Tiêu chuẩn ngành TCN 68-194:2000 về Tương thích điện từ (EMC) - Miễn nhiễm đối với nhiễu phát xạ tần số vô tuyến - Phương pháp đo và thử quy định chuẩn mực chung để đánh giá các đặc tính của thiết bị viễn thông phải chịu ảnh hưởng của các trường điện từ tần số vô tuyến. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.
TIÊU CHUẨN NGÀNH TCN 68-194: 2000 TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ (EMC) MIỄN NHIỄM ĐỐI VỚI NHIỄU PHÁT XẠ TẦN SỐ VÔ TUYẾN PHƯƠNG PHÁP ĐO VÀ THỬ ElectroMagnetic Compatibility (EMC) Immunity to radiated, Radio-Frequency, ElectroMagnetic Fields Methods of Testing and Measurement NHÀ XUẤT BẢN BƯU ĐIỆN HÀ NỘI, 02 - 2001 MỤC LỤC Lời nói đầu Quyết định ban hành Tổng cục trưởng Tổng cục Bưu điện Phạm vi Định nghĩa thuật ngữ Mức thử Thiết bị thử Thiết lập phép thử Thủ tục phép thử Kết phép thử Phụ lục A – Sở để chọn lựa phương pháp điều chế cho phép thử liên quan tới việc bảo vệ chống lại nhiễu phát xạ tần số vô tuyến từ máy điện thoại vô tuyến số Phụ lục B – Các anten phát trường Phụ lục C – Sử dụng buồng không phản xạ Phụ lục D – Các phương pháp đo thử khác, ngăn “TEM” dẫn sóng Phụ lục E - Những phương tiện phép thử khác Phụ lục F – Hướng dẫn xác định mức thử Phụ lục G – Các cách xử lý đặc biệt máy phát cố định Phụ lục H – Lựa chọn phương pháp thử Phụ lục I – Các loại môi trường nhiễu Tài liệu tham khảo LỜI NÓI ĐẦU Tiêu chuẩn TCN 68 – 194: 2000 “Tương thích điện từ (EMC) Miễn nhiễm nhiễu phát xạ tần số vô tuyến – Phương pháp đo thử” xây dựng sở chấp thuận áp dụng nguyên vẹn yêu cầu phương pháp thử khả miễn nhiễm nhiễu phát xạ tần số vô tuyến tiêu chuẩn IEC 1000-4-3 (1998) “Tương thích điện từ (EMC) Phần 4: Các kỹ thuật đo thử Chương 3: Miễn nhiễm nhiễu phát xạ tần số vô tuyến” Tiêu chuẩn TCN 68 – 194: 2000 “Tương thích điện từ (EMC) Miễn nhiễm nhiễu phát xạ tần số vô tuyến – Phương pháp đo thử” Viện Khoa học Kỹ thuật Bưu điện biên soạn Nhóm biên soạn KS Nguyễn Hữu Hậu chủ trì, với tham gia tích cực KS Vương Dương Minh, KS Đoàn Quang Hoan, KS Phạm Hồng Dương, TS Nguyễn Văn Dũng số cán kỹ thuật khác Ngành Tiêu chuẩn TCN 68 – 194: 2000 “Tương thích điện từ (EMC) Miễn nhiễm nhiễu phát xạ tần số vô tuyến- Phương pháp đo thử” Vụ Khoa học Công nghệ Hợp tác Quốc tế đề nghị Tổng cục Bưu điện ban hành theo Quyết định số 1247/2000/QĐ-TCBĐ ngày 28 tháng 12 năm 2000 VỤ KHOA HỌC CÔNG NGHỆ VÀ HỢP TÁC QUỐC TẾ TIÊU CHUẨN NGÀNH TCN 68 - 194: 2000 TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỪ (EMC) MIỄN NHIỄM ĐỐI VỚI NHIỄU PHÁT XẠ TẦN SỐ VÔ TUYẾN PHƯƠNG PHÁP ĐO VÀ THỬ ElectroMagnetic Compatibility (EMC) Immunity to Radiated, Radio-Frequency, ElectroMagnetic Fields Methods of Testing and Measurement (Ban hành kèm theo Quyết định số 1247/2000/QĐ-TCBĐ ngày 28 tháng 12 năm 2000 Tổng cục trưởng Tổng cục Bưu điện) Phạm vi Tiêu chuẩn xác định mức thủ tục cho phép thử khả miễn nhiễm thiết bị viễn thông lượng phát xạ điện từ Tiêu chuẩn quy định chuẩn mực chung để đánh giá đặc tính thiết bị viễn thơng phải chịu ảnh hưởng trường điện từ tần số vô tuyến Tiêu chuẩn đề cập đến phép thứ miễn nhiễm liên quan tới mục đích chung đặc biệt khả chống nhiễu vô tuyến phát xạ từ máy điện thoại vô tuyến số Chú ý: Các phương pháp thử tiêu chuẩn nhằm xác định mức độ ảnh hưởng nhiễu phát xạ tới thiết bị kiểm tra Sự mô phép đo mức nhiễu phát xạ tiêu chuẩn chưa đủ xác thỏa đáng để đánh giá cách định lượng ảnh hưởng Các phương pháp thử xây dựng với mục đích đảm bảo khả tái tạo lại kết quả, với thiết bị thử khác nhau, để phân tích định tính ảnh hưởng Tiêu chuẩn không xác định phương pháp thử áp dụng cho thiết bị hay hệ thống cụ thể Mục đích đưa chuẩn mực chung cho thiết bị viễn thơng Chú ý: Tiêu chuẩn áp dụng cho thiết bị điện, điện tử nói chung Định nghĩa thuật ngữ 2.1 Điều chế biên độ - A Amplitude Modulation Điều chế biên độ trình thay đổi biên độ sóng mang theo quy luật xác định 2.2 Buồng không phản xạ - A Anechoic Chamber Buồng không phản xạ buồng có vỏ chắn mà mặt phủ vật liệu hấp thụ sóng vơ tuyến để giảm phản xạ 2.2.1 Buồng khơng phản xạ hồn tồn - A Fully Anechoic Chamber Buồng khơng phản xạ hồn tồn buồng có vỏ chắn, bề mặt bên phủ hoàn toàn vật liệu hấp thụ 2.2.2 Buồng bán phản xạ - A.Semi Anechoic Chamber Buồng bán phản xạ buồng có vỏ chắn, bề mặt bên phủ vật liệu hấp thụ ngoại trừ mặt sàn (có thể mặt phản xạ) 2.2.3 Buồng bán phản xạ cải tiến – A Modified Semi – Anechoic Chamber Buồng bán phản xạ cải tiến buồng bán phản xạ có thêm hấp thụ đặt mặt sàn 2.3 Anten Anten chuyển đổi có chức phát xạ lượng tần số vơ tuyến vào khơng gian từ nguồn tín hiệu thu trường điện từ tới chuyển đổi thành tín hiệu điện 2.4 Balun Balun thiết bị chuyển đổi tín hiệu điện áp khơng cân thành tín hiệu điện áp cân ngược lại 2.5 Sóng liên tục – A Continuous Waves (CW) Sóng liên tục sóng điện từ mà dao động liên tiếp đồng dạng điều kiện ổn định Sóng điện từ bị tạm ngắt điều chế để mang thơng tin 2.6 Sóng điện từ - A ElectroMagnetic (EM) Wave Sóng điện từ lượng phát xạ tạo dao động hạt mang điện, đặc tính hóa dao động trường điện từ 2.7 Trường xa - A Fax Field Trường xa vùng mà mật độ thông lượng công suất từ anten tuân theo luật ngịch đảo bình phương khoảng cách Với anten lưỡng cực trường xa tương ứng với khoảng cách lớn bước sóng phát xạ / , 2.8 Cường độ trường - A Field Strength Khái niệm “cường độ trường” áp dụng cho phép đo thực trường xa Phép đo thành phần điện thành phần từ trường biểu diễn theo đơn vị V/m, A/m W/m2 đơn vị biến đổi thành đơn vị khác công thức) Chú ý: Với phép đo thực trường gần, khái niệm “cường độ điện trường” “cường độ từ trường” sử dụng tương ứng với phép đo trường điện hay trường từ Trong vùng trường gần mối quan hệ cường độ điện trường, cường độ từ trường khoảng cách phức tạp khó dự đốn, việc xác định tùy thuộc vào cấu hình đặc trưng đối tượng kiểm tra Thường khơng thể xác định mối quan hệ pha không gian thời gian thành phần khác trường phức hợp tương tự xác định mật độ thông lượng công suất trường 2.9 Băng tần – A Frequency Band Băng tần dải tần số liên tục hai giới hạn 2.10 Trường cảm ứng – A Induction Field Trường cảm ứng trường điện và/hoặc trường từ khoảng cách d < / bước sóng Kích thước vật lý nguồn phải nhỏ nhiều so với khoảng cách d 2.11 Đẳng hướng - A Isorropic Đẳng hướng nghĩa có giá trị tất hướng 2.12 Phân cực – A Polarization Phân cực định hướng véctơ trường điện trường phát xạ 2.13 Buồng có vỏ chắn – A Shielded Enclosure Buồng có vỏ chắn buồng có vỏ kim loại đặc dạng lưới, thiết kế để cách ly bên buồng với môi trường điện từ bên ngồi Mục đích ngăn trường điện từ bên làm suy giảm chất lượng phép thử ngăn phát xạ bên gây nhiễu làm ảnh hưởng đến hoạt động bên 2.14 Tấm dẫn sóng - A Stripline Tấm dẫn sóng đường truyền dẫn bao gồm hai kim loại song song, chúng sóng lan truyền theo phương thức điện từ ngang để tạo trường xác định [IEV 161-04-31] 2.15 Phát xạ giả - A Spurious Emission Phát xạ giả phát xạ điện từ không mong muốn phát từ thiết bị điện 2.16 Quét – A Sweep Quét thay đổi tần số liên tục theo bước dải tần số 2.17 Thiết bị thu phát – A Transceiver Thiết bị thu phát thiết bị tổ hợp hai chức thu phát vô tuyến 2.18 Thiết bị mang người – A Human body mounted equipment Định nghĩa bao gồm tất thiết bị mang theo người sử dụng, ví dụ thiết bị bỏ túi, thiết bị điện tử phụ trợ kèm theo thiết bị điện tử cấy ghép vào thể 2.19 Giá trị RMS cực đại - A Maximum RMS value Giá trị RMS cực đại giá trị RMS ngắn hạn lớn tín hiệu tần số vơ tuyến (RF) điều chế khoảng thời gian quan sát chu kỳ điều chế Giá trị RMS ngắn hạn xác định qua chu kỳ sóng mang đơn Ví dụ hình 1b), điện áp RMS cực đại là: Vmax imum RMS Vp p /( 2x ) 1,8 V 2.20 Điều chế đường bao thay đổi - A Non-constant envelope modulate Điều chế đường bao thay đổi phương thức điều chế RF mà biên độ sóng mang thay đổi chậm theo thời gian so sánh với chu kỳ thân sóng mang Ví dụ chế điều biên thơng thường TDMA 2.21 Đa truy nhập chia theo thời gian – TDMA – A Time Devision Multiple Access Đa truy nhập chia theo thời gian phương thức điều chế ghép kênh theo thời gian, số kênh thông tin riêng rẽ ghép sóng mang tần số ấn định Mỗi kênh ấn định khe thời gian, khe thời gian thơng tin phát xung công suất RF kênh hoạt động Nếu kênh khơng hoạt động khơng có xung phát đi, đo đường bao sóng mang khơng cố định Trong khoảng thời gian phát xung tín hiệu biên độ số sóng mang RF điều chế tần số pha Mức thử 3.1 Các mức thử với mục đích chung Các mức thử quy định bảng Dải tần: từ 80 đến 000 MHz Bảng – Các mức thử Mức Cường độ trường thử, V/m 1 3 10 x Đặc biệt Chú ý: x – mức mở, mức cho tiêu kỹ thuật thiết bị Trong bảng giá trị cường độ trường tín hiệu chưa điều chế Khi thực phép thử, tín hiệu điều biên với độ sâu điều chế 80% sóng hình sin tần số 1kHz (xem hình 1) Mục mơ tả chi tiết trình tự thực phép thử Chú ý – Có thể lựa chọn tần số chuyển đổi thấp cao 80 MHz (xem phụ lục H) Chú ý – Có thể chọn phương thức điều chế khác 3.2 Các mức thử khả chống nhiễu vô tuyến phát xạ từ máy điện thoại vô tuyến số Các mức thử quy định bảng với dải tần từ 800 đến 960 MHz từ 1,4 đến 2,0 GHz Bảng – Các dải tần 800 đến 960 MHz từ 1,4 đến 2,0 GHz Mức Cường độ trường thử, V/m 1 3 10 30 x Đặc biệt Chú ý: x – mức mở, mức cho tiêu kỹ thuật thiết bị Bảng giá trị cường độ trường tín hiệu sóng mang chưa điều chế Khi tiến hành phép thử, tín hiệu sóng mang điều biên với độ sâu điều chế 80% sóng hình sin tần số kHz (xem hình 1) Mục mơ tả chi tiết trình tự phép thử Nếu sản phẩm thiết bị chế tạo nhằm thỏa mãn với yêu cầu Quốc gia đó, giảm dải tần thực phép thử từ 1,4 tới 2,0 GHz xuống tới dải tần ấn định cho máy điện thoại di động số Quốc gia Trong trường hợp dải tần thực phép thử phải ghi biên thử nghiệm Trong dải tần số chung đề cập hai bảng 2, cần thực phép thử với mức thử cao số hai mức thử quy định hai bảng Chú ý – Phụ lục A thuyết minh việc định sử dụng điều chế sóng hình sin phép thử với mục đích phòng chống nhiễu vô tuyến phát xạ từ máy điện thoại vô tuyến số Chú ý – Phụ lục F hướng dẫn lựa chọn mức thử Chú ý – Các dải tần phép thử bảng dải tần thường ấn định cho máy điện thoại vô tuyến số (phụ lục I liệt kê tần số ấn định cho máy điện thoại vô tuyến số biết nay) Chú ý – Các ảnh hưởng tần số 800 MHz chủ yếu từ hệ thống điện thoại vô tuyến Các hệ thống khác hoạt động dải tần (ví dụ mạng LAN vô tuyến hoạt động tần số 2,4 GHz) thường có cơng suất thấp (điển hình thấp 100 mW) , khả gây ảnh hưởng Thiết bị thử Các loại thiết bị sau khuyến nghị sử dụng phép thử: - Buồng khơng phản xạ: phải có kích thước phù hợp để trì trường đồng theo chiều liên quan đến thiết bị kiểm tra (EUT) Có thể sử dụng mặt hấp thụ phụ trợ để giảm phản xạ buồng Chú ý: Các phương pháp khác để tạo trường EM bao gồm: ngăn TEM, dẫn sóng, buồng khơng phản xạ phần, vị trí thử ngồi trời, … Những thiết bị có giới hạn kích thước thiết bị đặt trường đồng nhất, giới hạn dải tần số, gây vi phạm quy định quản lý, … Cần phải lưu ý đặc biệt để đảm bảo điều kiện thực phép thử tương đương với điều kiện buồng không phản xạ - Các lọc EMI: phải đảm bảo lọc không gây hiệu ứng cộng hưởng phụ đường dây nối tới - Máy phát tín hiệu RF: có băng tần đáp ứng yêu cầu điều biên sóng hình sin tần số kHz với độ sâu điều chế 80% Máy phát phải có khả quét tự động với tốc độ 1,5 x 10-3 decade/s hay thấp hơn, trường hợp máy phát tổ hợp phải có khả lập trình bước quét theo tần số khoảng thời gian dừng Các chức đặt nhân cơng Nếu cần thiết phải sử dụng lọc thông thấp lọc thông băng để ngăn ảnh hưởng nhiễu hài tới thiết bị thu tín hiệu với mục đích giám sát – điều khiển - Các khuếch đại công suất: khuếch đại tín hiệu (khơng điều chế điều chế) để đáp ứng mức thử theo yêu cầu Các hài méo khuếch đại công suất tạo phải có biên độ thấp so với biên độ sóng mang 15 dB - Các anten phát (xem thêm phụ lục B): anten biconical, anten chu kỳ logarit anten phân cực tuyến tính thỏa mãn yêu cầu tần số - Anten phân cực ngang phân cực đứng anten giám sát cường độ trường đẳng hướng: lưỡng cực có tổng độ dài 0,1 m nhỏ hơn, khuếch đại ghép quang – điện chúng phải có đủ khả miễn nhiễm trường đo, đồng thời có đường nối sợi quang tới thiết bị thị bên buồng đo Cũng sử dụng đường truyền tín hiệu khác với lọc thích hợp - Thiết bị phụ trợ để ghi mức công suất cần thiết cường độ trường theo yêu cầu để điều khiển mức phát cho phép thử Cần phải ý đến khả miễn nhiễm thiết bị phụ trợ 4.1 Mô tả phương tiện thử Do tạo trường có cường độ lớn nên phép thử phải thực buồng có vỏ chắn để không gây nhiễu ảnh hưởng tới hệ thống thơng tin vơ tuyến bên ngồi Ngồi ra, hầu hết thiết bị đo nhạy với trường điện từ xung quanh tiến hành phép thử nên buồng có vỏ chắn tạo “sự cách ly” cần thiết EUT thiết bị đo Phải đảm bảo việc đấu nối cáp qua buồng có vỏ chắn làm suy giảm thỏa đáng nhiễu dẫn nhiễu phát xạ mà trì tính ngun vẹn đáp ứng cơng suất tín hiệu EUT Thiết bị thử bao gồm buồng thử có vỏ chắn với lớp phủ chất hấp thụ, buồng thử phải đủ lớn để chứa EUT cho phép kiểm sốt cường độ trường Các buồng có vỏ chắn khác chứa thiết bị tạo trường thử, thiết bị giám sát thiết bị kích thích EUT (nếu có) Các buồng thử bao gồm loại buồng không phản xạ buồng bán phản xạ cải tiến ví dụ hình Buồng khơng phản xạ thường có hiệu tần số thấp nên phải đặc biệt quan tâm đến tính đồng trường tần số Hướng dẫn cụ thể cho phụ lục C 4.2 Hiệu chuẩn trường điện từ Mục đích việc hiệu chuẩn trường đảm bảo độ đồng trường mẫu thử để có kết xác Trong thực hiệu chuẩn, khơng điều chế tín hiệu thử để đảm bảo xác cảm biến trường Tiêu chuẩn sử dụng khái niệm “vùng đồng nhất” (xem hình 3) Đó mặt phẳng trường thẳng đứng, biến thiên trường thấp mức chấp nhận Vùng đồng có kích thước 1,5m x 1,5m, trừ trường hợp EUT dây dẫn nằm gọn mặt phẳng nhỏ hơn; diện tích đồng không nhỏ 0,5 m x 0,5 m Khi thiết lập cấu hình phép thử, bề mặt chiếu xạ EUT phải trùng khớp với mặt phẳng (xem hình 6) Vì khơng thể thiết lập trường đồng gần với gần với mặt đất chuẩn nên vùng hiệu chuẩn tạo độ cao khơng nhỏ 0,8 m phía mặt đất chuẩn EUT đặt độ cao Để xác lập độ khắt khe phép thử, EUT dây dẫn mà phải thử gần với mặt đất chuẩn EUT có kích thước lớn 1,5 m x 1,5 m, cường độ trường ghi độ cao 0,4 m suốt dọc theo chiều rộng chiều cao EUT ghi biên thử nghiệm Vùng đồng hiệu chuẩn buồng trống Cấu hình vị trí anten, hấp thụ (nếu sử dụng), … phải ghi giữ lại Sau sử dụng chúng kiểm tra buồng thử, công việc tiến hành trước đợt đo thử (xem mục 6) Công việc hiệu chuẩn phải tiến hành tối thiểu năm lần có thay đổi cấu hình vỏ chắn (như đặt lại hấp thụ, di chuyển vùng đồng nhất, thay đổi thiết bị, …) Anten phát phải đặt khoảng cách đủ lớn để vùng hiệu chuẩn, có kích thước 1,5m x 1,5m, nằm gọn độ rộng búp trường phát Nếu diện tích bề mặt EUT lớn 1,5 m x 1,5 m phải hiệu chuẩn với vị trí anten phát xạ khác để cho EUT rọi toàn loạt phép thử Các cảm biến trường phải đặt cách anten phát 1m Thơng thường khoảng cách anten phát EUT m Kích thước tính từ tâm anten biconical từ đầu mút anten chu kỳ logarit Biên thử nghiệm phải ghi khoảng cách từ anten phát tới vùng đồng hiệu chỉnh Trong trường hợp có khơng thống nhất, ưu tiên thực phép đo khoảng cách 3m Trường coi đồng biên độ vùng xác định nằm khoảng từ -0 tới + dB giá trị danh định, 75% diện tích vùng xác định (ví dụ 12 16 điểm đo nằm mức dung sai cho phép) Đối với vùng đồng nhỏ nhất, có kích thước 0,5 m x 0,5 m, cường độ trường bốn điểm lưới phải nằm mức dung sai cho phép Chú ý – Tại tần số khác nhau, điểm đo khác nằm mức dung sai cho phép Để đảm bảo cường độ trường không nằm mức danh định, mức dung sai phải khoảng từ -0 tới + dB Dung sai dB mức giá trị tối thiểu phải đạt thiết bị đo thử thực tế Cho phép mức dung sai lớn + 6dB đến + 10 dB với tối đa 3% tần số phép thử Mức dung sai thực tế phép thử phải ghi biên thử nghiệm Trong trường hợp có khơng thống sử dụng mức dung sai từ -0 đến + 6dB Các bước tiến hành hiệu chuẩn, công suất không đổi, sau: a) Đặt cảm biến trường 01 16 điểm lưới (xem hình 4); b) Điều chỉnh mức công suất đưa vào anten phát cho đạt giá trị cường độ trường dải từ đến 10V/m toàn dải tần phép thử với bước tần số 1% tần số đứng trước tính từ tần số bắt đầu ghi hai giá trị công suất cường độ trường đọc được; c) Với mức công suất đưa vào anten, đo ghi lại giá trị cường độ trường 15 điểm lại; d) Khảo sát tất 16 điểm, cho phép loại bỏ nhiều 25% tổng số điểm (có nghĩa 16 điểm) có độ lệch lớn so với giá trị trung bình, tính đơn vị V/m; e) Các điểm lại phải nằm phạm vi ±3 dB; f) Trong điểm lại, lấy vị trí có giá trị cường độ trường thấp làm chuẩn tham chiếu (điều đảm bảo thỏa mãn yêu cầu dung sai từ -0 đến +6 dB); g) Từ công suất đưa vào anten giá trị cường độ trường tương ứng tính cơng suất anten cần thiết để đạt giá trị cường độ trường theo yêu cầu phép thử (ví dụ, điểm cho, với mức công suất 80 W cho cường độ trường tương ứng V/m, phải cần mức công suất 8,9 W để có giá trị cường độ trường V/m); h) Lặp lại bước từ a) đến g) hai trường hợp phân cực ngang phân cực đứng; Một thủ tục khác tương đương thiết lập giá trị cường độ trường không đổi dải từ đến 10 V/m ghi mức công suất đưa vào anten phát Đồng thời phải tuân theo nguyên tắc mục a), d), e), f) h) Thao tác hiệu chuẩn có giá trị tất EUT có diện tích bề mặt (bao gồm cáp nối) nằm “vùng đồng nhất” Các anten cáp nối sử dụng để thiết lập trường hiệu chuẩn phải sử dụng phép thử Vị trí xác anten phát cáp nối phải ghi lại Vì di chuyển nhỏ ảnh hưởng đáng kể tới trường thử, nên phải sử dụng vị trí anten phát cáp nối để thực phép thử Thiết lập phép thử Phải thực tất phép thử với cấu hình cho gần giống với cấu hình lắp đặt thực tế Đấu nối thiết bị phải tuân thủ hướng dẫn nhà sản xuất thiết bị lắp đầy đủ vỏ nắp máy hướng dẫn sử dụng trừ có hướng dẫn khác Nếu thiết bị thiết kế để lắp tường, giá cabinet phải thực phép thử với cấu hình Khơng yêu cầu phải có mặt đất chuẩn kim loại phép thử Nếu cần giá đỡ mẫu thử, giá đỡ phải vật liệu phi kim loại, không dẫn điện Tuy nhiên, việc nối đất thiết bị phải tuân thủ với khuyến nghị lắp đặt nhà sản xuất Nếu EUT bao gồm thiết bị đặt sàn nhà để bàn phải ý đến vị trí tương đối thiết bị Các cấu hình EUT điển hình cho hình 5.1 Bố trí thiết bị để bàn EUT đặt bàn khơng dẫn điện có độ cao 0,8m Chú ý – Sử dụng giá đỡ không dẫn điện để ngăn ngừa tiếp đất ngẫu nhiên EUT không gây méo trường Để đảm bảo không méo trường, giá đỡ phải khối phi dẫn, khơng sử dụng loại có lớp vỏ cách điện bên cấu trúc kim loại Sau đó, thiết bị nối với dây nguồn dây tín hiệu tuân thủ theo hướng dẫn lắp đặt nhà sản xuất 5.2 Bố trí thiết bị đặt sàn nhà Thiết bị đặt sàn nhà để giá đỡ không dẫn điện cao mặt phẳng 0,1 m Sử dụng giá đỡ phi dẫn để ngăn ngửa tiếp đất ngẫu nhiên EUT không gây méo trường Để đảm bảo không méo trường, giá đỡ phải khối phi dẫn, khơng sử dụng loại có lớp vỏ cách điện bên cấu trúc kim loại Có thể bố trí thiết bị đặt sàn nhà bệ cao 0,8 m phi dẫn, thiết bị khơng q lớn, q nặng độ cao khơng gây nguy hiểm Sự thay đổi phải ghi lại biên thử nghiệm Sau thiết bị nối với dây nguồn dây tín hiệu tuân thủ theo hướng dẫn lắp đặt nhà sản xuất 5.3 Bố trí dây nối Nếu loại dây nối tới (hoặc từ) EUT không xác định hướng dẫn sử dụng, phải sử dụng dây dẫn song song không vỏ chắn nhiễu Dây nối đặt vào trường điện từ với khoảng cách 1m tính từ EUT Dây nối vỏ bao EUT phải xử lý sau: - Sử dụng đầu nối loại dây nối nhà sản xuất xác định; - Nếu hướng dẫn sử dụng nhà sản xuất yêu cầu độ dài dây nối nhỏ 3m, phải sử dụng độ dài Dây nối bó lại (sao cho có độ tự cảm thấp) tới độ dài 1m; - Nếu độ dài dây nối lớn m không xác định rõ, độ dài chiếu xạ phải m Phần lại tách ra, ví dụ qua ống ferrite suy hao tần số vô tuyến; Việc dùng lọc EMI phải cho không làm suy giảm chất lượng hoạt động EUT Phương pháp sử dụng phải ghi lại biên thử nghiệm Để tối thiểu hóa khả miễn nhiễm, vị trí EUT, dây nối phải đặt song song với vùng đồng Trong biên thử nghiệm phải có phần mơ tả đầy đủ vị trí định hướng dây nối, thiết bị cho lặp lại kết Độ dài bó dây dây nối phải bố trí với cấu hình cho mơ đấu nối chuẩn thực tế; có nghĩa dây nối chạy bên cạnh EUT sau chạy lên chạy xuống tùy theo hướng dẫn lắp đặt nhà sản xuất Bố trí theo chiều ngang hay chiều dọc nhằm mục đích khẳng định trường hợp xấu 5.4 Bố trí thiết bị mang người Phép thử thiết bị mang người tương tự thiết bị để bàn Tuy nhiên, phép thử q hay mức cần thiết khơng tính đến đặc tính thể người Do nhà sản xuất cần hỗ trợ để xác định việc sử dụng mô thể người với đặc tính điện mơi tương ứng Thủ tục phép thử: EUT phải thử với điều kiện hoạt động điều kiện môi trường xác định hướng dẫn sử dụng Nhiệt độ độ ẩm tương đối phải ghi lại biên thử nghiệm Thủ tục phép thử mục dành cho việc sử dụng anten biconical, anten chu kỳ logarit buồng bán phản xạ cải tiến Các thủ tục phép thử khác cho phụ lục D Trước tiến hành phép thử, phải kiểm tra lại cường độ trường cách đặt cảm biến trường vào điểm lưới hiệu chuẩn, vị trí anten phát cáp nối giống tiến hành hiệu chuẩn đo cơng suất đưa vào anten cần thiết để tạo cường độ trường hiệu chuẩn Kết thu phải tương tự giá trị ghi lại hiệu chuẩn Tiến hành kiểm tra số điểm lưới hiệu chuẩn toàn dải tần khảo sát với hai loại phân cực Sau hiệu chuẩn tạo trường thử giá trị có hiệu chuẩn (xem mục 4.2) EUT lúc đầu đặt vị trí cho mặt trùng khớp mặt hiệu chuẩn Thực quét toàn dải tần khảo sát với tín hiệu điều chế biên độ với độ sâu điều chế 80% sóng hình sin kHz Tốc độ qt khơng vượt 1,5 x 10 decacdes/s Khi quét tăng bước tần số khơng vượt q 1% mức nền, có nghĩa tần số sau phải nhỏ tần số trước sau nhân với hệ số 1,01 (với bước 1%) Thời gian dừng tần số không nhỏ thời gian cần thiết để kích thích đáp ứng lại EUT Các tần số nhạy cảm (ví dụ tần số xung nhịp) phải kiểm tra riêng rẽ Phép thử thường thực với cấu hình anten phát đối diện với mặt bốn mặt EUT Trong trường hợp thiết bị sử dụng với hướng đặt khác (ví dụ đặt ngang thẳng đứng), phải thực phép thử với tất mặt Chú ý – Nếu EUT gồm nhiều khối, khơng cần thiết phải thay đổi vị trí khối EUT, cần chiếu xạ từ phía khác Do phân cực trường nên phải thực phép thử hai lần với mặt EUT, lần với trường hợp anten phân cực đứng lần với anten phân cực ngang Phép thử phải thực theo kế hoạch thử ghi lại biên thử nghiệm, bao gồm: - Kích cỡ EUT; - Điều kiện làm việc đặc trưng EUT; - EUT thử theo cách thiết bị để bàn, đặt sàn nhà tổ hợp hai Đối với thiết bị đặt sàn nhà, để độ cao 0,1 m hay 0,8 m - Loại phương tiện sử dụng vị trí anten phát xạ; - Loại anten sử dụng; - Tốc độ quét tần số thời gian dừng bước tần số; - Mức thử áp dụng; - Loại, số lượng dây nối sử dụng cổng giao diện tương ứng EUT; - Tiêu chí chất lượng; - Mơ tả phương pháp kích thích EUT Nếu cần thiết thực số phép thử kiểm tra để lập kế hoạch thử chi tiết Tài liệu phép thử phải bao gồm điều kiện thử, tình trạng hiệu chuẩn kết phép thử Kết phép thử Nội dung mục hướng dẫn đánh giá kết phép thử Kết phép thử phải phân loại đánh giá dựa điều kiện làm việc đặc tính chức EUT đây: a) Hoạt động bình thường phạm vi giới hạn quy định; b) Chức bị bị suy giảm tạm thời tự phục hồi được; c) Chức bị bị suy giảm tạm thời, khôi phục lại nhờ tác động người điều khiển cài đặt lại hệ thống; d) Suy giảm chức năng, phục hồi hư hỏng thiết bị (hoặc thành phần đó), sai hỏng phần mềm hay số liệu Kết phép thử đánh giá đạt EUT có khả miễn nhiễm tất khoảng thời gian thực phép thử kết thúc phép thử EUT hồn tồn thực yêu cầu chức tiêu kỹ thuật thiết bị Trong tiêu kỹ thuật thiết bị xác định số hiệu ứng EUT, hiệu ứng coi khơng quan trọng chấp nhận Đối với trường hợp phải xác định thiết bị tự phục hồi chức kết thúc phép thử, khoảng thời gian (nếu có) mà EUT bị chức phải ghi lại biên Biên kết phải bao gồm điều kiện thực phép thử kết phép thử a Tín hiệu RF chưa điều chế b Tín hiệu RF điều chế 80% AM Vp-p = 2,8 V Vpp = 5,1 V Vrms = 1,0 V Vrms = 1,12 V Vmax RMS = 1,8 V Hình – Mức dạng sóng đầu máy phát tín hiệu thử Hình – Ví dụ phương tiện thử Hình – Hiệu chuẩn trường Hình – Hiệu chuẩn trường, kích thước vùng đồng Hình – Thiết lập cấu hình phép thử cho thiết bị đặt sàn nhà Hình – Thiết lập cấu hình phép thử cho thiết bị để bàn PHỤ LỤC A (Tham khảo) Sở để chọn lựa phương pháp điều chế cho phép thử liên quan tới việc bảo vệ chống lại nhiễu phát xạ tần vô tuyến từ máy điện thoại vơ tuyến số A.1 Tóm tắt phương pháp điều chế khác Mô ảnh hưởng nhiễu tần số 800 MHz từ máy điện thoại vô tuyến số thông thường sử dụng dạng điều chế đường bao thay đổi Khi xây dựng tiêu chuẩn này, phương pháp điều chế xem xét: - Điều biên sóng hình sin, độ sâu 80%, tần số điều chế kHz, - Điều biên sóng vng, tỷ lệ xung 1-2, độ sâu 100%, tần số 200 Hz; - Xung RF mô gần đặc tính hệ thống, ví dụ tỷ lệ xung 1:8 tần số 200 Hz GSM, tỷ lệ xung 1: 24 tần số 100 Hz máy xách tay DECT, (xem phụ lục I GSM DECT) - Xung RF mơ xác đặc tính hệ thống, ví dụ GSM tỷ lệ xung 1:8 tần số 200 Hz cộng với hiệu ứng thứ cấp chế độ truyền dẫn gián đoạn (tần số điều chế Hz) hiệu ứng đa khung (thành phần tần số Hz) Các ưu nhược điểm phương pháp tóm tắt bảng A.1 Bảng A.1 – So sánh phương pháp điều chế Phương pháp điều chế Ưu điểm Nhược điểm Điều biên sóng hình sin Thực nghiệm cho thấy thiết lập mối tương quan xác hiệu ứng nhiễu loại điều chế đường bao biến đổi khác Khơng mơ xác TDMA Không cần thiết phải xác định (và đo) thời gian Hơi khắc khe đối tăng xung TDMA với EUT có đáp ứng tn theo phương trình vi phân bậc Sử dụng tiêu chuẩn tiêu chuẩn IEC 61000-4-6 Có thể bỏ sót số chế sai hỏng Thiết bị phát trường thiết bị giám sát tương đối phổ thông Với thiết bị âm tương tự, việc giải điều chế EUT tạo đáp ứng âm đo đồng hồ đo mức băng hẹp, giảm nhiễu Đã chứng minh hiệu việc mô ảnh hưởng kiểu điều chế khác (ví dụ: điều tần, điều pha, điều xung) tần số thấp Điều biên sóng vng Giống TDMA Khơng mơ xác TDMA Có thể áp dụng phổ biến Đòi hỏi thiết bị phi chuẩn để phát tín hiệu thử Có thể phát chế sai hỏng “unknown” (nhạy cảm với tốc độ thay đổi lớn đường bao RF) Việc giải điều chế EUT tạo đáp ứng âm băng rộng, phải đo đồng hồ đo mức băng rộng, làm tăng nhiễu Cần phải xác định thời gian tăng xung Tạo xung RF Mô xác TDMA Đòi hỏi thiết bị phi chuẩn để phát tín hiệu thử Có thể phát chế sai hỏng “unknown” (nhạy cảm với tốc độ thay đổi lớn đường bao RF) Một số điểm điều chế phải thay đổi để phù hợp với hệ thống khác (GSM, DECT, …) Việc giải điều chế EUT tạo đáp ứng âm băng rộng, phải đo đồng hồ đo mức băng rộng, làm tăng nhiễu Cần phải xác định thời gian tăng xung A.2 Các kết thực nghiệm Một loạt thử nghiệm tiến hành để đánh giá mối tương quan phương pháp điều chế sử dụng để tạo tín hiệu gây nhiễu nhiễu tạo Các phương pháp điều chế nghiên cứu là: a) Sóng hình sin 80% AM tần số kHz; b) Xung RF “giống GSM”, tỷ lệ xung 1:8 tần số 200 kHz; c) Xung RF “giống DECT”, tỷ lệ xung 1:2 tần số 100 kHz (trạm gốc); d) Xung RF “giống DECT”, tỷ lệ xung 1:24 tần số 100 kHz (máy cầm tay) Trong trường hợp sử dụng phương pháp điều chế “giống DECT” Các kết tóm tắt bảng A.2 A.3 Bảng A.2 – Các mức nhiễu tương đối (chú ý 1) Phương pháp điều chế (Chú ý 2) Sóng hình sin 80% AM tần số kHz, dB “Giống GSM” tỷ lệ xung 1:8 tần số 200 Hz, dB “Giống DECT” tỷ lệ xung 1:24 tần số 100 Hz, dB (Chú ý 4) -3 ↓ Thiết bị ↓ Đáp ứng âm Máy trợ thính (Chú ý 3) Không trọng số 21 Hz – 21 kHz Trọng số loại A -4 -7 Máy điện thoại tương tự (Chú ý 5) Không trọng số (Chú ý 4) -3 -7 Trọng số loại A -1 -6 -8 Máy thu (Chú ý 6) Không trọng số (Chú ý 4) +1 -2 Trọng số loại A -1 -3 -7 Chú ý - Đáp ứng âm mức nhiễu, mức nhiễu thấp có nghĩa mức miễn nhiễm cao Chú ý - Biên độ sóng mang điều chỉnh cho giá trị RMS cực đại (xem mục 2) tín hiệu gây nhiễu giống tất phương pháp điều chế Chú ý - Tín hiệu gây nhiễu tạo trường điện từ tần số 900 MHz Tỷ lệ xung điều chế “giống DECT” 1:2 thay 1:24 Đáp ứng âm âm đầu đo tai giả nối qua ống PVC 0,5 m Chú ý - Trường hợp chọn đáp ứng âm chuẩn, có nghĩa dB Chú ý - Tín hiệu gây nhiễu dòng RF tần số 900 MHz xâm nhập vào cáp điện thoại Đáp ứng âm điện áp tần số âm tần đo đường dây điện thoại Chú ý - Tín hiệu gây nhiễu dòng RF tần số 900 MHz xâm nhập vào cáp nguồn Đáp ứng âm âm đầu đo microphone Bảng A.3 – Các mức miễn nhiễu tương ứng (chú ý 1) Phương pháp điều chế Sóng sin 80% AM tần số kHz, dB “Giống GSM” tỷ lệ xung 1:8 tần số 200 Hz, dB “Giống DECT” tỷ lệ xung 1:24 tần số 100 Hz, dB (Chú ý 4) -2 -2 Nhiễu mạnh +4 +1 +2 Màn hình tắt ~+19 +18 +19 (Chú ý 4) - > +16 >+16 - (chú ý 2) ↓ Thiết bị Máy thu hình (Chú ý 3) ↓ Đáp ứng Nhiễu nhìn thấy rõ Đầu cuối số liệu với giao diện RS232 (Chú ý 5) Nhiễu hình video Modem RS232 (chú ý 6) Lỗi số liệu (xâm nhập vào giao diện thoại) (Chú ý 4) 0 Lỗi số liệu (xâm nhập vào giao > +9 >+9 >+9 Lỗi số liệu diện R232) Nguồn cấp cho phòng thí nghiệm (Chú ý 7) Lỗi 2% dòng chiều đầu (Chú ý 4) +3 Kết nối chéo SDH (Chú ý 8) Ngưỡng lỗi bít (Chú ý 4) +7 Chú ý - Các số cho bảng giá trị đo tương đối mức RMS cực đại (xem mục 2) tín hiệu gây nhiễu cần thiết để tạo mức nhiễu với tất phương pháp điều chế khác Mức dB cao nghĩa độ miễn nhiễm cao Chú ý - Tín hiệu gây nhiễu điều chỉnh cho tạo đáp ứng (nhiễu) với tất phương pháp điều chế Chú ý Tín hiệu gây nhiễu dòng RF tần số 900 MHz xâm nhập vào cáp nguồn Đáp ứng độ nhiễu tạo thành hình Chú ý - Trường hợp chọn mức miễn nhiễm chuẩn, có nghĩa dB Chú ý - Tín hiệu gây nhiễu dòng RF tần số 900 MHz xâm nhập vào cáp RS232 Chú ý - Tín hiệu gây nhiễu dòng RF tần số 900 MHz xâm nhập vào cáp điện thoại cáp RS232 Chú ý - Tín hiệu gây nhiễu dòng RF tần số 900 MHz xâm nhập vào cáp DC đầu Chú ý - Tín hiệu gây nhiễu trường điện từ tần số 935 MHz Danh mục thiết bị thử, sử dụng hai phương pháp điều chế sóng sin AM điều xung (tỷ lệ xung 1:2) với cường độ trường lên tới 30 V/m: - Máy sấy khô cầm tay điều khiển vi xử lý; - Modem Mbit/s với cáp đồng trục 75 Ω; - Modem Mbit/s với cáp hai dây xoắn 120 Ω; - Bộ điều khiển công nghiệp sử dụng vi xử lý, hiển thị video giao diện RS485; - Hệ thống hiển thị tàu sử dụng vi xử lý; - Thiết bị đầu cuối thẻ tín dụng có đầu modem; - Bộ ghép kênh số 2/34 Mbit/s; - Bộ lập Ethernet (10 Mbit/s) A.3 Các hiệu ứng điều chế thứ cấp Để mơ xác điều chế sử dụng hệ thống điện thoại vô tuyến số khơng mơ điều chế sơ cấp mà phải xét đến ảnh hưởng điều chế thứ cấp xuất Ví dụ: Đối với GSM DCS 1800 có hiệu ứng đa khung gây nén cụm chu kỳ 120 ms (tạo thành phần tần số xấp xỉ Hz) Ngoài xuất điều chế tần số Hz từ phương thức truyền dẫn gián đoạn (DTX) A.4 Kết luận Từ trường hợp nghiên cứu thấy EUT đáp ứng cách độc lập với phương pháp điều chế sử dụng Khi so sánh hiệu ứng phương pháp điều chế khác nhau, quan trọng phải đảm bảo mức RMS cực đại tín hiệu nhiễu giống Nếu có khác đáng kể hiệu ứng kiểu điều chế khác sóng hình sin AM ln trường hợp khắc nghiệt Khi có đáp ứng khác điều chế sóng hình sin TDMA điều chỉnh tiêu chí đánh giá tiêu chuẩn sản phẩm Tóm lại, điều chế sóng hình sin có ưu điểm sau: - Đáp ứng tách sóng băng hẹp hệ thống tương tự giảm vấn đề nhiễu nền; - Khả áp dụng rộng rãi; - Điều chế giống tất tần số; - Luôn khắc nghiệt điều chế xung Với lý trên, phương pháp điều chế tiêu chuẩn điều biên 80% sóng hình sin PHỤ LỤC B (Tham khảo) Các anten phát trường B.1 Anten Biconical (20 MHz – 300 MHz) Anten bao gồm biến đổi cân bằng/không cân (balun) đồng trục phần tử chiều dải tần rộng, sử dụng cho phát thu Đường cong hệ số anten đường tương đối phẳng, tăng theo tần số Do kích thước nhỏ gọn nên anten thường sử dụng vùng có khơng gian hạn chế buồng khơng phản xạ Kích thước điển hình là: rộng 1430 mm, sâu 810 mm đường kính 530 mm B.2 Anten chu kỳ logarit (80 MHz – 1000 MHz) Anten chu kỳ logarit hàng lưỡng cực có độ dài khác nối tới đường truyền Các anten băng rộng có tăng ích cao VSWR thấp Kích thước điển hình cao 60 mm, rộng 1500 mm sâu 1500 mm Chú ý: Khi chọn anten để phát trường, phải thiết lập cấu hình cho balun kiểm sốt mức cơng suất cần thiết B.3 Anten phân cực tròn Là anten tạo trường điện từ phân cực tròn, anten hình nón xoắn ốc logarit, anten sử dụng sau tăng công suất đầu khuếch đại công suất dB B.4 Anten râu anten dẫn sóng đỉnh Các anten râu anten dẫn sóng đỉnh tạo trường điện từ phân cực tuyến tính Các anten thường sử dụng tần số 1000 MHz PHỤ LỤC C (Tham khảo) Sử dụng buồng không phản xạ Buồng bán phản xạ buồng có vỏ chắn có chất liệu hấp thụ sóng vô tuyến tường trần Các buồng không phản xạ có lớp hấp thụ sàn Mục đích lớp hấp thụ lượng tần số vô tuyến, ngăn ngừa phản xạ trở lại vào buồng Những phản xạ giao thoa cách phức tạp với trường phát xạ trực tiếp, tạo đỉnh đường lõm cường độ trường phát Suy hao phản xạ vật liệu hấp thụ, phụ thuộc vào tần số góc tới sóng vô tuyến Sự hấp thụ lớn xảy phương pháp tuyến giảm góc tới tăng Để làm yếu độ phản xạ tăng độ hấp thụ, vật liệu hấp thụ thường tạo dạng hình nêm hình nón Với buồng bán phản xạ, việc cải tiến cách bổ sung lớp hấp thụ sàn góp phần tạo trường đồng theo yêu cầu tần số Vật hấp thụ bổ sung không đặt đường chiếu xạ trực tiếp từ anten tới EUT, phải định vị theo vị trí hướng giống hiệu chuẩn trường Cũng cải thiện tính đồng cách đặt anten nằm trục buồng thử để sóng phản xạ khơng đối xứng PHỤ LỤC D (Tham khảo) Các phương pháp thử khác, ngăn “TEM” dẫn sóng Tấm dẫn sóng có hiệu việc tạo trường tuyến tính cho phép thử EUT nhỏ (kích thước khoảng 0,3 m x 0,3 m x 0,3 m), tần số từ DC tới 150 MHz Khi tạo phát xạ biên EUT phải quay quanh trục để kiểm tra với trường hợp phân cực ngang phân cực đứng Có thể cải thiện tính đồng giảm trường bên cách sử dụng vật liệu hấp thụ tần số vơ tuyến trì khoảng cách m dẫn sóng vật thể phản xạ khác Các ngăn TEM có ưu điểm việc tạo vỏ chắn cho trường phát xạ sử dụng cho EUT nhỏ với dải tần từ DC tới 200 MHz Các thiết kế đặc biệt (ví dụ ngăn GTEM) có dải tần cao chứa EUT lớn Cũng tương tự dẫn sóng, EUT phải quay quanh trục ngăn TEM để kiểm tra với hai trường hợp phân cực ngang phân cực đứng Tấm dẫn sóng ngăn TEM sử dụng yêu cầu tính đồng trường thỏa mãn Ngồi ra, việc bố trí EUT dây nối liên quan không vượt phần ba khoảng cách vách ngăn dây dẫn PHỤ LỤC E (Tham khảo) Những phương tiện thử khác E.1 Buồng có phủ phần lớp hấp thụ Là buồng cách ly cải tiến với hấp thụ tần số vô tuyến để giảm tượng cộng hưởng xảy buồng khơng lót, với giá thành thấp buồng khơng phản xạ hồn tồn hay buồng bán phản xạ Các hấp thụ đặt điểm phản xạ tường trần E.2 Vị trí đo ngồi trời Phương pháp chấp nhận vùng thưa dân thành phố, thỏa mãn điều kiện luật pháp quy định Cần phải có hấp thụ để giảm phản xạ sàn PHỤ LỤC F (Tham khảo) Hướng dẫn xác định mức thử F.1 Giới thiệu Công suất phát máy phát vô tuyến thường xác định dạng ERP (công suất phát xạ hiệu dụng) so với lưỡng cực nửa sóng Đo đó, cường độ trường phát (đối với trường xa) tính trực tiếp cơng thức lưỡng cực sau: E k P / d (phương trình F.1) Trong đó: E cường độ trường (giá trị RMS) (V/m); k số, có giá trị 7, lan truyền không gian tự trường xa; P công suất (ERP) (W) d khoảng cách tính từ anten (m) Các vật thể phản xạ hấp thụ bên cạnh làm thay đổi cường độ trường Trong phương trình F.1, khơng biết giá trị ERP máy phát dùng cơng suất vào anten Trong trường hợp đó, áp dụng giá trị k = cho máy phát vô tuyến di động F.2 Mức thử với mục đích chung Các mức thử dải tần số chọn tùy thuộc vào môi trường phát xạ điện từ mà EUT lắp đặt thực tế Khi xác định mức thử cần xem xét hậu hư hỏng thiết bị Nếu hậu hư hỏng thiết bị đáng kể phải yêu cầu mức thử khắt khe Nếu EUT lắp đặt để khai thác sử dụng số vị trí q trình khảo sát nguồn RF vùng cho phép tính tốn cường độ trường gặp Nếu khơng biết cơng suất nguồn, phải đo cường độ trường thực tế điểm có liên quan Với thiết bị thiết kế để hoạt động vị trí khác sử dụng dẫn sau để chọn mức thử Các cấp liên quan tới mức thử mục 3; cấp xem hướng dẫn chung để chọn mức thử phù hợp - Cấp 1: Môi trường phát xạ điện từ mức thấp Mức đặc trưng trạm phát thanh/truyền hình địa phương đặt khoảng cách 1km, máy phát/thu công suất thấp - Cấp 2: Môi trường phát xạ điện từ trung bình Mức máy thu – phát cầm tay cơng suất thấp (điển hình cơng suất nhỏ W) sử dụng gần thiết bị Điển hình môi trường khu thương mại - Cấp 3: Môi trường phát xạ điện từ khắc nghiệt Mức máy thu – phát cầm tay (công suất lớn W) tương đối gần thiết bị không nhỏ m Các máy phát quảng cơng suất cao thiết bị ISM đặt gần Điển hình mơi trường cơng nghiệp - Cấp x: x mức mở xác định dựa vào tiêu chuẩn sản phẩm đặc tính kỹ thuật thiết bị F.3 Mức thử với mục đích bảo vệ chống lại phát xạ RF từ máy điện thoại vô tuyến số Các mức thử chọn tùy thuộc vào trường điện từ thực tế, có nghĩa phải khảo sát mức công suất thiết bị điện thoại vô tuyến khoảng cách anten phát thiết bị đo thử Thường trạm di động đòi hỏi khắt khe trạm gốc (vì trạm di đồng có xu hướng đặt gần thiết bị nhạy cảm trạm gốc) Khi xác định mức thử cần xem xét chi phí để đạt mức miễn nhiễm yêu cầu hậu hư hỏng thiết bị gây Nếu hậu hư hỏng thiết bị gây lớn phải yêu cầu mức thử khắc khe Mức điện từ môi trường cao mức thử chọn xảy thực tế xuất Để ngăn ngừa cố chấp nhận tình đó, phải thực phép thử thứ hai mức cao chấp nhận mức tiêu bị suy giảm (nghĩa xác định mức suy giảm chấp nhận được) Bảng F.1 đưa ví dụ mức thử, tiêu chí chất lượng khoảng cách an toàn tương ướng Khoảng cách an toàn khoảng cách nhỏ chấp nhận tới máy điện thoại vô tuyến số, thực phép thử mức thử Các khoảng cách tính từ phương trình F.1, sử dụng hệ số k = giả sử tín hiệu thử sóng hình sin điều biên 80% Bảng F.1 – Ví dụ mức thử, khoảng cách an tồn tiêu chí chất lượng Mức thử Cường độ trường sóng mang, V/m Cường độ trường RMS cực đại, V/m Khoảng cách an tồn Tiêu chí chất lượng (Chú ý 3) W GSM, m W GSM, m ¼ W DECT Ví dụ m (Chú ý 1) Ví dụ (Chú ý 2) 1 1,8 5,5 11 1,9 - - 5,4 1,8 3,7 0,6 a - 1) b a - b 10 18 0,6 1,1 -0,2 30 54 -0,21) 0,4 -0,11) Chú ý - Hậu sai hỏng không nghiêm trọng Chú ý - Hậu sai hỏng nghiêm trọng Chú ý - Tuân thủ mục 1) Tại khoảng cách gần hơn, phương trình trường xa F.1 khơng xác Các vấn đề sau xét đến lập bảng trên: - Đối với GSM, hầu hết thiết bị đầu cuối thị trường thuộc lớp (ERP cực đại W) Một số lượng đáng kể thiết bị đầu cuối di động hoạt động thuộc lớp (ERP cực đại W W) ERP thiết bị đầu cuối GSM thường thấp giá trị cực đại ngoại trừ vùng thu kém; - Thường điều kiện nhà ngồi trời, điều có nghĩa giá trị ERP nhà thường không điều chỉnh lớp tối đa Đó trường hợp xấu theo quan điểm EMC hầu hết thiết bị hỏng hóc thường tập trung nhà; - Như phụ lục A, khả miễn nhiễm thiết bị có tương quan chặt chẽ với giá trị RMS cực đại trường điều chế Đo nên cường độ trường RMS cực đại phải thay cho cường độ trường sóng mang để tính khoảng cách an tồn phương trình F.1; - Khoảng cách cực tiểu để đảm bảo vận hành, gọi khoảng cách an toàn, phải tính với k = phương trình F.1 khơng tính đến thăng giáng (mang tính chất thống kê) cường độ trường, phản xạ từ trường, sàn trần mức ± dB; - Khoảng cách an tồn theo phương trình F.1 phụ thuộc vào công suất phát xạ hiệu dụng máy điện thoại vô tuyến số không phụ thuộc vào tần số hoạt động PHỤ LỤC G (Tham khảo) Các cách xử lý đặc biệt máy phát cố định Các mức thử phụ lục F giá trị điển hình vượt q vị trí đề cập Tại số vị trí giá trị bị vượt q, ví dụ trạm ra-đa, máy phát công suất lớn thiết bị ISM đặt tòa nhà, … Trong trường hợp áp dụng phương pháp bọc chắn nhiễu, lọc nhiễu dây dẫn tín hiệu dây nguồn thích hợp xác định mức miễn nhiễm cao tất thiết bị PHỤ LỤC H (Tham khảo) Lựa chọn phương pháp thử Phép thử với tín hiệu nhiễu dẫn hữu dụng tần số thấp phép thử với tín hiệu nhiễu phát xạ hữu dụng tần số cao Có thể sử dụng phương pháp thử tiêu chuẩn với tần số giảm xuống đến 26 MHz Mục đích phụ lục hướng dẫn lựa chọn phương pháp thử thích hợp Các vấn đề cần quan tâm bao gồm: - Bước sóng trường phát xạ so sánh với kích thước EUT; - Kích thước tương đối cabinet dây dẫn EUT; - Số lượng dây dẫn vỏ bọc cấu thành EUT PHỤ LỤC I (Tham khảo) Các loại môi trường nhiễu I.1 Các điện thoại vô tuyến số Các bảng I.1 I.2 liệt kê thông số hệ thống vơ tuyến có liên quan tới EMC Các chữ viết tắt định nghĩa liệt kê sau sử dụng bảng I.1 I.2: - CT-2 (điện thoại không dây, hệ hai): hệ thống điện thoại không dây, sử dụng rộng rãi số nước Châu Âu; - DCS 1800 (hệ thống tế bào số): hệ thống viễn thông di động tế bào, giá thành thấp, sử dụng rộng rãi toàn giới; - DECT (hệ thống viễn thông vô tuyến số): hệ thống viễn thông tế bào không dây, giá thành thấp, sử dụng rộng rãi châu Âu; - DTX (truyền dẫn gián đoạn): giảm cụm tần số lặp để tiết kiệm lượng, khơng có thơng tin cần phát đi; - ERP (cơng suất phát xạ hiệu dụng): công suất phát xạ hiệu dụng quy cho lưỡng cực nửa bước sóng; - FDMA (đa truy nhập phân chia theo tần số): phương pháp ghép kênh băng tần riêng rẽ ấn định cho kênh; - GSM (hệ thống thơng tin di động tồn cầu): hệ thống viễn thơng di động tế bào, sử dụng rộng rãi giới; - NADC (hệ thống tế bào số Bắc Mỹ); hệ thống thông tin di động tế bào số, sử dụng rộng rãi Bắc Mỹ Một khái niệm thông dụng dùng để mô tả hệ thống tế bào số tuân theo Tiêu chuẩn tạm thời Hiệp hội Cơng nghiệp Viễn thơng – 54; hiểu D-AMPS; - PDC (hệ thống tế bào số cá nhân): hệ thống viễn thông di động tế bào, sử dụng rộng rãi Nhật Bản; - PHS (hệ thống điện thoại cầm tay cá nhân): hệ thống điện thoại không dây, sử dụng rộng rãi Nhật Bản; - TDMA (đa truy nhập phân chia theo thời gian): xem mục 2; - TDD (song công chia thời gian): phương pháp ghép kênh khe thời gian khác ấn định cho kênh phát thu Bảng I.1 – Các máy cầm tay máy di động Tên hệ thống ——— Các thông số GSM DCS 1800 DECT CT-2 PDC PHS NADC Tần số phát 890 MHz tới 1,71 GHz tới 1,88 GHz 864 MHz tới 940 MHz tới 1,895 GHz 825 MHz 915 MHz 1,784 GHz tới 1,96 868 MHz 956 MHz tới 1,918 tới 845 GHz 1,429 GHz tới GHz MHz 1,453 GHz Kiểu điều chế TDMA TDMA TDMA/ TDD FDMA/ TDD TDMA TDMA/ TDD TDMA Tần số lắp theo cụm 217 Hz 217 Hz 100 Hz 500 Hz 50 Hz 200 Hz 50 Hz Tỷ lệ xung 1:8 1:8 1:24 (cả 1:48 1:12) 1:12 1:3 1:8 1:3 ERP cực đại 0,8 W: W: 0,25 W: 1W: 0,25 W W: W: 20 4W W < 10 mW 0,8 W: 2W 10mW < 6W Điều chế thứ cấp Hz (DTX) 0,16 Hz tới 8,3 Hz (đa khung) Khơng Khơng Khơng Khơng Vùng địa lý Tồn giới Toàn giới Châu Âu Hz (DTX) 0,16 Hz tới 8,3 Hz (đa khung) Không Châu Âu Nhật Bản Nhật Bản Mỹ Chú ý – DECT bao trùm CT - Bảng I.2 – Các trạm gốc Tên hệ thống GSM DCS 1800 DECT CT-2 PDC PHS NADC ——— Các thông số Tần số phát 935 MHz tới 1,805 GHz 1,88 GHz 864 MHz tới 810 MHz tới 1,895 GHz 870 MHz 960 MHz tới 1,88 GHz tới 1,96 868 MHz 826 MHz tới 1,918 tới 890 GHz 1,477 GHz tới GHz MHz 1,501 GHz Kiểu điều chế TDMA TDMA TDMA/ TDD FDMA/ TDD TDMA TDMA/ TDD TDMA Tần số lắp theo 217 Hz cụm 217 Hz 100 Hz 500 Hz 50 Hz 200 Hz 50 Hz Tỷ lệ xung 1:8 tới 8:8 1:8 tới 8:8 1:2 1:2 1:3 tới 3:3 1:8 1:3 tới 3:3 ERP cực đại 2,5 W tới 320 2,5 W tới W 200 W 0,25 W 0,25 W W tới 96W 10 mW tới 500 W 500 mW Điều chế thứ cấp Hz (DTX) 0,16 Hz tới 8,3 Hz (đa khung) Khơng Khơng Khơng Khơng Vùng địa lý Tồn giới Toàn giới Châu Âu Hz (DTX) 0,16 Hz tới 8,3 Hz (đa khung) Châu Âu Chú ý – DECT bao trùm CT - TÀI LIỆU THAM KHẢO Nhật Bản Nhật Bản Không Mỹ [1] IEC 61000-4-3: 1998 Basic ElectroMagnetic Compatibility, Testing and Measurement Techniques, Radiated, Radio-Frequency, ElectroMagnetic Field Immunity Test [2] IEC 60050 (161): 1990 International Electrotechnical Vocabulary (IEV) – Chapter 161: Electromagnetic Compatibility [3] IEC 61000-4-6:1996 ElectroMagnetic Compatibility (EMC) – Part 4: Testing and Measurement Tecniques – Section 6: Immunity conducted Disturbances Induced by Radio-Frequency fields ... phát xạ tần số vô tuyến tiêu chuẩn IEC 1000-4-3 (1998) “Tương thích điện từ (EMC) Phần 4: Các kỹ thuật đo thử Chương 3: Miễn nhiễm nhiễu phát xạ tần số vô tuyến” Tiêu chuẩn TCN 68 – 194: 2000 “Tương... trưởng Tổng cục Bưu điện) Phạm vi Tiêu chuẩn xác định mức thủ tục cho phép thử khả miễn nhiễm thiết bị viễn thông lượng phát xạ điện từ Tiêu chuẩn quy định chuẩn mực chung để đánh giá đặc tính... tích định tính ảnh hưởng Tiêu chuẩn không xác định phương pháp thử áp dụng cho thiết bị hay hệ thống cụ thể Mục đích đưa chuẩn mực chung cho thiết bị viễn thông Chú ý: Tiêu chuẩn áp dụng cho thiết