THÔNG TIN TÀI LIỆU
HỌC VIỆN CƠNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THƠNG - PHẠM THỊ THANH LOAN ENODEB TRONG LTE Chuyên ngành: Kỹ thuật Viễn thơng Mã số: 60.52.02.08 TĨM TẮT LUẬN VĂN THẠC SĨ HÀ NỘI - 2013 Luận văn hoàn thành tại: HỌC VIỆN CƠNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THƠNG Người hướng dẫn khoa học: TS Nguyễn Phạm Anh Dũng Phản biện 1: …………………………………………………………………… …………………………………………………………………… Phản biện 2: …………………………………………………………………… …………………………………………………………………… Luận văn bảo vệ trước Hội đồng chấm luận văn thạc sĩ Học viện Cơng nghệ Bưu Viễn thông Vào lúc: ngày tháng năm Có thể tìm hiểu luận văn tại: - Thư viện Học viện Công nghệ Bưu Viễn thơng MỞ ĐẦU Cơng nghệ LTE nghiên cứu phát triển rộng rãi giới, LTE cung cấp cho người dùng tốc độ truy cập liệu nhanh, cho phép phát triển thêm nhiều dịch vụ truy cập sóng vơ tuyến dựa tảng hồn tồn IP, đáp ứng nhu cầu truy cập liệu, âm thanh, hình ảnh với tốc độ cao, băng thông rộng người dùng Kiến trúc eNodeB phần quan trọng hệ thống thông tin di động LTE, nhiệm vụ eNodeB nút vật lý phát thu tín hiệu vơ tuyến hay nhiều anten để phủ sóng cho Để chuẩn bị tiến tới công 4G/LTE thời gian tới, với hạ tầng mạng nhà mạng Việt Nam không ngừng phát triển, thay đổi cơng nghệ lẫn mơ hình cấu trúc việc tìm hiểu kiến trúc thiết bị để đưa đánh giá lựa chọn thiết bị phù hợp với hệ thống hạ tầng viễn thông Việt Nam mối quan tâm hàng đầu nhà mạng Luận văn có chương, chương quan trọng nhất, tập trung nghiên cứu cấu trúc tổng quan yêu cầu chung kiến trúc máy thu, máy phát eNodeB, xét u cầu chất lượng tín hiệu phát, cơng suất đầu máy phát, phát xạ không mong muốn, tỷ lệ dò kênh lân cận đồng thời xét mức độ nhập tham chuẩn, dải động, độ nhậy nhiễu máy thu, phát xạ máy thu, xét hiệu giải điều chế eNodeB; tổng quan kiến trúc sở, cấu trúc phần cứng, phần mềm eNodeB, đưa tiêu chí chung thiết kế eNodeB làm sở lựa chọn nhà cung cấp thiết bị, nghiên cứu cụ thể thiết bị eNodeB Huawei; bên cạnh đó, phân thích tình hình triển khai eNodeB giới Việt Nam Luận văn gồm chương: Chương 1: TỔNG QUAN VỀ VÔ TUYẾN LTE Chương 2: KIẾN TRÚC THU PHÁT SÓNG TRONG CÁC HỆ THỐNG THÔNG TIN DI ĐỘNG MỚI Chương 3: KIẾN TRÚC ENODEB TRONG LTE Chương 4: NGHIÊN CỨU TRIỂN KHAI ENODEB TRONG LTE TRÊN THẾ GIỚI VÀ TẠI VIỆT NAM Chương 1- TỔNG QUAN VỀ VÔ TUYẾN TRONG LTE 1.1 Giới thiệu công nghệ LTE LTE công nghệ có khả cung cấp cho người dùng tốc độ truy cập liệu nhanh, cho phép nhà khai thác phát triển thêm nhiều dịch vụ truy cập sóng vơ tuyến dựa tảng hoàn toàn IP với: tốc độ truyền liệu cao, độ trễ thấp cơng nghệ truy cập sóng vơ tuyến gói liệu tối ưu về: - Hiệu sử dụng phổ - Trễ (latency) - Băng thông - Tính tương tác - Giá thành - Tính di động - Chất lượng dịch vụ (QoS) - Tốc độ liệu 1.2 Các giao thức giao diện vô tuyến LTE Giao diện vô tuyến UE eNodeB ký hiệu LTE Uu Các chức eNodeB xử lý nhanh thay đổi đường truyền vơ tuyến nhanh Ngồi mạng lõi mạng lõi gói phát triển xây dựng IP LTE Uu Hình 1.1 Kiến trúc mạng 4G LTE 1.3 Các kênh giao diện vô tuyến LTE Mạng truy nhâp vô tuyến LTE đựơc đơn giản hóa giảm xuống cịn eNodeB giao diện vô tuyến giao diện giữ UE eNodeB Giao diện vô tuyến gồm lớp 1: lớp kênh vật lý, lớp 2: lớp kênh truyền tải để điều khiển truy nhập môi trường lớp 3: lớp kênh logic để điều khiển tài nguyên vô tuyến (RRC) Cấu trúc kênh LTE đơn giản hóa so với 3G Trừ kênh điều khiển RACH BCH xếp kênh vật lý riêng (PRACH/PBCH), tất kênh lại đựơc xếp lên kênh vật lý chia sẻ: PDSCH/PUSCH 1.4 Quản lý di động LTE 1.4.1 Vùng đeo bám, TA Vị trí UE MME nhận biết với độ xác đến vùng theo bám (TA: Tracking Area) Khi UE trạng thái rỗi, lần chuyển dịch từ TA sang TA khác phải thực thủ tục TA để thông báo cho MME TA 1.4.2 Chuyển giao nội LTE Các chuyển giao E-UTRAN xây dừng nguyên tắc sau: Các chuyển giao mạng điều khiển Chuyển giao theo kết đo UE Các chuyển giao UE với chủ đích khơng tổn thất cách chuyển lưu lượng eNodeB nguồn eNodeB gói Kết nối S1 mạng lõi cập nhật chuyển giao vơ tuyến hồn thành 1.4.2.1 Báo hiệu cho chuyển giao Các thủ tục báo hiệu chia thành ba giai đoạn: chuẩn bị chuyển giao, thực chuyển giao hoàn thành chuyển giao 1.4.2.2 Đo chuyển giao Khi thỏa mãn điều kiện ngưỡng để báo cáo, UE gửi kết đo chuyển giao đến eNodeB 1.4.2.3 Chuyển giao hệ thống Tất thơng tin từ hệ thống đích truyền suốt qua hệ thống nguồn đến UE Số liệu người sử dụng truyền từ nguồn đến hệ thống đích để tránh số liệu 6 1.5 Cấu trúc tài nguyên truyền dẫn LTE 1.5.1 Quy hoạch tần số cho 4G/LTE Bảng 1.4 liệt kê băng tần thời quy định cho LTE Bảng 1.1 Các băng tần LTE Băng LTE 10 11 12 13 14 17 18 19 … 33 34 35 36 37 38 39 40 Đường lên Đường xuống 1920MHz-1980 MHz 1850 MHz – 1910 MHz 1710 MHz – 1785 MHz 1710 MHz – 1755 MHz 824 MHz – 849 MHz 830 MHz – 840 MHz 2500 MHz – 2570 MHz 880 MHz – 915 MHz 1749,9 MHz – 1784,9 Hz 1710 MHz – 1770 MHz 1427,9 MHz –1452,9 MHz 698 MHz – 716 MHz 777 MHz – 787 MHz 788 MHz – 798 MHz 704 MHz – 716 MHz 815 MHz – 830 MHz 830 MHz – 845 MHz 2110 MHz – 2170 MHz 1930 MHz – 1990 MHz 1805 MHz – 1880 MHz 2110 MHz – 2155 MHz 869 MHz – 894 MHz 875 MHz – 885 MHz 2620 MHz – 2690 MHz 925 MHz – 960 MHz 1844,9 MHz – 1879,9 MHz 2110 MHz – 2170 MHz 1475,9 MHz – 1500,9 MHz 728 MHz – 746 MHz 746 MHz – 756 MHz 758 MHz – 768 MHz 734 MHz – 746 MHz 860 MHz – 875 MHz 875 MHz – 890 MHz Chế độ song công FDD FDD FDD FDD FDD FDD FDD FDD FDD FDD FDD FDD FDD FDD FDD FDD FDD 900 MHz – 1920 MHz 2010 MHz – 2025 MHz 1850 MHz – 1910 MHz 1930 MHz – 1990 MHz 1910 MHz – 1930 MHz 2570 MHz – 2620 MHz 1880 MHz – 1920 MHz 2300 MHz – 2400 MHz 1900 MHz – 1920 MHz 2010 MHz – 2025 MHz 1850 MHz – 1910 MHz 1930 MHz – 1990 MHz 1910 MHz – 1930 MHz 2570 MHz – 2620 MHz 1880 MHz – 1920 MHz 2300 MHz – 2400 MHz TDD TDD TDD TDD TDD TDD TDD TDD 1.5.2 Tổ chức kênh tần số LTE 1.5.2.1 Băng thơng kênh cấu hình băng thơng truyền dẫn Độ rộng sóng mang LTE định nghĩa khái niệm băng thông kênh (Bchannel) cấu hình băng thơng truyền dẫn (Bconfig) Bảng 1.2 Cấu hình băng thơng truyền dẫn Bconfig LTE Băng thông kênh Bchannel, (MHz) 1,4 10 15 20 Cấu hình băng thơng truyền dẫn, NRB 15 25 50 75 100 Cấu hình băng thơng truyền dẫn Bconfig, (MHz) 1,08 2,7 4,5 13,5 18 1.5.2.2 Sắp xếp kênh tần số Các kênh LTE xếp theo mành phổ 100 KHz, nghĩa tần số trung tâm phải số nguyên lần 100 kHz So sánh với UMTS xếp kênh theo mành 200 KHz Khoảng cách sóng mang phụ thuộc vào kịch triển khai, kích thước khối tần số khả dụng băng thông kênh Khoảng cách kênh chuẩn hai sóng mang LTE xác định sau: Khoảng cách kênh chuẩn = (Bchannel1 - Bchannel2)/2 (1.1) 1.6 Kết luận chương Mạng LTE LTE đời thể ưu điểm vượt trội so với mạng hệ trước Để đạt mục tiêu, LTE phải sử dụng kỹ thuật mới: OFDMA (Orthogonal Frequency Division Multiple Access - Truy cập đa phân chia theo tần số trực giao) cho hướng DL SC-FDMA (Single Carrier Frequency Division Multiple Access - Truy cập đa phân chia theo tần số sóng mang đơn) cho hướng UL, thêm vào đó, việc sử dụng thiêt bị phần truy nhập E-UTRAN LTE, đơn giản mạng gồm eNodeB yêu cầu tất yếu Chương trình bày đặc điểm công nghệ LTE, tổng quan kiến trúc mạng LTE LTE nghiên cứu giao thức giao diện vô tuyến LTE… để làm sở cho chương sau nghiên cứu thiết bị LTE, cụ thể thiết bị eNodeB LTE 8 Chương 2- KIẾN TRÚC THU PHÁT SÓNG TRONG CÁC HỆ THỐNG THÔNG TIN DI DỘNG MỚI 2.2 Kiến trúc máy thu 2.2.1 Mức độ nhạy tham chuẩn Mức độ nhậy tham chuẩn cơng suất thu trung bình tối thiểu connectơ anten mà u cầu thơng lượng thực Mục đích yêu cầu để kiểm tra hệ số tạp âm máy thu Đối với băng thông kênh ≤ 5MHz, kênh đo tham chuẩn định nghĩa sở tất khối tài nguyên ấn định cho băng thông kênh Đối với băng thông > 5MHz, độ nhạy đo cách sử dụng khối liên tục gồm 25RB Độ nhạy tính sau: Pmin dBm 174dBm.Hz 1 10 lgN RB 180kHz NFmax rep,3 M IM (2.1) 2.2.2 Dải động Yêu cầu dải động số đo khả máy thu thu tín hiệu có mặt tín hiệu nhiễu kênh tần số thu mà u cầu thơng lượng đảm bảo Mục đích yêu cầu đảm bảo trạm gốc thu thơng lượng cao có mặt nhiễu tăng mức tín hiệu mong muốn cao Cơng suất tín hiệu nhiễu xác định sau: I dBm 174dBm / Hz 10 lgN RB 180kHz NF 20dB (2.2) Biết nhiễu ta tính cơng suất tín hiệu mong muốn sau: pmm req,3 mIM pmm dBm I req,3 M im I (2.3) 2.2.3 Độ nhạy cảm máy thu với tín hiệu gây nhiễu a) Tổng quan Các kịch liên quan đến yêu cầu độ nhạy cảm tín hiệu khác thể hình 2.1 Trong tất trường hợp tín hiệu gây nhiễu tín hiệu LTE, nhiễu có băng thơng với tín hiệu mong muốn lớn 5MHz Các RB “gây nhiễu” Các RB “mong muốn” Kịch ICS Chặn (ngoài băng) Chặn băng hẹp 1RB ACS Chặn (trong băng) CW 20MHz Tín hiệu LTE Hình 2.1 Các yêu cầu độ nhạy cảm máy thu tín hiệu liên quan đến: chặn, chọn lọc kênh lân cận (ACS), chọn lọc băng (ICS) b) Chọn lọc băng (ICS) Yêu cầu chọn lọc băng (ICS: In channel Selectivity) số đo khả máy thu thu tín hiệu mong muốn khối tài nguyên ấn định cho có mặt tín hiệu nhiễu thu mật độ phổ công suất lớn mà đảm bảo yêu cầu thông lượng cực đại kênh đo tham chuẩn đặc tả Mục đích yêu cầu để đảm bảo độ chọn lọc khối tài ngun lân cận băng Cơng suất tín hiệu nhiễu xác định sau: I[dBm]=-174dBm/Hz +101g(NRB.180kHz)+NF+ req,3 +16dB (2.4) Biết nhiễu ta tính cơng suất tín hiệu mong muốn sau: Pmm[dBm] = -174dBm +101g(NRB.180kHz)+NF+ req,3 + Dsen+MIM (2.5) c) Chọn lọc kênh lân cận (ACS) nhiễu chặn băng hẹp Yêu cầu chọn lọc kênh lân cận (ACS) chặn băng hẹp số đo khả máy thu thu tín hiệu mong muốn tần số ấn định cho có mặt tín hiệu gây nhiễu kênh lân cận mà đảm bảo u cầu thơng lượng Mục đích yêu cầu để kiểm chứng độ chọn lọc kênh lân cận Độ chọn lọc chặn băng hẹp có tầm quan trọng để tránh nhiễu nhà khai thác ACS hiệu số công suất tín hiệu gây nhiễu trung bình (Pmin) cơng suất nhiễu cực đại cho phép (Imax) tính tốn sau: 10 Pmm SNRreq.3 I max [dVBm ] Pnm SNRreq.3 I max (2.6) d) Nhiễu chặn Yêu cầu chặn số đo khả thu tín hiệu mong muốn tần số kênh ấn định có mặt nhiễu khơng mong muốn mà đảm bảo u cầu thơng lượng Mục đích yêu cầu để kiểm tra độ chọn lọc tần số khác ngoại trừ kênh lân cận e) Phát xạ giả máy thu Công suất phát xạ giả công suất tạo hay khuếch đại máy thu xuất connecto anten thu trạm gốc Yêu cầu tối thiểu phát xạ giả máy thu cho bảng 2.1 Bảng 2.1 Yêu cầu tối thiểu phát xạ giả máy thu Dải tần 30MHz - GHz 1GHz - 12.75 GHz Mức cực đại -57 dBm -47 dBm Băng thông đo 100 kHz MHz f) Điều chế giao thoa máy thu Loại bỏ đáp ứng điều chế giao thoa số đo khả máy thu thu tín hiệu mong muốn tần số kênh ấn định cho có mặt hai tín hiệu gây nhiễu có quan hệ tần số đặc biệt với tín hiệu mong muốn mà đảm bảo yêu cầu thông lượng Yêu cầu hiệu điều chế giao thoa quy định, cơng suất trung bình tín hiệu mong muốn Pmin + 6dB, công suất trung bình tín hiệu gây nhiễu -52dBm, dịch tần tần số tín hiệu nhiễu CW với biên kênh tín hiệu mong muốn 1,5 băng thơng kênh tín hiệu gây nhiễu LTE kiểu tín hiệu 2.3 Kiến trúc máy phát khuếch đại công suất 2.3.1 Công suất phát đầu Công suất đầu ảnh hưởng trực tiếp lên nhiễu ô sử dụng kênh biên độ phát xạ bên băng cơng tác Vì ảnh hưởng đến khả hệ 11 thống LTE đạt hiệu xuất phổ tần cực đại lý cần đặt xác cơng suất phát máy phát Đối với eNodeB, công suất phát cực đại phải trì dung sai khoảng 2dB so với cơng suất nhà sản xuất thông báo Đối với UE công suất phát cực đại 23dBm phải đảm bảo dung sai ± 2dB 2.3.2 Phát xạ không mong muốn băng tần công tác LTE định nghĩa yêu cầu cho hai kiểu phát xạ không mong muốn, yêu cầu phát xạ giả chặt chẽ Các phát xạ băng (OOB) nằm gần phát xạ mong muốn => tăng mức công suất phát mong muốn thường => tăng mức phát xạ không mong muốn Trái lại giảm công suất phát thường giải pháp hiệu để giảm phát xạ OOB biện phát để đáp ứng yêu cầu hiệu Trong LTE, phát xạ OOB định nghĩa yêu cầu mặt nạ phổ phát xạ (SEM) ACLR 2.3.3 Tỷ lệ rò kênh lân cận (ACLR) a) Quy định ACLR ACS ACLR quy định tỷ số cơng suất phát tín hiệu mong muốn băng thông kênh ấn định với công suất phát xạ tín hiệu khơng mong muốn kênh lân cận ACD định nghĩa khả máy thu lọc bỏ tín hiệu kênh lân cận Quan hệ thông số kênh lân cận xác định theo phương trình sau: ACIR 1 ACLR ACS (2.7) b) Đồng tồn với hệ thống khác sóng mang lân cận băng tần công tác c) Đồng tồn với hệ thống khác làm việc băng công tác lân cận 2.3.4 Chất lượng tín hiệu phát a) Định nghĩa EVM 12 EVM số đo méo khơng hồn thiện phần vô tuyến gây thực thực tế Các giá trị EVM phải thoả mãn quy định cho bảng 2.2 Bảng 2.2 Các yếu tố EVM Đường lên Đường xuống Điều chế QPSK 16QAM QPSK 16QAM 64QAM Yêu cầu EVM (%) 17,5 12,5 17,5 12,5 8,0 b) Rút yêu cầu EVM EVM yêu cầu nằm dải 10-6,3% Đối với chọn 64QAM MCSm ta yêu cầu 7,9% EVM Đối với 16QAM: dải C/I từ đến 12dB, điểm C/I~9dB với yêu cầu EVM 12,9% Đối với QPSK: dải C/I từ -8 đến 6db, điểm C/I ~ -1dB với yêu cầu EVM băng 29,6% 16,3% (cho 6dB C/I) Các giá trị EVM yêu cầu 64QAM, 16QAM QPSK 8%, 12,5% 17,5% 2.4 Kết luận chương Chương xét yêu cầu chung eNodeB trước hết xét yêu cầu máy phát eNodeB Liên quan đến yêu cầu này, chương xét yêu cầu chất lượng tín hiệu phát (EVM), cơng suất đầu máy phát, phát xạ không mong muốn, tỷ lệ rò kênh lân cận, đồng tồn với hệ thống khác sóng mang lân cận băng tần công tác băng tần lân cận Chương xét yêu cầu máy thu eNodeB Liên quan đến vấn đề chương xét: mức độ nhạy tham chuẩn, dải động, độ nhạy nhiễu máy thu, độ chọn lọc băng, chọn lọc kênh lân cận nhiều chặn băng hẹp, nhiều chặn, phát xạ giá máy thu, điều chế giao thoa chương xét hiệu giải điều chế eNodeB 13 Chương 3: KIẾN TRÚC ENODEB TRONG LTE 3.2 Giới thiệu chung eNodeB cho LTE 3.2.1 Kiến trúc sở eNodeB: 3.2.1.1 Kiến trúc sở Kiến trúc eNode thiết kế sở phần cứng phần mềm Phần cứng bao gồm phần chính: đơn vị vơ tuyến (RFU: Radio Frequency Units), đơn vị băng gốc (BBU: Baseband Unit), phần điều khiển truyền dẫn hình 3.1 Phần mềm RF3 RFU BBU RP2 Chuyển mạch Giao diện Các đơn vị RF Module băng gốc Module truyền dẫn Module điều khiển Điều khiển đồng RF1 Module nguồn Hình 3.1 Kiến trúc chung BTS 3.2.1.2 Kiến trúc phần mềm: Kiến trúc phần mềm eNodeB thể hình 3.2 Inter – Cell RRM Mobility control RB Control Radio admission control Provisionning O&M Agent SON Fault management Configuration management Dynamic resource allocation Measurement configuration Load balacing RRC S1-AP DCP X2-AP GTP-U RLC STCP MAC MAC Physical adaptation layer OS Adaptation layer OS TCP/UDP LTE PHY Network Hadware Hình 3.2 Kiến trúc phần mềm ENODE B IP (IPSec) 14 3.2.1.3 Kiến trúc phần cứng */ Kiến trúc tổng quan phần cứng eNodeB Cấu trúc tổng quát phần cứng eNodeB cho hình 3.3 Bộ lọc song cơng Phần vơ tuyến phát Các dao động nội Phần vô tuyến thu DAC Bộ dao động chuẩn ADC RRC RRC Điều khiển công suất phát AFC AGC Xử lý băng gốc ADC: Anolog to Digital Converter: Bộ biến đổi tương tự thành số DAC: Digital to Anolog Converter: Bộ biến đổi số thành tương tự RRC: Rôt Rased Consine: Bộ lọc cosin tăng hai AFC: Automatic Frequency Control: Bộ tự động điều khiển tần số AGC: Automatic Gain Control: tự điều khuếch Hình 3.3 Kiến trúc tổng quát phần cứng eNodeB */ Cấu trúc máy phát đổi tần Cấu trúc máy phát đổi tần eNodeB trình bầy hình 3.4 Phần xử lý băng gốc (BB: Base Band) Phần xử lý vô tuyến Miền số Miền tương tự IF (Intermediate Frequency: trung tâm CRC Các trộn Mã hóa xoản turbo Bộ đan xen khối RF (Radio Frequency: Tần số vô tuyến I Bộ lọc RRC DAC OFDA 900 a PA Q Bộ lọc RRC PA: Rower Amplifier: Bộ khuếch đại công suất RF LO: Radio frequency locar oscillator: giao động nội vô tuyến IF LO: Intermediate frequency locar oscillator: Bộ giao động nội trung tâm DAC RFLO IP LO Hình 3.4 Cấu trúc máy phát đổi tần eNodeB 15 */ Cấu trúc máy thu Phần xử lý băng gốc (BB: Base Band) Phần xử lý vô tuyến Miền tương tự RF (Radio Frequency: Tần số vô tuyến) Miền số IF (Intermediate Frequency: trung tâm) Các trôn ADC IF (Intermediate Frequency: trung tâm) a Bộ lọc RRC Giải điều chế OFDA 900 LNA ADC Bộ lọc RRC Giải đan xen khối Giải mã xoản turbo RFLO LNA: Low Noise Amplifier: IP LO Bộ khuếch đại tạp âm RF LO: Radio frequency locar oscillator: giao động nội vô tuyến IF LO: Intermediate frequency locar oscillator: Bộ giao động nội trung tâm Giải CRC Hình 3.5 Cấu trúc tổng quát phần cứng máy thu đổi tần (heterodyne) */ Cấu trúc máy thu AFE2 Xử lý tín hiệu băng gốc số DUC DPD DAC PA VCO/DDS DDC ADC ADC: Analog – Digital Converter: Bộ biến đổi tương tự thành số APE: Analog Front End: Đầu phát thu tương tự DAC: Digital – Analog Converter: Bộ biến đổi số thành tương tự DDC: Digital Downconverter: Bộ biến đổi hạ tần DUC: Digital Upconverter: Bộ biến đổi tần LNA Bộ lọc song công AFE1 IF số DPD: Digital Predistortion: Làm méo trước số DDS: Direct Digital Syntheser: IF: Intermediate Frequency: Bộ khuếch đại tạp âm thấp VCO: Voltage Controlled Oscillator: Bộ giao động điều khiển điện áp Hình 3.6 Thực phát/thu biến đổi qua trung tần số 3.2.2 Kiến trúc tổng quát eNodeB sở SDR 3.2.3.1 Kiến trúc phần cứng máy thu phát số Hệ thống vô tuyến SDR xây dựng sở kiến trúc phần cứng tảng máy thu phát số Kiến trúc tổng quát máy thu phát số bao gồm: đầu vô tuyến (RPE: Radio Frequency Front - End), phần trung tần (IF: Intermediate Frequency) phần băng gốc 16 Chức RFE phát thu tín hiệu vơ tuyến (RF: Radio Frequency) thông qua anten Hệ thống SDR lý tưởng hệ thống lập trình đến phần vơ tuyến 3.2.3.2 Kiến trúc phần mềm hệ thống vô tuyến SDR 3.2.3.3 Kiến trúc tảng băng gốc đa chuẩn 3.3 Đánh giá tiêu chí thiết kế lựa chọn nhà sản xuất eNodeB Xây dựng tiêu chí thiết kế eNodeB nhằm đánh giá đưa lựa chọn kiến trúc eNodeB phù hợp Các tiêu chí thiết kế eNodeB như: Nền tảng BTS tiên tiến, kết hợp mạng UMTS GSM, chia sẻ RAN phát triển liên tục Dung lượng lớn, vùng phủ rộng thông lượng cao Tiêu thụ lượng thấp hiệu suất cao Chức SON tăng cường Truyền tải IP toàn diện Dễ dàng lắp đặt CAPEX thấp Các công nghệ đa anten tiên tiến 3.4 Sản phẩm eNodeB cho LTE Huawai 3.4.1 Kiến trúc LTE DBS đặc tính kỹ thuật 3.4.1.1 Kiến trúc LTE DBS 3.4.1.2 Đặc tả kỹ thuật Bảng 3.2 cho thấy đặc tả kỹ thuật điển hình DBS (dựa đặc tả cầu DBS3900) Bảng 3.1 Đặc tả kỹ thuật DBS Băng tần 700MHZ; 850MHZ; 1,7/2, 1GHz; 2,6 GHz Băng thông kênh 1,4MHz; 3MHz; 5MHz; 15MHz; 20MHz Công nghệ đa anten MIMO (2x2, 4x2), phân tập Tx/Rx 17 Công suất đầu cực đại RRU: 2x40W với tuỳ chọn khả định cỡ giảm đến 2x10W, 2x20W hay 2x30W Kích thước (HxWxD) BBU: 86mmx442mm310mm (3,4''x17,5''x12,2'') RRU: 485mm x 285mmmx170mm (19,1''x11,4''x6,7'' Trọng lượng BBU: 12kg RRU: < 19kg Tiêu thụ nguồn điển hình
Ngày đăng: 19/03/2021, 16:57
Xem thêm: