1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Mô phỏng quá trình tạo màng sic phẳng hai chiều từ trạng thái lỏng

66 28 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 66
Dung lượng 4,8 MB

Nội dung

Ngày đăng: 27/01/2021, 08:50

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
[2] A.K. Geim, K.S. Novoselov, The rise of graphene, Nature Materials 6, 183 – 191 (2007) Sách, tạp chí
Tiêu đề: The rise of graphene
[5] K.S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S.Y. Lee, J.M. Kim, K.S. Kim, J.H. Ahn, P. Kim, J.Y. Choi, B.H. Hong, Large-scale pattern growth of graphene films for stretchable transparent electrodes, Nature 457, 706 (2009) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Large-scale pattern growth of graphene films for stretchable transparent electrodes
[6] M. Deng, X. Yang, M. Silke, W. Qiu, M. Xu, G. Borghs, H. Chen, Electrochemical deposition of polypyrrole/graphene oxide composite on microelectrodes towards tuning the electrochemical properties of neural probes, Sensors and Actuators B: Chemical 158, 176–184 (2011) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Electrochemical deposition of polypyrrole/graphene oxide composite on microelectrodes towards tuning the electrochemical properties of neural probes
Vizzini, B. Aufray, H. Oughaddou, A review on silicene — New candidate for electronics, Surf. Sci. Rep. 67, 1–18 (2012) Sách, tạp chí
Tiêu đề: A review on silicene — New candidate for electronics
Năm: 2012
[8] M. Xu, T. Liang, M. Shi, H. Chen, Graphene-Like Two-Dimensional Materials, Chem. Rev. 113, 3766–3798 (2013) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Graphene-Like Two-Dimensional Materials
[10] G. Le Lay, B. Aufray, C. Léandri, H. Oughaddou, J.P. Biberian, P. De Padova, M.E. Dávila, B. Ealet, A. Kara Le, Physics and chemistry of silicene nano-ribbons, Appl. Surf. Sci. 256, 524–529 (2009) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Physics and chemistry of silicene nano-ribbons
[11] S. Cahangirov, M. Topsakal, E. Aktürk, H. Şahin, S. Ciraci, Two- and One-Dimensional Honeycomb Structures of Silicon and Germanium, Phys. Rev. Lett. 102, 236804 (2009) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Two- and One-Dimensional Honeycomb Structures of Silicon and Germanium
[12] T. Ohta, A. Bostwick, T. Seyller, K. Horn, E. Rotenberg, Controlling the electronic structure of bilayer graphene, Science 313, 951 (2006) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Controlling the electronic structure of bilayer graphene
[13] S.Y. Zhou, G.H. Gweon, A.V. Fedorov, P.N. First, W.A. de Heer, D.H. Lee, F. Guinea, A. H. Castro Neto, A. Lanzara, Substrate- induced bandgap opening in epitaxial graphene, Nat. Mater. 6, 770 – 775 (2007) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Substrate-induced bandgap opening in epitaxial graphene
[14] L. Yang, C.H. Park, Y.W. Son, Ma.L. Cohen, S.G. Louie, Quasiparticle Energies and Band Gaps in Graphene Nanoribbons, Phys. Rev. Lett. 99, 186801 (2007) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Quasiparticle Energies and Band Gaps in Graphene Nanoribbons
[15] S. Lebègue, M. Klintenberg, O. Eriksson, M.I. Katsnelson, Accurate electronic band gap of pure and functionalized graphane from GW calculations, Phys. Rev. B 79, 245117 (2009) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Accurate electronic band gap of pure and functionalized graphane from GW calculations
[18] B. Feng, Z. Ding, S. Meng, Y. Yao, X. He, P. Cheng, L. Chen, K. Wu, Evidence of Silicene in Honeycomb Structures of Silicon on Ag(111), Nano Lett. 12, 3507−3511 (2012) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Evidence of Silicene in Honeycomb Structures of Silicon on Ag(111)
[19] H.J. Xiang, B. Huang, Z.Y. Li, S.H. Wei, J.L. Yang, X.G. Gong, Ordered Semiconducting Nitrogen-Graphene Alloys, Phys. Rev. X 2, 011003 (2012) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Ordered Semiconducting Nitrogen-Graphene Alloys
[22] G.L. Harris, Properties of Silicon Carbide, NSPEC, the Institution of Electrical Engineers, London (1995) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Properties of Silicon Carbide
[23] C.M. Zetterling, Process Technology for SIC Device, NSPEC, the Institution of Electrical Engineers, London (2002) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Process Technology for SIC Device
[24] Baliga, B.Jayant, Trends in power semiconductor devices, Electron Devices, IEEE Transactions on 10, 1717 – 1731 (1996) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Trends in power semiconductor devices
[25] M. Treu, R. Rupp, P. Blaschitz, J. Hilsenbeck, Commercial SiC device processing: Status and requirements with respect to SiC based power devices, Superlattices and Microstructures 40, 380–387 (2006) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Commercial SiC device processing: Status and requirements with respect to SiC based power devices
[28] E. Bekaroglu, M. Topsakal, S. Cahangirov, S. Ciraci, First-principles study of defects and adatoms in silicon carbide honeycomb structures, Phys. Rev. B 81, 075433 (2010) Sách, tạp chí
Tiêu đề: First-principles study of defects and adatoms in silicon carbide honeycomb structures
[30] X. Lin, S. Lin, Y. Xu, A.A. Hakro, T. Hasan, B. Zhang, B. Yu, J. Luo, E. Li, H. Chen, Ab initio study of electronic and optical behavior of two-dimensional silicon carbide, J. Mater. Chem. C 1, 2131 – 2135 (2013) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Ab initio study of electronic and optical behavior of two-dimensional silicon carbide
[31] S.S. Lin, Light-Emitting Two-Dimensional Ultrathin Silicon Carbide, J. Phys. Chem. C 116, 3951–3955 (2012) Sách, tạp chí
Tiêu đề: Light-Emitting Two-Dimensional Ultrathin Silicon Carbide

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w