Nghiên cứu và thiết kế thiết bị gây nhiễu mạng thông tin di động GSM 3g 4g

Lợi ích của sự phát triển hệ thống thông tin di động GSM như trên thì những nguy cơ và thách thức đối với các nhà cung cấp dịch vụ cũng tăng. Thông tin của người dùng truyền trong môi trường vô tuyến có thể bị tấn công, giả mạo, đánh cắp thông tin trái phép hay bị nghe trộm bởi người khác, các dịch vụ của nhà mạng cung cấp có thể bị đánh cắp hay bị phá hoại. Điều này gây thiết hại lớn cả về kinh tế và chất lượng dịch vụ cho người dùng lẫn nhà cung cấp dịch vụ. Những thách thức này đặt ra các yêu cầu cho nhà cung cấp dịch vụ về vẫn đề nhận thực và bảo mật thông tin di động để bảo vệ quyền lợi của người dùng và lợi ích của chính bản thân các nhà cung cấp là hết sức cần thiết.

1 MỤC LỤC MỤC LỤC .i DANH MỤC HÌNH ẢNH .iii DANH MỤC BẢNG BIỂU v BẢNG CHỮ VIẾT TẮT vi LỜI MỞ ĐẦU .1 Chương I NHỮNG VẤN ĐỀ CHUNG VỀ HỆ THỐNG DI ĐỘNG GSM 1.1 Hệ thống thông tin di động tế bào 1.1.1 Khái niệm 1.1.2 Cấu trúc hệ thống thông tin di động tế bào .3 1.1.3 Phân loại cell 1.2 Hệ thống thông tin di động GSM .6 1.2.1 Trạm di động MS 1.2.2 Phân hệ trạm gốc (BSS - Base Station Subsystem) 1.2.3 Phân hệ chuyển mạch (SS - Switching Subsystem) 10 1.2.4 Phân hệ khai thác bảo dưỡng (OSS) 14 1.3 Sử dụng tần số mạng GSM 15 1.3.1 Nguyên tắc sử dụng tần số 15 1.3.2 Tái sử dụng tần số mạng GSM 18 1.3.3 Quy hoạch việc tái sử dụng tần số 20 1.3.4 Hệ thống GSM Việt Nam .28 1.4 Âm mưu thủ đoạn đối tượng tác chiến .29 1.5 Kết luận chương .29 Chương II NGHIÊN CỨU & LỰA CHỌN PHƯƠNG ÁN GÂY NHIỄU 31 2.1 Giới thiệu chung 31 2.2 Nguyên lý gây nhiễu 31 2.2.1 Cơ chế gây nhiễu .31 2.2.2 Các thành phần thiết bị gây nhiễu 34 2.2.3 Phân loại thiết bị gây nhiễu .35 2.3 Các phương án gây nhiễu 35 2.3.1 Thiết bị loại "A": Jammers 35 2.3.2 Thiết bị loại "B": Thiết bị vơ hiệu hóa tế bào thông minh 36 2.3.3 Thiết bị loại "C": Thiết bị vơ hiệu hóa tín hiệu thơng minh 37 2.3.4 Thiết bị loại "D": Thiết bị gây nhiễu trực tiếp thu & phát 38 2.3.5 Thiết bị loại "E": Trường EMI- Nhiễu thụ động 39 2.4 Yêu cầu gây nhiễu 40 2.5 Giải toán 43 2.6 Kết luận chương .45 Chương III THIẾT KẾ THIẾT BỊ GÂY NHIỄU MẠNG GSM 46 3.1 Khối trung tần IF 48 3.1.1 Bộ tạo xung cưa .49 3.1.2 Bộ tạo tạp 57 3.1.3 Bộ trộn tín hiệu mạch hạn biên 58 3.2 Khối cao tần RF 61 3.2.1 Bộ dao động điều khiển điện áp VCO .63 3.2.2 Bộ khuếch đại công suất RF .64 3.2.3 Antenna 67 3.3 Thử nghiệm phòng thí nghiệm Bộ mơn Tác chiến điện tử 69 3.4 Kết luận chương .70 KẾT LUẬN 71 TÀI LIỆU THAM KHẢO 72 DANH MỤC HÌNH ẢNH Hình 1.1: Hệ thống thông tin di động sử dụng cấu trúc tế bào Hình 1.2: Khái niệm cell Hình 1.3: Cấu trúc Macro Cell .5 Hình 1.4: Cấu trúc Micro Cell, Pico Cell Hình 1.5: Cấu trúc Micro Cell, Pico Cell Hình 1.6: Sơ đồ khối hệ thống tổng đài GSM .6 Hình 1.7: Chức xử lý gọi MSC 11 Hình 1.8: Nguyên tắc sử dụng tần số GSM 16 Hình 1.9: Đa truy nhập mạng GSM 900 18 Hình 1.10: Tổng quan tái sử dụng tần số mạng GSM 19 Hình 1.11: Đồ thị nhiễu kênh lân cận .19 Hình 1.12: Cự ly sử dụng lại tần số 20 Hình 1.13: Mảng mẫu gồm cells 20 Hình 1.14: Khoảng cách tái sử dụng tần số 21 Hình 1.15: Sơ đồ tính C/I 21 Hình 1.16: Mẫu tái sử dụng lại tần số 3/9 .23 Hình 1.17: Mẫu tái sử dụng lại tần số 4/12 .25 Hình 1.18: Mẫu tái sử dụng tần số 7/21 27 Hình 2.1: Hoạt động MS BTS .32 Hình 2.2: Hoạt động thiết bị gây nhiễu 33 Hình 2.3: Thiết bị gây nhiễu mạng di động 34 Hình 2.4: Mơ hình thiết bị loại "A" 36 Hình 2.5: Mơ hình thiết bị loại "B" 37 Hình 2.6: Mơ hình thiết bị loại "C" 38 Hình 2.7: Mơ hình thiết bị loại "D" 39 Hình 2.8: Mơ hình thiết bị loại "E" 40 Hình 2.9: Bài tốn gây nhiễu 43 Hình 2.10: Phổ nhiễu tín hiệu MS 45 Hình 3.1: Sơ đồ khối thiết bị gây nhiễu 47 Hình 3.2: Sơ đồ khối trung tần .48 Hình 3.3: IC 555 49 Hình 3.4: Sơ đồ chân IC555 50 Hình 3.5: Cấu tạo bên IC 555 51 Hình 3.6: Nguyên lý hoạt động 52 Hình 3.7: Điều chế độ rộng xung 54 Hình 3.8: Sơ đồ nguyên lý định thời 55 Hình 3.9: Điện áp cưa đầu cho kênh 57 Hình 3.10: Sơ đồ nguyên lý mạch tạo tạp 58 Hình 3.11: Phổ đầu tạo tạp trắng 58 Hình 3.12: Mạch KĐ tổng .58 Hình 3.13: Mạch hạn biên dương 59 Hình 3.14: Điện áp tạp đầu cho kênh 59 Hình 3.15: Sơ đồ nguyên lý khối IF 60 Hình 3.16: Sơ đồ khối cao tần 61 Hình 3.17: Sơ đồ khối MAX2623 IC 63 Hình 3.18: Cấu hình phân cực cho MAR-4SM 64 Hình 3.19: Thiết kế MAR-4SM AppCAD 65 Hình 3.20: Bộ suy giảm hình T .65 Hình 3.21: Mơ hình xạ hướng Omni 67 Hình 3.23: Sơ đồ nguyên lý khối RF 68 Hình 3.24: Phân tích phổ trước sau gây nhiễu 70 DANH MỤC BẢNG BIỂ Bảng 1.1: Quan hệ N & C/I .22 Bảng 1.2: Ấn định tần số mẫu 3/9 23 Bảng 1.3: Ấn định tần số mẫu 4/12 24 Bảng 1.4: Ấn định tần số mẫu 7/21 26 Bảng 3.1: Giá thiết bị theo giá IC KĐCS hệ thống tản nhiệt.66 Bảng 3.2: Giá IC KĐCS thị trường 67 Y BẢNG CHỮ VIẾT TẮT AuC Authentication Center Trung tâm nhận thực BER Bit Error Rate Tỉ lệ lỗi bit BSS Base Station Subsystem Phân hệ trạm gốc BS Base Station Trạm gốc BTS Base Transceiver Station Trạm thu phát gốc C/A Carrier to Adjeacent Tỉ số sóng mang/ nhiễu lân cận CDMA Code Division Multiple Access Đa truy nhập chia theo mã Cell Cellulear Ô (tế bào) CI Cell Identity Nhận dạng ô C/I Carrier to Interference Tỉ số sóng mang/ nhiễu đồng kênh C/R Carrier to Rlection Tỉ số sóng mang/ sóng phản xạ EIR Equipment Identiíĩcation Register Bộ ghi nhận dạng thiết bị FDMA Frequency Division Multiple Access Đa truy nhập phân chia theo tàn số GSMC Gateway MSC Tổng đài di động cổng GSM Global System for Mobile Communication Trung tâm di động toàn cầu GPRS Generation Packet Radio Service Dịch vụ vơ tuyến gói chung HLR Home Location Bộ đăng ký định vị thường trú IMSI International Mobile Subcriber Số nhận dạng thuê bao di Identity động quốc tế MSC Mobile Switching Service Center Tổng đài di động MS Mobile Station Trạm di động NSS Network Subsystem Phân hệ mạng OMC Operation and Maintencince Center Trung tâm khai thác bảo dưỡng OSS Operation and Support System Phân hệ khai thác hỗ trợ PCH Puging Chanel Kênh tìm gọi PLMN Public Land Mobile Network Mạng di động mặt đất công cộng PSPDN Packet Switch Public Data Network Mã số liệu công cộng chuyển mạch gói PSTN Public Swithched Telephone Network Mạng chuyển mạch điện thoại công cộng RACH Random Access Chanel Kênh truy cập ngẫu nhiên RX Receiver Thiết bị thu SCH Synchoronous Chanel Kênh đồng khung SIM Subscriber Identity Modul Modul nhận dạng thuê bao SMS Short Message Service Dịch vụ tin ngắn SS Switching Subsystem Phân hệ chuyển mạch TCH Traffic Chanel Kênh lưu lượng TDMA Time Di Vision Multiple Access Đa truy nhập phân chia theo tần số TRx Transceiver Bộ thu - phát LỜI MỞ ĐẦU Trong q trình phát triển xã hội lồi người, thông tin liên lạc nhu cầu cần thiết đóng vai trò quan trọng đời sống xã hội Để đáp ứng nhu cầu này, khoa học kỹ thuật lĩnh vực thông tin đưa nhiều hình thức liên lạc ngày tiện nghi hơn, chất lượng tốt Trong đó, GSM chuẩn phổ biến cho điện thoại di động giới Khả phủ sóng rộng khắp nơi chuẩn GSM làm cho trở nên phổ biến giới, cho phép người sử dụng sử dụng điện thoại di động họ nhiều vùng giới GSM khác với chuẩn tiền thân tín hiệu tốc độ, chất lượng gọi GSM cho phép nhà điều hành mạng sẵn sàng dịch vụ khắp nơi, người sử dụng sử dụng điện thoại họ khắp nơi giới Lợi ích phát triển hệ thống thông tin di động GSM nguy thách thức nhà cung cấp dịch vụ tăng Thông tin người dùng truyền mơi trường vơ tuyến bị công, giả mạo, đánh cắp thông tin trái phép hay bị nghe trộm người khác, dịch vụ nhà mạng cung cấp bị đánh cắp hay bị phá hoại Điều gây thiết hại lớn kinh tế chất lượng dịch vụ cho người dùng lẫn nhà cung cấp dịch vụ Những thách thức đặt yêu cầu cho nhà cung cấp dịch vụ đề nhận thực bảo mật thông tin di động để bảo vệ quyền lợi người dùng lợi ích thân nhà cung cấp cần thiết Bên cạnh đó, âm mưu thủ đoạn sử dụng sóng điện thoại di động đối tượng tác chiến dùng để kích nổ từ xa thiết bị nổ tự tạo hay bom tự chế (IED), nhằm thực âm mưu khủng bố, đe dọa để cướp tài sản ; dùng để thu thập thông tin cá nhân, xác định vị trí điện thoại, theo dõi người dùng di động, nghe gọi, đánh cắp liệu quan trọng ; dùng để đăng tải nhiều thơng tin xun tạc, tun truyền, kích động, hỗ trợ kịp thời cho hoạt động khiếu kiện, chống đối Đảng Nhà nước, kêu gọi biểu tình, gây rối   Với đời hoạt động tác chiến, phát triển với việc xuất ứng dụng rộng rãi kỹ thuật điện tử lĩnh vực quân Ngày nay, hoạt động có phát triển vượt bậc nhờ ứng dụng thành mạng khoa học công nghệ mà cốt lõi công nghệ điện tử công nghệ thơng tin Nó trở thành phương thức tác chiến chủ yếu tác động trực tiếp đến thắng lợi chiến tranh, nhân tố định chiến tranh tương lai Hoạt động gắn liền với thiết bị thu trinh sát, phát hiện, gây nhiễu điện tử bảo vệ điện tử Thực tế quân đội ta nay, trang bị nhiều hạn chế so với giới quân đội ta tiến thẳng lên đại Tuy nhiên, lĩnh vực an ninh quốc phòng giải vấn đề khơng thể theo đường ngoại nhập nên việc nghiên cứu, thiết kế để phục vụ thời kỳ cần thiết Vì vậy, xuất phát từ thực tế với kiến thức, với kiến thức chuyên ngành học, em chọn cho đồ án tốt nghiệp “Nghiên cứu, thiết kế thiết bị gây nhiễu mạng GSM” để hoàn thiện kiến thức, đánh giá khả tiếp thu kiến thức học thân, qua trau dồi học hỏi thêm kiến thức, kinh nghiệm thiết kế, làm sở tảng sau trường công tác đơn vị Đồ án tốt nghiệp chia làm chương: Chương 1: Những vấn đề chung hệ thống di động GSM Chương 2: Nghiên cứu lựa chọn phương án gây nhiễu Chương 3: Thiết kế thiết bị gây nhiễu mạng GSM Trong trình làm đồ án, em cố gắng nhiều song lý hạn chế kinh nghiệm, trình độ nghiên cứu thời gian có hạn nên đố án tốt nghiệp chắn khơng thể tránh khỏi thiếu sót, em mong thầy giáo bạn góp ý để đồ án em hoàn thiện 74 Phần RF phần quan trọng thiết bị gây nhiễu di động bao gồm • Dao động điều khiển điện áp (VCO) • Bộ khuếch đại CS RF • Antenna + Đầu vào cao tần BỘ TẠO DAO ĐỘNG BỘ KĐCS CAO TẦN Ra anten HỆ THỐNG LÀM MÁT Hình 3.16: Sơ đồ khối cao tần Các thành phần lựa chọn theo đặc điểm kỹ thuật mong muốn thiết bị gây nhiễu dải tần số phạm vi tác dụng Điều quan trọng cần lưu ý tất thành phần sử dụng có trở kháng đầu vào/đầu 50 ohm, 50 ohm microstrip cần thiết để kết hợp thành phần Chiều rộng dải microstrip tính cách sử dụng cơng thức sau cho w/h > Z0  120 �  eff �w �w �  1.393  0.677ln  1.44 � � �h � �h � � � � �  eff � � � � � � � �  r   r 1 � �� �   �2 � 12h �� � � �1  � w �� � � Chỉ tiêu kỹ thuật khối cao tần  Phải đưa tín hiệu nhiễu lên dải tần mạng di động 75  Khuếch đại tín hiệu nhiễu mức tối đa IC KĐCS  Phổ tín hiệu nhiễu phải trùm vào phổ tín hiệu mạng di động  Bảng mạch in nhỏ gọn, bố trí linh kiện hợp lý  Sử dụng nguồn Adapter Ac-qui  Giá thành sản xuất không cao Yêu cầu công suất Để gây nhiễu hiệu khu vực cụ thể cần phải xem xét tham số quan trọng - tỷ lệ tín hiệu tạp âm, gọi SNR Mỗi thiết bị làm việc ngun tắc thơng tin vơ tuyến điện chịu tạp âm tín hiệu đến mức độ cụ thể Đây gọi khả xử lý SNR thiết bị Hầu hết thiết bị di động có khả xử lý SNR khoảng 12dB Một thiết bị tốt có giá trị 9dB, khó xảy Để đảm bảo gây nhiễu thiết bị này, cần phải giảm SNR tín hiệu sóng mang xuống mức 9dB Đối với điều này, đồ án xem xét trường hợp xấu từ quan điểm gây nhiễu Điều có nghĩa cơng suất truyền tải tối đa từ tháp Smax, với giá trị thấp SNR khả xử lý thiết bị di động Vì vậy: J = -24dBm Since SNRmin = S/J Trong đó, J cơng suất tín hiệu gây nhiễu Vì vậy, thiết bị cần phải có cường độ tín hiệu gây nhiễu -24dBm thu thiết bị di động để gây nhiễu có hiệu Tuy nhiên, tín hiệu xạ thiết bị bị suy giảm việc truyền từ anten thiết bị gây nhiễu đến anten thiết bị di động Sự suy hao đường truyền tính cách sử dụng suy hao không gian tự gần: 76 Lp  32.45  20log10 ( f D) Ở f tần số MHz, D khoảng cách tính theo kilomet Sử dụng tần số trung tâm đường xuống GSM (947.5MHz) bán kính gây nhiễu 20m, nhận giá trị đường truyền bị 58dBm Sự mát lý tưởng dành cho khơng gian tự do, đường truyền khơng khí nhiều Điều có nghĩa bán kính gây nhiễu thấp 20m sử dụng để tính tốn giá trị Vì cần phải truyền tải tín hiệu với cơng suất: JT = 58 – 24 = 34dBm Bây giờ, công suất VCO -3dBm, mà cần phải khuếch đại đến 37dBm để đáp ứng yêu cầu Đối với điều này, đồ án sử dụng tầng khuếch đại Tầng thứ tiền khuếch đại MAR-4SM, cung cấp KĐ công suất thêm 8dBm Điều đưa mức công suất đạt 5dBm Để phù hợp với công suất đầu vào giai đoạn khuếch đại thứ hai (PF08103B), cần phải suy giảm 4dB, suy hao pi sử dụng Bây mức công suất 1dB, khuếch đại tăng 33dB PF08103B đến mức công suất đầu 34dBm 77 3.2.1 Bộ dao động điều khiển điện áp VCO Hình 3.17: Sơ đồ khối MAX2623 IC VCO có nhiệm vụ tạo tín hiệu RF lớn mức tín hiệu điện thoại di động đường xuống Việc lựa chọn VCO chịu ảnh hưởng hai yếu tố chính, tần số hệ thống GSM gây nhiễu sẵn có chip Đối với yếu tố cần lưu ý VCO nên bao gồm tần số 935 MHz đến 960 MHz Bộ VCO MAX2623 từ IC MAXIM tìm thấy lựa chọn tốt Hình 3.17 kết nối VCO MAX2623 thực khung dao động LC, tích hợp tất mạch bo mạch, làm cho VCO dễ dàng sử dụng, điều chỉnh đầu vào nối với varactor Công suất đầu là-3dBm đầu quét tốt dải mong muốn điện áp điều chỉnh đầu vào khoảng 120 KHz 3.2.2 Bộ khuếch đại công suất RF Đối với đầu mong muốn đạt công suất đủ lớn, tầng KĐ cần thiết Bộ khuếch đại công suất Hitachi PF08103B sử dụng điện thoại di động Nokia đủ để khuếch đại 78 tín hiệu 800 MHz GHz lên 34 dB Nhưng đầu vào đề nghị Datasheet 1dBm Do đó, khuếch CS khác sử dụng VCO PF08103B, khuếch đại MAR4SM từ Mini-Circuits Nó KĐ 8dB cho tần số từ đến GHZ Điều làm cho đầu dBm Một cấu hình phân cực tiêu biểu cho MAR4SM hiển thị Hình 3.18: Cấu hình phân cực cho MAR-4SM Dòng điện phân cực phân áp từ nguồn điện V qua điện trở Rbias cuộn cảm RF Tác dụng điện trở giảm ảnh hưởng điện áp thiết bị dòng điện phân cực cách mơ nguồn dòng Tụ ghép tầng yêu cầu đầu vào Một tụ điện phân dòng sử dụng kết nối để cung cấp DC để ngăn chặn stray coupling (sự ghép ký sinh) cho thành phần xử lý tín hiệu khác Dòng điện phân cực đưa theo phương trình sau: Ibias  Vcc  Vd Rbias Thiết kế MAR4SM thực AppCAD Các kết hiển thị 79 Hình 3.19: Thiết kế MAR-4SM AppCAD Bây CS trước khuếch đại RF Hitachi 5dBm từ 1dBm yêu cầu; đồ án sử dụng suy hao 4dB TNetwork thể Hình 3.20 Bộ suy hao thiết kế có trở kháng đặc tính 50 ohm để dễ dàng kết hợp với R1 R2 R Port Port toàn mạch Hình 3.20: Bộ suy giảm hình T Đối với suy hao 4-dB mạng đối xứng S12 = S21 = 0,631 V2 = 0.631V1 80 Và trở kháng đặc tính 50 ohm, giá trị điện trở tìm thấy cách sử dụng phương trình sau đây: 50  R2  50  R1 R3 � X � � 50 � R  50 0.631  � � � � X �X  R � �50  R � R3 1� 1� � � , đó: Khối cao tần phần định công suất phát (phạm vi GN), kích thước thiết bị GN, đặc biệt giá thành sản phẩm Vấn đề cơng suất vấn đề giá thành, mà cơng suất phụ thuộc vào loại IC KĐCS, giá thành loại thiết bị GN điện thoại di động phụ thuộc vào loại IC KĐCS Những loại IC KĐCS nói chung thường có giá thành tương đối đắt, IC định công suất làm việc thiết bị GN Việc chế áp xa hay gần chủ yếu IC định Quá trình tìm hiểu linh kiện, đồ án thống kê số loại linh kiện có thị trường sau: Bảng 3.1: Giá thiết bị theo giá IC KĐCS hệ thống tản nhiệt 81 Bảng 3.2: Giá IC KĐCS thị trường 3.2.3 Antenna Khi có sẵn thiết bị phát tín hiệu nhiễu việc cần phải xạ vào khu vực dự định gây nhiễu Thiết kế anten xác định giản đồ hướng tần số cụ thể Có nghĩa cần phải chọn anten phù hợp: 82 • Dải tần số xác (935-960MHz) • Mơ hình xạ hướng Omni Phân cực dọc Phân cực ngang độ 360 độ Đồ thị xạ anten Vertical Omni-directional (độ lợi 12dBi, phân cực dọc, trở kháng 50 Ohm, VSWR < 1,5:1, cơng suất tối đa 100W) Hình 3.21: Mơ hình xạ hướng Omni Antenna omni-directional có độ lợi cao vùng phủ sóng theo chiều ngang lớn vùng phủ sóng theo chiều dọc nhỏ Đặc điểm xem yếu tố quan trọng lắp đặt anten có độ lợi cao nhà (trên trần nhà) Nếu trần nhà cao vùng bao phủ khơng thể phủ đến nhà, nơi mà người dùng thường hay làm việc 83 Hình 3.23: Sơ đồ nguyên lý khối RF 84 3.3 Thử nghiệm phòng thí nghiệm Bộ mơn Tác chiến điện tử Hiện có nhiều loại thiết bị GNDĐ khác hãng sản xuất, phương pháp thiết kế, hình thức, cơng suất… Nhưng sản xuất sở lý thuyết chung, đầy đủ thành phần đồ án nghiên cứu Để kiểm chứng cho nghiên cứu đồ án tốt nghiệp, em tiến hành thử nghiệm panel thí nghiệm Bộ mơn Tác chiến điện tử phòng thí nghiệm Q trình thực cho thấy nghiên cứu đồ án hoàn toàn phù hợp Sau kết tiến hành đo đạc mạch tạo nhiễu GSM phòng thí nghiệm Bộ mơn Tác chiến điện tử sau: Kênh 1: 870 MHz – 885 MHz Kênh 3: 940 MHz – 955 MHz Kênh 2: 1800 MHz – 1875 Kênh MHz 2160MHz 4: 2100 MHz – Kênh trước gây nhiễu Kênh sau gây nhiễu Kênh trước gây nhiễu Kênh sau gây nhiễu Kênh trước gây nhiễu Kênh sau gây nhiễu Kênh trước gây nhiễu Kênh sau gây nhiễu Hình 3.24: Phân tích phổ trước sau gây nhiễu 3.4 Kết luận chương Trong chương này, đồ án tốt nghiệp đề cập đến tính tiêu kỹ thuật; tính tốn, xây dựng, thiết kế sơ đồ khối thiết bị gây nhiễu mạng GSM Trên sở xây dựng, thiết kế sơ đồ chức năng, sơ đồ nguyên lý thiết bị Đồ án giải thích nguyên tắc làm việc sơ đồ khối, sơ đồ chức năng, sơ đồ nguyên lý Đồng thời, chương tiến hành thử nghiệm bảng mạch tạo nhiễu GSM phòng thí nghiệm Bộ mơn Tác chiến điện tử, kết cho thấy nội dung nghiên cứu đồ án phù hợp KẾT LUẬN Sau thời gian nghiên cứu, với nỗ lực thân hướng dẫn tận tình thầy giáo Bộ mơn TCĐT Bộ mơn Thơng tin, em hồn thành đồ án tốt nghiệp Qua trình nghiên cứu thực đồ án giúp em hoàn thiện thêm kiến thức lý thuyết, chuẩn bị trang bị cho kiến thức sơ đẳng trước trường Đồ án sau thực đạt kết sau: Những vấn đề chung hệ thống thông tin di động GSM, đồng thời đề cập đến GSM chuẩn phổ biến cho điện thoại di động có khả phủ sóng rộng khắp nơi Tuy nhiên, thông tin người dùng bị cơng, giả mạo, đánh cắp thơng tin trái phép hay bị nghe trộm người khác, dịch vụ nhà mạng cung cấp bị đánh cắp hay bị phá hoại Bên cạnh đó, âm mưu thủ đoạn sử dụng sóng điện thoại di động đối tượng tác chiến vào mục đích xấu, gây nguy hại Từ đó, đưa lý thuyết gây nhiễu nguyên lý hoạt động nó, nghiên cứu đưa phương án gây nhiễu thơng tin di động GSM Trên sở đó, đồ án đưa phương án lựa chọn để thiết kế thiết bị gây nhiễu mạng GSM Trên kết nghiên cứu đạt được, đồ án phát triển theo hướng: Hoàn thiện thiết kế để từ thực chế tạo thiết bị, đưa vào thử nghiệm đánh giá kết ứng dụng vào mục đích đắn hợp pháp Cũng sở đưa phương án gây nhiễu cho thông tin di động TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] PGS.TS Nguyễn Quốc Bình, Tổng quan thông tin di động hệ thống GSM, Nxb Quân đội nhân dân, 2002 [2] TS Nguyễn Phạm Anh Dũng, Thông tin di dộng, Nxb Bưu điện, 2004 [3] Lương Ngọc Hải Giáo trình kỹ thuật xung số – Nhà xuất giáo dục năm 2005 [4] Trương Văn Cập, Trần Hữu Vị, Nguyễn Duy Chuyên, Nguyễn Huy Hoàng Kỹ thuật mạch điện tử – Học viên Kỹ thuật Quân năm 2008 [5] Vũ Hồng Thanh, Nguyễn Tiến Tài, Nguyễn Huy Hồng Giáo trình sở Tác chiến điện tử – Học viện Kỹ thuật Quân năm 2007 [6] Mobile Communication – NTT – 1998 [7] David L.Adamy, EW-103 Tactical Battlefield Communications, Artech House [8] Đặng Hoài Nam, Tạp chí CNTT & TT Kỳ (6/2009) ... Hoạt động MS BTS .32 Hình 2.2: Hoạt động thiết bị gây nhiễu 33 Hình 2.3: Thiết bị gây nhiễu mạng di động 34 Hình 2.4: Mơ hình thiết bị loại "A" 36 Hình 2.5: Mơ hình thiết bị loại... thống di động GSM Chương 2: Nghiên cứu lựa chọn phương án gây nhiễu Chương 3: Thiết kế thiết bị gây nhiễu mạng GSM Trong trình làm đồ án, em cố gắng nhiều song lý hạn chế kinh nghiệm, trình độ nghiên. .. cuối làm việc cửa nối thông thiết bị đầu cuối với kết cuối di động Thiết bị di động MS gồm hai phần: Module nhận dạng thuê bao SIM (Subscriber Identity Module) thiết bị di động ME (Mobile Equipment)