Nghiên cứu thực nghiệm quá trình phát xung laser ngắn bằng khóa mode thụ động của laser nd YVO4

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - LÊ THỊ KIM CƯƠNG NGHIÊN CỨU THỰC NGHIỆM QUÁ TRÌNH PHÁT XUNG LASER NGẮN BẰNG KHÓA-MODE THỤ ĐỘNG CỦA LASER Nd:YVO4 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC HÀ NỘI – 2011 ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN - LÊ THỊ KIM CƯƠNG NGHIÊN CỨU THỰC NGHIỆM QUÁ TRÌNH PHÁT XUNG LASER NGẮN BẰNG KHÓA-MODE THỤ ĐỘNG CỦA LASER Nd:YVO4 Chuyên ngành: Quang học Mã số: 60 44 11 LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC GS.TS NGUYỄN ĐẠI HƯNG HÀ NỘI – 2011 MỤC LỤC Danh mục chữ viết tắt tiếng Anh Danh mục đồ thị, hình vẽ bảng biểu MỞ ĐẦU Chương 1: Tổng quan laser rắn Nd:YVO4 bơm laser bán dẫn 1.1 Tổng quan laser rắn 1.1.1 Những thuộc tính vật liệu làm laser rắn 1.1.2 Môi trường laser Nd:YVO4 1.2 Tổng quan nguồn bơm quang học sử dụng laser bán dẫn 10 1.2.1 Cấu tạo laser bán dẫn 12 1.2.2 Lớp chuyển tiếp p – n 13 1.2.3 Sự hấp thụ, xạ tự phát xạ cưỡng 14 1.2.4 Điều kiện nghịch đảo độ tích lũy 15 1.2.5 Điều kiện ngưỡng 16 Kết luận chương Chương 2: Kỹ thuật phát xung ngắn khóa mode thụ động sử dụng gương bán dẫn hấp thụ bão hòa 2.1 Điều kiện nguyên lý khóa pha mode dọc BCH 20 2.1.1 Mode dao động 20 2.1.2 Điều kiện khóa mode buồng cộng hưởng 21 2.1.3 Nguyên tắc chung phương pháp khóa mode buồng cộng hưởng 21 2.2 Phương pháp khóa mode thụ động sử dụng gương bán dẫn hấp thụ bão hòa (SESAM) 23 2.2.1 Cấu trúc điển hình SESAM 23 2.2.2 Các chế độ hoạt động laser với SESAM 25 2.3 Các thông số SESAM dùng hệ laser Nd:YVO4 27 Kết luận chương Chương 3: Thực nghiệm q trình phát xung laser ngắn khóa mode thụ động laser Nd:YVO4 3.1 Khảo sát đặc trưng laser bơm 29 3.1.1 Đặc trưng công suất 29 3.1.2 Tính chất phân cực 30 3.2 Cấu tạo hệ laser Nd:YVO4 khóa mode bị động sử dụng gương bán dẫn hấp thụ bão hòa 31 3.2.1 Yêu cầu kỹ thuật hệ laser Nd:YVO4 31 3.2.2.Cấu tạo hệ laser Nd:YVO4 bơm laser bán dẫn, phát xung chế độ khóa mode thụ động sử dụng SESAM 31 3.3 Sơ đồ hệ đo dùng khảo sát đặc trưng laser Nd:YVO4 phát xung chế độ khóa mode thụ động 34 3.4 Các kết khảo sát đặc trưng laser Nd:YVO4 khóa mode thụ động 36 3.4.1 Các chế độ phát xung laser Nd:YVO4 36 3.4.2 Độ rộng phổ laser Nd:YVO4 38 3.4.3 Tính chất phân kì phân cực chùm tia laser Nd:YVO4 44 Kết luận chương KẾT LUẬN 47 TÀI LIỆU THAM KHẢO PHỤ LỤC Danh mục chữ viết tắt tiếng Anh Ký hiệu Nguyên tiếng Anh tiếng Việt BCH Buồng cộng hưởng SESAM Semiconductor Saturable Absorber Mirror (Gương bán dẫn hấp thụ bão hòa) TEM Transverse Electromagnetic Modes (Mode điện từ trường ngang) YAG Yttrium Aluminium Garnet YVO4 Yttrium Orthovanadate Danh mục đồ thị hình vẽ Hình 1.1: Các mức lượng Nd3+ tham gia vào trình laser Hình 1.2: Phổ hấp thụ Nd:YVO4 với nồng độ tạp chất khác Hình 1.3: Phổ phát xạ huỳnh quang Nd:YVO4 nồng độ 1,1% 10 Hình 1.4: Phổ xạ laser bán dẫn 13 Hình 1.5: Điện tử vùng dẫn lỗ trống vùng hóa trị nhiệt độ 0K 12 Hình 1.6: Đồ thị hàm phân bố Fermi-Dirac 14 Hình 1.7: Sự hấp thụ, xạ tự phát xạ cưỡng 14 Hình 2.1: Cơng tua khuếch đại laser độ rộng vạch mode dọc 21 Hình 2.2: Sơ đồ minh họa ảnh hưởng tương hợp pha mode với cường độ laser phát 22 Hình 2.3: Cấu trúc SESAM điển hình dùng để phát bước sóng 1064 nm 23 Hình 2.4: Phổ phản xạ gương Bragg với lớp AlAs/GaAs cách ¼ bước sóng với số lượng cặp lớp vật liệu khác nhau, bước sóng thiết kế 1064 nm 24 Hình 2.5: Các chế độ hoạt động với gương SESAM 26 Hình 3.1: Đặc trưng cơng suất laser bán dẫn ATC-C2000 30 Hình 3.2: Sơ đồ bố trí thí nghiệm xác định phân cực laser bơm 30 Hình 3.3: Cấu hình buồng cộng hưởng laser Nd:YVO4 bơm laser bán dẫn, khóa mode thụ động sử dụng SESAM 32 Hình 3.4: Sơ đồ bố trí hệ khảo sát đặc tính laser Nd:YVO khóa mode thụ động sử dụng gương bán dẫn hấp thụ bão hịa 35 Hình 3.5: Chuỗi xung laser thu chế độ hoạt động Q – Switch khóa mode cơng suất bơm đạt 900 mW 37 Hình 3.6: Đặc trưng cơng suất laser khóa mode 38 Hình 3.7: Chuỗi xung laser thu chế độ hoạt động khóa mode liên tục 39 Hình 3.8: Tần số lặp lại xung chế độ khóa mode liên tục 40 Hình 3.9: Vết tự tương quan xung laser khóa mode thụ động 41 Hình 3.10: Sự phụ thuộc lượng xung laser khóa mode vào cơng suất bơm laser bán dẫn 43 Hình 3.11: Sự phụ thuộc cơng suất đỉnh xung laser khóa mode vào cơng suất bơm laser bán dẫn 43 Hình 3.12: Độ rộng phổ laser khóa mode 44 Danh mục bảng biểu Bảng 1.1: Các tham số vật liệu Nd:YVO4 Bảng 2.1: Các thông số gương SESAM 27 Bảng 3.1: Quan hệ độ rộng tương quan độ rộng xung vào với dạng xung Gauss Sech2 41 Bảng 3.2 Giá trị độ rộng xung, độ rộng phổ số vật liệu 42 Mở đầu MỞ ĐẦU Từ sau đời, công nghệ laser liên tục phát triển vũ bão Đặc biệt, phát triển laser kéo theo đời nhiều ngành khoa học thúc đẩy phát triển nhiều lĩnh vực khoa học ứng dụng Nhờ có laser, quang phổ laser có thành tựu vĩ đại ngành vật lý nguyên tử, vật lý phân tử, vật lý plasma, vật lý chất rắn, phân tích hóa học ngành liên quan nghiên cứu mơi trường, y học hay công nghệ sinh học… Cùng với việc ngày mở rộng phạm vi ứng dụng laser tiến việc tạo laser xung cực ngắn Bằng việc tạo xung quang học cực ngắn cỡ femto giây (10-15 s) Atto giây (10-18 s), nắm bắt chuyển động electron nguyên tử, đo khoảng thời gian bước phản ứng q trình quang hợp, chí nhờ xung laser để điều khiển phản ứng hóa học cách có định hướng để tổng hợp hợp chất mà phương pháp khác khó đạt Trong điện tử, viễn thơng, xung laser cực ngắn cho phép tạo cảm biến siêu nhạy thực lấy mẫu quang điện mạch điện tử có tốc độ cao… Trên giới, vào năm 1970, cấu hình laser cho phép phát xung cỡ pi-cô giây với công suất lên đến 1010 W [9], [26] giúp quan sát nhiều hiệu ứng phi tuyến Đến cuối năm 90 kỷ XX, xung laser cực ngắn với độ rộng xung cỡ 10 fem-to giây đời đến ngày chúng vào khoảng hàng trăm atto giây [7], [9] Các laser phát xung ngắn, laser Neodymium (Nd) chiếm phần lớn, nguồn kích thích quang học quan trọng sử dụng rộng rãi phịng thí nghiệm quang học quang phổ Trước đây, laser Nd chủ yếu bơm đèn flash với hiệu suất chuyển đổi Mở đầu lượng thấp khoảng 1% - 2% phổ phát xạ đèn flash rộng, phổ hấp thụ Nd hẹp [20], [13] Ngày nay, nhờ phát triển công nghệ bán dẫn, công suất phát laser bán dẫn đạt đến hàng trăm oat với phổ phát xạ hẹp phù hợp với phổ hấp thụ Nd Do vậy, việc sử dụng laser bán dẫn để bơm cho laser rắn Nd phát triển mạnh mẽ Với cấu hình buồng cộng hưởng (BCH) khác nhau, ta thu hiệu suất chuyển đổi lượng bơm laser rắn laser bán dẫn lên đến 10% - 80% [24] Để phát xung laser ngắn, sử dụng phương pháp kỹ thuật như: biến điệu độ phẩm chất, chiết tách lượng BCH khóa mode BCH,… Gần (năm 2000), kỹ thuật hiệu để phát xung ngắn từ laser rắn bơm laser bán dẫn sử dụng gương bán dẫn hấp thụ bão hòa (SESAM) Ở Việt Nam, nhu cầu nghiên cứu ứng dụng laser rắn phát xung ngắn phịng thí nghiệm quang học, quang phổ trường đại học, viện nghiên cứu vật lý, viện khoa học vật liệu, viện kỹ thuật quân sự, bệnh viện,… lớn Tuy nhiên, hệ laser nhập từ nước với giá thành cao [7] Xuất phát từ tình hình thực tiễn đó, viện Vật lý – viện KH & CN Việt Nam nghiên cứu chế tạo thành công hệ laser rắn Nd:YVO4 bơm liên tục laser bán dẫn, phát xung ngắn với kỹ thuật khóa mode thụ động sử dụng gương bán dẫn hấp thụ bão hòa (SESAM) Cho đến nay, kỹ thuật Việt Nam mẻ, việc làm chủ công nghệ để tạo tiền đề cho phát triển phương pháp quang phổ đại cần thiết Chính lý nên luận văn thực có nội dung sau: “Nghiên cứu thực nghiệm q trình phát xung laser ngắn khóa-mode thụ động laser Nd:YVO4” Mục đích luận văn: Nghiên cứu ưu laser rắn Nd bơm laser bán dẫn Nghiên cứu kỹ thuật phát xung laser khóa mode thụ động sử bơm Hình 3.7 biểu diễn xung laser trường hợp Q-switching modelocking Kết thu cho thấy, laser hoạt động chế độ Q-switch khóa mode, chuỗi xung Q-switch có xung laser khóa mode với chu kỳ xung chu kỳ photon buồng cộng hưởng Chu kỳ phát xung Q-switch khóa mode độ sâu biến điệu phụ thuộc vào cường độ bơm Hình 3.7: Chuỗi xung laser thu chế độ hoạt động Q-switching, mode-locking Tiếp tục tăng công suất bơm, lượng laser BCH đủ mạnh làm chu kỳ biến điệu hấp thụ bão hòa SESAM tăng lên chu kỳ lại photon BCH Với số điều chỉnh quang học thích hợp thu hoạt động laser chế độ khóa mode hoàn toàn ổn định Đặc biệt, chế độ khóa mode ổn định cường độ bơm thay đổi đến 2200 mW Sử dụng photodiode nhanh (Hamamatsu) thời gian đáp ứng 100ps, chuỗi xung thu từ laser khóa mode hiển thị dao động ký số Tektronik 1.5 GHz, 20 Gs/s Dạng xung thu tương ứng với chế độ 54 hoạt động laser khóa mode mơ tả hình 3.8 Hình 3.8: Chuỗi xung laser thu chế độ hoạt động khóa mode Khi laser hoạt động chế độ khóa mode hồn tồn, chu kỳ lặp lại xung laser khóa mode T  29.4 ns tương ứng với tần số lặp lại xung f  34 MHz chiều dài buồng cộng hưởng L  4.4 m Hình 3.9: Tần số lặp lại xung chế độ khóa mode hồn toàn 55 3.4 Đánh giá hiệu suất chuyển đổi lượng laser Việc khảo sát công suất laser thực đầu đo lượng (Melles Griot 13PME001), độ phân giải 10 W Với kết thu ta thấy gương có hệ số phản xạ R = 85 % hiệu suất chuyển đổi lượng η ≈ 20 % So sánh với kết thu với trường sử dụng gương R ≈ 80% η ≈ 43% R ≈ 94% η ≈ 30% [5] ta thấy hiệu suất chuyển đổi lượng chưa cao Điều giải thích sử dụng gương có hệ số phản xạ chưa tối ưu (tối ưu với R = 80%), điều chỉnh gương chưa tối ưu, chỉnh tốt, kết hiệu suất chuyển đổi lượng R = 85% lên đến 30% cong suat laser 0.40 0.30 0.25 0.20 0.15 (W) laserraNd:YVO4 Công (W) suat laser congsuất 0.35 0.10 0.05 0.00 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 cong suat laser bom (W) Công suất laser bơm (W) Hình 3.10: Đặc trưng cơng suất laser khóa mode 3.5 Khảo sát đặc trưng phổ laser khóa mode Đặc trưng phổ hệ laser khóa mode đo nhờ sử dụng máy quang phổ (DFS-8, 3A0/mm) kết nối với thị photodiode Array (BP – 2048, 56 USA) Khi dịng bơm 1800 mA ta thu phổ hình 3.11 Độ rộng phổ (FWHM) laser đo ~ 0.54 nm   0,54 nm Hình 3.9: Độ rộng phổ laser khóa mode 3.6 Độ rộng xung laser mode-locking thụ động Do hạn chế dải tần số hệ đo dao động kí – photodiode nhanh trên, việc xác định độ rộng xung laser mode-locking thực cấu hình hệ đo tự tương quan giao thoa sử dụng dịch chuyển tịnh tiến Sau phát triển, cấu hình hệ đo gồm phận sau: (11) (8) (9) (10) (7) (6) (5) (1) (2) (4) (3) Hình 3.10: Sơ đồ cấu hình hệ tự tương quan sử dụng dịch chuyển tịnh tiến 57 Hình 3.11: Phát triển hệ đo xung quang học cực ngắn dựa dịch chuyển tịnh tiến (1): Gương chia chùm, phản xạ 50% với xạ bước sóng 1064 nm dùng để tách chùm tia tới thành hai chùm giống hệt truyền theo hai kênh khác (2): Gương phản xạ 100% với xạ có bước sóng 1064 nm, đặt dịch chuyển phản xạ chùm tia kênh làm trễ Bộ dịch chuyển sử dụng motor Monoch M25 Pháp Tốc độ dịch chuyển motor thay đổi khoảng 0,1 mm/phút tới 10 mm/phút thông qua điều khiển hộp số, với khoảng cách mm/vòng, khoảng cách dịch chuyển tối đo 10cm (3): Gương phản xạ 100% (45 độ) với xạ có bước sóng 1064 nm để điều chỉnh hướng truyền chùm tia 58 (4): Gương phản xạ 100% xạ có bước sóng 1064 nm để phản xạ chùm tia kênh cố định (5): Thấu kính hội tụ để hội tụ hai chùm tia vào tinh thể phi tuyến (6):Tinh thể phi tuyến KDP để phát họa ba bậc hai (7): Phim lọc hồng ngoại dùng để loại bỏ chùm tia 1064 nm (8): Gương phản xạ 100% (45 độ) xạ có bước sóng 532 nm dùng để phản xạ chùm tia sau qua tinh thể phi tuyến (9): Thấu kính hội tụ dùng để hội tụ chùn laser vào photodiode (10): Photodiode dùng để thu tín hiệu phát từ tinh thể phi tuyến (11): Máy vi tính sử dụng card PLC để điều khiển motor, hiển thị vết tự tương quan Tính tốn lý thuyết cho thấy profile hàm tương quan rõ ràng phụ thuộc vào profile cuả tín hiệu đến I(t) Hơn nữa, mối liên hệ độ rộng hàm tự tương quan với độ rộng xung laser phụ thuộc vào dạng xung Bảng 3.1 trình bày quan hệ số dạng xung Bảng 3.1: Quan hệ độ rộng tương quan độ rộng xung vào với dạng xung Gauss Sech2 sau [12, 19] Ta thấy kết tối ưu đạt giả thiết xung đo có dạng sech2 Đó lý khiến xung dạng sech chọn 59 làm tiêu chuẩn đo lường xung laser ngắn, mà không kể đến dạng xung thực [11, 22] VÕt tù t-¬ng quan xung laser Nd:YVO4 mode-locking 3000 độ (mW) CườngIntensity (mW) 2500 2000  = 20ps 1500 1000 500 -80 -60 -40 -20 20 40 60 80 Time (ps) Thời gian (ps) Hình 3.10: Vết tự tương quan xung laser mode-locking thụ động [7] Theo kết đo được, độ rộng vết autocorelator ∆τ = 20 ps Với giả thiết dạng xung đo có dạng sech2, độ rộng xung laser mode-locking thực tế ∆τ /∆t = 1.543 nên ∆t ≈ 13 ps Bảng 3.2 trình bày số vật liệu thơng dụng dùng để phát xung pico giây femto giây với giá trị tương ứng : ∆υ0: độ rộng dải khuếch đại, ϭ: tiết diện phát xạ cưỡng bức, τ: thời gian sống mức laser trên, ∆τ p: độ rộng xung ngắn đạt thời điểm ∆τmp: độ rộng xung ngắn theo lý thuyết giới hạn Fourier [20, 13] 60 Như thấy độ rộng xung hệ lớn gấp 10 lần so với tính tốn lý thuyết Tuy nhiên, giá trị 13 ps gần tương đương với giá trị mà giới đạt Sai lệch việc vi chỉnh với độ xác chưa cao, kỹ thuật đo tương quan giao thoa địi hỏi việc điều khiển khoảng cách với độ xác cao, cỡ 1/10 bước sóng ngắn phổ xung, tức ~ 100 nm, dịch chuyển điều khiển tay với sai số lớn 61 Hình 3.11: Hệ laser Nd:YVO4 phát xung chế độ khóa mode bị động dùng SESAM phòng Quang tử, Trung tâm Điện tử, Viện Vật lý 62 Kết luận chương Cấu tạo, kỹ thuật thiết kế xây dựng hệ đo khảo sát đặc tính xung chúng tơi trình bày chương Sau tiến hành khảo sát thực nghiệm đo hiệu suất chuyển đổi lượng hệ laser chế độ xung mode locking khoảng 20%, độ rộng phổ ~ 0.54 nm độ rộng xung ~ 13 ps 63 KẾT LUẬN Sau thời gian nghiên cứu lý thuyết thực nghiệm Viện Vật lý, hồn thành luận văn: “Nghiên cứu thực nghiệm q trình phát xung laser khóa mode thụ động laser Nd:YVO4” đạt số kết sau: + Phân tích đặc điểm, tính chất mơi trường laser rắn Nd:YVO4 bơm laser bán dẫn + Nghiên cứu chi tiết kỹ thuật phát xung laser, đặc biệt kỹ thuật khóa mode thụ động sử dụng gương bán dẫn hấp thụ bão hòa (SESAM) + Tiến hành xây dựng thí nghiệm khảo sát đặc trưng hiệu suất chuyển đổi lượng, độ rộng phổ, độ rộng xung tần số lặp lại xung laser Nd:YVO4 khóa mode thụ động gương bán dẫn hấp thụ bão hòa bơm laser bán dẫn 64 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt Nguyễn Thế Bình (2004), Kỹ thuật Laser, NXB ĐHQG, Hà Nội Đinh Văn Hồng & Trịnh Đình Chiến (1999), Vật lý laser ứng dụng, NXB ĐH Khoa học Tự nhiên, Hà Nội Vương Văn Cường (2010), Nghiên cứu phát triển hệ đo xung quang học cực ngắn, Luận văn Thạc sĩ, ĐH Công nghệ Nguyễn Đại Hưng (2004), Vật lý kỹ thuật Laser, NXB ĐHQG, Hà Nội Nguyễn Đại Hưng & Nguyễn Văn Thích (2005), Thiết bị linh kiện quang học quang phổ Laser, NXB ĐHQG, Hà Nội Nguyễn Đình Hồng (2007), Laser rắn Nd:YVO4 phát xung quang nano giây biến điệu độ phẩm chất buồng cộng hưởng với tinh thể Cr:YAG, Khóa luận tốt nghiệp, ĐH Cơng Nghệ Đỗ Quốc Khánh (2010), Nghiên cứu vật lý phát triển công nghệ laser rắn Nd:YVO4 pi-cô giây biến điệu thụ động, bơm laser bán dẫn, Luận án Tiến sĩ Vật lý, Viện Vật lý Đỗ Quốc Khánh (2004), Nghiên cứu, thiết kế chế tạo hệ laser Nd:YVO4 bơm laser diode, Luận văn Thạc sĩ, Viện Vật lý Ngụy Hữu Tâm (2005), Những ứng dụng laser, NXB Khoa học Kỹ thuật, Hà Nội Tiếng Anh 10 B E.A Saleh & M C Teich (2007), Fundamentals of Photonics, A John Wiley & Sons Inc Publication, Canada 11 B Wirnitzer (1983), “Measurement of ultrashort laser pulses”, Opt Comm vol 4(3), pp 225 – 228 12 Claude Rullière (1998), Femtosecond laser pulse, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, Germany 13 Czichos, Saito, Smith and Editors (2006), Materials measurement methods, Springer Science+Business Media Inc., USA 14 D Kopfet all ( 1996), “All-in-one dispersion-compensating saturable absorber mirror for compact femtosecond laser sources”, Opt Lett 21, pp 486 – 488 15 F.Kartner et al (1998), “Slow and Fast Saturable Absorbers for Modelocking of Solid-state Lasers – What’s the difference”, IEEE J SEL Topics QE, pp 159 – 168 16 H A Haus (1976), “Parameter ranges for CW passive modelocking”, IEEE J Quantum Electron, 12, pp 169 – 176 17 H A Haus (2000), “Mode locking of laser”, IEEE Selected J Quantum Electronic, vol 6(6), pp 1173 – 1184 18 I D Jung, F.X.K ̈ rtner et al (1997), “Semiconductor saturable absorber mirrors supporting sub-10 fs pulses” Appl Phys B, vol 65, pp 137 – 150 19 J C M Diels et al (1985), “Control and measurement of ultrashort pulse shapes (in amplitude and phase) with femtosecond accuracy”, Appl Opt., vol 24(9), pp 1270 – 1282 20 Orazio Svelto (2010), Principles of lasers, 5th edn, Springer Science+Business Media Inc., USA 21 P J Conlon, Y P Tong, P M W French, and J R Taylor (1994), “Passive mode locking and dispersion measurement of a sub-100-fs Cr4+:YAG laser”, Optic letters, vol 19, pp 1468 – 1470 22 Truong T A Dao, Tran H Nhung, P Hong Minh, P Brechignac, N Sanner, M Canvar, Nguyen Dai Hung (2002), “Picosecond solid-state dye laser based on a Spectro-temporal selection”, 4th National Conference on Optics and Spectroscopy, Nha Trang, Vietnam 23 R Paschotta, U Keller (2001), “Passive mode locking with slow saturable absorbers”, Appl.Phys.B, vol 73, pp 653 – 662 24 Walter Koechner (2006), Solid-state laser engineering, 4th edn, Springer Science+Business Media Inc., USA 25 Walter Koechner & Michael Bass (2003), Solid-state lasers, SpringerVerlag New York Inc., USA 26 U Keller, K.J.Weingarten et al (1996), “Semiconductor saturable absorber mirrors for femtosecond to nanosecond pulse generation in solid-state lasers”, IEEE J Selected Topics in Quantum Electronics(JSTQE), vol 2, pp 435 – 453 Trang web 27 http://ocw.mit.edu/courses/electrical-engineering-and-computerscience/6-977-ultrafast-optics-spring-2005/lecture-notes/chapter6.pdf 28 http://www.batop.de/information/r_Bragg.html 29 http://www.laserfocusworld.com/articles/print/volumn-46/issue9/features/tunable-semiconductor.html 30 http://www.olympusconfocal.com/theory/confocallaserintro.html 31 http://www.signallake.com/innovation/sesam0996.pdf 32 http://www.u-oplaz.com/crystals/crystals20-1.htm ... laser ngắn khóa mode thụ động laser Nd: YVO4 Chương trình bày kết nghiên cứu thực nghiệm hệ laser rắn Nd: YVO4 khóa mode thụ động sử dụng gương bán dẫn hấp thụ bão hòa, bơm liên tục laser bán dẫn... Nghiên cứu ưu laser rắn Nd bơm laser bán dẫn Nghiên cứu kỹ thuật phát xung laser khóa mode thụ động sử Mở đầu dụng SESAM, cụ thể hệ laser Nd: YVO4 bơm liên tục laser bán dẫn Đối tượng nghiên cứu: ... hành khảo sát thực nghiệm chương sau 42 Chương THỰC NGHIỆM QUÁ TRÌNH PHÁT XUNG LASER BẰNG KHĨA MODE THỤ ĐỘNG CỦA LASER Nd: YVO4 Từ nhiều năm nay, laser màu chiếm lĩnh lĩnh vực xung siêu ngắn Nhưng