1.5. Tranzitor l ìng cùc cùc cöa c¸ch li IGBT • CÊu tróc • Th«ng sè ®Æc tr ng • Yªu cÇu ®èi víi m¹ch ®iÒu khiÓn I. CÊu tróc cña IGBT • S¬ ®å cÊu tróc cña IGBT nh h×nh 5.1 C E G D S pnp npn p + n - p p n nn n C E E G C¸ch ®iÖn n • V c u trúc có th coi IGBT nh hai tran. NPN, PNP v m t MOSFETề ấ ể ư à ộ C E G D S pnp npn S t ng ngơđồ ươ đươ Kí hiệu §Æc tÝnh ®ãng c¾t • S¬ ®å thö nghiÖm R G D 0 D C GE C GC U G U dc U G -Nguån ®iÒu khiÓn C GE , C GC - Tô kÝ sinh M i IGBT Điều kiện để IGBT dẫn UCE>0; UGE>Ung Khi đó xuất hiện kênh dẫn. Nhờ các điện tử chạy qua kênh dẫn, bơm thêm vào N - làm điện thế của nó giảm, kéo theo P + N - dẫn IC chỉ khác 0 khi UCE>UCEng Đặc tính i C U CE U CE U GE >U ng Khóa IGBT Do dẫn bằng hạt thiểu số nên thời gian khóa dài hơn, tần số thấp hơn. Hai giai đoạn khóa (nh hình vẽ) 1. các kênh biến mất, MOS khóa nhanh chóng 2. Các hạt d của N - tái hợp dần và iC giảm chậm Quá trình khóa i C U GE t t • Qu¸ tr×nh khãa t t t t U G Th«ng sè IGBT • UCES - §iÖn ¸p cùc ®¹i CE khi GE ng¾n m¹ch. • UGES - §iÖn ¸p GE cùc ®¹i cho phÐp khi CE ng¾n m¹ch. • IC- Dßng ®iÖn mét chiÌu cùc ®¹i • ICmax - Dßng ®iÖn ®Ønh cña colector; • Pm - C«ng suÊt tæn hao cùc ®¹i; • TCP - NhiÖt ®é cho phÐp; • IL - Dßng ®iÖn t¶i c¶m cùc ®¹i; • Ir - Dßng ®iÖn rß • UGEng - §iÖn ¸p ng ìng GE . 1.5. Tranzitor l ìng cùc cùc cöa c¸ch li IGBT • CÊu tróc • Th«ng sè ®Æc tr ng • Yªu cÇu ®èi víi m¹ch ®iÒu khiÓn I. CÊu tróc cña IGBT • S¬ ®å cÊu tróc cña IGBT nh h×nh 5.1 C E G D S pnp npn p + n - p. nghiÖm R G D 0 D C GE C GC U G U dc U G -Nguån ®iÒu khiÓn C GE , C GC - Tô kÝ sinh M i IGBT Điều kiện để IGBT dẫn UCE>0; UGE>Ung Khi đó xuất hiện kênh dẫn. Nhờ các điện tử chạy qua kênh. IGBT nh h×nh 5.1 C E G D S pnp npn p + n - p p n nn n C E E G C¸ch ®iÖn n • V c u trúc có th coi IGBT nh hai tran. NPN, PNP v m t MOSFETề ấ ể ư à ộ C E G D S pnp npn S t ng ngơđồ ươ đươ Kí hiệu