BÀI 4: TRANSISTOR BJT VÀ JFET 4.1 Transistor BJT 4.1.1 Transistor phân cực E chung Mô phỏng: U2 - 0.000 + A DC 1e-009Ohm U3 + A 0.000 DC 1e-009Ohm R2 R1 1.0kΩ Q1 U1 + 100kΩ V2 12 V 2N2218 - 12.000V DC 10MOhm V1 3V Kết quả: U2 - + 2.313mA DC 1e-009Ohm U3 + A 0.024m DC 1e-009Ohm V1 3V R2 R1 1.0kΩ Q1 + 100kΩ 2N2218 V2 12 V - U1 12.000V DC 10MOhm - BJT dẫn khuếch đại, dẫn bão hòa, có dòng chạy R2 R1 - SW mở: BJT ko dẫn - VBB= -3V, BJT không dẫn 4.1.2 Mạch khuếch đại đảo (đảo xung) Mô phỏng: XSC1 V1 12 V R2 1.0kΩ G A XFG1 R1 10kΩ Q1 XSC2 G 2SC1815 T A Kết quả: - Dạng sóng ngõ vào XSC2: B C D B C T D - Dạng sóng ngõ XSC1: 4.1.3 Mạch khuếch đại đệm xung Mô phỏng: XSC1 R1 500kΩ V1 3V V2 12 V Q1 G A 2N3702 B C T D R2 1.0kΩ XFG1 C1 1µF Q2 2SC1815 Kết quả: - Dạng sóng XSC1: 4.1.4 Mạch ứng dụng transistor làm nguồn dòng để tạo sóng cưa Mơ Kết Dạng sóng hai đầu tụ XSC1 4.1.5 Mạch khuếch đại tín hiệu Mơ Kết 4.2 JFET 4.2.1 Giữa G-S, G-D diode Kết U1= -5.382 V U2= 0.618 V 4.2.2 Đo dòng IDSS Kết 4.2.3 Phân cực ngược G-S Kết ... Kết quả: - Dạng sóng XSC1: 4. 1 .4 Mạch ứng dụng transistor làm nguồn dòng để tạo sóng cưa Mơ Kết Dạng sóng hai đầu tụ XSC1 4. 1.5 Mạch khuếch đại tín hiệu Mơ Kết 4. 2 JFET 4. 2.1 Giữa G-S, G-D diode... không dẫn 4. 1.2 Mạch khuếch đại đảo (đảo xung) Mô phỏng: XSC1 V1 12 V R2 1.0kΩ G A XFG1 R1 10kΩ Q1 XSC2 G 2SC1815 T A Kết quả: - Dạng sóng ngõ vào XSC2: B C D B C T D - Dạng sóng ngõ XSC1: 4. 1.3... đại tín hiệu Mơ Kết 4. 2 JFET 4. 2.1 Giữa G-S, G-D diode Kết U1= -5.382 V U2= 0.618 V 4. 2.2 Đo dòng IDSS Kết 4. 2.3 Phân cực ngược G-S Kết