Đang tải... (xem toàn văn)
[r]
(1)Bài t pậ
2-1 N u dòng n c c phát c a BJT 12,12 mA, tìm dịng n c c n n.ế ệ ự ủ ệ ự ề ĐS 0,12 mA
2-2 N u BJT có dịng n rị (Iế ệ CBO) μA dòng n c c thu 22 mA, tìm:ệ ự
a α (chính xác) b dịng n c c phátệ ự
c α (g n đúng), b qua Iầ ỏ CBO
ĐS (a) 0,995; (b) 22,1055 mA; (c) 0,9952
2-3 Cho h đ c n vào CB c a BJT nh hình 2-1 N u α = 0,95, tìm Iọ ặ ế ủ ế C VBE =
0,72 V VCB = 10V
Hình 2-1 (Bài t p 2-3)ậ ĐS ≈ 7,6 mA
2-4 M t BJT có Iộ CBO = 0,1 μA ICEO = 16 μA Tìm α
ĐS 0,99375
2-5 M t BJT NPN có h đ c n vào CE nh hình 2-2 h đ c n CE nhộ ọ ặ ế ọ ặ ế hình 2-3
a Tìm IC VBE = 0,7 V VCE = 20V
b Tìm β t i m (b qua dòng n rò)ạ ể ỏ ệ ĐS (a) ≈ 0,95; (b) ≈ 95
2-6 Trên m ch hình 2-4, tìm:ạ a IC VCB = 10V
b VCB IC = mA
ĐS (a) 1,515 mA; (b) 11,7 V
2-7 BJT Si hình 2-5 có h đ c n CB nh hình 2-6.ọ ặ ế
a V đẽ ường t i lên h đ c n xác đ nh (b ng đ th ) Vả ọ ặ ế ị ằ ị CB IC t iạ
đi m phân c c.ể ự
(2)Hình 2-2 (Bài t p 2-5)ậ
Hình 2-3 (Bài t p 2-5)ậ
Hình 2-4 (Bài t p 2-6)ậ
Hình 2-5 (Bài t p 2-7)ậ 2-8 Trên m ch hình 2-7, tìm:ạ
a VCE IC = 1,5 mA
(3)ĐS (a) 16,95 V; (b) 2, 55 mA; (c) 24 V
Hình 2-6 (Bài t p 2-7)ậ
Hình 2-7 (Bài t p 2-8)ậ
2-9 BJT Si hình 2-8 có h đ c n CE nh hình 2-9, gi s β = 105.ọ ặ ế ả
a V đẽ ường t i h đ c n xác đ nh (b ng đ th ) Vả ọ ặ ế ị ằ ị CE IC t iạ
đi m phân c c.ể ự
b Tìm giá tr g n c a Iị ầ ủ CEO c a transistor.ủ
c Tính VCE IC t i m phân c c mà không s d ng h đ c n.ạ ể ự ụ ọ ặ ế
(4)Hình 2-9 (Bài t p 2-9)ậ
ĐS (a) 42,5 mA; 3,8 V (g n đúng); (b) mA (g n đúng); (c) 42 mA; 3,8 Vầ ầ
2-10 Tìm giá tr c a Rị ủ B m ch hình 2-10 làm cho transistor Si bão hòa Gi s r ngạ ả ằ
β = 100 VCES = 0,3 V
ĐS 209,86 KΩ
Hình 2-10 (Bài t p 2-10)ậ
2-11 Ngõ vào m ch hình 2-11 m t xung – E (V) N u BJT Si có β = 120; Vạ ộ ế CES = 0,
tìm giá tr c a E đ BJT ho t đ ng ch đ khóa (l p D).ị ủ ể ộ ế ộ
Hình 2-11 (Bài t p 2-11)ậ ĐS ≥ 10 V
(5)ĐS 1,98 mA; 10,05 V
2-13 Giá tr c a Iị ủ C m ch hình 2-12 s b ng n u β thay đ i t 120 thànhạ ẽ ằ ế ổ
300 Ph n trăm thay đ i c a Iầ ổ ủ C bao nhiêu?
ĐS mA; 1,01%
2.14 a Tìm giá tr đ l i áp toàn ph n (vị ộ ợ ầ L / vS) c a t ng khu ch đ i hình 2-13ủ ầ ế
b Đ l i s thay đ i ph n trăm n u giá tr tĩnh c a dòng nộ ợ ẽ ổ ầ ế ị ủ ệ tăng 10%
Hình 2-13 (Bài t p 2-14)ậ ĐS (a) -183,8; (b) 9,8%
2.15 a Tìm n áp hi u d ng (rms) t i vệ ệ ụ ả L m ch hình 2-14.ở
b Làm l i câu a n u b t thoát Cạ ế ỏ ụ E
Hình 2-14 (Bài t p 2-15)ậ ĐS (a) 1,12 V rms; (b) 18,25 mV rms
(6)2.18 Tìm đ l i áp c a m ch khu ch đ i hình 2-18, bi t transistor lo i Ge.ộ ợ ủ ế ế
Hình 2-18 (Bài t p 2-18)ậ ĐS 195,27
2.19 Tìm n áp hi u d ng (rms) t i vệ ệ ụ ả L m ch khu ch đ i hình 2-19 Rở ế L có
giá tr là:ị a KΩ b 10 KΩ c 100 KΩ Cho bi t β = 100.ế
Hình 2-19 (Bài t p 2-19)ậ ĐS (a) 0,59 V rms; (b) 1,91 V rms; (c) 2,46 V rms
2.20 a Cho m ch khu ch đ i hình 2-20, tìm giá tr c a Rạ ế ị ủ B đ ngõ dao đ ng p-pể ộ
t i đa.ố
b Giá tr p-p t i đa c a vị ố ủ S v i Rớ B tìm đượ ởc câu a
Hình 2-20 (Bài t p 2-20)ậ ĐS (a) 601,7 KΩ; (b) 58,08 mV p-p
2.21 Cho m ch khu ch đ i hình 2-21, tìm:ạ ế a Đi n tr vào c a t ng khu ch đ i.ệ ủ ầ ế b Đi n tr c a t ng khu ch đ i.ệ ủ ầ ế c Đ l i áp c a t ng khu ch đ i.ộ ợ ủ ầ ế
(7)ĐS
2.22 Tìm n áp m ch hình 2-22.ệ
Hình 2-22 (Bài t p 2-22)ậ ĐS
2.23 Tìm h d n c a transistor m ch hình 2-23 nhi t đ phòng, khi:ỗ ẫ ủ ệ ộ a RB = 330 KΩ β = 50
b RB = 330 KΩ β = 150
c RB = 220 KΩ β = 50
Hinh 2-23 (Bài t p 2-23)ậ
2.24 V s đ m ch tẽ ương đương v AC c a m ch khu ch đ i hình 2-24 sề ủ ế d ng mô hình h d n c a transistor,bi t r ng β = 100ụ ỗ ẫ ủ ế ằ