chat ban dan

  Negnevitsky, Pearson Education, 2002 Negnevitsky, Pearson Education, 2002 1 Chương 1: VẬT LIỆU BÁN DẪN Chương 1: VẬT LIỆU BÁN DẪN Phần 1: Chất bán dẫn Phần 2: Chuyển tiếp P / N   Negnevitsky, Pearson Education, 2002 Negnevitsky, Pearson Education, 2002 2 Phân biệt các chất bán dẫn, dẫn điện và cách điện : Tầng dẫn Tầng hóa trò Chất cách điện Chất bán dẫn Chất dẫn điện Cấu trúc nguyên tử của germanium ; silicon. Vùng cấm Wg Wg 1.1 CHẤT BÁN DẪN 1.1 CHẤT BÁN DẪN   Negnevitsky, Pearson Education, 2002 Negnevitsky, Pearson Education, 2002 3 1.1.1 CHẤT BÁN DẪN THUẦN 1.1.1 CHẤT BÁN DẪN THUẦN NGUYÊN TỬ Liên kết hóa học Ô cơ bản trong cấu trúc mạng tinh thể Cấu trúc mạng tinh thể bán dẫn thuần : Ô cơ sở Ge và Si Ô cơ sở của GaAs Mạng bán dẫn thuần 1.1 Chất bán dẫn   Negnevitsky, Pearson Education, 2002 Negnevitsky, Pearson Education, 2002 4 Nguyên lý dẫn điện của vật liệu bán dẫn thuần : E Lỗ trống Electron tự do 1.1.1 CHẤT BÁN DẪN THUẦN 1.1.1 CHẤT BÁN DẪN THUẦN 1.1 Chất bán dẫn   Negnevitsky, Pearson Education, 2002 Negnevitsky, Pearson Education, 2002 5 1.1.2 BÁN DẪN TẠP CHẤT 1.1.2 BÁN DẪN TẠP CHẤT Nguyên lý dẫn điện của vật liệu bán dẫn LOẠI N LOẠI N: E Lỗ trống Electron tự do P P PP 1.1 Chất bán dẫn   Negnevitsky, Pearson Education, 2002 Negnevitsky, Pearson Education, 2002 6 Nguyên lý dẫn điện của vật liệu bán dẫn LOẠI P: LOẠI P: E Lỗ trống Electron tự do B B B B B 1.1 Chất bán dẫn 1.1.2 BÁN DẪN TẠP CHẤT 1.1.2 BÁN DẪN TẠP CHẤT   Negnevitsky, Pearson Education, 2002 Negnevitsky, Pearson Education, 2002 7 Bán dẫn loại P Hạt tải đa số Hạt tải thiểu số Bán dẫn loại N Hạt tải đa số Hạt tải thiểu số 1.2 TIẾP XÚC P/N 1.2 TIẾP XÚC P/N E U TX   Negnevitsky, Pearson Education, 2002 Negnevitsky, Pearson Education, 2002 8 1.2 TIẾP XÚC P/N 1.2 TIẾP XÚC P/N Bán dẫn loại P Hạt tải đa số Hạt tải thiểu số Bán dẫn loại N Hạt tải đa số Hạt tải thiểu số E I 0 Dòng hạt thiểu số I 0 EN   Negnevitsky, Pearson Education, 2002 Negnevitsky, Pearson Education, 2002 9 Bán dẫn loại P Hạt tải đa số Hạt tải thiểu số Bán dẫn loại N Hạt tải đa số Hạt tải thiểu số 1.2 TIẾP XÚC P/N 1.2 TIẾP XÚC P/N I D Dòng dẫn thuận I D EN E   Negnevitsky, Pearson Education, 2002 Negnevitsky, Pearson Education, 2002 10 Hiện tượng đánh thủng tiếp giáp P/N : 0v .7.6 Vz U AK Đoạn phân cực thuận Đặc tuyến giới hạn công suất + - A K Izmax Đoạn phân cực nghòch - + A K Vùng Zener Đánh thủng thác lũ : Do hạt thiểu số tăng tốc theo điện áp gây ion hóa các nguyên tử qua va chạm → dòng thác lũ. Vùng thác lũ (Vz) giảm gần trục tung khi tăng các kích thích trong lớp P và N Đánh thủng xuyên hầm : Khi mật độ tap chất trong bán dẫn tăng → E TX lớn gây ra hiệu ứng xuyên hầm lôi kéo các e - trong vùng hóa trò của lớp P vượt qua U TX chảy sang lớp N Đánh thủng nhiệt : Xảy ra do tích lũy nhiệt trong vùng tiếp xúc vượt quá giới hạn → Hư hỏng vónh viễn tiếp xúc 1.2 TIẾP XÚC P/N 1.2 TIẾP XÚC P/N