Ebook MultiSim cơ bản

12 1K 10
Ebook MultiSim cơ bản

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

MultiSim 1.1 Các thành phần Tạo design (bản thiết kế) 1.1.1 Link kiện, nguồn, thiết bị Theo thứ tự từ trái sang phải: 1-Place Source : nguồn cung cấp (AC, DC), nguồn dòng, nguồn áp, nguồn tín hiệu (sin, vuông, tam giác),… 2-Place Basic: đặt điện trở, biến trở, cuộn cảm, tụ điện, biến áp, switch, … 3-Place Diode: linh kiện bán dẫn lớp, lớp : diode, led, diac, triac, scr,… 4-Place Transistor: loại BJT, MOS, … 5-Place Analog: đặt op-amp, so sánh, khuếch đại,… 6-Place TTL : đặt IC họ TTL 7-Place CMOS: đặt IC họ CMOS 8-Place Misc Digital : đặt EPROM,… Cuong Q Ngo 9-Place Mixed: đặt ADC, DAC, IC timer 555 10-Indicators: đặt lamp, volt meter, buzzer,… 11-Power component : cầu chì, thành phần liên quan đền nguồn AC,… 12-Misc: chuyển đổi, ghép quang, thạch anh, mô hình đường truyền không suy hao,… 13-Advanced peripherals: bàn phím, LCD 14-RF : linh kiện liên quan đến cao tần 15-Electro_mechanical : loại động cơ, rơ-le 16-NI Component : linh kiện NI 17-Connectors: loại đầu nối 18-MCU : loại vi điều khiển 805x, PIC, RAM, ROM 1.1.2 Đồng hồ đo, dao động ký Cột góc phải giao diện, chứa đồng hồ đo, đầu đo, dao động ký, máy tạo hàm, đếm tần số, phân tích logic, tạo từ mã,… Dao động ký XSC1 XSC2 Tektronix Agilent P G T VOM XMM1 Cuong Q Ngo 1.2 Tạo thiết kế  Lấy linh kiện, lấy nguồn  Lấy thiết bị đo cần thiết  Lắp ráp theo sơ đồ có Ví dụ 1: Mạch phân cực BJT VCC 5V R2 47kΩ R1 2.2kΩ XMM1 Q1 2SC1815 R4 10kΩ R3 220Ω Xem chế độ test-board Đây dạng xem 3D, người sử dụng cắm linh kiện thực tế Cuong Q Ngo 1.3 Phân tích thành phần VOM Probe Cuong Q Ngo Probe1 Khai báo thông số V: 775 mV V(p-p): V V(rms): 775 mV V(dc): 775 mV I: -775 pA I(p-p): A I(rms): 775 pA I(dc): -775 pA Freq.: Khai báo thông số điện trở: giá trị, sai số, yếu tố vật lý, chân layout linh kiện Phân tích thông số BJT Cuong Q Ngo Thực mô phỏng, thông số điện áp dòng điện đo Ví dụ 2: Từ mạch phân cực trên, lắp thêm nguồn tín hiệu linh kiện để thực mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ VCC XSC1 5V R2 47kΩ Q1 C1 V1 50mVpk 1kHz 0° R1 2.2kΩ 1µF C2 Agilent 1µF 2SC1815 R4 10kΩ R3 220Ω Nguồn tín hiệu xoay chiều Cuong Q Ngo Dao động ký Agilent Thực mô Chọn Run, sau click đôi vào dao động ký, chỉnh thông số cần thiết quan sát tín hiệu vào Cuong Q Ngo Gắn thêm tụ C3 song song vào điện trở R3, VCC XSC1 5V R2 47kΩ Q1 C1 V1 1µF 50mVpk 1kHz 0° R1 2.2kΩ C2 Agilent 1µF 2SC1815 R4 10kΩ R3 220Ω C3 100µF Quan sát dạng sóng ngõ Thay đổi giá trị tụ C3, quan sát tiếp dạng sóng ngõ Thay vào dao động ký Tecktronix Cuong Q Ngo 2.1 Phân tích mạch DC 2.1.1 Phân tích vòng Tìm dòng điện qua điện trở R3 R1 10Ω V1 10 V R2 15Ω XMM1 R3 5Ω R4 30Ω R5 30Ω I3 qua R3 có giá trị 37.037 mA Các điện trở trường hợp có sai số 0% Sinh viên thực đặt sai số cho tất điện trở từ 110% Vẽ đồ thị dòng điện có theo sai số Sai số điện trở (%) 10 Giá trị I3 đo (mA) 37.037 2.1.2 Phân tích nút Cuong Q Ngo R2 20Ω R1 V1 Probe1 I1 1A 10Ω V2 V: 114 V V(p-p): 3.50 pV V(rms): V V(dc): 114 V I: 1.43 A I(p-p): A I(rms): A I(dc): 1.43 A Freq.: R4 Probe2 40Ω V3 Probe3 I2 1A V: 100 V V(p-p): 8.37 pV V(rms): V V(dc): 100 V I: -571 mA I(p-p): A I(rms): A I(dc): -571 mA Freq.: R3 50Ω V: 123 V V(p-p): 14.6 pV V(rms): V V(dc): 123 V I: -571 mA I(p-p): A I(rms): A I(dc): -571 mA Freq.: Công suất cực đại tải R1 10kΩ V1 10 V R2 XMM1 50kΩ 20 % Key=A Thay đổi giá trị biến trở theo bước tăng 10 kΩ : 0:10:50 Tìm giá trị điện trở ứng với công suất lớn 2.2 Phân tích AC 2.2.1 Mạch RC R1 XFG1 XSC1 1kΩ C1 1µF Tektronix P G T Tạo sóng vuông có tần số 100 Hz, biên độ đỉnh 5V Quan sát dạng sóng tụ Cuong Q Ngo 10 2.2.2 Mạch RL L1 XFG1 150H R1 1kΩ Phân tích dùng chức Transient Analysis: Simulate/Analyses/ Transient Analysis Chọn biến ngõ cần mô Chọn thông số phân tích: Start time; Stop time Cuong Q Ngo 11 Cuong Q Ngo 12

Ngày đăng: 09/08/2016, 22:19

Từ khóa liên quan

Tài liệu cùng người dùng

Tài liệu liên quan