Nghiên cứu thiết kế mạch khuếch đại công suất RF trong RRU 4g

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI - VŨ MINH THẮNG NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT RF TRONG RRU 4G LUẬN VĂN THẠC SĨ KỸ THUẬT KỸ THUẬT VIỄN THÔNG Hà Nội – Năm 2019 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI - VŨ MINH THẮNG NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT RF TRONG RRU 4G Chuyên ngành: KỸ THUẬT VIỄN THÔNG LUẬN VĂN THẠC SĨ KỸ THUẬT KỸ THUẬT VIỄN THÔNG NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: TS PHAN XUÂN VŨ Hà Nội – Năm 2019 LUẬN VĂN THẠC SĨ LỜI CAM ĐOAN Tơi xin cam đoan tồn nội dung luận văn kết tìm kiếm nghiên cứu dƣới hỗ trợ bảo ngƣời hƣớng dẫn Các kết liệu luận văn hoàn toàn trung thực rõ ràng Mọi thơng tin trích dẫn đƣợc liệt kê đầy đủ tài liệu tham khảo Tơi xin hồn tồn chịu trách nhiệm với nội dung đƣợc trình bày luận văn Hà Nội, ngày 26 tháng 03 năm 2019 Tác giả Vũ Minh Thắng VŨ MINH THẮNG Page LUẬN VĂN THẠC SĨ LỜI NÓI ĐẦU Luận văn tốt nghiệp kết trình học tập nghiên cứu viện Điện Tử - Viễn Thông, viện Đào tạo Sau Đại Học, trƣờng đại học Bách Khoa Hà Nội Luận văn nghiên cứu thiết kế module khối RRU hệ thống 4G LTE Module đƣợc nghiên cứu luận văn mạch khuếch đại công suất, khối nằm dao động Mixer Antena Mục đích module khuếch đại cơng suất tín hiệu theo u cầu thiết kế, đáp ứng tín hiệu tới đầu vào antena Với thời gian không nhiều để thực luận văn này, tơi gặp nhiều khó khăn việc làm quen kiến thức, phần mềm thiết kế, nhiên với giúp đỡ tận tình thầy bạn phịng nghiên cứu, tơi hồn thành luận văn Tác giả xin chân thành gửi lời cảm ơn đến T.S Phan Xuân Vũ tận tình giúp đỡ tơi q trình thực luận văn Tôi gửi lời cảm ơn đến anh bạn phòng nghiên cứu chia sẻ kinh nghiệm, kiến thức cho Cuối cùng, xin gửi lời cảm ơn đến gia đình mình, ngƣời ln bên cạnh động viên, khuyến khích để tơi hồn thành luận văn VŨ MINH THẮNG Page LUẬN VĂN THẠC SĨ TÓM TẮT ĐỀ TÀI Hƣớng nghiên cứu luận văn thiết kế khuếch đại công suất sử dụng cấu trúc Doherty cho hệ thống 4G tần số 2.3 GHz Mục tiêu luận văn thiết kế khuếch đại đơn khuếch đại theo cấu trúc Doherty, sử dụng phần mềm thiết kế ADS Agilent để mô điểm tối ƣu mạch khuếch đại Doherty Tiến hành thiết kế mạch khuếch đại Doherty thỏa mãn yêu cầu thiết kế Sau layout mạch, ghép nối linh kiện tụ điện, cuộn cảm, điện trở transistor tƣơng ứng Kết đạt đƣợc từ mô với mạch khuếch đại đơn hệ số khuếch đại 20 dB tần số 2.3 GHz, tổn hao đầu vào đầu lần lƣợt -23 dB -28 dB, điểm chịu nén P@1dB công suất 45 dBm Trong đó, với mạch khuếch đại Doherty, đạt đƣợc hệ số khuếch đại 16.7 dB tần số 2.3 GHz, tổn hao đầu vào, đầu -22 dB -29dB, điểm chịu nén P@1dB công suất đầu lên tới 51 dBm ABSTRACT The thesis designes a power amplifier (PA) using Doherty structure for 4G LTE system operate at the frequency 2.3 GHz The thesis’s goal designs a single power amplifier and a power amplifier using Doherty structure Then, using ADS Agilent software to simulate and indicates the other advantage of Doherty Designing Doherty power amplifier according to requirments, then make layout, connect capacitors, inductors, resistors and transistors The achieved results from the simulation is indicated below With the single power amplifier, gain is 20 dB at frequency 2.3 GHz, the input return loss and output return loss are -23 dB and -28 dB respectively, P@1dB is 45 dBm Meannwhile, with Doherty power amplifier, gain is 16.7 dB, the input loss and output loss are -22 dB and -29 dB but P@1dB upto 51 dBm VŨ MINH THẮNG Page LUẬN VĂN THẠC SĨ MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN LỜI NÓI ĐẦU TÓM TẮT ĐỀ TÀI ABSTRACT MỤC LỤC DANH SÁCH HÌNH VẼ DANH SÁCH CÁC BẢNG BIỂU 10 DANH SÁCH CÁC TỪ VIẾT TẮT 11 PHẦN MỞ ĐẦU 12 CHƢƠNG - Tổng quan hệ thống RRU 4G 14 1.1 Tổng quan hệ thống di động 4G LTE 14 1.1.1 Các đặc tính 4G LTE 14 1.1.2 Kiến trúc mạng 4G 15 1.2 Tổng quan khối RRU hệ thống 4G LTE 17 1.2.1 Cấu trúc trạm phát BTS eNodeB 18 1.2.2 Các thành phần khối RRU 21 1.3 Phạm vi nghiên cứu đề tài 22 1.4 Kết luận chƣơng 23 CHƢƠNG - L thuyết khuếch đại công suất 24 2.1 Giới thiệu khuếch đại công suất tần số vô tuyến 24 2.2 Phân loại khuếch đại công suất 26 2.2.1 Khuếch đại công suất lớp A 27 2.2.2 Khuếch đại công suất lớp AB, B 28 2.2.3 Khuếch đại công suất lớp C 29 2.2.4 Khuếch đại công suất lớp D 30 2.3 Các tham số khuếch đại công suất 31 2.3.1 Hiệu suất hoạt động 31 VŨ MINH THẮNG Page LUẬN VĂN THẠC SĨ 2.3.2 Ma trận tán xạ 31 2.3.3 Hệ số khuếch đại 34 2.3.4 Hệ số ổn định khuếch đại 34 2.3.5 Dải động khuếch đại công suất 37 2.3.6 Phân cực cho transistor 37 2.3.7 Đ thị Smith 39 2.3.8 Phối hợp trở kháng 41 2.3.9 Tuyến tính 42 2.3.10 Nhiễu 45 2.3.11 Đƣờng truyền vi dải 45 2.4 Một số công nghệ transistor sử dụng cho khuếch đại công suất 48 2.4.1 CMOS Technology 48 2.4.2 LDMOS Lateral double – diffused metal oxide semiconductor 48 2.4.3 HEMT High Electronic Mobility Transistor 49 2.5 Khuếch đại Doherty 50 2.5.1 Cấu trúc khuếch đại Doherty 50 2.5.2 Nguyên l hoạt động Doherty 52 2.5.3 Các chế độ hoạt động Doherty 53 2.5.3.1 Chế độ hoạt động mức công suất thấp 53 2.5.3.2 Chế độ hoạt động mức công suất trung 54 2.5.3.3 Chế độ hoạt động mức công suất đỉnh 56 2.5.4 2.6 Ƣu điểm nhƣợc điểm khuếch đại Doherty 57 Kết luận chƣơng 57 CHƢƠNG - Phân Tích Thiết kế 58 3.1 Yêu cầu kỹ thuật khuếch đại công suất 58 3.2 Kiến trúc thiết kế 58 3.3 Chọn linh kiện transistor cho khuếch đại công suất 60 3.4 Thiết kế khuếch đại đơn 60 3.4.1 Phân tích DC 60 VŨ MINH THẮNG Page LUẬN VĂN THẠC SĨ 3.4.2 Tính tốn hệ số ổn định thiết bị 62 3.4.3 Phối hợp trở kháng 63 3.4.3.1 Phối hợp trở kháng đầu vào 64 3.4.3.2 Phối hợp trở kháng đầu 69 3.4.4 Kết mô 71 3.4.5 Mô Hamonic Balance 75 3.5 Thiết kế khuếch đại Doherty 77 3.5.1 Bộ chia công suất đầu vào 77 3.5.1.1 Lý thuyết chia Hybrid 77 3.5.1.2 Thiết kế chia Hybrid 3dB 79 3.5.2 Mô khuếch đại Doherty 81 3.5.3 Kết mô Harmonic Balance 84 3.6 Layout khuếch đại 87 3.7 Kết luận chƣơng 88 KẾT LUẬN 89 TÀI LIỆU THAM KHẢO 90 BẢNG ĐỐI CHIẾU THUẬT NGỮ VIỆT ANH 91 PHỤ LỤC 92 VŨ MINH THẮNG Page LUẬN VĂN THẠC SĨ DANH SÁCH HÌNH VẼ Hình 15 18 18 19 20 21 c u trúc c a kh i RRU 22 24 25 25 Hình 2.4: C 27 Hình 2.5: 28 Hình 2.6: 29 30 Hình 2.8: M ng hai cổng 32 37 38 Hình – Base 39 39 Hình 2.13: M ã ợc ph i hợp trở kháng 41 ợ 42 Hình 2.15: Minh họ I dBm) 43 Hình 2.16: Ả ởng c a hài h th ng phi n 43 Hình 2.17: Ả ởng c a hài lên tín hi u 44 46 ợ ọ 46 46 48 49 Hình 50 50 Hình 2.25: C u trúc khu i Doherty 51 52 53 VŨ MINH THẮNG Page LUẬN VĂN THẠC SĨ Hình 2.28: Ho ng c a DPA t i ch công su t th p 54 55 56 Hình 3.1: C u trúc khu 59 Hình 3.2: C u trúc khu i Doherty 59 mô DC 60 Hình 3.4: S ph thu c c a IDS theo VDS VGS 61 Hình 3.5: IDS bi n thiên theo VGS 62 Hình 3.6: Kh i ph i hợp trở m ch khu i 64 m ch ki ổ nh c a transistor 65 Hình 3.8: K t qu mô h s K 65 Hình 3.9: K t qu mơ h s 66 í c Pad c c G 67 mô Pad c c G 67 Hình 3.12: H s S11 có pad G 68 Hình 3.13: Ph i hợp trở ù th Smith 68 Hình 3.14: M ch ph i hợp trở u vào cho b khu 69 í c Pad c c D 69 mô pad D 70 Hình 3.17: H s S22 có pad D 70 Hình 3.18: Ph i hợp trở ù th Smith 71 Hình 3.19: M ch ph i hợp trở u cho b khu 71 hoàn ch nh b khu ch 72 Hình 3.21: K t qu mô h s S21 72 Hình 3.22: K t qu mô h s S11 73 Hình 3.23: K t qu mô h s S22 73 Hình 3.24: Giá tr trở kháng vào trở ê th Smith 74 Hình 3.25: H s ổ nh K c a b khu 74 Hình 3.26: Hài c a b khu 75 th công su t theo công su t vào c a khu 76 Hình 3.28: Tín hi u vào tín hi u theo th i gian c a khu 76 m ch u nén P-1dB c a m ch khu 77 Hình 3.30: Hi u su t c a b khu W 77 Hình 3.31: B é ng 78 Hình 3.32: B ghép Lange 78 Hình 3.33: B ghép hybrid 3dB 78 b ghép Hybrid 3dB 80 VŨ MINH THẮNG Page LUẬN VĂN THẠC SĨ Hình 3.31: B é ng Hình 3.32: B ghép Lange Tuy nhiên, hai cấu trúc đƣợc sử dụng có yêu cầu hệ số ghép 3dB gh p chia đơi cơng suất tín hiệu vào 1) thực tế khó thực Mạch gh p định hƣớng 90 (quadrature hybrid) mạch gh p định hƣớng 3dB có cửa cửa vào (input), tín hiệu cửa cửa xuyên (through) cửa cửa ghép (coupled) luôn biên độ vng pha Khơng có tín hiệu cửa cửa cách ly (isolated) Cấu trúc mạch gh p thƣờng đƣợc vẽ hình 3.33 Hình 3.33: B ghép hybrid 3dB VŨ MINH THẮNG Page 78 LUẬN VĂN THẠC SĨ Ƣu điểm nhƣợc điểm mạch Hybrid 3dB đƣợc thể nhƣ dƣới Ư ểm:  Thực việc chia đôi công suất vào cửa tốt  Có khối lƣợng bề dày mỏng  Dễ dàng sản xuất hàng loạt ợ ểm:  Kích thƣớc cịn lớn tần số cao, khó tích hợp với thiết bị yêu cầu kích thƣớc nhỏ gọn  Tính chịu nhiệt khơng cao 3.5.1.2 Thi t k b chia Hybrid 3dB Ta sử dụng ghép hybrid 3dB để chia công suất cho hai khuếch đại đơn, hai đầu ghép lệch pha 90 , ta khơng cần đến đƣờng truyền vi dải đại đầu vào khuếch đại phụ để bù pha Sử dụng phần mềm ADS, thơng số chia đƣợc tính tốn nhƣ dƣới đây: Tại tần số 2.3 GHz, nhánh 50 , dài Nhánh √ , dài ( ( ) có kích thƣớc: ) có kích thƣớc: Dựa vào tính tốn lý thuyết ghép hybrid 3dB, sử dụng thành phần định hƣớng ADS, ta thiết lập đƣợc gh p hybrid 3dB nhƣ hình 3.34 VŨ MINH THẮNG Page 79 LUẬN VĂN THẠC SĨ Hình 3.34: Hình 3.35: H s truy b ghép Hybrid 3dB t S21 S31 c a b ghép Hybrid 3dB Kết mô hình 3.35 cho thấy S21 = -3.4dB, S31 = -3.3dB cho thấy tín hiệu cổng cổng xấp xỉ nửa tín hiệu vào cổng Hình 3.36 biểu diễn pha cổng cổng có pha lần lƣợt 159.277 70.278 Hai tín hiệu lệch pha 89 VŨ MINH THẮNG Page 80 LUẬN VĂN THẠC SĨ Hình 3.36: Pha c a tín hi u t i cổng cổng c a b ghép hybrid 3dB 3.5.2 Mô khu i Doherty Nhƣ kết phân tích phần trƣớc, khuếch đại phân cực lớp AB, khuếch đại phụ phân cực lớp C bảng 3.5 dƣới biểu diễn phân cực điện áp cực G cho khuếch đại khuếch đại phụ B ng 3.6: n áp phân c c c c G c a khu Khuếch đại VGS = 2.7 V Khuếch đại phụ VGS < 2.2 V i Doherty Ghép nối khuếch đại đơn với gh p Hybrid 3dB, ta đƣợc sơ đ mạch Doherty hoàn thiện Nhớ sau khuếch đại chính, ta phải sử dụng đƣờng truyền vi dải chiều dài để bù pha Sơ đ mạch Doherty cuối c ng đƣợc thể hình 3.37 VŨ MINH THẮNG Page 81 LUẬN VĂN THẠC SĨ Hình 3.37: m ch khu Hình 3.38: Tham s S21 c a b khu VŨ MINH THẮNG i Doherty i Doherty Page 82 LUẬN VĂN THẠC SĨ Hình 3.39: Tham s S11 c a b khu i Doherty Hình 3.40: Tham s S22 c a b khu i Doherty Hình 3.41: H s ổ VŨ MINH THẮNG nh K c a b khu i Doherty Page 83 LUẬN VĂN THẠC SĨ Hình 3.42: Tham s c a b khu i Doherty Từ kết theo hình 3.38, 3.39 3.40, ta nhận thấy tham số S21 đạt 16.7dB tần số 2.3 GHz, với băng thông 50 MHz, hệ số khuếch đại S21 lớn 15 dB, thỏa mãn yêu cầu thiết kế Trong tham số S11 S22 tần số 2.3 GHz đạt đƣợc giá trị lần lƣợt -23 dB -29 dB, thỏa mãn yêu cầu đặt nhỏ -20dB Hệ số ổn định khuếch đại Doherty cho thấy K = 1.48 lớn hệ số nhỏ dải tần hoạt động Theo lý thuyết, K > < khuếch đại hoạt động ổn định vơ điều kiện Vì mạch Doherty thiết kế thỏa mãn điều kiện ổn định vô điều kiện Ta tiến hành mơ Hamonic Balance để tìm điểm chịu n n nhƣ kiểm chứng hiệu suất mạch Doherty 3.5.3 K t qu mô Harmonic Balance Tƣơng tự nhƣ mô HB với khuếch đại đơn, ta tiến hành mô HB với mạch Doherty Hình 3.43 kết đạt đƣợc khơng có nhiều khác biệt so với mạch khuếch đại đơn, trƣờng hợp dùng lọc để lấy tín hiệu hài bậc nhƣ trƣờng hợp khuếch đại đơn Tuy nhiên ta để ý kết hình 3.44, công suất phụ thuộc vào công suất vào với khuếch đại Doherty có khác biệt với khuếch đại đơn điểm chịu nén dB Doherty đạt gần 51 dBm, mạch khuếch đại đơn số 45 dBm Nhƣ vậy, theo lý thuyết cơng suất vào tăng lên hiệu suất mạch VŨ MINH THẮNG Page 84 LUẬN VĂN THẠC SĨ Doherty tốt khuếch đại đơn Cụ thể ta tiến hành mô để kiểm chứng điều Hình 3.43: Hài cho b khu i Doherty Hình 3.44: Cơng su t ph thu c vào cơng su t vào c a khu Hình 3.45: VŨ MINH THẮNG m ch u nén P-1dB c a m ch khu i Doherty i Doherty Page 85 LUẬN VĂN THẠC SĨ Hình 3.46: Hi u su t c a b khu i Doherty theo Pout (W) Hình 3.47: Tín hi u vào tín hi u theo th i gian c a khu i Doherty Kết mô hình 3.45 hình 3.46, khuếch đại Doherty có điểm chịu nén 1dB công suất đầu 51 dBm, tƣơng ứng với công suất VŨ MINH THẮNG Page 86 LUẬN VĂN THẠC SĨ vào 35 dBm Hiệu suất khuếch đại Doherty đạt 50% với công suất 40W, thỏa mãn yêu cầu thiết kế 3.6 Layout b khu i Phần mềm ADS Agilent có hỗ trợ tính layout mạch, sử dụng phần mềm để đƣa layout cho mạch khuếch đại đơn mạch khuếch đại Doherty nhƣ hình 3.48 3.49 dƣới Hình 3.48: Hình 3.49 VŨ MINH THẮNG layout m ch khu layout m ch khu i Doherty Page 87 LUẬN VĂN THẠC SĨ 3.7 K t luậ Chƣơng 3, phân tích khuếch đại đơn khuếch đại Doherty tần số f = 2.3 GHz Bộ khuếch đại đơn thiết kế với hệ số khuếch đại 20dB, công suất đầu điểm chịu nén 1dB 45 dBm, hiệu suất đạt đƣợc 45% Khuếch đại Doherty sử dụng điều chế tải thích nghi với công suất đầu vào để tăng hiệu suất hoạt động mạch Do đó, độ tuyến tính mạch cao khuếch đại đơn nhƣng có hệ số khuếch đại nhỏ khuếch đại đơn khuếch đại phụ hoạt động chế độ C nhƣng b lại hiệu suất mạch cải thiện cách đáng kể so với khuếch đại đơn Tại giá trị điểm chịu nén 1dB, công suất đạt đƣợc 51 dBm, hiệu suất mạch đạt đƣợc 85%, công suất 40W, hiệu suất mạch đạt 50 , nhƣng cơng suất 20W, 30W hiệu suất mạch đạt 40% Kết so sánh khuếch đại đơn khuếch đại Doherty đƣợc cho bảng sau: B ng 3.7: Tóm tắt thơng s c a m ch khu i Doherty Tham số Khuếch đại đơn Khuếch đại Doherty Tần số hoạt động 2.3 GHz 2.3 GHz Ngu n cung cấp 28 V 28 V Hệ số khuếch đại (dB) 20 dB ~ 16 dB Pout @ 1dB 45 dBm 51 dBm Hiệu suất hoạt động @ 1dB ~45 % ~85 % Cuối layout mạch khuếch đại đơn khuếch đại Doherty VŨ MINH THẮNG Page 88 LUẬN VĂN THẠC SĨ KẾT LUẬN Sau trình nghiên cứu tìm hiểu lý thuyết thiết kế mạch khuếch đại công suất, luận văn lựa chọn đƣợc cấu trúc nhƣ tính tốn thiết kế thành công khuếch đại công suất Doherty thỏa mãn tham số kỹ thuật yêu cầu Bộ khuếch đại đƣợc mô phần mềm chuyên dụng ADS Agilent Sau q trình mơ phỏng, tham số khuếch đại Doherty thỏa mãn yêu cầu thiết kế với hệ số khuếch đại lớn 15 dB, tổn hao đầu vào đầu nhỏ -20 dB, công suất điểm chịu nén dB đạt đƣợc 51 dBm với hiệu suất 85% Thông qua luận văn, thấy nhiều lợi điểm khuếch đại Doherty so với khuếch đại đơn nên cần khai thác triệt để vấn đề tùy vào yêu cầu thiết kế Bƣớc sau luận văn này, phải tiến hành chế tạo thử nghiệm mạch thực tế kiểm tra phịng thí nghiệm Trong thiết kế mạch cao tần, để chế tạo đƣợc mạch thực tế giống với kết mơ khó nhiều nguyên nhân nhƣ chất liệu làm mạch, kỹ thuật hàn mạch, suy hao mối hàn … Trong tƣơng lai luận văn khắc phục vấn đề chế tạo mạch thực tế để tối ƣu kết thực tế gần với kết mô VŨ MINH THẮNG Page 89 LUẬN VĂN THẠC SĨ TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] RF power amplifiers [2]https://www.nxp.com/webapp/sps/download/license.jsp?colCode=MRF8S23120H_ MDL_ADS [3 Steve C Cripps, RF power amplifiers for wireless communications , Second Edition, Artech House [4] Phạm Minh Việt, Kỹ thuật siêu cao t n, NXB Khoa học kỹ thuật [5] M Iwamoto, A Williams, Pin-Fin Chen, A.G Metzger, L E Larson, Peter M Asbeck, An Extended Doherty Amplifier With High Efficiency Over a Wide Power Range , IEEE transaction on microwave theory and techniques, vol 49, no 12, December 2001 [6] B Razavi, "RF Microelectronics": Prentice Hall PTR, chap.2, 2006 [7] RF Electronics Chapter 9: Impedance matching of power amplifier , C.J.Kikkert, AWR Corp [8] Nuttapong Srirattana, Arvind Raghavan, Deukhyoun Heo, Phillip E Allen, and Joy Laskar, Analysis and Design of a High-Efficiency Multistage Doherty Power Amplifier for Wireless Communications , IEEE transaction on microwave theory and techniques [9] Data sheet MRF8S23120 [10] Document number: MRF8S23120H, Rev 0, 11/2010, Freescale Semiconductor and Technical Data VŨ MINH THẮNG Page 90 LUẬN VĂN THẠC SĨ BẢNG ĐỐI CHIẾU THUẬT NGỮ VIỆT ANH Bộ khuếch đại công suất Power Amplifier Đƣờng truyền vi dải Transmission Line Hệ số khuếch đại Gain Các tham số S S – Parameter Mô hài tín hiệu Harmonic Balance Điểm chịu nén dB 1-dB Compression Point Điểm chắn bậc Third Order Interception Phối hợp trở kháng Impedance Matching VŨ MINH THẮNG Page 91 LUẬN VĂN THẠC SĨ PHỤ LỤC LINH KIỆN MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT Loại linh Tên linh kiện Giá trị Số lƣợng Ghi NXP kiện Transistor LDMOS MRF8S23120 Tụ điện GJM0225C1C1R6WB01 1.6pF 3.3pF GJM0225C1C4R0WB01 4.0pF GJM0225C1C3R0WB01 3.0 pF GJM0225C1C8R2WB01 8.2pF GRM188R61A335KE15 3.3 uF GRM32EC80E337ME05 330 nF GJ831CR61E106KE83 10 uF GJM0225C1C1R5WB01 1.5 pF 470 uF Ohm Điện trở dán 50 Ohm Điện trở dán Điện trở VŨ MINH THẮNG Murata Page 92 ... loại khuếch đại công suất 26 2.2.1 Khuếch đại công suất lớp A 27 2.2.2 Khuếch đại công suất lớp AB, B 28 2.2.3 Khuếch đại công suất lớp C 29 2.2.4 Khuếch đại công. .. tự thành tín hiệu số Trong phạm vi nghiên cứu, luận văn tập trung nghiên cứu thiết kế khuếch đại công suất PA khối RRU Các thông số nhƣ yêu cầu thiết kế khuếch đại công suất sử dụng LTE đƣợc... Khi công suất đầu vào Pi tăng, công suất đầu đạt trạng thái bão hòa, gây nén khuếch đại công suất Tại điểm mà hệ số khuếch đại công suất khuếch đại phi tuyến lệch so với khuếch đại cơng suất