Thiết kế bộ băm xung áp một chiều có đảo chiều (Đồ án tốt nghiệp)

Thiết kế bộ băm xung áp một chiều có đảo chiều (Đồ án tốt nghiệp)Thiết kế bộ băm xung áp một chiều có đảo chiều (Đồ án tốt nghiệp)Thiết kế bộ băm xung áp một chiều có đảo chiều (Đồ án tốt nghiệp)Thiết kế bộ băm xung áp một chiều có đảo chiều (Đồ án tốt nghiệp)Thiết kế bộ băm xung áp một chiều có đảo chiều (Đồ án tốt nghiệp)Thiết kế bộ băm xung áp một chiều có đảo chiều (Đồ án tốt nghiệp)Thiết kế bộ băm xung áp một chiều có đảo chiều (Đồ án tốt nghiệp)Thiết kế bộ băm xung áp một chiều có đảo chiều (Đồ án tốt nghiệp)Thiết kế bộ băm xung áp một chiều có đảo chiều (Đồ án tốt nghiệp)Thiết kế bộ băm xung áp một chiều có đảo chiều (Đồ án tốt nghiệp)

:

: Ngành :

: D9CNTD1

Khoá : 2014- 2019

Hà

M C L C

n th c t ng quát1.1 Gi i thi u chung v c l p

1.1.1 m c u t o và nguyên lý ho ng

1.1.2

1.2 Gi i thi u chung v b t chi u

1.2.1 Khái ni m, phân lo i các b t chi u1.2.2 Van IGBT

c u thi t k tính toán m ch l c2.1 Thi t k m ch l c

2.2 Tính toán, l a ch n các ph n t trong m ch l c

t k m u khi n3.1 C u trúc m u khi n

3.2 Ch a t ng khâu

3.3 Tính toán m u khi n

Mô ph ng m ch l c và m u khi n4.1 Gi i thi u v ph n m m mô ph ng PSIM

4.2 Mô ph ng m ch l c và m u khi n

C c t chính là b ph n sinh ra t ng g m có lõi s t c c t và dây qu n kích t

l ng ngoài lõi s t c c t Lõi s t c c t làm b ng nh ng lá thép k thu n C c t c

g n ch t vào v nh các bulông Dây qu n kích t c qu n b ng b n

b Dây qu n ph n ng:

ng có b n.Tr n nh ng dùng dây có ti t di n tròn, trong

n v a và l ng dùng dây ti t di n hình ch nh t Dây qu n v i rãnh c a lõi thép

c C góp:

chi u thành m t chi u c góp g m có nhi u phi n v i nhau

l n m t chi u kích t c l n kích t không ph thu c vào dòng

n tr m ch kích t

.: h s c u t o c

R K

K

R K

R K

U

e u e

2).(

2).(

khác nhau c a t thông Khi t thông gi m thì n0

th cho th y, khi I bi n thiên thì ng v i cùng d i bi n thiên c

1.2.1 Khái ni m, phân lo i các b ung áp m t chi u

h s m b c giá tr n áp trung bình trên t i

1.2.2 Van IGBT

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor): Transistor có c u khi n cách ly là m t

Quá trình khóa IGBT

Hình 11: Quán trình khóa van IGBT

c p ngu t chi u kích t c l p có nhu

c o chi u quay

tr ng ph n kháng v ngu n và th c hi n quá trình hãm tái sinh

u khi u khi c l u khi n không

+Trong kho ng 1: S1 và S2 c kích d n, S3 và S4 c kích t c n i v i ngu n U, dòng qua ph n n giá tr Imax.

c c p t ngu n thông qua các van S1,S2 d n trong kho ng 0 t1

+Trong kho ng t0 t1 : E>Et c ch ng t

ngu n qua S1 , S2 c

+Trong kho ng t1 t2: S1 khóa ,S4 m ng tích lu n c m s c p

2 4+Trong kho ng t2 T :Khi ng d tr n c m h t ,su

s o chi n và dòng t i s khép m ch qua S4 2

c theo chi c l i ,lu u khi n các van s i theo chi u

c l i ng h p này, van và S2 d c nhau, van luôn d n, van luôn khóa

U TÍNH TOÁN, THI T K M CH L C 2.1 Thi t k m ch l c

Ch ng ph n t trong m ch:

- Ngu n áp m t chi u cung c p

khi b qua s s t áp trên các van

n trung bình ch y qua Diode ID = (1- )It V i giá tr nh m c

=18(A)

Ch n ch làm mát là van có cánh to nhi t v di n tích b m t và có qu t

n làm vi c cho phép ch y qua van lên t i 50 % Idm

n qua van c n ch n : I = ki Imax =18/0.5=36(A)Qua các bi ta th c c t lên m i Diode (b qua s t áp

trên các van ) là: Ungmax=E=200(V)

Ch n h s n áp ku = 2 nên Ungv =ku.Ungmax = 2*200=400(V)

c) L a ch n van IGBT

Xu t phát t yêu c u v công ngh ta ph i ch n van bán d n là lo u khi n hoàn toàn là IGBT

+Tính dòng trung bình ch y qua van: Qua phân tích các m ch l c trên ta th y:

n trung bình ch y qua van lµ : IS = It

+ Ch n ch làm mát là van có cánh to nhi t v di n tích b m t và có qu t

n làm vi c cho phép ch y qua van lên t i 50 % Idm

n qua van c n ch n : I = ki Imax =18/0.5=36(A)

Qua các bi ta th n c c t lên m i Diode (b qua s t áp trên các van ) là Ungmax=E=400(V)

Ch n h s n áp ku = 2 nên Ungv =ku.Ungmax = 2*200=400(V)

BSM50GB60DLC eupec

GmbH

T K M U KHI N 3.1 C u trúc t ng quát c a m u khi n

SS1 SS1 và USS2

SS1 thành USS2

USS1l

SS1 và USS2= USS1

d) Khâu lôgic phân xung.

Khâu lôgic phân xung SS1và USS2

12V

o o

Khi t= U = U

max

min

673

2003

min

dm t

2003

min

dm t

Ph n m c s d mô ph ng n m m PSIM PSIM là ph n m m

mô ph c thi t k c bi mô ph ng các m n t công su t, các h truy n

nhanh, giao di n thân thi n, d s d ng và phân tích d ng sóng t t, PSIM là công c mô

ph ng m nh m cho vi c phân tích các b bi n t công su t, thi t k u khi n kín, và nghiên c u các h th ng truy n

Sau khi mô ph ng xong m ch l c và m u khi n, vào Simulate Simulation Control M t cái bi ng h hi t vào m t v trí tùy ý trong trang v , m t h p tho i hi n ra c th i gian tính toán, Total Time là t ng th i gian b n mu n

Time Step và Total Time c n phù h p v i t ng m ch Time Step càng nh mô ph ng càng chí th càng m n, tuy nhiên n u ch n Time Step quá nh và Total Time

quá l n thì th i gian ch y s lâu Ch n xong thông s mô ph ng, các b n ch y mô ph ng

b ng cách: Simulate Run Simulation

t l i tên ph n t trong PSIM Schematic C ng này

có giá tr r t khác nhau, n u hi n th cùng trên m t h tr c t thì có th s không nhìn

Xung so sánh:

trung bình: Ut=206v

-5,7v:

-218vxét: