bài tập điện tử tương tự 4

4_3 Cho mạch khuếch đại cộng hưởng sau : Vcc R2 fo=30Mhz rb,e=1K rbb'=0 hfe=100 fT=500Mhz Cb'c=2p RFC Cc2 ->oo 10k Cc1 ->o o i R1 L i Re 1k Ce ->o o R L 1k → C b 'e = 100 Cb'e=31,8pF Sơ đồ thay Rb=1K//10K~1K,qm=hfe/rb'e= 0,1 mho B' i L i V L Rb r 1K 'e b C' b 1K gm vb' R L 1k Ta coù R=Rb//rb'e=0,5K Cb' = Cb'e + CM = 31,8p + (1+gmRL)Cb'c = 31,8p + (1+0,1.103)2p = 234pF Cộng hưởng fo = 30 Mhz fo = suy : L = 2π LC b ' = 30( Mhz ) 1 = = 0,12 µH −12 C b ' (2πf o ) 234.10 4π (30.10 ) ♦ Băng thông : BW = 1 = = 1,36( Mhz ) 2πRC b ' 2π 500.234.10 −12 ♦ Độ lợi dòng : 103 h fe rb'e ω T Ai = i L i L vb ' = = −gm ii v b ' i i R + jQi ( ω ωo − ) ωo ω Qi = ω o RC b = 6,28.3.10 7.5.10 2.234.10 −12 ≈ 22 ' Với : nên : Aim = -gmR = -0,1.500 = -50 ⇒ Ai = −50 + j 22( ω 3.10 − 3.10 ω ) 4_4 Thiết kế mạch công hưởng đơn có : Aim = 10db = 3,16 r i = 1K RL = 1K fo = 40 Mhz BW = 1Mhz Vcc = 10 V Cuộn dây có Q = 50; Sơ đồ cần thiết kế có dạng nhö sau : iC i r i Rp L i 1k r' be V L iL gm vb' C R L 1k ta chọn transistor có : gm=0,01 mho ; Cb'c = 10p, rbb'=0 ; hfe = 100 Cb'e=1000p rb 'e = h fe gm = 10 10 − Ta coù : BW = = 10 2πRC với R = ri //Rp//rb'e C = Cb'e + (1+gmRL)Cb'c + C' : C' tụ ghép ngoaøi 104 ω C ω C 1 1 1 = + + = + o + = 1,4.10 −3 + o R ri Rp rb 'e 1000 Qc Qc 2500 ωL với Qc = : hệ số tổn hao cuộn dây rc Do : BW = 10 = ω (1110 pF + C ' ) ) (1,4.10 −3 + o 50 2π (1110 pF + C ' ) hay (1110 pF + C ' ) = C = ω (1110 pF + C ' ) [1,4.10 −3 + o ) 50 2π 10 hay 2πf o 1,4.10 −3 )= C (1 − 2π 50.10 2π 10 suy : 0,22.10 −9 C= = 1,1.10 −9 = 1110 pF 40 1− 50 Ta nhận thấy : C = 1110+C' = 1110pF -> transistor có thông số không thỏa Chọn lại transistor có Cb'c = 2p rb'e=2500 hfe = 100 Cb'e = 32p fT = 500Mhz gm = 0,01 Khi : Cb'e + ( + gmRL )Cb'c = 54 pF suy C' = 1100 -54 = 1046 pF = 0,001uF Sơ đồ sau : L = ω o 2C = 0,0144µH 105 iL > i r C' L i i VL R L Rp = Qc ω o L = 1,81K R = ri//Rp//rb'e Aim = -gmR = -0,01.512 = -5,12 > 3,16 : chưa tối ưu 4_5 : n:1 i i m:1 2N4223 RL L1 r i=1K L2 1k FET Các điều kiện : Aim cực đại fo = 30Mhz để đơn giản hóa ta giả sử n=m Sơ đồ cần thiết kế : 2N422 n:1 i i r i=1K Các thông số FET : Phản kháng trở kháng t ải : Sơ đồ tương đương : Rg L1 m:1 L2 rds = 5K , Cgs = 6p , Cgd = 2p gm = 0,003 mho R'L = n2RL 106 RL 1k iL > i i r L1 i gmvg a2Cgs rds R' a2Cgd(1+gm(rds//R'L )) đặt : Ci = a2[Cgs + Cgd(1 + gm(rds//R'L))] Giả sử rds