TỔNG hợp và KHẢO sát TÍNH CHẤT của NANO PHÁT QUANG znse mn với các CHẤT ổn ĐỊNH bề mặt KHÁC NHAU

TỔNG LIÊN ĐOÀN LAO ĐỘNG VIỆT NAM TRƯỜNG ĐẠI HỌC TÔN ĐỨC THẮNG KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU TỔNG HỢP VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHẤT CỦA NANO PHÁT QUANG ZnSe:Mn VỚI CÁC CHẤT ỔN ĐỊNH BỀ MẶT KHÁC NHAU Người hướng dẫn: TS LƯƠNG THỊ BÍCH Người thực hiện: HÀ GIÀ KIỆT Lớp: 16060202 Khoá : 20 THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH, NĂM 2020 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH TỔNG LIÊN ĐỒN LAO ĐỘNG VIỆT NAM TRƯỜNG ĐẠI HỌC TÔN ĐỨC THẮNG KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU TỔNG HỢP VÀ KHẢO SÁT TÍNH CHẤT CỦA NANO PHÁT QUANG ZnSe:Mn VỚI CÁC CHẤT ỔN ĐỊNH BỀ MẶT KHÁC NHAU Người hướng dẫn: TS LƯƠNG THỊ BÍCH Người thực hiện: HÀ GIA KIỆT Lớp: 16060202 Khoá: 20 THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH, NĂM 2020 LỜI CAM ĐOAN DÀNH CHO BẬC ĐÀO TẠO ĐẠI HỌC SVTH: HÀ GIA KIỆT MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH CƠNG TRÌNH ĐƯỢC HỒN THÀNH TẠI TRƯỜNG ĐẠI HỌC TƠN ĐỨC THẮNG Tơi xin cam đoan cơng trình nghiên cứu riêng hướng dẫn khoa học TS Lương Thị Bích Các nội dung nghiên cứu, kết đề tài trung thực chưa cơng bố hình thức trước Những số liệu bảng biểu phục vụ cho việc phân tích, nhận xét, đánh giá tác giả thu thập từ nguồn khác có ghi rõ phần tài liệu tham khảo Ngồi ra, luận văn cịn sử dụng số nhận xét, đánh số liệu tác giả khác, quan tổ chức khác có trích dẫn thích nguồn gốc Nếu phát có gian lận tơi xin hồn toàn chịu trách nhiệm nội dung luận văn Trường Đại học Tơn Đức Thắng khơng liên quan đến vi phạm tác quyền, quyền gây q trình thực (nếu có) TP Hồ Chí Minh, ngày tháng năm 2020 Tác giả (ký tên ghi rõ họ tên) LỜI CẢM ƠN SVTH: HÀ GIA KIỆT MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH Lời đầu tiên, em xin chân thành gửi lời cảm ơn đến TS Lương Thị Bích tận tình truyền bảo, hướng dẫn, tạo điều kiện giúp đỡ bọn em suốt trình thực thiện chuyên đề nghiên cứu Em xin gửi lời cảm ơn tới thầy cô, anh chị viện Khoa học vật liệu ứng dụng hỗ trợ cho em nhiều dụng cụ, thiết bị, tạo điều kiện thuận lợi để em áp dụng kiến thức thực tiễn hồn thành khóa luận em Lời cảm ơn tiếp theo, em xin gửi lời cảm ơn tới thầy cô trường Đại học Tơn Đức Thắng nói chung thầy nói riêng khoa Khoa học Ứng dụng chuyên ngành Vật liệu hữu nói riêng, người truyền đạt kiến thức, dạy dỗ bọn em kiến thức bổ ích bốn năm đại học vừa qua Mặc dù em cố gắng hoàn thành chuyên đề nghiên cứu tốt Tuy nhiên, lượng kiến thức cịn khơng sâu rộng, chưa có nhiều kinh nghiệm, giới hạn thời gian nhiều thứ khác làm báo cáo nên khơng tránh khỏi có sai sót Em kính mong nhận góp ý đánh giá tận tình q thầy cô Cuối cùng, em xin gửi lời cảm ơn tới gia đình, bạn bè ln bên, động viên để em hoàn thành chuyên đề nghiên cứu SVTH: HÀ GIA KIỆT MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH MỤC LỤC DANH MỤC HÌNH DANH MỤC BẢNG 11 DANH MỤC CHỮ VIẾT TẮT 12 CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN LÝ THUYẾT 14 1.1 Giới thiệu chấm lượng tử 14 1.1.1 Phân loại vật liệu bán dẫn 14 1.1.2 Chấm lượng tử 15 1.1.3 Cơ chế phát quang hạt nano phát quang 17 1.2 Chấm lượng tử tổng hợp nguyên tố kẽm 18 1.3 Phương pháp tổng hợp 20 1.3.1 Phương pháp từ xuống (top down) 20 1.3.2 Phương pháp từ lên (bottom up) 20 1.3.3 Phương pháp tổng hợp nghiên cứu 22 1.4 Ứng dụng chấm lượng tử 23 1.4.1 Điốt phát quang hiệu suất cao 23 1.4.2 Pin quang hóa (pin mặt trời) 23 1.4.3 Phốt hồng ngoại 24 SVTH: HÀ GIA KIỆT MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH 1.4.4 Cảm biến sinh học (biosensors) 24 1.5 Phương pháp phân tích vật liệu 25 1.5.1 Phương pháp quang phổ hấp thu (UV – VIS) 25 1.5.2 Phương pháp quang phổ hấp thu hồng ngoại FT-IR 28 1.5.3 Phương pháp quang phổ huỳnh quang (Fluorometry Spectrofluorometry) 31 1.5.4 Phương pháp phân tích cấu trúc nhiễu xạ tia X (XRD) 32 1.5.5 Kính hiển vị điện tử truyền qua (TEM) 34 1.6 Chất ổn định bề mặt 35 1.6.1 Polyvinyl alcohol (PVA) 36 1.6.2 Tinh bột 37 1.6.3 Polyethylene glycol (PEG) 38 1.6.4 Mercaptopropionic (MPA) 38 CHƯƠNG 2: THỰC NGHIỆM 40 2.1 Hóa chất thiết bị 40 2.1.1 Hóa chất 40 2.1.2 Thiết bị 40 2.1.3 Dụng cụ 41 SVTH: HÀ GIA KIỆT MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH 2.2 Tổng hợp nano phát quang ZnSe pha tạp Mn2+ với chất ổn định bề mặt 42 2.2.1 Tổng hợp ZnSe:Mn với chất ổn định bề mặt PVA 42 2.2.2 Tổng hợp ZnSe:Mn với chất ổn định bề mặt PEG 44 2.2.3 Tổng hợp ZnSe:Mn với chất ổn định bề mặt tinh bột 46 2.2.4 tổng hợp ZnSe:Mn với chất ổn định bề mặt MPA 48 CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ BIỆN LUẬN 51 3.1 Độ pha tạp tối ưu tổng hợp tinh thể nano từ chất ổn định 51 3.1.1 Tổng hợp tinh thể nano từ MPA 51 3.1.2 Tổng hợp tinh thể nano từ PEG 52 3.1.3 Tổng hợp tinh thể nano từ PVA 53 3.1.3 Tổng hợp tinh thể nano từ tinh bột 54 3.2 Cường độ phát quang tinh thể nano tổng hợp từ chất ổn định 54 3.3 Độ bền chất ổn định sử dụng tỗng hợp chấm lượng tử 62 CHƯƠNG 4: KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ 68 TÀI LIỆU THAM KHẢO 69 SVTH: HÀ GIA KIỆT MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH DANH MỤC HÌNH Hình 1 Vật liệu khối 3D, 2D, 1D, 0D 14 Hình Nano phát quang đa sắc 16 Hình Cơ chế phát quang 17 Hình Cấu trúc tinh thể ZnSe 19 Hình Tổng hợp từ xuống từ lên 22 Hình Ứng dụng chấm lượng tử 25 Hình Phổ ánh sáng 26 Hình Nguyên lý làm việc máy UV-VIS 28 Hình Vùng hấp thụ nhóm chức phổ IR 29 Hình 10 Dao động hóa trị phân tử nhiều nguyên tử 29 Hình 11 Nguyên lý hoạt động máy IR 30 Hình 12 Mức lượng huỳnh quang 31 Hình 13 Nguyên lý hoạt động máy quang phổ huỳnh quang 32 Hình 14 Hiện tượng nhiễu xạ mặt phẳng mạng vật liệu 33 Hình 15 Chấm lượng tử bọc chất ổn định bề mặt 35 Hình 16 Tinh thể ZnSe liên kết chất ổn định MPA 36 Hình 17 Cơng thức cấu tạo PVA 37 Hình 18 Cấu trúc tinh bột 38 SVTH: HÀ GIA KIỆT MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH Hình 19 Cấu trúc polyethylene glycol 38 Hình 20 Cấu trúc mercaptopropionic 39 Hình 21 Liên kết ZnSe:Mn MPA 39 Hình Sơ đồ quy trình tổng hợp ZnSe:Mn PVA 42 Hình 2 ZnSe:Mn 3% MPA tổng hợp chất ổn định PVA 44 Hình Sơ đồ quy trình tổng hợp ZnSe:Mn PEG 44 Hình Mẫu ZnSe:Mn 5% tổng hợp chất ổn định PEG 46 Hình Sơ đồ quy trình tổng hợp ZnSe:Mn tinh bột 46 Hình Mẫu ZnSe:Mn 3% tổng hợp chất ổn định tinh bột 48 Hình Sơ đồ quy trình tổng hợp ZnSe:Mn MPA 48 Hình ZnSe:Mn 3% MPA tổng hợp chất ổn định MPA 50 Hình Phổ PL tinh thể nano ZnSe:Mn/MPA pha tạp nồng độ khác 51 Hình Phổ PL tinh thể nano ZnSe:Mn/PEG pha tạp nồng độ khác 52 Hình 3 Phổ PL tinh thể nano ZnSe:Mn/PVA pha tạp nồng độ khác 53 Hình Phổ PL tinh thể nano ZnSe:Mn/starch pha tạp nồng độ khác 54 SVTH: HÀ GIA KIỆT MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH Hình Phổ UV-vis hạt ZnSe:Mn tổng hợp với chất bề mặt khác 55 Hình Phổ IR tinh thể ZnSe:Mn sử dụng chất ổn định MPA 56 Hình Phổ IR tinh thể ZnSe:Mn sử dụng chất ổn định tinh bột 56 Hình Phổ IR tinh thể ZnSe:Mn tổng hợp từ chất ổn định PEG 57 Hình Phổ IR tinh thể ZnSe:Mn tổng hợp từ chất ổn định PVA 57 Hình 10 Phổ XRD tinh thể nano ZnSe:Mn tổng hợp với chất ổn định khác 58 Hình 11 Phổ PL tinh thể ZnSe:Mn sừ dụng chất ổn định khác 60 Hình 12 Mẫu ZnSe:Mn sử dụng với chất ổn định từ phải qua trái MPA, PVA, tinh bột, PEG 61 Hình 13 Độ bền tinh thể tổng hợp từ bốn chất ổn định 62 Hình 14 Đồ thị tuyến tính cường độ phát quang với thời gian phát quang tinh thể ZnSe:Mn với bốn chất ổn dịnh bề mặt 63 Hình 15 Hình chụp TEM mẫu ZnSe:Mn/MPA 65 Hình 16 Hình chụp TEM mẫu ZnSe:Mn/PEG 66 Hình 17 Hình chụp TEM mẫu ZnSe:Mn/Starch 66 SVTH: HÀ GIA KIỆT 10 MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH tinh thể (zinc blende) Ngồi ra, phổ XRD ZnSe:Mn từ ba chất ổn định polymer cịn có cấu trúc lục phương tinh thể cịn có thêm mũi nhiễu xạ 31.82370, 35.45630 62.92460 Trong mũi hấp thụ bốn chất ổn định, tinh bột có mũi thấp dịch chuyển góc thấp cho thấy tương tác tốt ba chất ổn định khác Cấu trúc tinh thể nano không thay đổi nhiều tổng hợp bốn chất ổn định khác Bảng Kích thước tinh thể nano ZnSe:Mn Chất ổn định Kích thước hạt (nm) MPA ~1,06 PVA ~11,6 PEG ~16,2 Tinh bột ~22,8 Dựa theo phổ XRD,kích thước hạt tính theo cơng thức Scherrer kết bảng 4.1 Tinh thể ZnSe:Mn/MPA có kích thước hạt nhỏ tinh bột có kích thước hạt lớn Có thể lí giải rằng, tinh thể bọc chất ổn định bề mặt polymer có khoảng trống lớn MPA mạch polymer dài dẫn đến hạt nano tổng hợp lớn MPA có tiềm ứng dụng cao hạt nano có kích thước nhỏ tính chất tốt SVTH: HÀ GIA KIỆT 59 MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH Hình 11 Phổ PL tinh thể ZnSe:Mn sừ dụng chất ổn định khác Độ phát quang tinh thể ZnSe:Mn trình bày phổ huỳnh quang (PL) Các hạt tinh thể tổng hợp với chất ổn định khác có cường độ phát quang khơng giống Tinh bột có cường độ phát quang cao PVA có cường độ phát quang thấp Theo lý thuyết, chấm lượng tử có kích thước nhỏ, hiệu suất phát quang tốt Nhưng theo phân tích thực nghiệm, tinh bột có cường độ phát quang cao Hiện tượng hạt tinh thể sử dụng chất ổn định tinh bột tổng hợp ổn định tốt hơn, hạt kim loại pha tạp Mn len lõi vào hạt tinh thể nhiều dẫn đến chuyển tiếp lượng từ ZnSe sang Mn2+ cao dẫn đến khả phát quang hạt cao Các mẫu có đỉnh phát xạ màu cam giao động khoảng 580-600 nm phát xạ electron Mn từ 6T1→4A1 Từ thấy rằng, tổng hợp dựa chất ổn định khác không ảnh hưởng đến khả phát quang tinh thể ZnSe:Mn SVTH: HÀ GIA KIỆT 60 MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH Đèn UV (365 nm) Ánh sáng thường Hình 12 Mẫu ZnSe:Mn sử dụng với chất ổn định từ phải qua trái MPA, PVA, tinh bột, PEG Dựa kết phổ PL, tinh thể tổng hợp từ chất ổn định tinh bột cho cường độ ánh sáng tốt Mũi hấp thu tinh thể tổng hợp từ MPA có dịch chuyển nhẹ sang bước sóng ngắn nên phát ánh sáng vàng so với mũi hấp thụ có bước sóng dài từ ba chất ổn định lại SVTH: HÀ GIA KIỆT 61 MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH 3.3 Độ bền chất ổn định sử dụng tỗng hợp chấm lượng tử Hình 13 Độ bền tinh thể tổng hợp từ bốn chất ổn định Dựa vào hình ta thấy đa số cường độ phát quang chất giàm dần Riêng cường độ phát quang mẫu PEG khơng phát quang có cường độ phát quang cao có đỉnh hấp thu vùng lượng ZnSe cao đỉnh hấp thu đỉnh hấp thu tinh thể 590 nm Mn Có thể giải thích rằng, tinh thể mẫu PEG khơng phát quang electron phát xạ bị hấp thu vào vùng lượng ZnSe nhiều mũi hấp thụ Mn nên không phát xa ánh sáng dẫn đến mẫu không phát quang.Trong phổ này, tinh thể nano sử dụng chất ổn định bề mặt khác có hai đường phát quang dập tắt quang Quan sát độ biến thiên cường độ phát quang hai đường phân tích độ bền hạt Theo hình 3.13, Tinh bột có độ biến thiên lớn nhất, MPA có độ biến thiên SVTH: HÀ GIA KIỆT 62 MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH cường độ phát quang nhỏ Từ đó, Tinh bột có độ bền nhỏ MPA có độ bền cao Hình 14 Đồ thị tuyến tính cường độ phát quang với thời gian phát quang tinh thể ZnSe:Mn với bốn chất ổn dịnh bề mặt Dựa vào hình Cho thấy, thời gian sống mẫu MPA lâu kéo dài tới tuần.Tiếp thời gian mẫu PVA, tinh bột PEG.Các mẫu có cường độ phát quang giảm dần theo thời gian Thời gian sống mẫu liên quan đến kích thước mẫu kích thước hạt (bảng 4.1) MPA, PVA nhỏ sống lâu PEG tinh bột có thời gian sống gần Kích thước hạt PEG tinh bột lớn nên ảnh hưởng kích thước hạt tới thời gian sống khơng chênh lệch nhiều Ngoài ra, chất ổn định sử dụng để tổng hợp ảnh hưởng tới thời gian sống mẫu Do PEG có kích thước hạt nhỏ có thời gian sống ngắn tinh bột SVTH: HÀ GIA KIỆT 63 MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH Thời gian sống giảm kích thước hạt tăng dần theo cơng thức Brus (phương trình mơ tả lượng phát xạ tinh thể nano bán dẫn chấm lượng tử theo bandgap, số plank, bán kính hạt): 𝐸𝑔 = 𝐸𝑔.𝑏𝑢𝑙𝑘 + 𝜋 ℎ2 1.786𝑒 𝑒4𝜇 − − 0.248 2𝜇𝑑 𝜀𝑑 2𝜀 ℎ2 Trong đó: 𝐸𝑔 , 𝐸𝑔.𝑏𝑢𝑙𝑘 : bandgap chấm lượng tử bandgap vật liệu 𝜇: giảm khổi lượng lỗ trống electron (1/ 𝜇=1/me+1/mh) me, mh khối lượng hiệu dung electron lỗ trống Ε: hệ số điện môi 𝜋2ℎ2 2𝜇𝑑2 : lượng giới hạn kích thước lượng tử d: kích thước hạt h: số plank 0.248 𝑒4𝜇 2𝜀2 ℎ : vùng điện tích khơng gian (Rất nhỏ bỏ qua) Sự ảnh hưởng đến trình chuyển đổi tia sáng huỳnh quang hai yếu tố đầu tiên, phải giải thích hai khái thời gian sống ngắn thời gian sống dài (short lifetime long lifetime) đó, τ1 (thời gian sống ngắn) thời gian đặc trưng trình chuyển đổi trực tiếp điện tử từ trạng thái kích thích sang trạng thái bản, τ2 (thời gian sống dài) thời gian đặc trưng điện tử chuyển từ trạng thái trung gian (ví dụ, trạng thái khuyết tật bề mặt chấm lượng tử, thay đổi mức gây hiệu ứng bề mặt mức độ tạp chất) sang trạng thái Yếu tố SVTH: HÀ GIA KIỆT 64 MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH giới hạn hạt mang điện tích liên quan đến τ1, q trình chuyển đổi huỳnh quang trình chuyển đổi trực tiếp qua bandgap Bandgap nhỏ, kích thước lớn hiệu suất chuyển đổi quang học cao (thời gian sống mẫu ngắn chuyển đổi nhiều) Yếu tố thứ hai chuyển đổi trạng thái vùng bẫy (vùng khuyết tật bề mặt nhiều yếu tố lỗ trống electron, bề mặt mẫu,…) tạp chất liên quan đến τ2.Khi kích thước hạt tăng, diện tích bề mặt chấm lượng tử giảm,tạp chất giảm làm cho nguyên tử liên kết bề mặt giảm làm liên kết lơ lừng ( chất ổn định) giảm dẫn đến vùng bẫy, tạp chất (kim loại pha tạp) giảm làm tăng hiệu suất chuyển đổi làm giảm tuổi thọ.[23] Hình 15 Hình chụp TEM mẫu ZnSe:Mn/MPA SVTH: HÀ GIA KIỆT 65 MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH Hình 16 Hình chụp TEM mẫu ZnSe:Mn/PEG Hình 17 Hình chụp TEM mẫu ZnSe:Mn/Starch SVTH: HÀ GIA KIỆT 66 MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH Khảo sát kích thước hạt phương pháp TEM từ hình 3.15, 3.16, 3.17 Kích thước hạt MPA khơng đồng từ nm đến nm phân tán đồng Kích thước hạt PEG trung bình khoảng 13 nm tinh bột trung bình khoảng 20 nm Nhìn chung kích thước hạt có sai số so với kết tính tốn từ XRD tinh bột có kích thước hạt lớn với lý thuyết Từ đó, kết luận kích thước hạt ảnh hưởng tới độ phát quang hạt SVTH: HÀ GIA KIỆT 67 MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH CHƯƠNG 4: KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ Nghiên cứu chế tạo thành công hạt nano phát quang ZnSe:Mn sử dụng chất ổn định MPA, PVA, PEG tinh bột Từ kết nghiên cứu em rút kết luận sau: − Xây dựng thành công quy trình chế tạo hạt nano phát quang ZnSe:Mn phương pháp tổng hợp mơi tường nước có sử dụng chất ổn định MPA, PVA, PEG tinh bột để hỗ trợ trình phân tán tăng cường khả phát quang Các tinh thể nano phát quang hầu hết màu cam từ bước sóng 560-640 nm − Tinh thể nano tổng hợp từ chất ổn định MPA có hiệu suất phát quang cao nhất, độ bền cao bốn chất ổn định Ba chất ổn định PVA, PEG tinh bột dễ kết tụ làm giảm khả phân tán ảnh hưởng đến hiệu suất phát quang, độ bền sản phẩm Một số kiến nghị: − Khảo sát thêm yếu tố khác ảnh hưởng đến độ bền tinh thể nhiệt độ, pH, thời gian phản ứng, ảnh hưởng chất ổn định nghiên cứu chi tiết kích thước hạt − Nghiên cứu thêm cách bọc thêm vỏ 2-3 lớp để tăng hiệu phát quang, tính ổn định quang để mở rộng khả ứng dụng vật liệu − Nghiên cứu ứng dụng mẫu tổng hợp thành công vào ứng dụng cảm biến sinh học, đánh dấu tế bào, theo dõi tế bào, làm chất mang thuốc Tóm lại, tổng hợp nano phát quang với bốn chất ổn định MPA, PVA, PEG tinh bột đề tài hữu ích có tiềm lực lớn để ứng dụng nhiều lĩnh vực đặc biệt ứng dụng y học nên cần quan tâm, nghiên cứu phát triển SVTH: HÀ GIA KIỆT 68 MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH TÀI LIỆU THAM KHẢO Tài liệu tiếng việt [1] Nguyễn Quang Khuyến, Tài liệu giảng dạy môn Công nghệ Vật liệu Nano, Đại học Tôn Đức Thắng (lưu hành nội bộ) [2] Lê Hoàng Duy (2016), Các phương pháp phổ nghiệm xác định cấu trúc hợp chất hữu cơ, Đại học Phạm Văn Đồng [3] Nguyễn Quốc Khánh (2012), Chế tạo khảo sát tính chất quang vật liệu tổ hợp Nano Cdse/PMMA, Luận văn Thạc sĩ, Trường Đại học Công nghệ, TP HCM [4] Nguyễn Văn Khiêm (2020), Ứng dụng cảm biến sinh học sở chấm lượng tử phát quang tổng hợp từ kẽm pha nước việc xác định vi khuẩn, Luận văn Thạc sĩ, viện Khoa học Vật liệu ứng dụng, TP HCM [5] Đinh Xuân Lộc , Lương Thị Bích , Phạm Duy Khanh , Mai Xuân Trường , Nguyễn Mạnh Tuấn , Bùi Thanh Thảo , Bùi Thị Diễm , Ứng Thị Diệu Thúy (2020), Tổng hợp chấm lượng tử ZnSe pha tạp ion Mn2+ môi trường nước phương pháp đồng kết tủa, Viện Khoa học Vật liệu – Viện Hàn lâm Khoa học Công nghệ Việt Nam, TP HCM Tài liệu tiếng anh [6] Thi Diem Bui, Quang Liem Nguyen, Thi Bich Luong, Van Thuan Le and Van Dat Doan ( April 2020), Utilization of Mn-Doped ZnSe/ZnS Core/Shell Quantom Dots for rapid Detection of Escherichia coli O157:H7 and Methiciliin-Resistant Staphylococcus aureus, Faculty of Chemical Engineering, Industrial Unersity of Ho Chi Minh City, Viet Nam SVTH: HÀ GIA KIỆT 69 MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH [7] T Sadhasivama , Hee-Tak Kimb , Seunghun Jungc , Sung-Hee Rohd , JeongHun Parka , HoYoung Junga (2017), Dimensional effects of nanostructured Mg/MgH2 for hydrogen storage applications: A review, Chonnam National University, Korea [8] Qi Zhang, Huiqiao Li, Ying Ma, Tianyou Zhai (2016), ZnSe nanostructures: Synthesis, properties and applications,Huazhong University, Wuhan, China [9] Yu-Ho Won, Oul Cho, Taehyung Kim, Dae – Young Chung, Taehee Kim, Heejae Chung, Hyosook Jang, Junho Lee, Dongho kim & Eunjoo Jang (2019), Highly efficent and stable InP/ZnSe/ZnS quantom dots light-emission diodes [10] Vardan Galstyan , Manohar P Bhandari , Veronica Sberveglieri, Giorgio Sberveglieri and Elisabetta Comini (2018), Metal Oxide Nanostructures in Food Applications: Quality Control and Packaging, University of Brescia, Italy [11] Gurumurthy.B, Dinesh Bhatia , Ramesh.K.P3 (2017), Structural Analysis Of Merino Wool, Pashmina And Angora Fibers Using Analytical Instruments Like Scanning Electron Microscope And Infra-Red Spectroscopy, International Journal of Engineering Technology Science and Research, India [12] J F Suyver,* S F Wuister, J J Kelly and A Meijerink (2000), Luminescence of nanocrystalline ZnSe:Mn2+,Debye Institute, Utrecht University, The Netherlands [13] K.K kushwah, N Gupta, K Khare, S Singh, F.Aziz, M Ramrakhiani (2019), Synthesis and Characterization of ZnSe/PVA nanocomposites for optical devices, Department of Applied Physics, Jabalpur Engineering College, Jabajpur, India [14] J KREISSL and W GEHLHOF (1984), EPR Investigations of ZnS:Mn and ZnSe:Mn2+ Single Crystals, Powders, Thin-Film Structures, phys stat sol SVTH: HÀ GIA KIỆT 70 MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH [15] E Chimczak and J W Allen (1984), Energy transfer in the electroluminescence of ZnS : Mn and ZnSe : Mn driven by short voltage pulses, Wolfson Institute of Luminescence Department of Physics University of St Andrews St Andrews Fife KY16 9SS Scotland UK [16] Arsenio de Sa, Isabel Moura, Ana S Abreu, Manuel Oliveira, Miguel F Ferreira & Ana V Machado (2017), High fluorescent water soluble CdTe quantum dots—a promising system for light harvesting applications, University of Minho, Campus de Azurém, 4800-058 Guimarães, Portugal [17] J F Suyver, S F Wuister, J J Kelly and A Meijerink (2000), Luminescence of nanocrystalline ZnSe :Mn2+, Debye Institute, Physics and Chemistry of Condensed Matter, Utrecht University, T he Netherlands [18] K Senthilkumar • T Kalaivani • S Kanagesan •V Balasubramanian (2012), Synthesis and characterization studies of ZnSe quantum dots, Department of Physics, AMET University, Chennai 603112, India [19] C de Mello Donegá,* M Bode, and A Meijerink (2006), Size and temperature-dependence of exciton lifetimes in CdSe quantum dots, Condensed Matter and Interfaces, Debye Institute, Utrecht University, P.O Box 80000, 3508TA Utrecht, The Netherlands [20] Chao Wang, Xue Gao, Qiang Ma and Xingguang Su (2009), Aqueous synthesis of mercaptopropionic acid capped Mn2+-doped ZnSe quantum dots, Department of Analytical Chemistry, College of Chemistry, Jilin University, Changchun 130012, P R China [21] Peng Wuab and Xiu-Ping Yan (2013), Doped quantum dots for chemo/biosensing and bioimaging, University of Tennessee, Knoxville, USA SVTH: HÀ GIA KIỆT 71 MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH [22] Nguyen Que Huong (2019), Mn2+ Emission in Mn-Doped Quantum Dots, Department of Physics, Marshall University, Huntington, WV, United States [23] Aisea Veamatahau, Bo Jiang,a Tom Seifert, Satoshi Makuta,a Kay Latham, Masayuki Kanehara, Toshiharu Teranishi, and Yasuhiro Tachibana (2013), Origin of surface trap states in CdS quantum dots: Relationship between size dependent photoluminescence and sulfur vacancy trap states, The University of British, Columbia [24] Cheng Chenga, Jiejie Lia, Xiaoyu Cheng (2017),Photoluminescence lifetime and absorption spectrum of PbS nanocrystal quantum dots, Department of Applied Physics, Zhejiang University of Technology, Hangzhou 310023, China [25] Bich Thi Luong, Eunsu Hyeong, Seokhwan Ji and Nakjoong Kim (2012), Green synthesis of highly UV-orange emitting ZnSe/ZnS:Mn/ZnS core/ shell/shell nanocrystals by a three-step single flask method, Department of Chemistry and Research Institute for Natural Sciences, Hanyang University, 17 Haengdang-Dong, SeongdongGu, Seoul, 133-791, South Korea [26] Bich Thi Luong, Eunsu Hyeong, Sujin Yoon, Jongwan Choia and Nakjoong Kim (2013), Facile synthesis of UV-white light emission ZnSe/ ZnS:Mn core/(doped) shell nanocrystals in aqueous phase, Department of Chemistry and Research Institute for Natural Sciences, Hanyang University, 17 Haengdang-Dong, Seongdong-Gu, Seoul, 133-791, South Korea [27] Bich Thi Luong, Eunsu Hyeong, Seokhwan Ji and Nakjoong Kim (2012), Green synthesis of highly UV-orange emitting ZnSe/ZnS:Mn/ZnS core/ shell/shell nanocrystals by a three-step single flask method SVTH: HÀ GIA KIỆT 72 MSSV: 61602087 CHUYÊN ĐỀ NGHIÊN CỨU GVHD: TS LƯƠNG THỊ BÍCH [28] Yang, Y., O Chen, A Angerhofer, and Y.C Cao (2008), "On doping CdS/ZnS core/shell nanocrystals with Mn", Journal of the American Chemical Society, 130(46): p 15649-15661 [29] Yazdanparast, M.S., M.T Webb, and E.J McLaurin (2016), "Single-step synthesis of hyperbranched, luminescent Mn 2+-doped ZnSe 1− x S x nanocrystals using dichalcogenide precursors", Journal of Materials Chemistry C, 4(28): p 6907-6913 [30] Baruah, S., C Ortinero, O.V Shipin, and J Dutta (2012), "Manganese doped zinc sulfide quantum dots for detection of Escherichia coli", Journal of fluorescence, 22(1): p 403-408 [31] N Kumar and R Kumar, Nanotechnology and Nanomaterials in the Treatment of Life-threatening Diseases, (2013), 89-97 [32] K Senthilkumar • T Kalaivani • S Kanagesan • V Balasubramanian • J Balakrishnan (2012), Wurtzite ZnSe quantum dots: synthesis, characterization and PL properties, Department of Physics, AMET University, Chennai 603112, India [33] Sandeep Kumara, Monika Nehrab, Akash Deepc, Deepak Kediab, Neeraj Dilbaghia, Ki-Hyun Kimd (2017), a Department of Bio and Nano Technology, Guru Jambheshwar University of Science and Technology, Hisar, Haryana 125001, India [34] Y Badr a, M.A Mahmoud (2005), Effect of PVA surrounding medium on ZnSe nanoparticles: Size, optical, and electrical properties, National Institute of Laser Enhanced Science, Cairo University, Cairo, Egypt [35] K K Kushwah1 , N.Gupta , K Khare , S Singh , F.Aziz , M Ramrakhiani (2019), Synthesis and Characterization of ZnSe/PVA nanocomposites for optical devices, Department of Applied Physics, Jabalpur Engineering College, Jabalpur, India SVTH: HÀ GIA KIỆT 73 MSSV: 61602087 ... 2.2 Tổng hợp nano phát quang ZnSe pha tạp Mn2 + với chất ổn định bề mặt 42 2.2.1 Tổng hợp ZnSe: Mn với chất ổn định bề mặt PVA 42 2.2.2 Tổng hợp ZnSe: Mn với chất ổn định bề mặt. .. tổng hợp khảo sát tính chất nano phát quang ZnSe: Mn với bốn chất ổn định bề mặt MPA, PEG, PVA tinh bột tổng hợp pha nước Trong báo cáo này, hiệu suất chấm lượng tử tổng hợp với chất ổn định bề. .. IR tinh thể ZnSe: Mn tổng hợp từ chất ổn định PEG 57 Hình Phổ IR tinh thể ZnSe: Mn tổng hợp từ chất ổn định PVA 57 Hình 10 Phổ XRD tinh thể nano ZnSe: Mn tổng hợp với chất ổn định khác