Nghiên cứu chế tạo và một số tính chất của dây nano si và sier3+

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI PHẠM VĂN TUẤN NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ MỘT SỐ TÍNH CHẤT CỦA DÂY NANO Si VÀ Si:Er3+ LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU HÀ NỘI – 2015 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI PHẠM VĂN TUẤN NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ MỘT SỐ TÍNH CHẤT CỦA DÂY NANO Si VÀ Si:Er3+ Chuyên ngành: Vật liệu điện tử Mã số: 62440123 LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS.TS Phạm Thành Huy TS Trần Ngọc Khiêm HÀ NỘI – 2015 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan: Luận án “Nghiên cứu chế tạo số tính chất dây nano Si Si:Er3+ ” cơng trình nghiên cứu riêng tơi hồn thành hướng dẫn PGS.TS Phạm Thành Huy TS Trần Ngọc Khiêm Các số liệu kết nêu luận án hoàn toàn trung thực Những kết luận án chưa cơng bố cơng trình khác Hà Nội, ngày 25 tháng năm 2015 Thay mặt tập thể hướng dẫn Tác giả luận án PGS.TS Phạm Thành Huy Phạm Văn Tuấn I LỜI CẢM ƠN Trước hết, em xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành sâu sắc tới thầy hướng dẫn: PGS.TS Phạm Thành Huy TS Trần Ngọc Khiêm Các thầy tận tình giúp đỡ em suốt trình thực luận án Em xin chân thành cảm ơn giúp đỡ, góp ý thầy cô Viện ITIMS, Viện AIST, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội Các thầy, cô dành nhiều thời gian hướng dẫn bảo cho em vấn đề có liên quan đến luận án Em xin gửi lời cảm ơn tới Ban Giám hiệu Trường Đại học Bách khoa Hà Nội tạo điều kiện thời gian cơng việc để em tập trung hồn thành chương trình học nghiên cứu sinh Tơi xin cảm ơn gia đình, bạn bè người thân bên cạnh quan tâm, động viên tạo điều kiện thuận lợi để tơi hồn thành luận án Các thành viên gia đình ln sẻ chia khó khăn, vất vả q trình nghiên cứu hồn thiện luận án Hà Nội, ngày 25 tháng năm 2015 Tác giả luận án Phạm Văn Tuấn II MỤC LỤC Trang LỜI CAM ĐOAN I LỜI CẢM ƠN II MỤC LỤC III DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT VI DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU VII DANH MỤC CÁC HÌNH ẢNH, ĐỒ THỊ VIII MỞ ĐẦU CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU NANO Si VÀ NANO Si:Er3+ 1.1 CƠ SỞ LÝ THUYẾT 1.1.1 Vật liệu nano Si 1.1.2 Vật liệu nano Si:Er3+ 12 1.2 TÌNH HÌNH NGHIÊN CỨU VỀ TÍNH CHẤT HUỲNH QUANG CỦA CÁC CẤU TRÚC NANO Si VÀ Si:Er3+ 20 1.2.1 Vật liệu nano Si 20 1.2.2 Vật liệu nano Si:Er3+ 29 1.3 KẾT LUẬN 34 CHƯƠNG 2: CÁC PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM 35 2.1 CÁC PHƯƠNG PHÁP CHẾ TẠO DÂY NANO Si 35 2.1.1 Chế tạo dây nano Si theo cách tiếp cận “từ lên” 35 2.1.2 Chế tạo dây nano Si theo cách tiếp cận “từ xuống” 46 2.2 CÁC PHƯƠNG PHÁP PHA TẠP ION Er3+ VÀO TRONG VẬT LIỆU NANO Si 48 2.2.1 Phương pháp đồng phún xa 48 2.2.2 Phương pháp cấy ion 49 2.2.3 Phương pháp khuếch tán nhiệt 49 2.2.4 Phương pháp đồng bốc bay nhiêt 50 III 2.3 CÁC THIẾT BỊ ĐƯỢC SỬ DỤNG ĐỂ CHẾ TẠO MẪU 51 2.3.1 Các thiết bị sử dụng để chế tạo dây nano Si 51 2.3.2 Các thiết bị sử dụng để chế tạo vật liệu nano Si pha tạp Er3+ 52 2.4 CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH TÍNH CHẤT CỦA VẬT LIỆU 54 2.4.1 Phương pháp nhiễu xạ tia X 54 2.4.2 Phương pháp hiển vi điện tử quét (SEM) 54 2.4.3 Phương pháp hiển vi điện tử truyền qua (TEM) 55 2.4.4 Phổ tán xạ lượng tia X (EDX) 55 2.4.5 Phổ tán xạ Raman 55 2.4.6 Phổ huỳnh quang 56 CHƯƠNG 3: KHẢO SÁT TÍNH CHẤT HUỲNH QUANG CỦA DÂY NANO Si CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP BỐC BAY NHIỆT 57 3.1 ĐẶT VẤN ĐỀ 57 3.2 THỰC NGHIỆM 58 3.2.1 Chế tạo dây nano Si 58 3.2.2 Các phép đo phân tích tính chất dây nano Si 61 3.3 KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 62 3.3.1 Ảnh hưởng vật liệu nguồn lên trình mọc dây nano Si 62 3.3.2 Khảo sát tính chất huỳnh quang dây nano Si nhiệt độ phịng 69 3.3.3 Khảo sát tính chất huỳnh quang dây nano Si nhiệt độ thấp 75 3.3.4 Cơ chế hình thành cấu trúc lõi-vỏ Si-SiO2 cấu trúc lớp Si/SiOx lõi dây nano Si 82 3.4 KẾT LUẬN 83 CHƯƠNG 4: CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHẤT HUỲNH QUANG CỦA DÂY NANO Si:Er3+ VÀ MÀNG NANOCOMPOSITE SiO2: NANO Si:Er3+ 84 4.1 ĐẶT VẤN ĐỀ 84 4.2 THỰC NGHIỆM 84 4.2.1 Chế tạo dây nano Si:Er3+ 84 4.2.2 Chế tạo màng nanocomposite SiO2:nano Si:Er3+ 86 4.2.3 Các phép đo phân tích tính chất vật liệu 88 IV 4.3 KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 89 4.3.1 Khảo sát đặc trưng cấu trúc tính chất huỳnh quang dây nano Si:Er3+ 89 4.3.2 Khảo sát đặc trưng cấu trúc tính chất huỳnh quang màng nanocomposite SiO2:nano Si:Er3+ 92 4.4 KẾT LUẬN 97 KẾT LUẬN 98 TÀI LIỆU THAM KHẢO 99 DANH MỤC CÁC CƠNG TRÌNH Đà CƠNG BỐ CỦA LUẬN ÁN 110 V DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT Ký hiệu Tiếng Anh Tiếng Việt Si NWs Silicon nanowires Dây nano Si PL Photoluminescence Huỳnh quang XRD X-ray Diffraction Nhiễu xạ tia X FESEM Field Emission Scanning Electron Hiển vi điện tử quét xạ trường Microscopy TEM Transmission Electron Microscopy Hiển vi điện tử truyền qua Si-nc Silicon nanocrystals Nano tinh thể Si SiODC Silicon Oxygen Deficient Center sai hỏng mạng SiO2 VLS Vapor Liquid Solid Hơi lỏng rắn OAG Oxide Assisted Growth Mọc trợ giúp oxit CVD Chemical Vapor Deposition Lắng đọng hóa học MBE Molecular Beam Epitaxy Epitaxy chùm phân tử SiO2:nano Si:Er3+ SiO2 doped with silicon nanocrystals SiO2 pha tạp nano tinh thể Si and erbium Er3+ EDX Energy-dispersive X-ray Phổ tán sắc lượng Si:Er3+ Silicon doped with Er3+ ions Silic pha tạp Er3+ c-Si Crystalline silicon Silic tinh thể HOMO Highest occupied molecular orbital Quỹ đạo phân tử cao bị lấp đầy LOMO Lowest unoccupied molecular orbital Quỹ đạo phân tử thấp bị lấp đầy VI DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU Trang Bảng 2.1 Sản lượng dây nano Si chế tạo phương pháp bốc bay laser với bia vật liệu khác 40 Bảng 3.1 Các giai đoạn điều khiển nhiệt độ lị q trình mọc dây nano Si 60 Bảng 3.2 Các mẫu chế tạo với tham số công nghệ khác 60 Bảng 3.3 Năng lượng phát quang dây nano Si phụ thuộc vào kích thước dây nano Si 73 Bảng 3.3 Năng lượng đỉnh vùng hấp thụ quang học vật liệu Si phụ thuộc vào kích thước vật liệu 74 Bảng 3.5 Nhiệt độ ứng với cường độ huỳnh quang cực đại phụ thuộc vào cấu trúc vật liệu nano Si 81 VII DANH MỤC CÁC HÌNH ẢNH, ĐỒ THỊ Trang Hình 1.1 Cấu trúc tinh thể silic Hình 1.2 Cấu trúc vùng lượng silic khối Hình 1.3 Độ rộng vùng cấm phụ thuộc vào kích thước dây nano Si Hình 1.4 Cấu trúc vùng lượng bán dẫn thay đổi hiệu ứng kích thước lượng tử10 Hình 1.5 Hàm mật độ trạng thái cấu trúc bán dẫn khác 11 Hình 1.6 Giản đồ mức lượng ion Er3+ tự vật rắn Các mức lượng ion Er3+ vật rắn bị tách thành nhiều mức hiệu ứng Stark 12 Hình 1.7 Các trình dập tắt huỳnh quang ion Er3+ Si: (a) trình truyền ngược lượng tử, (b) trình tái kích thích Auger giải phóng điện tử tự (c) q trình tái kích thích Auger giải phóng lỗ trống 14 Hình 1.8 Mơ hình truyền lượng từ nano tinh thể Si sang ion Er3+ 16 Hình 1.9 Mơ hình truyền lượng từ tâm phát quang sang ion Er3+ 16 Hình 1.10 Giản đồ lượng SiODC (các sai hỏng mạng SiO2), Si-nc (nano tinh thể Si) ion Er3+ (b) Mơ hình truyền lượng từ sai hỏng SiO2 sang ion Er3+ 17 Hình 1.11 Các nguyên nhân gây tượng dập tắt huỳnh quang theo nồng độ Er3+: (a) truyền lượng, (b) chuyển đổi ngược lượng (c) hấp thụ lượng trạng thái kích thích 18 Hình 1.12 Ảnh hưởng Au đến trình truyền lượng từ dây nano Si sang ion Er3+ 19 Hình 1.13 Phổ huỳnh quang Si xốp với thời gian ăn mòn điện hóa khác sử dụng bước sóng kích thích 514,5 nm 20 Hình 1.14 Phổ huỳnh quang mẫu vừa chế tạo phương pháp điện hóa để khơng khí thời gian tháng với nồng độ HF khác nhau: (a) 20%, (b) 13% (c) 10% 21 Hình 1.15 Phổ huỳnh quang (a) màng SiOx với nồng độ Si 37% sau ủ nhiệt 1100 oC, 1200 oC 1300 oC (b) màng SiOx ủ nhiệt 1200 oC với nồng độ Si 35%, 39% 44% 22 Hình 1.16 a) Huỳnh quang nano tinh thể Si với kích thước khác mẫu (b) phổ huỳnh quang nano tinh thể Si tương ứng với vị trí khác với bước sóng kích thích 266 nm 23 VIII tinh thể Si bị kết đám hình thành nano tinh thể Si có kích thước lớn ion Er3+ bị kết đám mật độ cao Sự kết đám nano tinh thể Si màng nanocomposite SiO2: nano Si:Er3+ làm giảm hiệu suất truyền lượng từ sai hỏng SiO2 tới ion Er3+ thông qua nano tinh thể Si Hơn nữa, kết đám ion Er3+ màng nanocomposite SiO2: nano Si:Er3+ làm cho q trình tái hợp khơng xạ xảy dễ dàng [63, 104] trình truyền lượng ion Er3+ với nhau, trình truyền ngược lượng ion Er3+ q trình hấp thụ lượng kích thích ion Er3+ Vì vây, cường độ huỳnh quang ion Er3+ màng nanocomposite SiO2:nano Si:Er3+ giảm nhiệt độ ủ mẫu tăng lên 1100 oC o 900 C o 950 C o 1000 C o 1050 C o 1100 C C−êng ®é (®.v.t.y) λex = 260 nm 1300 1400 1500 1600 1700 B−íc sãng (nm) Hình 4.10 Phổ huỳnh quang màng nanocomposite SiO2: nano Si:Er3+ với nhiệt độ ủ mẫu khác • Ảnh hưởng nồng độ Er3+ đến tính chất huỳnh quang màng nanocomposite SiO2: nano Si:Er3+ Ảnh hưởng nồng độ Er3+ đến tính chất huỳnh quang màng nanocomposite SiO2: nano Si:Er3+ khảo sát với nồng độ Er3+ thay đổi từ 0,1 đến 1,1% Hình 4.11 phổ huỳnh quang màng nanocomposite SiO2:nano Si:Er3+ với nồng độ Er3+ khác Nồng độ Si 4% tất mẫu nhiệt độ ủ mẫu 1000 oC thời gian Kết cho thấy hình dạng vị trí đỉnh phổ huỳnh quang ion Er3+ bước sóng ~ 1530 nm khơng thay đổi nồng độ Er3+ thay đổi Tuy nhiên, cường độ huỳnh quang ion Er3+ thay đổi đáng kể thay đổi nồng độ Er3+ Khi nồng độ Er3+ tăng từ 0,1 đến 0,5% cường độ huỳnh quang ion Er3+ màng nanocomposite SiO2:nano Si:Er3+ tăng lên đạt giá trị cực đại ứng với nồng độ tạp Er3+ 0,5% Tiếp tục tăng nồng độ Er3+ từ 0,5 đến 1,1% cường độ huỳnh quang ion Er3+ màng nanocomposite SiO2:nano Si:Er3+ giảm dần Khi nồng độ 96 tạp Er3+ tăng lên từ 0,1 đến 0,5% số tâm phát quang ion Er3+ màng nanocomposite tăng lên Do đó, số ion Er3+ tham gia vào trình truyền lượng từ sai hỏng mạng SiO2 tới ion Er3+ tăng lên Vì vậy, cường độ huỳnh quang ion Er3+ bước sóng ~ 1530 nm tăng lên Khi nồng độ tạp Er3+ tăng lên từ 0,5 đến 1,1% hiên tượng kết đám ion Er3+ gần xảy chúng có vai trị tâm tái hợp không xạ Điều làm cho cường độ huỳnh quang ion Er3+ màng nanocomposite SiO2: nano Si:Er3+ giảm λex = 260 nm 3+ C−êng ®é (®.v.t.y) Er = 0,1 % 3+ Er = 0,3 % 3+ Er = 0,5 % 3+ Er = 0,7 % 3+ Er = 0,9 % 3+ Er = 1,1 % 1400 1500 1600 1700 B−íc sãng (nm) Hình 4.11 Phổ huỳnh quang màng nanocomposite SiO2: nano Si:Er3+ với nồng độ Er3+ khác 4.4 KẾT LUẬN Trong chương này, việc nghiên cứu chế tạo tính chất huỳnh quang dây nano Si:Er3+ màng nanocomposite SiO2: nano Si:Er3+, số kết luận rút sau: • Chế tạo dây nano Si:Er3+ phát quang bước sóng ~ 1530 nm phương pháp đồng bốc bay nhiệt • Chế tạo thành cơng màng nanocomposite SiO2: nano Si:Er3+ phát quang vùng hồng ngoại bước sóng ~ 1530 nm kích thích vùng tử ngoại 250 đến 290 nm phương pháp sol-gel kết hợp với kỹ thuật quay phủ 97 KẾT LUẬN Các kết Luận án “Nghiên cứu chế tạo số tính chất dây nano Si Si:Er3+” tổng kết sau:  Chế tạo thành công dây nano Si phương pháp bốc bay nhiệt từ ba loại vật liệu nguồn: SiO, Si+SiO2 Si+C  Với vật liệu nguồn Si+C nhiệt độ vật liệu nguồn 1200 oC, dây nano Si thu có cấu trúc lõi-vỏ Si-SiO2 có cấu trúc lớp Si/SiOx lõi dây nano Si  Dây nano Si chế tạo từ vật liệu nguồn Si+C với nhiệt độ vật liệu nguồn 1200 oC phát quang mạnh với độ bán phổ rộng vùng bước sóng từ 600 đến 900 nm lớp nano Si lõi dây nano Si với kích thước vài nano mét gây  Khi nghiên cứu nhiệt độ thấp, đỉnh phổ huỳnh quang dịch phía sóng ngắn từ 700 nm đến 650 nm nhiệt độ tăng từ 10 đến 300 K cường độ đỉnh phổ huỳnh quang đạt giá trị cực đại ứng với nhiệt độ ~ 200 K  Chế tạo dây nano Si:Er3+ phát quang bước sóng ~ 1530 nm phương pháp đồng bốc bay nhiệt  Chế tạo thành công màng nanocomposite SiO2: nano Si:Er3+ phát quang mạnh vùng hồng ngoại bước sóng ~ 1530 nm kích thích vùng tử ngoại với bước sóng từ 250 đến 290 nm phương pháp sol-gel kết hợp với kỹ thuật quay phủ 98 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt [1] Phùng Hồ, Phan Quốc Phơ, Giáo trình Vật liệu bán dẫn, Nhà xuất Khoa học Kỹ thuật (2008) Tiếng Anh [2] A G Cullis and L T Canham, Visible light emission due to quantum size effects in highly porous crystalline silicon, Nature 353 (1991) 335 [3] A G Cullis, L T Canham and P D J Calcott, The structural and luminescence properties of porous silicon, Journal of Applied Physics 82 (1997) 909 [4] A I Hochbaum, R Fan, R He and P Yang, Controlled Growth of Si Nanowire Arrays for Device Integration, Nano Letters (2005) 457 [5] A Irrera, P Artoni, F Iacona, E F Pecora, G Franzò, M Galli, B Fazio, S Boninelli and F Priolo, Quantum confinement and electroluminescence in ultrathin silicon nanowires fabricated by a maskless etching technique, Nanotechnology 23 (2012) 075204 [6] A J Kenyon, Erbium in silicon, Semiconductor Science and Technology 20 (2005) R65 [7] A J Kenyon, Quantum confinement in rare-earth doped semiconductor systems, Current Opinion in Solid State and Materials Science (2003) 143 [8] A J Kenyon, Recent developments in rare-earth doped materials for optoelectronics, Progress in Quantum Electronics 26 (2002) 225 [9] A M Morales, C M Lieber, A Laser Ablation Method for the Synthesis of Crystalline Semiconductor Nanowires, Science 279 (1998) 208 [10] A O Evwaraye, E Sun, Electrical properties of platinum in silicon as determined by deep‐level transient spectroscopy, Journal of Applied Physics 47 (1976) 3172 [11] A P Alivisatos, Semiconductor Clusters, Nanocrystals, and Quantum Dots, Science 271 (1996) 933 [12] A Podhorodecki, G Zatryb, L W Golacki, J Misiewicz, J Wojcik and P Mascher, On the origin of emission and thermal quenching of SRSO:Er3+ films grown by ECRPECVD, Nanoscale Research Letters (2013) 98 [13] A Podhorodecki, J Misiewicz, F Gourbilleau, and R Rizk, Absorption Mechanisms of Silicon Nanocrystals in Cosputtered Silicon-Rich–Silicon Oxide Films, Electrochemical and Solid-State Letters, 11 (2008) K31-K33 99 [14] A Polman, Erbium as a probe of everything?, Physica B 300 (2001) 78 [15] A Polman, Erbium implanted thin film photonic materials, Journal of Applied Physics 82 (1997) [16] A T Heitsch, D D Fanfair, H Y Tuan and B A Korgel, Solution Liquid Solid (SLS) Growth of Silicon Nanowires, Journal of the American Chemical Society 130 (2008) 5436 [17] A Zeniou, K Ellinas, A Olziersky and E Gogolides, Ultra-high aspect ratio Si nanowires fabricated with plasma etching: plasma processing, mechanical stability analysis against adhesion and capillary forces and oleophobicity, Nanotechnology 25 (2014) 035302 [18] B Huy, P H Binh, B Q Diep, P V Luong, Effect of ageing on the luminescence intensity and lifetime of porous silicon: roles of recombination centers, Physica E 17 (2003) 134 [19] B Huy, P V Hoi, P H Khoi, D K Van, P T Binh and T T Cham, Porous silicon as a low dimensional and optical material, Journal of Physics: Conference Series 187 (2009) 012033 [20] B K Teo and X H Sun, Silicon-Based Low-Dimensional Nanomaterials and Nanodevices, Chemical Reviews 107 (2007) 1454 [21] B Li, D Yu, and S L Zhang, Raman spectral study of silicon nanowires, Physical Review B 19 (1999) 1645 [22] C D’Andrea, M J L Faro, P Musumeci, B Fazio, F Iacona, G Franzò, P Gucciardi, C Vasi, F Priolo and A Irrera, Silicon nanowires: synthesis, optical properties and applications, Physica Status Solidi C (2014), In press [23] C Delerue, G Allan, and M Lannoo, Theoretical aspects of the luminescence of porous silicon, Physical Review B 48 (1993) 11024 [24] C J Murphy and J L Coffer, Quantum Dots: A Primer, Applied Spectroscopy 56 (2002) 16A [25] C K Chan, H Peng, G Liu, K McIlwrath, X F Zhang, R A Huggins and Y Cui, High-performance lithium battery anodes using silicon nanowires, Nature Nanotechnology (2008) 31 [26] C T Huang, C L Hsin, K W Huang, C Y Lee, P H Yeh, U S Chen and L J Chen, Er-doped silicon nanowires with 1.54μm light-emitting and enhanced electrical and field emission properties, Applied Physics Letters 91 (2007) 093133 [27] C Yin, M Rancic, G G de Boo, N Stavrias, J C McCallum, M J Sellars and S Rogge, Optical addressing of an individual erbium ion in silicon, Nature 497 (2013) 91 100 [28] C Zhang, C Li, Z Liu, J Zheng, C Xue, Y Zuo, B Cheng and Q Wang, Enhanced photoluminescence from porous silicon nanowire arrays, Nanoscale Research Letters (2013) 277 [29] D C Lee, T Hanrath and B A Korgel, The Role of Precursor-Decomposition Kinetics in Silicon-Nanowire Synthesis in Organic Solvents, Angewandte Chemie International Edition 44 (2005) 3573 [30] D Pacifici, A Irrera, G Franzò, M Miritello, F Iacona, F Priolo, Erbium-doped Si nanocrystals: optical properties and electroluminescent devices, Physica E 16 (2003) 331 [31] E. C Garnett, W Liang and P Yang, Growth and Electrical Characteristics of Platinum-Nanoparticle-Catalyzed Silicon Nanowires, Advanced Materials 19 (2007) 2946 [32] F Iacona, G Franzò, and C Spinella, Correlation between luminescence and structural properties of Si nanocrystals, Journal of Applied Physics 87 (2000) 1295 [33] F Koch, V Petrova-Koch, T Muschik, The luminescence of porous Si: the case for the surface state mechanism, Journal of Luminescence 57 (1993) 271 [34] F M Kolb, H Hofmeister, R Scholz, M Zacharias, U Gösele, D D Ma and S T Lee, Analysis of Silicon Nanowires Grown by Combining SiO Evaporation with the VLS Mechanism, Journal of The Electrochemical Society 151 (2004) G472 [35] F Priolo, G Franzò, F Iacona, D Pacifici and V Vinciguerra, Excitation and nonradiative de-excitation processes in Er-doped Si nanocrystals, Materials Science and Engineering B 81 (2001) [36] F Priolo, G Franzò, S Coffa, A Carnera, Excitation and nonradiative deexcitation processes of Er3+ in crystalline Si, Physical Review B 57 (1998) 4443 [37] F Priolo, T Gregorkiewicz, M Galli and T F Krauss, Silicon nanostructures for photonics and photovoltaics, Nature Nanotechnology (2014) 19 [38] F Shi, J Lin, Y Huang, J Zhang, C Tang, Fabrication and photoluminescence properties of silicon nanowires with thin surface oxide layers, Materials Chemistry and Physics 118 (2009) 125 [39] G Franzò, F Iacona, V Vinciguerra and F Priolo, Enhanced rare earth luminescence in silicon nanocrystals, Materials Science and Engineering B 69–70 (2000) 335 [40] G Franzò, F Priolo, S Coffa, Understanding and control of the erbium nonradiative de-excitation processes in silicon, Journal of Luminescence 80 (1999) 19 [41] G Franzò, S Boninelli, D Pacifici, F Priolo, F Iacona, C Bongiorno, Sensitizing properties of amorphous Si clusters on the 1.54-μm luminescence of Er in Sirich SiO2, Applied Physics Letters 82 (2003) 3871 101 [42] G Gundiah, F L Deepak, A Govindaraj and C N R Rao, Carbon-assisted synthesis of silicon nanowires, Chemical Physics Letters 381 (2003) 579 [43] G Ledoux, J Gong, F Huisken, O Guillois, and C Reynaud (2002), Photoluminescence of size-separated silicon nanocrystals: Confirmation of quantum confinement, Applied Physics Letters 80 (2002) 4834 [44] H Cui, C X Wang, and G W Yang, Origin of Self-Limiting Oxidation of Si Nanowires, Nano Letters (2008) 2731 [45] H Fang, Y Wu, J Zhao and J Zhu, Silver catalysis in the fabrication of silicon nanowire arrays, Nanotechnology 17 (2006) 3768 [46] H Richter, Z P Wang and L Ley, The one phonon Raman spectrum in microcrystalline silicon, Solid State Communications 39 (1981) 625 [47] H Schmid, M T Björk, J Knoch, H Riel and W Riess, Patterned epitaxial vaporliquid-solid growth of silicon nanowires on Si(111) using silane, Journal of Applied Physics 103 (2008) 024304 [48] H Y Peng, Z W Pan, L Xu, X H Fan, N Wang, C S Lee and S T Lee, Temperature Dependence of Si Nanowire Morphology, Advanced Materials 13 (2001) 317 [49] I H Campbell and P M Fauchet, The effects of microcrystal size and shape on the one phonon Raman spectra of crystalline semiconductors, Solid State Communications 58 (1986) 739 [50] I Leontis, A Othonos and A G Nassiopoulou, Structure, morphology, and photoluminescence of porous silicon nanowires: effect of different chemical treatments, Nanoscale Research Letters (2013) 383 [51] J C Vial, A Bsiesy, F Gaspard, R Herino, M Ligeon, F.Muller, R Romestain, and R M Macfarlane, Mechanisms of visible-light emission from electro-oxidized porous silicon, Physical Review B 45 (1992) 14171 [52] J D Holmes, K P Johnston, R C Doty and B A Korgel, Control of Thickness and Orientation of Solution-Grown Silicon Nanowires, Science 287 (2000) 1471 [53] J J Niu, J N Wang, A study in the growth mechanism of silicon nanowires with or without metal catalyst, Materials Letters 62 (2008) 767 [54] J Niu, J Sha and D Yang, Silicon nanowires fabricated by thermal evaporation of silicon monoxide, Physica E 23 (2004) 131 [55] J P Wilcoxon and G A Samara, Tailorable, visible light emission from silicon nanocrystals, Applied Physics Letters 74 (1999) 3164 [56] J Qi, J M White, A M Belcher, Y Masumoto, Optical spectroscopy of silicon nanowires, Chemical Physics Letters 372 (2003) 763 102 [57] J R Chelikowsky, M L Cohen, Nonlocal pseudopotential calculations for the electronic structure of eleven diamond and zinc-blende semiconductors, Physical Review B 14 (1976) 556 [58] J Yeom, D Ratchford, C R Field, T H Brintlinger and P E Pehrsson, Decoupling Diameter and Pitch in Silicon Nanowire Arrays Made by Metal-Assisted Chemical Etching, Advanced Functional Materials 24 (2014) 106 [59] J Yu, J Sha, L Wang, Q Yang and D Yang, One-dimensional silicon nanostructures fabricated by thermal evaporation, Materials Science Engineering C 26 (2006) 800 [60] K A Gonchar, L A Osminkina, R A Galkin, M B Gongalsky, V S Marshov, V Yu Timoshenko, M N Kulmas, V V Solovyev, A A Kudryavtsev, and V A Sivakov, Growth, Structure and Optical Properties of Silicon Nanowires Formed by Metal-Assisted Chemical Etching, Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics (2012) 602 [61] K D Sattler, Handbook of Nanophysics: Nanoelectronics and Nanophotonics, Chapter 25: Photoluminescence from Silicon Nanostructure, CRC Press (2010) [62] K Hijazi, L Khomenkova, J Cardin, F Gourbilleau, R Rizk, Structural and optical characteristics of Er-doped SRSO layers deposited by the confocal sputtering technique, Physica E 41 (2009) 1067 [63] K Hijazi, R Rizk, J Cardin, L Khomenkova and F Gourbilleau, Towards an optimum coupling between Er ions and Si-based sensitizers for integrated active photonics, Journal of Applied Physics 106 (2009) 024311 [64] K Imakita, M Fujii, Y Yamaguchi, and S Hayashi, Interaction between Er ions and shallow impurities in Si nanocrystals within SiO2, Physical Review B 71 (2005) 115440 [65] K K Lew, L Pan, T E Bogart, S M Dilts, E C Dickey, J M Redwing, Y Wang, M Cabassi, T S Mayer and S W Novak, Structural and electrical properties of trimethylboron-doped silicon nanowires, Applied Physics Letters 85 (2004) 3101 [66] K Peng, J Hu, Y Yan, Y Wu, H Fang, Y Xu, S T Le and J Zhu, Fabrication of single-crystalline silicon nanowires by scratching a silicon surface with catalytic metal particles, Advanced Functional Materials 16 (2006) 387 [67] K Peng, M Zhang, A Lu, N B Wong, R Zhang and S T Lee, Ordered silicon nanowire arrays via nanosphere lithography and metal-induced etching, Applied Physics Letters 90 (2007) 163123 [68] K Q Peng, X Wang, L Li, Y Hu, and S T Lee, Silicon nanowires for advanced energy conversion and storage, Nano Today (2013) 75 103 [69] K Suh, J H Shin, O H Park and B S Bae, J C Lee and H J Choi, Optical activation of Si nanowires using Er-doped, sol-gel derived silica, Applied Physics Letters 86 (2005) 053101 [70] L Brus, Electronic Wave Functions in Semiconductor Clusters: Experiment and Theory, The Journal of Physical Chemistry 90 (1986) 2555 [71] L Ferraioli, M Wang, G Pucker, D Navarro Urrios, N Daldosso, C Kompocholis and L Pavesi, Photoluminescence of Silicon Nanocrystals in Silicon Oxide, Journal of Nanomaterials 2007 (2007) 43491 [72] L H Lin, X Z Sun, R Tao, Z C Li, J Y Feng, and Z J Zhang, Photoluminescence origins of the porous silicon nanowire arrays, Journal of Applied Physics 110 (2011) 073109 [73] L Khomenkova, F Gourbilleau, J Cardin and R Rizk, Towards an enhanced coupling between the Er ions and Si nanoclusters, Physica E 41 (2009) 1048 [74] L Ren, W Y Jeung, H C Han, K Suh, J H Shin and H J Choi, Optical activation of Si nanowires by Er3+ doped binary Si–Al oxides films derived from sol–gel solutions, Optical Materials 30 (2007) 497 [75] L Schubert, P Werner, N D Zakharov, G Gerth, F M Kolb, L Long and U Gösele, Silicon nanowhiskers grown on Si substrates by molecular-beam epitaxy, Applied Physics Letters 84 (2004) 4968 [76] L.T Canham, Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers, Applied Physics Letters 57 (1990) 1046 [77] M Fujii, M Yoshida, S Hayashi and K Yamamoto, Photoluminescence from SiO2 films containing Si nanocrystals and Er: Effects of nanocrystalline size on the photoluminescence efficiency of Er3+, Journal of Applied Physics 84 (1998) 4525 [78] M Fujii, M Yoshida, Y Kanzawa S Hayashi and K Yamamoto, 1.54 µm photoluminescence of Er3+ doped into SiO2 films containing Si nanocrystals: Evidence for energy transfer from Si nanocrystals to Er3+, Applied Physics Letters 71 (1997) 1198 [79] M H Kim, I S Kim, Y H Park, T E Park, J H Shin, H J Choi, Platinum Assisted Vapor–Liquid–Solid Growth of Er–Si, Nanowires and Their Optical Properties, Nanoscale Research Letters (2010) 286 [80] M L Brongersma, A Polman, K S Min, E Boer, T Tambo and H A Atwater, Tuning the emission wavelength of Si nanocrystals in SiO2 by oxidation, Applied Physics Letters 72 (1998) 2577 [81] M L Brongersma, P G Kik, A Polman, K S Min, and H A Atwater, Sizedependent electron-hole exchange interaction in Si nanocrystals, Applied Physics Letters 76 (2000) 351 104 [82] M N Islam and S Kumar, Influence of crystallite size distribution on the microRaman analysis of porous Si, Applied Physics Letters 78 (2001) 715 [83] M Wojdak, H Jayatilleka, M Shah, A J Kenyon, F Gourbilleau and R Rizk, Modification of erbium photoluminescence decay rate due to ITO layers on thin films of SiO2:Er doped with Si-nanoclusters, Journal of Luminescence 136 (2013) 407 [84] M Xie, Z Yuan, B Qian and Lorenzo Pavesi, Silicon nanocrystals to enable silicon photonics, Chinese Optics Letters (2009) 319 [85] N Daldosso and L Pavesi, Nanosilicon photonics, Laser and Photonics Reviews (2009) 508 [86] N Daldosso, M Luppi, S Ossicini, E Degoli, R Magri, G Dalba, P Fornasini, R Grisenti, F Rocca, L Pavesi, S Boninelli, F Priolo, C Spinella, and F Iacona, Role of the interface region on the optoelectronic properties of silicon nanocrystals embedded in SiO2, Physical Review B 68 (2003) 085327 [87] N F Will, K Hofmann, M Schulz, Trap centers in Au-implanted MOS structures, Applied Physics A 41 (1986) 107 [88] N Wang, Y H Tang, Y F Zhang, C S Lee and S T Lee, Nucleation and growth of Si nanowires from silicon oxide, Physical Review B 58 (1998) R16024 [89] N Wang, Y H Tang, Y F Zhang, C S Lee, I Bello and S T Lee, Si nanowires grown from silicon oxide, Chemical Physics Letters 299 (1999) 237 [90] N Zakharov, P Werner, L Sokolov and U Gösele, Growth of Si whiskers by MBE: Mechanism and peculiarities, Physica E 37 (2007) 148 [91] O Savchyn, F R Ruhge, P G Kik, R M Todi, K R Coffey, H Nukala and H Heinrich, Luminescence-center-mediated excitation as the dominant Er sensitization mechanism in Er-doped silicon-rich SiO2 films, Physical Review B 76 (2007) 195419 [92] O Savchyn, K R Coffey and P G Kik, Determination of optimum Si excess concentration in Er-doped Si-rich SiO2 for optical amplification at 1.54 µm, Applied Physics Letters 97 (2010) 201107 [93] O Savchyn, P G Kik, R M Todi and K R Coffey, Effect of hydrogen passivation on luminescence-center-mediated Er excitation in Si-rich SiO2 with and without Si nanocrystals, Physical Review B 77 (2008) 205438 [94] O Savchyn, R M Todi, K R Coffey and P G Kik, Multilevel sensitization of Er3+ in low-temperature-annealed silicon-rich SiO2, Applied Physics Letters 93 (2008) 233120 [95] O Savchyn, R M Todi, K R Coffey and P G Kik, Observation of temperatureindependent internal Er3+ relaxation efficiency in Si-rich SiO2 films, Applied Physics Letters 94 (2009) 241115 105 [96] P Artoni, A Irrera, F Iacona, E F Pecora, G Franzò and F Priolo, Temperature dependence and aging effects on silicon nanowires photoluminescence, Optics Express 20 (2012) 1483 [97] P D J Calcott, K J Nash, L T Canham, M J Kane and D Brumhead, Identification of radiative transitions in highly porous silicon, Journal of Physics: Condensed Matter (1993) L91 [98] P D J Calcott, K J Nash, L T Canham, M J Kane, and D Brumhead, Spectroscopic identification of the luminescence mechanism of highly porous silicon, Journal of Luminescence 57 (1993) 257 [99] P G Kik and A Polman, Exciton–erbium interactions in Si nanocrystal-doped SiO2, Journal of Applied Physics 88 (2000) 1992 [100] P G Kik, M L Brongersma, and A Polman, Strong exciton-erbium coupling in Si nanocrystal-doped SiO2, Applied Physics Letters 76 (2000) 2325 [101] P H Duong, P T Huy, N T T Ngan, C A Tuan, and T Itoh, White photoluminescence from Si/SiO2 nanostructured film, Physica Status Solidi (b) 245 (2008) 2708 [102] P M Fauchet, The integration of nanoscale porous silicon light emitters: materials science, properties, and integration with electronic circuitry, Journal of Luminescence 80 (1998) 53 [103] P H Khoi, N T T Tam, P H Duong and N X Nghia, Investigation of Vibrational and Photoluminescence Spectra of Nanocrystalline Silicon by Micro-Raman Spectroscopy Using Various Laser Powers, Journal of Raman Spectroscopy 30 (1999) 385 [104] P Pellegrino, B Garrido, Y Lebour, J.A Moreno, C Garcia, J R Morante, P Bettotti, L Pavesi and M Prassas, Luminescent properties of Er and Si co-implanted silicates, Optical Materials 27 (2005) 910 [105] P T Nga, C Barthou, P Benalloul, P N Thang, L N Chung, P V Hoi, L.V Luat, P T Cuong, Effects of yttrium codoping on fluorescence lifetimes of Er3+ ions in SiO2–Al2O3 sol–gel glasses, Journal of Non-Crystalline Solids 352 (2006) 2385 [106] P T Huy and P H Duong, Intense photoluminescence and photoluminescence enhancement of silicon nanocrystals by ultraviolet irradiation, Advanced Materials Research 31 (2007) 74 [107] P T Huy, V V Thu, N D Chien, C A J Ammerlaan, J Weber, Structural and optical properties of Si-nanoclusters embedded in silicon dioxide, Physica B 376–377 (2006) 868 [108] R S Wagner and W C Ellis, Vapor Liquid Solid mechanism of single crystal growth, Applied Physics Letters (1964) 89 106 [109] R Ghosh, P K Giri, K Imakita, M Fujii, Origin of visible and near-infrared photoluminescence from chemically etched Si nanowires decorated with arbitrarily shaped Si nanocrystals, Nanotechnology 25 (2014) 045703 [110] R Juhasz, N Elfström and J Linnros, Controlled Fabrication of Silicon Nanowires by Electron Beam Lithography and Electrochemical Size Reduction, Nano Letters (2005) 275 [111] R P Wang, G W Zhou, Y L Liu, S H Pan, H Z Zhang, D P Yu, and Z Zhang, Raman spectral study of silicon nanowires: High-order scattering and phonon confinement effects, Physical Review B 61 (2000) 16827 [112] S Botti, R Gardi, R Larciprete, A Goldoni, L Gregoratti, B Kaulich, M Kiskinova (2003), Silicon nanowires grown on Si (100) substrates via thermal reactions with carbon nanoparticles, Chemical Physics Letters 371 (2003) 394 [113] S Cueff, C Labbé, B Dierre, F Fabbri, T Sekiguchi, X Portier and R Rizk, Investigation of emitting centers in SiO2 codoped with silicon nanoclusters and Er3+ ions by cathodoluminescence technique, Journal of Applied Physics 108 (2010) 113504 [114] S Piscanec, M Cantoro, A C Ferrari, J A Zapien, Y Lifshitz, S T Lee, S Hofmann and J Robertson, Raman spectroscopy of silicon nanowires, Physical Review B 68 (2003) 241312 (R) [115] S T Lee, N Wang, C S Lee, Semiconductor nanowires: Synthesis, structure and properties, Materials Science and Engineering A 286 (2000) 16 [116] S T Lee, Y F Zhang, N Wang, Y H Tang, I Bello and C S Lee, Semiconductor nanowires from oxides, Journal of Materials Research 14 (1999) 4503 [117] T I Kamins, R S Williams, T Hesjedal and J S Harris, Chemically vapor deposited Si nanowires nucleated by self-assembled Ti islands on patterned and unpatterned Si substrates, Physica E 13 (2002) 995 [118] T K Anh, L Q Minh, N Vu, T T Huong, N T Huong, C Barthou, W Strek, Nanomaterials containing rare-earth ions Tb, Eu, Er and Yb: preparation, optical properties and application potential, Journal of Luminescence 102–103 (2003) 391 [119] T Suemoto, K Tanaka and A Nakajima, Interpretation of the temperature dependence of the luminescence intensity, lifetime, and decay profiles in porous Si, Physical Review B 49 (1994) 11005 [120] T T Nguyen, A X Vuong, L D Mai, T H Nguyen, T Nguyen, C D Nguyen and L H Nguyen, Growth of silicon nanowires by sputtering and evaporation methods, Physica Status Solidi (a) 210 (2013) 1429 [121] T Trindade, P O’Brien and N L Pickett, Nanocrystalline Semiconductors: Synthesis, Properties, and Perspectives, Chemistry of Materials 13 (2001) 3843 107 [122] T Wang, B Yu, Y Liu, Q Guo, K Sheng and M J Deen, Fabrication of vertically stacked single-crystalline Si nanowires using self-limiting oxidation, Nanotechnology 23 (2012) 015307 [123] V A Sivakov, F Voigt, A Berger, G Bauer, and S H Christiansen, Roughness of silicon nanowire sidewalls and room temperature photoluminescence, Physical Review B 82 (2010)125446 [124] V B Pham, X T T Pham, N T D Dang, T T T Le, P D Tran, T C Nguyen, V Q Nguyen, M C Dang, C J M Rijn and D H Tong, Detection of DNA of genetically modified maize by a silicon nanowire field-effect transistor, Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology (2011) 025010 [125] V Schmidt, J V Wittemann and U Gösele, Growth, Thermodynamics, and Electrical Properties of Silicon Nanowires, Chemical Reviews 110 (2010) 361 [126] V Vinciguerra, G Franzò, F Priolo, F Iacona, and C Spinella, Quantum confinement and recombination dynamics in silicon nanocrystals embedded in Si/SiO2 superlattices, Journal of Applied Physics 87 (2000) 8165 [127] W D A M de Boer, D Timmerman, K Dohnalová, I N Yassievich, H Zhang, W J Buma and T Gregorkiewicz, Red spectral shift and enhanced quantum efficiency in phonon-free photoluminescence from silicon nanocrystals, Nature Nanotechnology (2010) 878 [128] W S Shi, H Y Peng, Y F Zheng, N Wang, N G Shang, Z W Pan, C S Lee and S T Lee, Synthesis of Large Areas of Highly Oriented, Very Long Silicon Nanowires, Advanced Materials 12 (2000) 1343 [129] X Lu, T Hanrath, K P Johnston, and B A Korgel, Growth of Single Crystal Silicon Nanowires in Supercritical Solution from Tethered Gold Particles on a Silicon Substrate, Nano Letters (2003) 93 [130] Y Cui, L J Lauhon, M S Gudiksen, J F Wang and C M Lieber, Diametercontrolled synthesis of single-crystal silicon nanowires, Applied Physics Letters 78 (2001) 2214 [131] Y F Zhang, Y H Tang, N Wang, C S Lee, I Bello and S T Lee, Onedimensional growth mechanism of crystalline silicon, Journal of Crystal Growth 197 (1999) 136 [132] Y H Tang, Y F Zhang, N Wang, W S Shi, C S Lee, I Bello and S T Lee, Si nanowires synthesized from silicon monoxide by laser ablation, Journal of Vacuum Science and Technology B 19 (2001) 317 [133] Y Kanemitsu, T Ogawa, K Shiraishi, and K Takeda, Visible photoluminescence from oxidized Si nanometer-sized spheres: Exciton confinement on a spherical shell, Physical Review B 48 (1993) 4883 108 [134] Y Ke, X Weng, J M Redwing, C M Eichfeld, T R Swisher, S E Mohney and Y M Habib, Fabrication and Electrical Properties of Si Nanowires Synthesized by Al Catalyzed Vapor−Liquid−Solid Growth, Nano Letters (2009) 4494 [135] Y Ma, X Guo, X Wu, L Dai and L Tong, Semiconductor nanowire lasers, Advances in Optics and Photonics (2013) 216 [136] Y Shi, Q Hu, H Araki, H Suzuki, H Gao, W Yang, T Noda, Long Si nanowires with millimeter-scale length by modified thermal evaporation from Si powder, Applied Physics A 80 (2005) 1733 [137] Y Wang , K K Lew, T T Ho, L Pan, S W Novak, E C Dickey, J M Redwing and T S Mayer, Use of phosphine as an n-type dopant source for vapor-liquid-solid growth of silicon nanowires, Nano Letters (2005) 2139 [138] Y Zheng, C Rivas, R Lake, K Alam, T B Boykin, G Klimeck, Electronic Properties of Silicon Nanowires, IEEE Transactions on Electron Devices 52 (2005) 1097 [139] Z W Pan, Z R Dai, L Xu, S T Lee, and Z L Wang, Temperature-Controlled Growth of Silicon-Based Nanostructures by Thermal Evaporation of SiO Powders, The Journal of Physical Chemistry B 105 (2001) 2507 [140] Z Zhong, C Yang, C M Lieber, Nanosilicon, Ed: Vijay Kumar, Chapter five: Silicon Nanowires and Nanowire Heterostructures, Elsevier Press (2008) 109 DANH MỤC CÁC CƠNG TRÌNH Đà CƠNG BỐ CỦA LUẬN ÁN I Tạp chí quốc tế Van Tuan Pham, Van Ngoc Le, Anh Tuan Chu, Toan Thang Pham, Ngoc Khiem Tran, Hong Duong Pham and Thanh Huy Pham, Silicon nanowires prepared by thermal evaporation and their photoluminescence properties measured at low temperatures, Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology (2011) 015016 (5pp) Cited = times Pham Van Tuan, Chu Anh Tuan, Tran Thanh Thuy, Vu Binh Nam, Pham Toan Thang, Pham Hong Duong, Pham Thanh Huy, Layered structure in core-shell silicon nanowires, Journal of Luminescence 154 (2014) 46-50 IF = 2.38 II Hội nghị chuyên ngành Pham Van Tuan, Tran Ngoc Khiem, Pham Thanh Huy, Using the silicon monoxide powder to prepare the silicon nanowires and their photoluminescence properties, Proceedings of The 6th Vietnam-Korea International Joint Symposium on Advanced Materials and Their Processing (2011), Hanoi, Vietnam, pp 50-52 Pham Van Tuan, Tran Ngoc Khiem, and Pham Thanh Huy, Synthesis and photoluminescence spectra of silicon nanowires prepared by thermal evaporation with different evaporating source materials, Proceedings of IWNA (2011), Vung Tau, Vietnam, pp 534-537 Pham Van Tuan, Tran Ngoc Khiem, Pham Thanh Huy, Fabrication and photoluminescence of silicon nanowires doped with erbium by thermal diffusion and co-evaporation routes, Proceedings of The 2nd International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology (2014), Hanoi, Vietnam, pp 325-330 110 ... huỳnh quang dây nano Si chế tạo phương pháp CHƯƠNG 4: CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHẤT CỦA DÂY NANO Si: Er3+ VÀ MÀNG NANOCOMPOSITE SiO2: NANO Si: Er3+ Trình bày quy trình chế tạo dây nano Si: Er3+ phương... Er3+ vào dây nano Si khảo sát tính chất huỳnh quang dây nano Si: Er3+  Nghiên cứu chế tạo màng nanocomposite SiO2: nano Si: Er3+ phát quang mạnh bước sóng ~ 1530 nm chế truyền lượng mạng SiO2, nano. .. liệu nano Si vật liệu nano Si: Er3+, tình hình nghiên cứu tính chất huỳnh quang dây nano Si vật liệu nano Si: Er3+ CHƯƠNG 2: CÁC PHƯƠNG PHÁP THỰC NGHIỆM Trình bày phương pháp chế tạo dây nano Si, chế