Chúng tôi ghi nhận được rằng transistor hiệu ứng trường dây nano ZnO với cấu trúc cổng bao vòng quanh có tính thực thi tốt nhất trong các cấu trúc chúng tôi mô phỏn[r]
Đang tải... (xem toàn văn)
THÔNG TIN TÀI LIỆU
Thông tin cơ bản
Định dạng | |
---|---|
Số trang | 6 |
Dung lượng | 749,38 KB |
Nội dung
Chúng tôi ghi nhận được rằng transistor hiệu ứng trường dây nano ZnO với cấu trúc cổng bao vòng quanh có tính thực thi tốt nhất trong các cấu trúc chúng tôi mô phỏn[r]
Ngày đăng: 14/01/2021, 23:32
HÌNH ẢNH LIÊN QUAN
TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG
TÀI LIỆU LIÊN QUAN