KythuatDienTu 2015 part 1 of 3 semiconductor

ĐẠI HỌC BÁCH KHOA ĐÀ NẴNG Khoa ĐiệnTử - Viễn Thông Kỹ thuật điện tử Phần Đại cương GV: Lê Thị Phương Mai Đà Nẵng, 08/2015 Nội dung n n n n n n Chương 1: Mở đầu Chương 2: Diode ứng dụng Chương 3: BJT ứng dụng Chương 4: OPAMP ứng dụng Chương 5: Kỹ thuật xung Chương 6: Kỹ thuật số Tài liệu tham khảo n n n Slides dựa giảng power point ThS Nguyễn Duy Nhật Viễn, khoa ĐTVT, ĐHBKĐN, lưu hành nội Bài giảng “Kỹ thuật Điện Tử”, GVC ThS Lê Xứng, Khoa ĐTVT, ĐHBKĐN, Lưu hành nội Sách: Kỹ thuật Điện Tử, Đỗ Xuân Thụ (Chủ biên), NXB Giáo dục Việt Nam, 2011 Quan trọng (1) n cột điểm: Giữa kỳ, Bài tập, Cuối kỳ Trọng số cột điểm theo qui định trường Giữa kỳ Cuối kỳ: Thi viết, không dùng tài liệu Bài tập: làm lớp nhà n Thời lượng dự tính: 24 LT + BT n n n Quan trọng (2) n n n n Download tài liệu trang: https://sites.google.com/site/namsaunt/ Password cung cấp lớp Liên hệ GV: Văn phòng khoa ĐTVT Hoặc qua email: pmai2810@gmail.com Chương Mở đầu Nội dung chương n n Lịch sử phát triển Các linh kiện điện tử thông dụng ¤ ¤ ¤ n Linh kiện thụ động Linh kiện tích cực Linh kiện quang điện tử Điện áp, dòng điện định luật ¤ ¤ ¤ ¤ ¤ ¤ Điện áp dòng điện Định luật Ohm Nguồn áp nguồn dòng Định lý Thevening Norton Định luật điện áp Kirchoff Định luật dòng điện Kirchoff Lịch sử phát triển n n n 1948,John Bardeen, Walter Brattain William Shockley làm việc Bell Labs (Mỹ) phát minh transistor 1960, mạch tích hợp (Integrated Circuit) đời 1970, Tích hợp mật độ cao ¤ ¤ ¤ MSI (Medium Scale Integration) LSI (Large Scale Integration) VLSI (Very Large Scale Integration) Linh kiện điện tử thông dụng + Linh kiện thụ động + Linh kiện tích cực + Linh kiện quang điện tử Linh kiện thụ động 10 Dòng điện qua diode n Khi phân cực cho diode (I,U≠0): ¤ n I=Is(eqU/kT-1) (*) Gọi UT=kT/q nhiệt 3000K, ta có UT~25.5mV (**) I=Is(eU/UT-1) ¤ (*) hay (**) gọi phương trình đặc tuyến diode ¤ 62 Đặc tuyến tĩnh tham số diode 63 Đặc tuyến tĩnh diode n Phương trình đặc tuyến Volt-Ampe diode: ¤ I=Is(eqU/kT-1) Đoạn AB (A’B’): phân cực thuận, U gần không đổi I thay đổi Ge: U~0.3V Si: U~0.6V Đoạn làm việc diode chỉnh lưu Đoạn CD (C’D’): phân cực ngược, U gần không đổi I thay đổi Đoạn làm việc diode zener 64 Đường thẳng lấy điện E = VD + RI D Phương trình xác định điểm làm việc diode tức điểm điều hành Q, gọi phương trình đường thẳng lấy điện Đường thẳng lấy điện Trong trường hợp VD = 0, E = + I D R = I D R, ⇒ ID = E R Trong trường hợp I D = 0, E = VD + (0)R = VD , ⇒ VD = E điểm ID VD trục tung trục hoành biểu đồ đường đặc tính VA Nối điểm cắt đường đặc tính VA diode điểm Q Khi ta có VDQ IDQ Các tham số diode n Điện trở chiều: Ro=U/I ¤ ¤ n Điện trở xoay chiều: rd=δU/δI ¤ n Diode tần số cao, diode tần số thấp Dòng điện tối đa: IAcf ¤ n rdng>>rdth Tần số giới hạn: fmax ¤ n Rth~100-500Ω Rng~10kΩ-3MΩ Diode công suất cao, trung bình, thấp Hệ số chỉnh lưu: Kcl=Ith/Ing=Rng/Rth ¤ Kcl lớn diode chỉnh lưu tốt 67 Bộ nguồn chiều 68 Sơ đồ khối 220V (rms) 69 Chỉnh lưu bán kỳ 70 Chỉnh lưu toàn kỳ 71 Chỉnh lưu cầu 72 Mạch lọc tụ C 73 Ổn áp diode Zener Mạch ổn áp tạo áp 33V cố định cung cấp cho mạch dò kênh TV màu 74 Một số diode bán dẫn thực tế 75 Tổng kết chương n n n n Hai loại chất bán dẫn (pha tạp): N P Diode linh kiện bán dẫn cấu tạo cách ghép lớp bán dẫn PN tiếp giáp PN Diode dẫn điện phân cực thuận V ≥ Vγ Mạch chỉnh lưu: AC DC ¤ n Bán kỳ, Toàn kỳ, Chỉnh lưu cầu Bộ nguồn chiều (DC) gồm khối: Biến áp, Chỉnh lưu, Lọc (C), Ổn áp (Zener vi mạch ổn áp) 76 [...]... trở Đơn vị: Ohm (Ω) 1kΩ = 10 3 Ω ¤ 1MΩ= 10 6 Ω ¤ n P = I2.R 11 Điện trở (R) 12 Ví dụ điện trở 13 Tụ điện (C) n n n n Linh kiện có khả năng tích tụ điện năng Ký hiệu: Phân loại: Tụ phân cực và tụ không phân cực Đơn vị Fara (F) ¤ ¤ ¤ 1 F= 10 -6 F 1nF= 10 -9 F 1pF= 10 -12 F 14 Tụ điện (C) Tụ xoay Tụ chặn Tụ tantalum1 5 Tụ hóa: - C: 0 .1- 47000uF - U lớn: