Báo Cáo Thực hành Điện Tử Công Suất

Đi ốt có 2 ận trong diode Các thông s chính c a diode: ố chính của diode: ủa diode: - Giá tr đi n áp đánh th ng Uị điện áp đánh thủng U ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ủn

BÀI 1 : CÁC PH N T BÁN D N CÔNG SU T C B N ẦN TỬ BÁN DẪN CÔNG SUẤT CƠ BẢN Ử BÁN DẪN CÔNG SUẤT CƠ BẢN ẪN CÔNG SUẤT CƠ BẢN ẤT CƠ BẢN Ơ BẢN ẢN

I Diode ( Đi t ) ốt )

1 Khái ni m : ệm :

Đi t là ph n t đử được cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ược cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2c c u t o b i m t l p ti p giáp bán d n p-n Đi t có 2ởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ột lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ẫn p-n Đi ốt có 2

c c , anôt A là c c n i v i l p bán d n ki u p , cat t K là c c n i v i l p ớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ẫn p-n Đi ốt có 2 ểu p , catốt K là cực nối với lớp ớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2bán d n ki u n Dòng đi n ch ch y qua đi t theo chi u t A đ n K khi ẫn p-n Đi ốt có 2 ểu p , catốt K là cực nối với lớp ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ều từ A đến K khi ừ A đến K khi ếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2

đi n áp Uện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi AK dương Khi Ung Khi UAK âm thì dòng qua di t g n nh b ng không ư ằng không

2 Đ ường đặc tính V-A ng đ c tính V-A ặc tính V-A

 Diode lý tưởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2ng g m 2 tr ng thái đóng mồm 2 trạng thái đóng mở ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2

 Diode th c t :ếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2

V i rớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 R =dU R

dI R : đi n tr ngện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ược cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2c trong diodeUBR: đi n áp đánh th ngện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ủng

UTO: đi n áp r i trên diodeện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ơng Khi U

rF = dU F

dI F : đi n tr thu n trong diodeện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ận trong diode

Các thông s chính c a diode: ố chính của diode: ủa diode:

- Giá tr đi n áp đánh th ng Uị điện áp đánh thủng U ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ủng BR

- Giá tr đi n áp ngị điện áp đánh thủng U ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ược cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ận trong diode ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2c l p l i URRM.

- Giá tr đi n áp ngị điện áp đánh thủng U ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ược cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2c không l p l i: Uận trong diode ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 RSM.

- Dòng đi n, nhi t đ làm vi c.ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ột lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi

- Giá tr trung bình c c đ i dòng đi n thu n I ị điện áp đánh thủng U ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ận trong diode F(AV)M.

- Giá tr c c đ i dòng đi n thu n không l p l i I ị điện áp đánh thủng U ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ận trong diode ận trong diode ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 FSM.

Các thông s l a ch n Diode ố chính của diode: ựa chọn Diode ọn Diode

- Dòng trung bình thu n c a diot Iận trong diode ủng F

- Giá tr đi n áp ngị điện áp đánh thủng U ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ược cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2c l n nh t mà diot có th ch u đấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ểu p , catốt K là cực nối với lớp ị điện áp đánh thủng U ược cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2c : UBR ( Ungmax)

3 Hình ch p th c t ụp thực tế ực tế ế

Page 2

II Thyristor ( Tiristo)

1 Khái ni m : ệm :

- Tiristo là ph n t bán d n c u t o t b n l p bán d n p-n-p-n , t o ra ử được cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ẫn p-n Đi ốt có 2 ấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ừ A đến K khi ớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ẫn p-n Đi ốt có 2 ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2

3 ti p giáp p-n: Jếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 1 , J2 ,J3 Tiristo có 3 c c : Anot A, catot K , c c đi u ều từ A đến K khi khi n G ểu p , catốt K là cực nối với lớp

Page 4

- Tiristo có đ c tính gi ng diot , nghĩa là ch cho phép dòng ch y qua ặc tính giống diot , nghĩa là chỉ cho phép dòng chạy qua ỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2theo m t chi u t anot đ n catot và c n tr dòng đi n ch y theo chi uột lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ều từ A đến K khi ừ A đến K khi ếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ều từ A đến K khi

ngược cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2c l i Tuy nhiên tiristo khác v i diot là ngoài Uớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 AK > 0 thì c n ph i ảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi

có thêm m t s đi u khi n khác m i có th d n dòng Vì v y , nó đột lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ều từ A đến K khi ểu p , catốt K là cực nối với lớp ớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ểu p , catốt K là cực nối với lớp ẫn p-n Đi ốt có 2 ận trong diode ược cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2ccoi là ph n t bán d n có đi u khi n ử được cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ẫn p-n Đi ốt có 2 ều từ A đến K khi ểu p , catốt K là cực nối với lớp

- Các tr ng thái m - khóa ( đóng )ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2

Tr ng thái m ạng thái mở ở Tr ng thái khóa ạng thái mở

+ UAK > 0

+IG # 0

+ Ivan > Idt ( dòng đi n duy trì )ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi

+ Ivan < Idt ( b ng cách đ i chi u dòng ằng không ổi chiều dòng ều từ A đến K khi

đi n o c áp m t đi n áp ngện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ặc tính giống diot , nghĩa là chỉ cho phép dòng chạy qua ột lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ược cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2c lên A và

K c a tiristo )ủng

2 Các đ c tính V-A c a tiristo ặc tính V-A ủa tiristo

- Đ c tính V-A c a tiros v i các tr ng thái m - khóa ặc tính giống diot , nghĩa là chỉ cho phép dòng chạy qua ủng ớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2

- Đ c tính V-ặc tính giống diot , nghĩa là chỉ cho phép dòng chạy qua A c a tiristo ủng

Các thông s c b n c a tiristo : ố chính của diode: ơ bản của tiristo : ản của tiristo : ủa diode:

 VBR: đi n áp ngện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ược cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2c đánh th ng.ủng

 VBO: đi n áp t m ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2

 IG: dòng đi n đi u khi n ( xung đi u khi n ) ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ều từ A đến K khi ểu p , catốt K là cực nối với lớp ều từ A đến K khi ểu p , catốt K là cực nối với lớp

- Đ c tính đ ng ặc tính giống diot , nghĩa là chỉ cho phép dòng chạy qua ột lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2

Đ c tuy n V-A khi m Thyristorặc tính giống diot , nghĩa là chỉ cho phép dòng chạy qua ếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2

Page 6

Đ c tuy n V-A khi đóng Thyristorặc tính giống diot , nghĩa là chỉ cho phép dòng chạy qua ếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2

3 Hình ch p th c t ụp thực tế ực tế ế

III Transistor có c c đi u khi n cách ly – IGBT ( Insulated Gate ực tế ều khiển cách ly – IGBT ( Insulated Gate ển cách ly – IGBT ( Insulated Gate

Bipolar Transistor)

1 Khái ni m ệm :

- IGBT là ph n t k t h p kh năng đóng c t nhanh c a MOSFET và khử được cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ợc cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ắt nhanh của MOSFET và khả ủng ảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi năng ch u t i l n c a transistor thị điện áp đánh thủng U ảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ủng ường Về mặt điều khiển , IGBT gần ng V m t đi u khi n , IGBT g n ều từ A đến K khi ặc tính giống diot , nghĩa là chỉ cho phép dòng chạy qua ều từ A đến K khi ểu p , catốt K là cực nối với lớp

nh gi ng hoàn toàn MOSFET , nghĩa là đi u khi n b ng đi n áp ư ều từ A đến K khi ểu p , catốt K là cực nối với lớp ằng không ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi

- IGBT là van bán d n thông d ng nh t hi n nay vì có t n s đóng c t ẫn p-n Đi ốt có 2 ụng nhất hiện nay vì có tần số đóng cắt ấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ắt nhanh của MOSFET và khả

l n , làm vi c v i nhi u d i công su t và đáp ng đớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ều từ A đến K khi ảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ứng được yêu cầu của ược cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2c yêu c u c a ủngcông ngh hi n nay ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi

Page 8 Cấu tạo chung của IGBT

Kí hiệu của IGBT Cấu tạo chung của IGBT

2 Các đ c tính c a IGBT ặc tính V-A ủa tiristo

- Đ c tính tĩnh c a IGBT ặc tính giống diot , nghĩa là chỉ cho phép dòng chạy qua ủng

- Đ c tính đ ng : ặc tính giống diot , nghĩa là chỉ cho phép dòng chạy qua ột lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2

3 Hình ch p th c t ụp thực tế ực tế ế

IGBT : 25N120 Các thông s : ốt )

Đi n áp ch u đ ng Vce: 1200Vện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ị điện áp đánh thủng U

Dòng đi n c c đ i Ic: 40A( nhi t đện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ột lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 TC= 25°C), 25A( nhi t đởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ột lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 TC= 100°C) Nhi t đ t i đa: 300°Cện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ột lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2

Đi n áp Vge:ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ±20V

Công su tấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 Ptot: 310W

IGBT 25N120 được cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2c phát tri n đ có hi u qu cao và kh năng đóng c t ểu p , catốt K là cực nối với lớp ểu p , catốt K là cực nối với lớp ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ắt nhanh của MOSFET và khảnhanh Vì v y,ận trong diode IGBT 25N120 thường Về mặt điều khiển , IGBT gần ng được cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2c dùng đểu p , catốt K là cực nối với lớp chuy n m ch đi n trong nhi u ểu p , catốt K là cực nối với lớp ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ều từ A đến K khi thi t b hi n đ i: b p t , đĩa bi n t nếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ị điện áp đánh thủng U ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ừ A đến K khi ổi chiều dòng ếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 (VFD), xe đi nện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi , xe l a, t l nh t c đ bi n ử được cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ủng ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ột lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2

đ i, ch n l u đèn, máy l nh và th m chí c h th ng âm thanh stereo v iổi chiều dòng ấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ư ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ận trong diode ảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 b ột lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2

khu ch đ i chuy n m ch.ếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ểu p , catốt K là cực nối với lớp ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2

Page 10

BÀI 2 : B CH NH L U Ộ CHỈNH LƯU ỈNH LƯU ƯU

1 Đ nh nghĩa : Ch nh l u là thi t b bi n đ i dòng đi n ( đi n áp ) ị điện áp đánh thủng U ỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ư ếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ị điện áp đánh thủng U ếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ổi chiều dòng ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi xoay chi u thành dòng đi n ( đi n áp ) thành m t chi uều từ A đến K khi ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ột lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ều từ A đến K khi

2 Phân lo i ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2

- Theo lo i ng t đi n : ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ắt nhanh của MOSFET và khả ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi

+ M ch dùng toàn Diode : Ch nh l u không đi u khi nạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ư ều từ A đến K khi ểu p , catốt K là cực nối với lớp + M ch dùng toàn Tiristo : Ch nh l u có đi u khi nạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ư ều từ A đến K khi ểu p , catốt K là cực nối với lớp + M ch dùng n a diode , n a tiristo : Ch nh l u bán đi u khi nạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ử được cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ử được cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ư ều từ A đến K khi ểu p , catốt K là cực nối với lớp

3 Các thông s c b n c a ch nh l u ơng Khi U ảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ủng ỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ư

-Đi n áp t i: Uện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi d = 1

T∫

0

T

-Dòng đi n t i: Id = Uện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi dc/Rd

-Dòng đi n ch y qua ng t đi n: Iện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ắt nhanh của MOSFET và khả ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ND = Id/m

-Đi n áp ngện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ược cấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ủngc c a ng t đi n: Uắt nhanh của MOSFET và khả ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi N= Umax

-Công su t bi n áp: Sấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 BA = S 1 BA+S 2 BA

-S l n đ p m ch trong m t chu kỳ mận trong diode ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ột lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2

-Đ đ p m ch (nh p nhô) c a đi n áp t i.ột lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ận trong diode ạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ấu tạo bởi một lớp tiếp giáp bán dẫn p-n Đi ốt có 2 ủng ện chỉ chảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi ảy qua đi ốt theo chiều từ A đến K khi

II Các m ch ch nh l u th c nghi m ạng thái mở ỉnh lưu thực nghiệm ư ực tế ệm :

1 Ch nh l u tia 1 pha không đi u khi n ỉnh lưu thực nghiệm ư ều khiển cách ly – IGBT ( Insulated Gate ển cách ly – IGBT ( Insulated Gate

- M ch l c : ạng thái mở ực tế

Page 12

- K t qu d ng sóng Oscilloscope ế ả dạng sóng Oscilloscope ạng thái mở

2 Ch nh l u tia 2 pha không đi u khi n ỉnh lưu thực nghiệm ư ều khiển cách ly – IGBT ( Insulated Gate ển cách ly – IGBT ( Insulated Gate

- M ch l c : ạng thái mở ực tế

Page 14

- K t qu d ng sóng Oscilloscope: ế ả dạng sóng Oscilloscope ạng thái mở

3 Ch nh l u c u 1 pha không đi u khi n ỉnh lưu thực nghiệm ư ầu 1 pha không điều khiển ều khiển cách ly – IGBT ( Insulated Gate ển cách ly – IGBT ( Insulated Gate

- M ch l c : ạng thái mở ực tế

Page 16