Malvino-EP-06-Bit

Chương 6 Bipolar Junction T i t (BJT)Transistor (BJT) Từ Vựng (1)Từ Vựng (1) • Active region = miền tích cực • Base (B) = (miền/cực) nền • Bipolar transistor = transistor lưỡng cựcBipolar transistor transistor lưỡng cực • Breakdwon region = miền đánh thủng Cll t (C) ( iề / )th (h ó )• Collector (C) = (miền/cực) thu (hay góp) • Collector diode = diode tạo bởi J C • Common base (CB) = nền chung • Common collector (CC) = thu chungCommon collector (CC) thu chung • Common emitter (CE) = phát chung Từ Vựng (2)Từ Vựng (2) • Current gain = độ lợi dòngCurrent gain độ lợi dòng • Curve tracer = máy vẽ đặc tuyến • Cutoff region = miềntắtCutoff region miền tắt • Emitter (E) = (miền/cực) phát • Emitter diode = diode tạobởiJ• Emitter diode = diode tạo bởi J E • H parameter = tham (thông) số hỗn hợp H (Hybrid)(Hybrid) • Integrated circuit = vi mạch = mạch tích hợp=IChợp = IC Từ Vựng (3)Từ Vựng (3) • Heat sink = tản nhiệt, giải nhiệtHeat sink tản nhiệt, giải nhiệt • Junction trasistor = trasistor tiếp xúc • Power trasistor = trasistor công suất• Power trasistor = trasistor công suất • Saturation region = miền bão hòa Slliltit tittíhiệ hỏ• Small-signal trasistor = trasistor tín hiệu nhỏ • Switching circuit = mạch chuyển mạch, mạch xung • Thermal resistance = nhiệt trở Nội dung chương 6Nội dung chương 6 1. Transistor chưa phân cựcp ự 2. Transistor có phân cực 3. Các dòn g điện trong transistorg ệ g 4. Mắc E chung (CE) 5. Đặc tuyến ở cực nền 6. Đặc tuyến ở cực thu 7. Xấp xỉ transistor 8. Đọc bảng dữ liệu 9. Troubleshooting Transistors (Transfer Resistor) Transistors Field Effect Transistors Bipolar transistors NPN,PNP Junction-FETs (JFETS) Insulated Gate FET’s N-channel, P-channel MOSFETs Enhancement, Depletion N-channel P-channelN-channel, P-channel Giới thiệuvề BJTGiới thiệu về BJT • BJT = transistor tiếp xúc lưỡng cực = transistor ố ố ế p g ự 2 mối nối (hay 2 tiếp xúc) •Lưỡng cực: do dòng điện chính được tạo bởi 2 hạtdẫn điệntử (-)vàlỗ (+)hạt dẫn điện tử (-) và lỗ (+) •BJT được phát minh vào năm 1948 do Bardeen, Brattain và Shockley ề• BJT là dụng cụ có 3 cực: phát (E), nền (B) và thu (C). • Ngườitagọitiếp xúc PN giữaBvàElàJ giữa• Người ta gọi tiếp xúc PN giữa B và E là J E , giữa B và C là J C . • Có 2 loại: NPN và PNP CấutạovàkýhiệuBJTCấu tạo và ký hiệu BJT Cấu tạo và ký hiệu BJTạ ý ệ CC E NPN B E B E P N N + C B E E C Arrow always points away from base and toward emitter My pneumonic: No Point iN N P B C B C E PNP N P + E E B C Arrow always points away from emitter towards baseArrow always points away from emitter towards base My pneumonic: Points IN Bipolar junctionj transistor (BJT) • The BJT is a “Si sandwich” P EBC sandwich Pnπ (P=p + ,π=p - ) or Npν (N=n + , ν=n - ) P n π V EB V CB p ( , ) • BJT action: npn Forward Active EB CB Depletion Region oadcte when V BE > 0 and V BC < 0 Charge neutral Region Depletion Region BC