (interleaf/intraleaf leakage), đo độ rò xạ qua mỏm tròn MLC Độ rò xạ