Tiêu chuẩn Quốc gia TCVN 6989-2-4:2008

Tiêu chuẩn Quốc gia TCVN 6989-2-4:2008 về Yêu cầu kỹ thuật đối với thiết bị đo và phương pháp đo nhiễu và miễn nhiễm tần số rađiô - Phần 2-4: Phương pháp đo nhiểu và miễn nhiễm - Đo miễn nhiễm là tiêu chuẩn cơ bản qui định phương pháp đo miễn nhiễm với các hiện tượng EMC trong dải tần từ 9 kHz đến 18 GHz. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.

TIÊU CHUẨN QUỐC GIA TCVN 6989-2-4 : 2008 CISPR 16-2-4 : 2003 YÊU CẦU KỸ THUẬT ĐỐI VỚI THIẾT BỊ ĐO VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỄU VÀ MIỄN NHIỄM TẦN SỐ RAĐIÔ - PHẦN 2-4: PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỂU VÀ MIỄN NHIỄM - ĐO MIỄN NHIỄM Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 2-4: Methods of measurement of disturbances and immunity - Immunity measurements Lời nói đầu TCVN 6989-2-4 : 2008 hồn tồn tương đương với tiêu chuẩn CISPR 16-2-4 : 2003; TCVN 6989-2-4 : 2008 Ban kỹ thuật tiêu chuẩn TCVN/TC/E9 Tương thích điện từ biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học Công nghệ công bố Lời giới thiệu TCVN 6989-2 : 2001 (CISPR 16-2) biên soạn lại thành tiêu chuẩn theo phương pháp chấp nhận tiêu chuẩn quốc tế, có tiêu đề chung "Yêu cầu kỹ thuật thiết bị đo phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm tần số radio" Các phần TCVN sau: TCVN 6989-2-2 : 2008, Phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm - Đo công suất nhiễu TCVN 6989-2-4 : 2008, Phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm - Đo miễn nhiễm Trong thời gian chưa có TCVN 6989-2-1 TCVN 6989-2-3, nội dung tương ứng TCVN 6989-2 : 2003 (CISPR 16-2) có hiệu lực áp dụng Cấu trúc tiêu chuẩn quốc tế CISPR 16 gồm phần chia thành 14 tiêu chuẩn sau: 1) CISPR 16-1-1, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods Part 1-1: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Measurement apparatus 2) CISPR 16-1-2, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods Part 1-2: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Ancillary equipment - Conducted disturbance 3) CISPR 16-1-3, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods Part 1-3: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Ancillary equiqment – Disturbance power 4) CISPR 16-1-4, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods Part 1-4: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Ancillary equiqment - Radiated disturbance 5) CISPR 16-1-5, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods Part 1-5: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Antenna calibration test sites for 30 MHz to 000 MHz 6) CISPR 16-2-1, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods Part 2-1: Methods of measurement of disturbances and immunity - Conducted disturbance measurements 7) CISPR 16-2-2, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods Part 2-2: Methods of measurement of disturbances and immunity - Measurements of disturbance power 8) CISPR 16-2-3, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods Part 2-3: Methods of measurement of disturbances and immunity - Radiated disturbance measurements 9) CISPR 16-2-4, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods Part 2-4: Methods of measurement of disturbances and immunity - Immunity measurements 10) CISPR 16-3, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods Part 3: CISPR technical reports 11) CISPR 16-4-1, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods Part 4-1: Uncertainties, statistics and limit modelling - Uncertainties in standardized EM C tests 12) CISPR 16-4-2, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods Part 4-2: Uncertainties, statistics and limit modelling - Uncertainties in EMC measurements 13) CISPR 16-4-3, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods Part 4-3: Uncertainties, statistics and limit modelling - Statistics considerations in the determination of EMC compliance of mass-produced products 14) CISPR 16-4-4, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods Part 4-4: Uncertainties, statistics and limit modelling - Statistics of compliants and a model for the calculation of limits YÊU CẦU KỸ THUẬT ĐỐI VỚI THIẾT BỊ ĐO VÀ PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỄU VÀ MIỄN NHIỄM TẦN SỐ RAĐIÔ - PHẦN 2-4: PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỂU VÀ MIỄN NHIỄM - ĐO MIỄN NHIỄM Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 2-4: Methods of measurement of disturbances and immunity - Immunity measurements Phạm vi áp dụng Tiêu chuẩn tiêu chuẩn qui định phương pháp đo miễn nhiễm với tượng EMC dải tần từ kHz đến 18 GHz Tài liệu viện dẫn Các tài liệu viện dẫn cần thiết để áp dụng tiêu chuẩn Đối với tài liệu có ghi năm cơng bố, áp dụng nêu Đối với tài liệu không ghi năm công bố, áp dụng (kể sửa đổi) TCVN 7447-4 (IEC 60364-4), Lắp đặt điện cho tòa nhà - Phần 4: Bảo vệ an toàn IEC 60083: 1997, Plugs and socket-outlets for domestic and similar general use standardized in member countries of IEC (Ổ cắm phích cắm dùng gia đình mục đích tương tự tiêu chuẩn hóa nước thành viên IEC) CISPR 16-1-2: 2003, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-2: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Ancillary equipment - Conducted disturbances (Yêu cầu kỹ thuật thiết bị đo phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô Phần 1-2: Thiết bị đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô - Thiết bị phụ trợ - Nhiễu dẫn) CISPR 16-1-4:2003, Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods - Part 1-4: Radio disturbance and immunity measuring apparatus - Ancillary equipment - Radiated disturbances (Yêu cầu kỹ thuật thiết bị đo phương pháp đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô Phần 1-4: Thiết bị đo nhiễu nhiễm tần số rađiô - Phần 1-4: Thiết bị đo nhiễu miễn nhiễm tần số rađiô - Thiết bị phụ trợ - Nhiễu xạ) ITU-R Recommendation 8B.468-4: Measurement of audio-frequency noise voltage level in sound broadcasting (Đo mức điện áp tạp tần số âm quảng bá âm thanh) Thuật ngữ định nghĩa Tiêu chuẩn áp dụng định nghĩa IEC 60050(161), với định nghĩa 3.1 Thiết bị kết hợp (associated equipment) 1) Bộ chuyển đổi (ví dụ đầu dò, mạng anten) nối đến máy thu đo máy phát thử nghiệm 2) Bộ chuyển đổi (ví dụ đầu dò, mạng, anten) sử dụng việc truyền tín hiệu truyền nhiễu EUT thiết bị đo máy phát tín hiệu (thử nghiệm) 3.2 EUT (EUT) Trang thiết bị (dụng cụ, thiết bị hệ thống) chịu thử nghiệm chứng tỏ phù hợp EMC (phát xạ miễn nhiễm) 3.3 Tiêu chuẩn sản phẩm (product publication) Tiêu chuẩn qui định yêu cầu EMC sản phẩm họ sản phẩm, có tính đến khía cạnh cụ thể sản phẩm họ sản phẩm 3.4 Giới hạn miễn nhiễm (immunity limit) Mức miễn nhiễm nhỏ qui định [IEV 161-03-15] 3.5 Đất chuẩn (ground reference) Việc ghép nối mà tạo điện dung ký sinh xác định xác định xung quanh EUT đóng vai trò điện chuẩn CHÚ THÍCH: Xem thêm IEV 161-04-36 3.6 Phát xạ (điện tử) ((electromagnetic) emission) Hiện tượng mà nhờ lượng điện từ phát từ nguồn [IEV 161-01-08] 3.7 Cáp đồng trục (coaxial cable) Cáp gồm nhiều dây đồng trục, sử dụng chủ yếu để nối thiết bị kết hợp với thiết bị đo máy phát tín hiệu (thử nghiệm) cách tương thích để có trở kháng đặc tính qui định trở kháng đường truyền cáp lớn cho phép qui định 3.8 Phương thức chung (điện áp nhiễu không đối xứng) (common mode (asymmetrical disturbance voltage) Điện áp RF điểm giả tuyến hai dây dẫn điểm đất chuẩn, trường hợp bó dây, điện áp nhiễu RF hiệu dụng bó dây (tổng vectơ điện áp đối xứng) so với điểm đất chuẩn đo kẹp (máy biến dòng) trở kháng đầu cuối xác định CHÚ THÍCH: Xem thêm IEV 161-04-09 3.9 Dòng điện phương thức chung (common mode current) Tổng vectơ dòng điện chạy qua hai nhiều dây dẫn mặt cắt qui định mặt phẳng "toán học" cắt ngang dây dẫn 3.10 Điện áp phương thức vi sai; điện áp đối xứng (differential mode voltage; symmetrical voltage) Điện áp nhiễu RF sợi dây hai dây dẫn [IEV 161-04-08, có sửa đổi] 3.11 Dòng điện phương thức vi sai (differential mode current) Nửa hiệu véctơ dòng điện chạy qua hai dây dẫn tập hợp dây dẫn qui định mang dòng mặt cắt qui định mặt phẳng "toán học" cắt ngang dây dẫn 3.12 Phương thức đối xứng (điện áp đầu nối chữ V) (unsymmetrical mode (V-terminal voltage)) Điện áp dây dẫn đầu nối thiết bị, trang bị hệ thống đất chuẩn qui định Đối với trường hợp mạng hai - cửa, hai điện áp đối xứng cho bởi: a) tổng véctơ điện áp không đối xứng nửa điện áp đối xứng; b) hiệu véctơ điện áp không đối xứng nửa điện áp đối xứng CHÚ THÍCH: Xem thêm IEV 161-04-13 3.13 Cấu hình thử nghiệm (test configuration) Bố trí đo theo qui định để đo mức phát xạ EUT CHÚ THÍCH: Mức phát xạ đo theo yêu cầu IEV 161-03-11, IEV 161-03-12, IEV 161-03-14 IEV 161-03-15, định nghĩa mức phát xạ 3.14 Mạng giả (AN) (artificial network (AN)) Trở kháng tải chuẩn (mô phỏng) thỏa thuận thay cho mạng thực EUT (ví dụ: thay cho dây dẫn nguồn đường dây liên lạc kéo dài) điện áp nhiễu RF đo 3.15 Buồng hồn tồn khơng có tiếng vọng lại (FAC) phòng hồn tồn khơng có tiếng vọng lại (FAR) (fully anechoic chamber (FAC) or fully anechoic room (FAR)) Phòng che chắn, bề mặt bên lót vật liệu hấp thụ tần số rađiô (RAM), hấp thụ lượng điện từ dải tần cần xét Phòng lót vật liệu hấp thụ hoàn toàn thiết kế để mơ mơi trường khơng gian tự có tia trực tiếp từ anten phát đến anten thu Tất sóng gián tiếp sóng phản xạ giảm thiểu nhờ sử dụng vật liệu hấp thụ thích hợp tất vách, trần sàn FAR Tiêu chí thử nghiệm miễn nhiễm qui trình đo chung Các phép đo miễn nhiễm dựa đánh giá điểm hiệu ứng nhiễu EUT (thiết bị thử nghiệm) đạt đến qui định Phép đo miễn nhiễm nói chung thực việc đặt tín hiệu thử nghiệm mong muốn khơng mong muốn vào EUT Căn phép đo trình bày điều này, với danh mục điều kiện cần qui định khuyến cáo chi tiết ban kỹ thuật sản phẩm CISPR đưa Nguyên tắc chung phương pháp đo miễn nhiễm đề cập điều 5, phương pháp xạ nêu điều 4.1 Phương pháp đo chung Hình đưa khái niệm làm sở cho tất phương pháp đo miễn nhiễm EUT bố trí qui định để đại diện cho điều kiện làm việc bình thường Tín hiệu khơng mong muốn đặt với mức khắc nghiệt tăng dần nhận mức suy giảm tính qui định đạt mức miễn nhiễm qui định, chọn giá trị thấp Tín hiệu khơng mong muốn đưa vào xạ trực tiếp truyền dòng điện/điện áp Trong hầu hết trường hợp, kỹ thuật xạ trực tiếp kỹ thuật truyền cần phải đánh giá đầy đủ khả miễn nhiễm EUT Phương pháp truyền thích hợp tần số 150 MHz, thử nghiệm xạ trực tiếp 30 MHz sử dụng Các thử nghiệm xạ trực tiếp thực cách sử dụng trường anten phóng bị EUT chặn Trong số trường hợp, trường "có giới hạn" có hiệu EUT có độ cao 1m Ví dụ trường có giới hạn xuất với phần tử TEM, anten dẫn sóng vỏ phương thức kích thích Hình - Khái niệm phép đo miễn nhiễm 4.1.1 Đánh giá khách quan độ suy giảm tính Đánh giá khách quan miễn nhiễm EUT thực cách kiểm sốt mức điện áp, dòng điện, tín hiệu riêng, chỉnh lưu tín hiệu tiếng, v.v… ghi kỹ thuật ghi tương tự số Ví dụ đánh giá độ suy giảm tính năng, miễn nhiễm máy thu hình với nhiễu RF điều biên trình bày Trước tiên, đặt tín hiệu thử nghiệm mong muốn vào EUT Việc tạo tín hiệu âm mong muốn để đo Núm điều khiển EUT cấu thử nghiệm điều chỉnh để đặt tín hiệu âm mức u cầu Sau đó, tín hiệu âm mong muốn loại bỏ việc ngắt tín hiệu điều biến ngắt tín hiệu thử nghiệm âm Ngồi ra, tín hiệu khơng mong muốn đặt vào điều chỉnh mức để đạt tín hiệu âm không mong muốn mức qui định thấp mức tín hiệu âm mong muốn Mức tín hiệu khơng mong muốn giá trị miễn nhiễm đo EUT tần số thử nghiệm liên quan Cần ý để khơng làm hỏng EUT mức tín hiệu không mong muốn cao 4.1.2 Đánh giá chủ quan độ suy giảm tính Đánh giá chủ quan miễn nhiễm EUT thực cách giám sát độ suy giảm tính EUT mắt tai hai cách Phương pháp khác với phương pháp nêu 4.1.1 chỗ tín hiệu điện tín hiệu tương tự đặc trưng mức không ghi trực tiếp kỹ thuật tương tự kỹ thuật số Để thay thế, độ suy giảm tính khơng ghi trực tiếp kỹ thuật tương tự kỹ thuật số Để thay thế, độ suy giảm tính khơng trình bày theo nghĩa đo mà theo nghĩa cảm nhận người, ví dụ, cảm giác thính giác thị giác người hiệu ứng gây khó chịu Các tín hiệu miễn nhiễm khơng mong muốn giống tương tự tín hiệu dùng để đánh giá miễn nhiễm khách quan Ví dụ đánh giá chủ quan độ suy giảm tính năng, miễn nhiễm máy thu hình tín hiệu không mong muốn, cảm nhận người theo độ suy giảm thị giác thính giác, trình bày Trong trường hợp nhiễu hình ảnh, tín hiệu thử nghiệm mong muốn tạo hình ảnh tiêu chuẩn tín hiệu khơng mong muốn tạo độ suy giảm hình ảnh Độ suy giảm có nhiều hình dạng, ví dụ dạng bóng hình, nhiễu đồng bộ, méo hình học, tương phản hình ảnh màu, v.v… Tiêu chí cấu thành độ suy giảm tính cần qui định, điều kiện để thực việc đánh giá chủ quan phải qui định Trước tiên, tín hiệu mong muốn đưa đến EUT Các núm điều khiển EUT điều chỉnh để có hình ảnh với độ sáng, độ tương phản độ bão hòa màu bình thường Sau đó, tín hiệu khơng mong muốn bổ sung vào điều chỉnh mức để đạt độ suy giảm hình ảnh theo cảm nhận người xem hình ảnh Mức giá trị miễn nhiễm EUT đo tần số thử nghiệm liên quan 4.1.3 Phép đo theo giới hạn Phép đo miễn nhiễm thực tế khơng u cầu, nghĩa là, cần biết EUT thỏa mãn hay không thỏa mãn giới hạn đủ Tín hiệu khơng mong muốn, thay điều chỉnh tần số thử nghiệm, giữ mức giới hạn tần số quét hết dải thử nghiệm EUT coi thỏa mãn giới hạn quan sát thời điểm khơng có suy giảm, dù khách quan hay chủ quan Qui trình gọi thử nghiệm "chấp nhận/khơng chấp nhận" 4.2 Tiêu chí suy giảm miễn nhiễm Để thiết lập tiêu chí miễn nhiễm hợp lý cần xác định suy giảm tính có ý nghĩa Một quan điểm tiến trình suy giảm tính sau: a) khơng suy giảm: thiết bị tuân thủ yêu cầu kỹ thuật thiết kế Loại tiêu chí phải chọn với thiết bị an toàn độ nhạy tốt, đồng thời dịch vụ có ảnh hưởng với số đơng người tiêu dùng Nó dùng tiêu chí miễn nhiễm với số q trình thiết bị làm việc quan trọng; b) suy giảm đáng kể: trường hợp này, tính bị ảnh hưởng nhiễu EM Tạp gia tăng mạch hình ảnh âm thanh, tỷ số tín hiệu tạp giảm mạch điều khiển, tỷ lệ lỗi hệ thống số đạt đến mức lớn cho phép hệ thống, nhiễu tiếng nhiễu hình ví dụ suy giảm đáng kể Không yêu cầu người vận hành can thiệp để tiếp tục sử dụng sản phẩm/thiết bị điện tử Sự suy giảm thường dùng với sản phẩm sản xuất hàng loạt Suy giảm loại bỏ tín hiệu miễn nhiễm; c) suy giảm nghiêm trọng: với loại này, sản phẩm khơng thể có chế độ làm việc thỏa đáng liên tục Để khắc phục vấn đề này, kỹ sư đại diện dịch vụ khách hàng tốn khoảng thời gian đáng kể việc thử để nhận biết khắc phục Mức miễn nhiễm cần đặt cho khả xảy Cần có can thiệp người vận hành để phục hồi hoạt động đặc trưng sản phẩm/thiết bị điện tử hệ thống khóa, đặt lại, ghi khơng chọn lọc vào đĩa mềm thay đổi khác nhớ; d) hỏng/mất hoàn toàn khả hoạt động: loại nghiêm trọng nhất, sản phẩm hỏng hồn tồn đặt lại để khôi phục khả hoạt động Cuối cùng, xảy hỏng khí Việc sửa chữa thực Điều tạo nhu cầu thay hoàn toàn thiết bị có tái thiết kế khẩn cấp để tăng mức miễn nhiễm lên Dịch vụ khách hàng dừng thời gian không xác định tùy thuộc vào lực nhà chế tạo tạo sản phẩm thay thỏa đáng Nhiệm vụ ban kỹ thuật sản phẩm xác định tiêu chí suy giảm sản phẩm với điều kiện nêu 4.3 Nội dung yêu cầu kỹ thuật sản phẩm Bên cạnh việc qui định chi tiết phương pháp đo miễn nhiễm phương tiện xác định độ suy giảm tính chấp nhận được, yêu cầu kỹ thuật sản phẩm phải nêu nội dung liên quan khác 4.3.1 Môi trường thử nghiệm Các yêu cầu môi trường thử nghiệm phải xem xét Môi trường vật lý cần qui định, ví dụ dải nhiệt độ độ ẩm Môi trường EM phải qui định, đặc biệt mức tín hiệu xung quanh lớn 4.3.2 Điều kiện làm việc EUT Các điều kiện làm việc EUT phải qui định, ví dụ đặc tính tín hiệu đầu vào mong muốn, phương thức làm việc EUT, v.v… 4.3.3 Mối nguy hiểm EM Có nhiều dạng nhiễu EM gây cố cho EUT Ban kỹ thuật sản phẩm phải xem xét yêu cầu kỹ thuật miễn nhiễm có hay khơng cần đề cập tất khả xảy ra, nghĩa miễn nhiễm từ sóng rađiơ phát ra, từ việc dẫn tín hiệu, từ đỉnh nhọn/lõm/ngừng hoạt động/méo mạng điện nguồn, từ việc phóng tĩnh điện, điện áp xung sét, v.v… Đối với nguy tiềm ẩn, phương thức ghép nối phải đánh giá cho thiết bị thử nghiệm chun dụng thích hợp qui định với phương pháp đo nêu Do đó, ban kỹ thuật sản phẩm cần điều chỉnh cho sản phẩm cụ thể nguyên tắc đo chung trình bày điều Các đặc tính tín hiệu khơng mong muốn phải qui định, ví dụ biên độ, điều biến, hướng, phân cực, v.v… Dải tần áp dụng cho phương pháp phải xác định, ví dụ, dải tần hữu ích phần tử TEM phụ thuộc vào độ rộng TEM tùy thuộc vào kích thước EUT EUT phải kiểm tra để xác định xem bị ảnh hưởng theo phương thức làm việc với tần số tín hiệu khơng mong muốn cụ thể hay khơng 4.3.4 Hiệu chuẩn Yêu cầu kỹ thuật sản phẩm phải nêu yêu cầu hiệu chuẩn, cách viện dẫn tiêu chuẩn nêu qui trình hiệu chuẩn yêu cầu kỹ thuật sản phẩm họ sản phẩm Yêu cầu phải đề cập đến việc hiệu chuẩn định kỳ thiết bị thử nghiệm sử dụng đặc biệt phương tiện hiệu chuẩn đưa thông số biên độ độ đồng tín hiệu khơng mong muốn sử dụng phương pháp xạ trực tiếp truyền 4.3.5 Đánh giá thống kê Yêu cầu kỹ thuật sản phẩm phải nêu ý nghĩa giới hạn CISPR Đặc biệt, yêu cầu cần đặt câu hỏi xem thử nghiệm có tuân thủ nguyên tắc 80/80 Khuyến cáo 46/1 hay khơng, có phương pháp lấy mẫu cần sử dụng Đối với thử nghiệm miễn nhiễm xuất suy giảm tính năng, đánh giá phù hợp với giới hạn CISPR miễn nhiễm cách sử dụng cỡ mẫu thích hợp cho phần mẫu vượt giới hạn cho phép Đối với thử nghiệm miễn nhiễm thực giới hạn miễn nhiễm để xác định phù hợp, ví dụ thử nghiệm chấp nhận/khơng chấp nhận, mà khơng đo biên dự phòng cho miễn nhiễm, khơng áp dụng kỹ thuật thống kê Phương pháp đo miễn nhiễm tín hiệu dẫn Phương pháp truyền tín hiệu khơng mong muốn vào dây dẫn tăng đạt mức suy giảm qui định đạt mức miễn nhiễm qui định, chọn mức xuất trước Dây dẫn dây dẫn tín hiệu, dây dẫn điều khiển dây dẫn nguồn Có hai phương pháp khác Phương pháp truyền dòng điện dùng để đánh giá miễn nhiễm với tín hiệu phương thức chung (không đối xứng), phương pháp truyền điện áp dùng để đánh giá miễn nhiễm với tín hiệu phương thức vi sai (đối xứng) Nói chung, truyền dòng điện thực phương thức dễ gây ảnh hưởng xấu đến mơi trường xạ RF Máy thu hình đặt cách mặt phẳng đất kim loại kích thước m x m khoảng 100 mm phía Các ghép nối cài vào dây dẫn khác tương ứng Dây dẫn nối phận ghép nối với EUT phải ngắn tốt, đặc biệt, dây dẫn đến đầu vào anten EUT không dài 300 mm Dây dẫn nguồn phải dài 300 mm Nếu dài hơn, phải bó lại để có chiều dài 300 mm Dây dẫn nguồn phải cố định vị trí xác định ghi vào báo cáo thử nghiệm Khoảng cách dây dẫn mặt phẳng đất không nhỏ 30 mm Số lượng ghép nối dùng thử nghiệm nhiều phải sáu Trong trường hợp EUT có nhiều sáu đầu ra, ghép nối phải sử dụng cho số loại đầu CHÚ THÍCH: Ban kỹ thuật sản phẩm phải nêu nội dung yêu cầu kỹ thuật sản phẩm 5.3 Phương pháp đo miễn nhiễm đầu vào Tín hiệu khơng mong muốn đặt đến đầu vào EUT theo cách mà EUT thường thu tín hiệu tần số rađiơ Tín hiệu khơng mong muốn hòa với tín hiệu mong muốn Các điều sau nêu làm ví dụ thử nghiệm áp dụng với máy thu máy thu hình Xem thêm TCVN 7600 (CISPR 13) 5.3.1 Phép đo nối với máy thu Đối với phép đo này, tần số tín hiệu mong muốn khơng mong muốn phải qui định theo độ xác, ví dụ 1kHz Sơ đồ đo cho Hình Máy phát tín hiệu khơng mong muốn (1) máy phát tín hiệu mong muốn (2) nối với mạng ghép nối (6) Để tránh nhiễu ảnh hưởng qua lại hai máy phát, tăng tổn hao ghép nối suy giảm (7) Đầu mạng ghép nối có trở kháng nguồn qui định phải phối hợp trở kháng với đầu vào EUT mạng (8) Đầu âm đo qui định Hình - Nguyên tắc chung phương pháp truyền dòng điện Máy phát tín hiệu khơng mong muốn G1 Máy phát tín hiệu mong muốn G2 Điện trở tải RL Bộ lọc thông thấp (xem Phụ lục B) Vôn mét tần số audio (có mạng trọng số theo CCIR khuyến cáo 468) Mạng ghép nối Bộ suy giảm Mạng phối hợp và/hoặc mạng cân Thiết bị cần thử nghiệm (EUT) Hình - Sơ đồ dùng để đo miễn nhiễm đầu vào máy thu quảng bá 5.3.2 Phép đo máy thu hình Sơ đồ đo cho Hình Nguyên lý hoạt động tương tự sơ đồ đo Hình 3, áp dụng ý nêu 5.3.1 Bộ lọc thông thấp (10) bổ sung để tránh ảnh hưởng đến kết đo hài máy phát tín hiệu khơng mong muốn Phương pháp đo miễn nhiễm nhiễu điện trường xạ Các điều sau mô tả phương pháp khác để đo miễn nhiễm nhiễu điện trường xạ 6.1 Phép đo sử dụng phương thức TEM Sóng điện từ đồng điều kiện khơng gian tự mơ sóng dẫn phương thức TEM (điện từ ngang) chuyển động hai bề mặt dẫn phẳng song song Trong trường hợp này, thành phần điện trường vng góc thành phần từ trường song song với dây dẫn Các cấu TEM có kết cấu dẫn sóng hở bọc kín, ví dụ cấu TEM GTEM Chi tiết cấu TEM cấu dẫn sóng cho CISPR 16-12 Mơ tả cấu GTEM xem xét 6.1.1 Sơ đồ đo sử dụng dẫn sóng hở Tấm dẫn sóng hở gồm hai song song đặt cách đủ rộng để chứa hai lần độ cao điện EUT Kết cấu kim loại EUT mặt phẳng thẳng đứng tạo nên độ cao điện EUT Các EUT có độ cao điện lớn nửa khoảng cách hai song song riêng rẽ làm tải dẫn sóng tạo ảnh hưởng đáng kể lên cường độ điện trường đặt Cần lưu ý tần số vượt tần số ngưỡng dẫn sóng, xuất thành phần cường độ điện trường nằm ngang vng góc 1 Máy phát tín hiệu khơng mong muốn G1 Máy phát tín hiệu mong muốn G2 Điện trở tải RL Bộ lọc thơng thấp Vơn mét tần số audio (có mạng trọng số theo CCIR khuyến cáo 468) Mạng ghép nối Bộ suy giảm Mạng phối hợp và/hoặc mạng cân Thiết bị thử nghiệm (EUT) 10 Bộ lọc thông thấp* * Để tránh ảnh hưởng đến kết đo hài tần số tín hiệu khơng mong muốn Hình - Sơ đồ dùng để đo miễn nhiễm đầu vào máy thu hình quảng bá (xem 5.3.2) Với EUT thỏa mãn giới hạn độ cao nêu với thử nghiệm 150 MHz, nên áp dụng cách bố trí khoảng cách dẫn sóng sau đây: - đế dẫn sóng phải đặt giá đỡ phi kim loại cách sàn 0,8 m, đỉnh dẫn phải cách trần 0,8m - sử dụng phòng, dẫn sóng phải đặt cách tường vật thể khác 0,8 m, tính dọc theo mép hở nó; Khi sử dụng phòng chống nhiễu, vật liệu hấp thụ, RF, phải đặt khoảng trống mép dẫn sóng tường phòng chống nhiễu Hình bố trí bản; - EUT đặt giá đỡ phi kim loại, cao 100 mm, tính theo tâm dẫn sóng (xem Hình 6); - dây nối tới EUT lồng xuyên qua lỗ đế dẫn dẫn sóng Độ dài dây dẫn bên dẫn sóng phải ngắn tốt quấn quanh hồn tồn vòng ferit để giảm dòng điện sinh Trở kháng truyền cáp đồng trục sử dụng không lớn 50 m /m 30 MHz; - biến áp cân - không cân sử dụng phải nối đến EUT dây dẫn ngắn tốt; - đầu EUT không sử dụng trình đo phải nối với điện trở chống nhiễu phù hợp với trở kháng đầu danh nghĩa Nếu EUT đòi hỏi thiết bị khác để hoạt động thích hợp, thiết bị bổ sung phải xem phần thiết bị đo phải ý để đảm bảo thiết bị bổ sung không phơi nhiễm tín hiệu khơng mong muốn Các ý bao gồm việc nối đất bổ sung vỏ chống nhiễu đồng trục, vỏ chống nhiễu đặt vào lọc RF sử dụng vòng ferit cho cáp nối đến 11: panen hấp thụ có kích thước xấp xỉ 0,8 m x 0,4 m Hình - Ví dụ bố trí cấu TEM dẫn sóng hở kết hợp với panen hấp thụ phòng chống nhiễu có kích thước m x 3,5 m Hình - Sơ đồ đo miễn nhiễm máy thu quảng bá trường bao quanh dải tần từ 0,15 MHz đến 150 MHz 6.1.1.1 Mạch đo máy thu Hình thể mạch sử dụng để đo miễn nhiễm máy thu quảng bá Đây ví dụ việc sử dụng dẫn sóng Tín hiệu thử nghiệm mong muốn cung cấp máy phát tín hiệu G2 nối tới đầu vào EUT qua mạng phối hợp trở kháng Hình - Mạch đo miễn nhiễm máy thu quảng bá trường bao quanh Tín hiệu khơng mong muốn cung cấp máy phát G1 qua thiết bị đóng cắt S1, qua khuếch đại dải rộng Am lọc thông thấp F, đến mạng phối hợp trở kháng thích hợp dẫn sóng Có thể u cầu khuếch đại dải rộng Am để cung cấp cường độ trường cần thiết Tấm dẫn sóng mang tải với trở kháng đầu Phải ý đến mức hài đầu RF máy phát G1 đặc biệt đầu khuếch đại dải rộng Am Các hài ảnh hưởng đến phép đo chúng trùng với đáp tuyến khác EUT Trong trường hợp EUT máy thu hình, đáp tuyến hài nằm kênh điều chỉnh kênh IF EUT Trong số trường hợp, phải thực việc giảm mức hài thỏa đáng cách đặt lọc thông thấp F thích hợp điều chỉnh cơng suất đầu vào từ Am Cần thực việc kiểm tra cụ thể phù hợp lọc Mức công suất đầu âm phải đo qui định yêu cầu sản phẩm 6.1.2 Sơ đồ đo sử dụng cấu TEM bọc kín (Đang xem xét) 6.1.2.1 Mạch đo (Đang xem xét) 6.2 Phép đo sử dụng phòng có chống nhiễu có tuyến hấp thụ 6.2.1 Lời giới thiệu Phòng chống nhiễu có lót vật liệu hấp thụ phòng tiêu chuẩn có chống nhiễu sáu mặt, sử dụng số dạng vật liệu hấp thụ RF bốn vách trần Nói chung, sàn phòng chống nhiễu khơng xử lý đóng vai trò mặt phẳng đất chuẩn để đo Để trường đồng nhất, sàn phòng cần bổ sung vật liệu hấp thụ Vật liệu hấp thụ thường dạng bọt thấm cácbon Loại vật liệu khác bao gồm ferit kết hợp ferit bọt thấm cacbon Cả hai loại vật liệu tiêu tán lượng không mong muốn dạng nhiệt bề mặt Với mức miễn nhiễm cơng suất cao, cần quan tâm tới tiêu tán nhiệt vượt giới hạn vật liệu hấp thụ Có sẵn biện pháp xử lý chậm cháy đặc biệt cho vật liệu 6.2.2 Kích thước Kích thước phòng chống nhiễu có lót vật liệu hấp thụ phụ thuộc vào nhiều yếu tố: a) khu vực thử nghiệm cần thiết cho hệ thống EUT; b) thể tích cần thiết để chứa anten phát (các) độ cao yêu cầu so với mặt phẳng đất; c) kích thước vật liệu hấp thụ; d) khoảng cách anten EUT; e) khoảng cách EUT anten tính từ vật liệu hấp thụ gần nhất; f) kích thước phòng cần thiết để có trường miễn nhiễm có độ xác đồng yêu cầu khu vực thử nghiệm Kích thước cần thiết vật liệu hấp thụ hàm số lượng triệt nhiễu yêu cầu phản xạ không mong muốn Vật liệu thường bọt cácbon dạng hình chóp, có tác dụng độ cao vật liệu phần đáng kể bước sóng Nếu phần đáng kể, vật liệu hấp thụ làm giảm lượng phản xạ 20 dB nhiều Giá trị suy giảm tăng đáng kể bước sóng nhỏ bước sóng độ cao vật liệu hình chóp Ngược lại, giá trị giảm đến mức thấp độ cao vật liệu hấp thụ dạng bọt cácbon ngắn nhiều so với bước sóng Điều kiện ngược lại thường xảy với trường hợp vật liệu hấp thụ có kích thước sát thực (chiều cao 1m thấp hơn, tần số 100 MHz) Vì thế, việc sử dụng phòng có lót vật liệu hấp thụ bị hạn chế nghiêm ngặt tần số thấp Đáp tuyến phòng có lót vật liệu hấp thụ thấp 100 MHz cải thiện việc chọn lớp vật liệu gồm ferit bọt cácbon phù hợp Nói chung, lớp gồm có ferit đặt trực tiếp tường trần (và sàn) phòng chống nhiễu, lớp chất điện môi, vật liệu bọt cácbon, trường hợp áp dụng với sàn, điền đầy khí trơ vật liệu hình chóp vật liệu có độ bền cơ, mang tải, "phụ" khơng dẫn điện Ferit làm suy giảm phản xạ bổ sung tần số thấp 100 MHz (nếu chọn thích hợp) Cần ý hợp chất ferit vật liệu triệt nhiễu phi tuyến Việc tác động lên đặc tính phản xạ phòng hấp thụ hàm tần số phải định rõ đặc điểm trước sử dụng vật liệu vậy, đặc biệt tần số cao GHz 6.2.3 Anten phát Có nhiều loại anten phát khác sử dụng để tái tạo trường miễn nhiễm mong muốn bên phòng chống nhiễu có lót vật liệu hấp thụ Thông số quan trọng anten khả tiêu tán công suất cao (lên đến kW) có bề rộng búp sóng đủ rộng để phủ hết khu vực thử nghiệm EUT Nếu thơng tin cực tính cần thiết cần sử dụng anten phân cực thẳng Anten điển hình gồm anten hình nón kép cơng suất cao, anten logarit-chu kỳ anten khung chữ nhật Anten phải đặt cách xa vật liệu hấp thụ Nên để cách 1m 6.2.4 Tạo tín hiệu Khi thử nghiệm miễn nhiễm thực phòng chống nhiễu có lót vật liệu hấp thụ, khơng có u cầu máy phát tín hiệu ngồi máy phát tín hiệu triệt nhiễu thích hợp đầu sóng giả hài khuếch đại cơng suất Nguồn tín hiệu cần có khả tạo mức mang điều biến RF CW phù hợp với yêu cầu đầu vào khuếch đại công suất dùng để cấp nguồn cho anten phát Vì EUT phản ứng với nhiều tần số độ rộng băng tần lớn, nên quan trọng kết hợp máy phát tín hiệu khuếch đại cơng suất đủ để triệt hài đầu giả Mức triệt phải 30 dB lớn so với đầu tần số mong muốn so với giới hạn miễn nhiễm hài Bộ lọc thơng thấp cơng suất cao để dò tín hiệu đầu đặt đầu khuếch đại đầu vào anten phát 6.2.5 Hiệu chuẩn điện trường phát Mục đích việc hiệu chuẩn trường để đảm bảo độ đồng trường mẫu thử nghiệm đủ để đảm bảo hiệu lực kết thử nghiệm Tiêu chuẩn sử dụng khái niệm "vùng đồng nhất" mặt phẳng thẳng đứng trường giả thiết, thay đổi nhỏ mức chấp nhận Vùng đồng 1,5 m x 1,5 m, trừ EUT dây dẫn chiếu phủ hồn tồn bề mặt nhỏ Trong bố trí thử nghiệm, EUT có mặt phía trước trùng với mặt phẳng Vì khơng thể thiết lập trường đồng với mặt phẳng đất chuẩn, nên vùng hiệu chuẩn thiết lập độ cao lớn 0,8 m phía mặt phẳng đất chuẩn EUT đặt độ cao Để thiết lập mức khắc nghiệt thử nghiệm EUT dây cần thử nghiệm sát với mặt phẳng đất chuẩn có kích thước lớn 1,5 m x 1,5 m, cường độ trường ghi độ cao 0,4 m với toàn chiều rộng chiều cao EUT, ,và ghi báo cáo thử nghiệm Anten cáp sử dụng để thiết lập trường hiệu chuẩn phải dùng để thử nghiệm Vì sử dụng loại anten cáp, nên yếu tố tổn hao cáp anten trường phát sinh anten khơng liên quan Vị trí xác anten phát phải ghi lại Vì dịch chuyển nhỏ ảnh hưởng đáng kể đến trường, nên phải sử dụng bố trí đồng cho thử nghiệm CHÚ THÍCH: Khu vực trường đồng cần thiết lập V/m tín hiệu RF khơng điều biến Việc sử dụng tín hiệu khơng điều biến đảm bảo thị xác thiết bị đo cường độ trường 6.2.6 Bộ kiểm tra tính Dựa phương án thử nghiệm, cảm biến khác cần gắn vào EUT để ghi lại tín hiệu tương tự tín hiệu số mức suy giảm tính Các cảm biến dây dẫn kéo dài bên ngồi phòng chống nhiễu có lót vật liệu hấp thụ khơng làm ảnh hưởng đến tính mức miễn nhiễm EUT, không trở thành không hiệu chuẩn trường miễn nhiễm đặt vào có lót vật liệu hấp thụ Trong số trường hợp, dây dẫn từ EUT đến thiết bị đỡ EUT nằm bên ngồi phòng chống nhiễu có lót vật liệu hấp thụ kiểm tra độ suy giảm tính Trong trường hợp này, kiểm tra độ suy giảm phải không cần phải miễn nhiễm lượng xạ RF Tuy nhiên, chúng cần miễn nhiễm dòng điện dẫn RF dây dẫn bên ngồi phòng Nếu có u cầu xem xét độ suy giảm tính mắt sử dụng panel cửa số suốt đặt tường phòng chống nhiễu hệ thống vơ tuyến mạch kín Diện tích panel cần thay vật liệu chống nhiễu tích hợp, nghĩa mạng lưới dây bọc thủy tinh vật liệu dẫn suốt đặt lên bề mặt thủy tinh Máy quay truyền hình cần đặt bên sát đỉnh chóp vật liệu bọt cácbon, vị trí phòng để khơng chặn tín hiệu EUT phản xạ Mức suy giảm âm đo qua thiết bị kết nối tín hiệu âm cách giám sát điều biến tín hiệu âm phục hồi tín hiệu miễn nhiễm RF điều biên 6.2.7 Sơ đồ đo miễn nhiễm 6.2.7.1 EUT đặt tâm vùng thử nghiệm phòng chống nhiễu có tuyến hấp thụ Trường thử nghiệm đồng sản phẩm nhỏ, nghĩa là, kích thước thẳng EUT nhỏ bước sóng, đạt khoảng phân cách anten lớn nhiều so với bước sóng Trường trở thành phức hợp khoảng phân cách ngắn bước sóng Đối với sản phẩm lớn hơn, nghĩa là, trường hợp kích thước EUT lớn bước sóng, anten cần tách riêng với khoảng cách kích thước thẳng lớn EUT, tính mét vng, chia cho bước sóng tín hiệu miễn nhiễm Nếu phép đo thực khoảng phân cách ngắn hơn, anten thu vùng trường gần phức hợp Độ phức hợp phải tính đến thử nghiệm để đảm bảo khả lặp lại dự đoán trường xa từ liệu trường gần 6.2.7.2 Bộ giám sát tính gắn với EUT yêu cầu phương án thử nghiệm Bộ cảm biến cường độ trường, sử dụng, cần đặt để giảm sát cung cấp trường cân trường tái tạo để đo vị trí sản phẩm thực khách hàng sử dụng Tất đầu nối không bị ảnh hưởng trường vật liệu hấp thụ, khơng làm thay đổi tính EUT 6.2.7.3 Anten phát cần đặt cấu định vị anten có khả thay đổi cực tính, độ cao vị trí anten so với mặt phẳng đất EUT Các anten có búp sóng hẹp phải ln hướng vào EUT chúng nâng cao lên hạ thấp xuống 6.2.7.4 Cần qui định việc giám sát ghi lại thay đổi suy giảm tính qui định phương án thử nghiệm Đặc biệt lưu ý, có thể, việc kiểm tra mắt tai chủ quan người thực thử nghiệm cần thay đáp tuyến EUT điện áp dòng điện kỹ thuật số tương tự khách quan Kỹ thuật giám sát điện giảm thiểu lỗi người thử nghiệm gây mệt mỏi kéo dài phép đo miễn nhiễm 6.2.8 Qui trình thử nghiệm miễn nhiễm Qui trình thử nghiệm phép đo miễn nhiễm phòng chống nhiễu có tuyến hấp thụ nói chung tương tự phòng chống nhiễu thơng thường Vì tương tác tín hiệu phản xạ thường xuất phòng chống nhiễu có tuyến hấp thụ nhỏ nhiều, nên phép đo có độ xác khả lặp lại cao Trong hai trường hợp, người thử nghiệm trang thiết bị thử nghiệm (bộ khuếch đại, nguồn tín hiệu, v.v…) cần đặt bên ngồi phòng Qui trình thử nghiệm chung bao gồm: a) thiết lập cường độ trường nhiễu hiệu chuẩn, phân cực điều biến (nếu có yêu cầu); b) đặt cấu hình hoạt động EUT sử dụng điển hình quay EUT để tối đa hóa đáp tuyến miễn nhiễm; c) thay đổi giới hạn tín hiệu truyền tần số để đo mức xuất suy giảm mức miễn nhiễm qui định, chọn giá trị thấp hơn; d) quét hết dải tần nằm phương án thử nghiệm để hoàn thiện toàn dải miễn nhiễm EUT để xác định phù hợp chất nhận/không chấp nhận; e) ghi mức suy giảm tính mức cường độ điện trường kết nối hàm số tần số thông số thử nghiệm khác 6.3 Phép đo sử dụng vị trí thử nghiệm thống (OATS) 6.3.1 Lời giới thiệu Mức cường độ trường miễn nhiễm xạ chất cao nhiều so với mức phát xạ xạ thông thường quốc gia qui định Đối với nhiều thiết bị mức thử nghiệm điển hình vượt 1V/m Với số hệ thống EUT thiết bị điện tử đơn lớn, yêu cầu chiếu phủ tồn EUT đòi hỏi cơng suất cao, anten phát có độ rộng búp sóng lớn, hiệu quả, vùng thử nghiệm rộng Các yêu cầu công suất anten thường không phụ thuộc vào loại phương tiện thử nghiệm sử dụng Trong số trường hợp, EUT lớn khơng làm việc hồn tồn trước tất thành phần lắp ráp vào vị trí theo yêu cầu đặt người sử dụng vị trí thử nghiệm tương đối lớn Vị trí thử nghiệm tương tự với nơi thử nghiệm thoáng sử dụng cho phép đo phát xạ xạ Các vị trí hữu ích tồn dải tần có khả áp dụng đặc biệt với tần số 30 MHz chịu giới hạn khắc nghiệt nêu 6.3.3 6.3.2 Yêu cầu vị trí đo Vị trí thử nghiệm miễn nhiễm thoáng (OAITS) thỏa mãn yêu cầu vị trí thử nghiệm thống qui định điều CISPR 16-1-4 phù hợp với thử nghiệm miễn nhiễm Có thể sử dụng vị trí thử nghiệm khác chừng cường độ điện trường vùng thể tích EUT chiếm giữ không thay đổi nhiều dung sai qui định Điều đòi hỏi anten phát phải đặt cấu định vị anten để thay đổi độ cao anten và, số trường hợp, phân cực, phía mặt phẳng đất vị trí đặt anten Khi thay đổi độ cao anten, anten có độ rộng búp sóng hẹp phải ln hướng vào EUT Thay đổi độ cao dùng để điều chỉnh bổ sung tín hiệu trực tiếp sau phản xạ từ lưới nối đất cho tìm trường đồng qui định phạm vi EUT tần số thay đổi Các yêu cầu cần áp dụng dải tần qui định phương án thử nghiệm Có thể cần vật liệu hấp thụ mặt phẳng đất để thỏa mãn yêu cầu trường đồng 6.3.3 Nhiễu dịch vụ truyền Khả gây nhiễu cho dịch vụ tần số radiô đăng ký gần OAITS thường cao độ lớn tín hiệu miễn nhiễm Cần đặc biệt ý để đảm bảo phát sinh trường thử nghiệm không gây ảnh hưởng bất lợi cho dịch vụ RF đó, đặc biệt băng tần an tồn khác Cần tạo trường khơng cao mức cần đo để qui định giới hạn để ghi mức suy giảm tính EUT thấp giới hạn Nếu phát sinh, chúng cần đặt vào khoảng thời gian ngắn Có thể có băng tần định, khả nhiễu giảm đáng kể Ví dụ, tần số băng tần ISM không bị ảnh hưởng phép đo Ở số nước, có yêu cầu bảo đảm an toàn truyền thực nghiệm quan thẩm quyền quốc gia cấp phép Giấy phép cần nêu chi tiết tần số qui định, thời gian hoạt động, khoảng thời gian hoạt động việc truyền cường độ trường miễn nhiễm RF Nói chung, đăng ký thực nghiệm tần số sử dụng cho dịch vụ vô tuyến công cộng khẩn cấp, quảng bá thương mại, kênh phủ, dịch vụ quảng bá có thời gian tần số tiêu chuẩn, v.v… không phép Việc sử dụng tần số ISM tần số công nghiệp khác thường dễ phê chuẩn Tuy nhiên, lưu ý tần số phê chuẩn phân bố khơng mơ tả hoàn toàn đáp tuyến miễn nhiễm thực Ở điều kiện trường xa, trường E giao diện xung quanh cho bởi: E 2x PG d 1/ 14 U G d R 1/ đó: U điện áp đầu vào anten xạ điều hưởng với điện trở R; d khoảng cách anten vị trí đặt máy thu rađiơ nhạy; G độ lợi anten có lưỡng cực nửa nóng Hệ số 2, có độ xác 1,5 dB, hàm ý tác động phản xạ tổng mặt phẳng đất độ cao anten điều chỉnh đến cường độ trường lớn Trong trường hợp anten phát phân cực thẳng đứng, trường tác động gây trường trực tiếp trường phản xạ khơng phải trường phân cực tuyến tính thẳng đứng 6.3.4 Qui trình đo 6.3.4.1 Qui định chung Về bản, qui trình đo miễn nhiễm tương tự với qui trình thực phép đo sử dụng vị trí thử nghiệm có chống nhiễu phần tử TEM phòng chống nhiễu (có khơng có tuyến hấp thụ) Trong trường hợp sử dụng phần tử TEM, tín hiệu đặt dây dẫn vỏ ngoài; OAITS loại bỏ vỏ bọc bảo vệ thơng thường khác, tín hiệu miễn nhiễm đặt vào anten phát 6.3.5 Cơ cấu đo sử dụng vị trí thử nghiệm thống 6.4.5.1 Qui định chung Cơng suất cần thiết để thiết lập cường độ miễn nhiễm khơng nhỏ Do đó, EUT gần anten cơng suất đòi hỏi nhỏ Hầu hết phép đo OAITS thực sử dụng khoảng tách biệt EUT/anten nhỏ m Đối với EUT lớn, khoảng phải tăng lên cho anten chiếu phủ lên tồn EUT Chi phí tính sẵn có khuếch đại cơng suất dải tần đến 000 MHz thường hạn chế việc thử nghiệm hệ thống lớn Trong số trường hợp, thay thử nghiệm EUT phận phần đánh giá thực với miễn nhiễm toàn EUT hệ thống lớn MỤC LỤC Lời nói đầu Lời giới thiệu Phạm vi áp dụng Tài liệu hướng dẫn Thuật ngữ định nghĩa Tiêu chí thử nghiệm miễn nhiễm qui trình đo chung 4.1 Phương pháp đo chung 4.2 Tiêu chí suy giảm miễn nhiễm 4.3 Nội dung yêu cầu kỹ thuật sản phẩm Phương pháp đo miễn nhiễm tín hiệu dẫn 5.1 Bộ ghép nối 5.2 Sơ đồ đo 5.3 Phương pháp đo miễn nhiễm đầu vào Phương pháp đo miễn nhiệm điện trường phát 6.1 Phép đo sử dụng phương thức TEM 6.2 Phép đo sử dụng phòng có chống nhiễu có lót vật liệu hấp thụ 6.3 Phép đo sử dụng vị trí thử nghiệm thống (OATS) ... Phạm vi áp dụng Tiêu chuẩn tiêu chuẩn qui định phương pháp đo miễn nhiễm với tượng EMC dải tần từ kHz đến 18 GHz Tài liệu viện dẫn Các tài liệu viện dẫn cần thiết để áp dụng tiêu chuẩn Đối với... Hiệu chuẩn Yêu cầu kỹ thuật sản phẩm phải nêu yêu cầu hiệu chuẩn, cách viện dẫn tiêu chuẩn nêu qui trình hiệu chuẩn yêu cầu kỹ thuật sản phẩm họ sản phẩm Yêu cầu phải đề cập đến việc hiệu chuẩn. .. phủ, dịch vụ quảng bá có thời gian tần số tiêu chuẩn, v.v… không phép Việc sử dụng tần số ISM tần số công nghiệp khác thường dễ phê chuẩn Tuy nhiên, lưu ý tần số phê chuẩn phân bố khơng mơ tả hồn