1. Trang chủ
  2. » Địa lý lớp 12

PHƯƠNG PHÁP XỬ LÝ BỀ MẶT ĐẾ SILIC Ở NHIỆT ĐỘ THẤP ỨNG DỤNG TRONG KỸ THUẬT TĂNG TRƯỞNG EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

6 41 1
PHƯƠNG PHÁP XỬ LÝ BỀ MẶT ĐẾ SILIC Ở NHIỆT ĐỘ THẤP ỨNG DỤNG TRONG KỸ THUẬT TĂNG TRƯỞNG EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

Đang tải... (xem toàn văn)

Thông tin tài liệu

Giai đoạn thứ nhất, mẫu được làm sạch theo phương pháp hoá học để loại bỏ sự nhiễm bẩn của các hợp chất hữu cơ đồng thời tẩy sạch lớp oxit SiO 2 tự nhiên với chất lượng bề mặt thấp[r]

Ngày đăng: 14/01/2021, 23:28

Xem thêm:

Hình ảnh liên quan

Bảng 1. Quy trình làm sạch đế Si giai đoạn thứ nhất theo phương pháp hoá học - PHƯƠNG PHÁP XỬ LÝ BỀ MẶT ĐẾ SILIC Ở NHIỆT ĐỘ THẤP ỨNG DỤNG TRONG KỸ THUẬT TĂNG TRƯỞNG EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

Bảng 1..

Quy trình làm sạch đế Si giai đoạn thứ nhất theo phương pháp hoá học Xem tại trang 2 của tài liệu.
Hình 1. Sự biến đổi của ảnh nhiễu xạ RHEED dọc theo hướng [100] của đế Si trong quá trình làm sạch - PHƯƠNG PHÁP XỬ LÝ BỀ MẶT ĐẾ SILIC Ở NHIỆT ĐỘ THẤP ỨNG DỤNG TRONG KỸ THUẬT TĂNG TRƯỞNG EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

Hình 1..

Sự biến đổi của ảnh nhiễu xạ RHEED dọc theo hướng [100] của đế Si trong quá trình làm sạch Xem tại trang 2 của tài liệu.
Hình 2. Sự thay đổi của phổ tán xạ Auger trên bề mặt đế Si trong quá trình xử lý nhiệt: Khi nhiệt độ - PHƯƠNG PHÁP XỬ LÝ BỀ MẶT ĐẾ SILIC Ở NHIỆT ĐỘ THẤP ỨNG DỤNG TRONG KỸ THUẬT TĂNG TRƯỞNG EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

Hình 2..

Sự thay đổi của phổ tán xạ Auger trên bề mặt đế Si trong quá trình xử lý nhiệt: Khi nhiệt độ Xem tại trang 3 của tài liệu.
Hình 3. Sự thay đổi của Ảnh nhiễu xạ RHEED dọc theo hướng [110] của màng Ge tăng trưởng trên - PHƯƠNG PHÁP XỬ LÝ BỀ MẶT ĐẾ SILIC Ở NHIỆT ĐỘ THẤP ỨNG DỤNG TRONG KỸ THUẬT TĂNG TRƯỞNG EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

Hình 3..

Sự thay đổi của Ảnh nhiễu xạ RHEED dọc theo hướng [110] của màng Ge tăng trưởng trên Xem tại trang 4 của tài liệu.

Tài liệu cùng người dùng

Tài liệu liên quan