1. Trang chủ
  2. » Lịch sử

Fabrication of ultra thin sin film at low temperature by using ecr plasma

3 6 0

Đang tải... (xem toàn văn)

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 3
Dung lượng 0,91 MB

Nội dung

An optim ized su b stra te bias contributed to depressing leakage cu rren t density of SiN film by su itable plasm a etching effect.. HRTEM m easurem ent indicates th a t t[r]

Ngày đăng: 25/01/2021, 01:33

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w