We report on the achievement of high ef ficiency green, yellow, and red InGaN/AlGaN dot-in-a-wire nanowire light-emitting diodes grown on Si(111) by molecular beam epitaxy.. The peak emis[r]
Đang tải... (xem toàn văn)
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
| Định dạng | |
|---|---|
| Số trang | 6 |
| Dung lượng | 1,36 MB |
Nội dung
We report on the achievement of high ef ficiency green, yellow, and red InGaN/AlGaN dot-in-a-wire nanowire light-emitting diodes grown on Si(111) by molecular beam epitaxy.. The peak emis[r]
Ngày đăng: 27/01/2021, 08:30
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG
TÀI LIỆU LIÊN QUAN