Đang tải... (xem toàn văn)
[r]
(1)Bài gi i:ả
a Transistor m c theo s đ DC – Drain Common.ắ
b M ch đ nh thiên ki u phân áp.ạ ị ể
c R R1, 2: C u phân áp l y t ngu n ầ ấ VD t o n áp phân c c cho G.ạ ệ ự
R3: Đi n tr c c S nh m n đ nh đ khu ch đ i c a transistor.ệ ự ằ ổ ị ộ ế ủ
C C1, 2: T liên l c l y tín hi u vào tín c a m ch transistor.ụ ấ ệ ủ
Bài gi i:ả
Đi n áp c c g c s t áp n tr ệ ự ố ụ ệ R2 dòng n phân áp t oệ
nên V y ta cóậ
Và: VB =Iphân áp.R2 mà: ân áp
1 cc ph
V I
R R
= +
Do đó:
1
35.5
1,129 150
CC B
V R
V V
R R
= = =
+ +
T s đ ta có:ừ
(2)VB =VBE+VE
Trong đó: VE =R IE E =R IE( B +IC)=R IE( B+βIB)=I RB E(1+β) �VB =VBE+I RB E(1+β)
Tìm IB:
1,129 0, 0, 0184
(1 ) 0,5(1 100)
B BE B
E
V V
I mA
R β
− −
= = =
+ +
Tìm IC:
IC =βIB =100.0, 0184 1,84= mA
Tìm IE: Transistor Gemani có :VBE =0, 2V
1,129 0, 1,858
0,5
B BE E
E
V V
I mA
R
− −
= = =
Tim điên ap ̀ ̣ ́ UCE:
UCE =Vcc−I RC C −I RE E =35 1,84.2,5 1,858.0,5 29.47− − = V
Tim sô ôn đinh S:̀ ̣ ́ ̉ ̣ 2
150.5
4,838 150
B
R R
R K
R R
= = = Ω
+ +
1 100
9,74
100.0,5
1
0.5 4,838
E
E B
S
R
R R
β β
+ +
= = =
+ +
+
+
3, Cho s
m ch nh hình v :ạ ẽ
(3)Bài gi i:ả
a Transistor m c theo cách c c ngu n chung SC – Source Common M ch đ nhắ ự ị
thiên ki u phân c c t c p.ể ự ự ấ
b Nhi m v c a linh ki n m ch:ệ ụ ủ ệ G
R : n tr đ nh thiênệ ị D
R : n tr t i c c Dệ ả ự S
R : n tr n đ nh c c Sệ ổ ị ự
C : n i đ t thành ph n xoay chi uố ấ ầ ề 1,
C C : t liên l c l y tín hi u vào/ra.ụ ấ ệ
c
Tìm UGS:
2
1 GS D
D DO GS GSngat
GSngat DO
U I
I I U U
U I
� � � �
= ��− ��� = − �� − ��
� �
� �
200
( 4) 36
2
GS
U = − − ��� − =��� V
� �
Tìm RS :
3
36
180
200.10
GS
GS D S S
D U
U I R R
I −
= − � = − = − = Ω
4 Trình bày v s đ m c c c g c CB c a transistor lề ắ ự ố ủ ưỡng c c m chự
khu ch đ i đ c m c a cách m c này.ế ặ ể ủ ắ S đ m c g c chung:ơ ắ ố
S đ ồm ch m c c c g c chung ắ ự ố mơ t hình Trong s đ ả ồm ch có:ạ
+ EE , EC ngu n cung c p ấ m t chi u cho tranzito lo i P-N-P ộ ề m ch.ạ
+ RE - nệ trở định thiên cho tranzito RE có nhi mệ vụ làm s tụ b tớ m tộ ph nầ
đi nệ áp ngu nồ EE để đ mả b oả cho ti pế xúc phát phân c cự thu nậ v iớ nệ áp phân c cự UEB ≈ 0,6
V cho tranzito Silic, UEB ≈ 0,2V cho tranzito Gecmani Đ ngồ th iờ tín hi uệ vào hạ RE
đ đ a vào tranzito.ể
+ RC - nệ trở gánh có nhi mệ vụ t oạ s tụ áp thành ph nầ dòng xoay chi uề c aủ tín hi uệ đ đ aể m chạ sau đ aư nệ áp từ âm ngu nồ EC lên c cự góp đ mả b oả cho ti pế xúc góp phân c c ngự ược
+ Tụ nệ C1 , C2 g iọ tụ liên l cạ có nhi m vệ ụ d nẫ tín hi uệ vào m chạ d nẫ tín hi uệ m ch sau.ạ