NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN CỦA MÀNG Ge PHA TẠP ĐIỆN TỬ TỪ NGUỒN RẮN GaP VÀ Sb BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

Để xác định mật độ điện tử đã kích hoạt trong màng Ge, phép đo hiệu ứng Hall bằng thiết bị Kanaya đã được thực hiện đồng thời độ linh động của điện tử cũng đã được xác định t[r]