BAIGIANG-DTCS-in - KHOA DIEN potx

TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TPHCM BÀI GIẢNG SỐ 1 SỐ TIẾT : 06 I- TÊN BÀI GIẢNG : Các linh kiện điện tử công suất II- MỤC TIÊU : Sau khi học xong bài nầy sinh viên sẽ đạt được kiến thức sau : - Hiểu được cấu tạo và nguyên lý hoạt động của các linh kiện bán dẫn công suất. - Nắm vững các thông số kỹ thuật và ứng dụng của các linh kiện trong lónh vực điều khiển. III- ĐỒ DÙNG VÀ PHƯƠNG TIỆN GIẢNG DẠY : - Bài giảng Điện tử công suất. - Tài liệu tham khảo : +Giáo trình Điện tử công suất – Vụ trung học chuyên nghiệp dạy nghề +Bài giảng ĐTCS – Trường Đại học Bách khoa TPHCM +Điện tử công suất – Nguyễn Bính +Một số linh kiện bán dẫn công suất IV- NỘI DUNG BÀI GIẢNG : 4-1 Các khái niệm cơ bản (20 phút) 4-1-1 Đònh nghóa Điện tử công suất Điện tử công suất là một chuyên ngành của Kỹ thuật điện tử nghiên cứu và ứng dụng các linh kiện điện tử công suất lớn nhằm chuyển đổi và khống chế năng lượng điện từ dạng nầy sang dạng khác. 4-1-2 Đặc điểm linh kiện bán dẫn công suất - Chỉ làm việc ở chế độ đóng ngắt như một khóa công tắc : + Khi đóng thì cho dòng điện đi qua, linh kiện bán dẫn có điện trở tương đương rất nhỏ, tổn hao công suất ít. + Khi ngắt thì dòng điện không qua và có điện trở tương đương rất lớn. - So với công tắc cơ học, công tắc bán dẫn có độ bền cao hơn, độ chính xác và tần số đóng ngắt lớn. 4-1-3 Phân loại linh kiện bán dẫn công suất Dựa vào đặc tính điều khiển, người ta chia làm 2 loại: - Loại linh kiện không điều khiển được trạng thái đóng ngắt. Ví dụ Diode -Loại điều khiển được trạng thái đóng ngắt bằng tín hiệu điều khiển. Ví dụ Transistor, SCR, Triac, GTO … 4-1-4 Quá trình quá độ và trạng thái đóng ngắt - Quá trình quá độ là quá trình xảy ra ngay sau khi đóng hoặc ngắt khóa công suất, diễn ra trong khoảng thời gian ngắn. Bài giảng môn Điện tử công suất 1 TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TPHCM - Trạng thái xác lập của mạch ĐTCS là trạng thái diễn ra trong khoảng thời gian tương đối dài so với thời gian đóng ngắt khóa công suất khi các khóa nầy ở trạng thái đóng hoặc ngắt hoàn toàn 4. 2 Khảo sát diode công suất (65 phút) 4-2-1 Khái quát 4-2-1-1 Chất bán dẫn + Bán dẫn thuần : Vật liệu bán dẫn có độ dẫn điện kém hơn kim loại, và mạnh hơn chất điện môi. Độ dẫn điện phụ thuộc nhiều vào yếu tố môi trường, như nhiệt độ, ánh sáng, từ trường, điện trường, nồng độ tạp chất… Chất bán dẫn là những nguyên tố có hoá trò 4 (có 4 điện tử ở lớp ngoài cùng). Được cấu tạo có dạng mạng tinh thể, điển hình là Si và Ge (Silic và Germaniurn). Trong khối bán dẫn tinh khiết các nguyên tử gần nhau có mối liên kết từng cặp electron (ở lớp ngoài cùng). xem hình 1 Sự liên kết này sẽ làm cho các điện tử khó tách rời khỏi nguyên tử để trở thành các điện tử tự do. Như vậy chất bán dẫn tinh khiết có điện trở rất lớn. + Bán dẫn loại N (Negative : âm) Nếu pha vào chất bán dẫn tinh khiết một ít tạp chất có 5 điện tửû ở lớp ngoài cùng. Ví dụ như (Arsenic hay Phosphor) thì trong 4 cặp liên kết, tạp chất còn thừa 1 điện tử không liên kết với các nguyên tử bán dẫn khác, electron thừa ra không liên kết sẽ dể dàng trở thành các electron tự do. xem hình 2 Như vậy thành phần dẫn điện chủ yếu trong bán dẫn loại N là các electron (điện tử tự do ) + Bán dẫn loại P : (Positive : dương) Nếu pha chế vào tinh thể bán dẫn (Si) một ít tạp chất có 3 điện tử ở lớp ngoài cùng (ví dụ Indium hay Bore) thì nguyên tử tạp chất chỉ có 3 điện tử liên kết với 4 điện tử của 4 nguyên tử Si khác. Nên sẽ có 1 mối nối thiếu 1 điện tử, chổ thiếu điện tử này sẽ trở thành lổ trống xem hình 3 Lổ trống của mối nối thiếu điện tử sẽ dễ dàng nhận một điện tử tự do Trong bán dẫn loại P hạt dẫn cơ bản là lổ trống. Nói như vậy không có nghóa là chất bán dẫn loại N hay P mang điện tích âm hay dương mà cả hai loại này ở trạng thái bình thường đều trung hoà về điện. Ta nói bán dẫn âm hay dương là nói lên khả năng cho điện tử tự do (của loại N) hay là khả năng nhận thêm điện tử tự do (của loại P) . Bài giảng môn Điện tử công suất 2 TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TPHCM Bài giảng môn Điện tử công suất 3 Hình 1. Mạng tinh thể chất bán dẫn thuần Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si SiSi Si Si Si Si Các đôi liên kết cộng hoá trò Điện tử thừa trong các đôi liên kết Hình 2. Mạng tinh thể chất bán dẫn loại N Si Si Si Si P Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si B Si Si Si Si Đôi liên kết thiếu âm điện tử Hình 3. Mạng tinh thể chất bán dẫn loại P N P Hàng rào điện thế Hình 4 .Nguyên lý cấu tạo diode Vỏ SiO 2 Chânkim loại loại Chân kim loại Si-N Si-P Anot Kathot Hình 5. Cấu tạo diode thực tế dạng 1 Vỏ SiO 2 Chân kim loại Chân kim loại Si-N Si-P Anot Kathot Hình 6. Cấu tạo diode thực tế dạng 2 TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TPHCM 4-2-1- 2 Cấu tạo diode Gồm 2 loại bán dẫn P và N ghép lại để hình thành tiếp giáp P – N , bên chất bán dẫn P đưa ra ngồi một cực gọi là A (cực dương) và bên chất bán dẫn loại N cũng được ra ngồi một cực gọi là K (cực âm). • Ký hiệu : Diode có ký kiệu hình mũi tên có một vạch đứng với ý nghĩa cho ta dễ dàng nhớ được là dòng điện sẽ cho qua Diode theo như chiều mũi tên như khi dòng điện đi theo chiều ngược lại thì sẽ bị chặn bởi vách ngăn. • Hình dạng : Các dạng Diode cơng suất thơng thường có các dạng như trên, thường đối với loại có vỏ bên ngồi làm bằng kim loại sẽ có cơng suất rất lớn (>500W) và hoạt động với dòng >5A nên thường phải bắt thêm miếng tản nhiệt Nguyên lý hoạt động Trên một miếng bán dẫn người ta tạo ra một vùng loại P và một vùng loại N. Thì ngay tại mặt tiếp xúc sẽ có sự khuếch tán điện tử, các electron từ lớp N sẽ nhảy sang lớp P lắp vào các lổ trống của vùng P. Như vậy bên lớp N bò mất electron trở thành Ion dương còn bên lớp P nhận thêm electron trở thành Ion âm. Hiện tượng này kết thúc khi hai lớp Ion trái dấu này đạt đến giá trò đủ lớn làm ngăn cản sự chuyển động của các electron từ N tràn sang P. (hai lớp Ion này hình thành 1 điện trường ngăn cản sự chuyển động của các electron từ N sang P) Bài giảng môn Điện tử công suất 4 P N A K A K K A A K TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TPHCM Sự chênh lệch điện tích ở hai bên mối nối sẽ tạo thành một điện thế, gọi là điện thế hàng rào: (Vγ = 0,5 đối với bán dẫn Si) Vγ gọi là điện thế hàng rào vì đã ngăn cản dòng khuếch tán không cho tiếp tục xảy ra giữa miền N và miền P của diode . Bên trong tiếp xúc (vùng tiếp xúc) rất nghèo (ít) các hạt dẫn tự do, nên vùng này gọi là vùng nghèo . Đồng thời ngay tại mặt tiếp xúc P-N rất nhạy cảm đối với tác động của các yếu tố môi trường bên ngoài như nhiệt độ, ánh sáng, điện trường nên tiếp xúc P-N được dùng chế tạo thành nhiều linh kiện đặc biệt như Diode, Transistor, IC và pin mặt trời cũng dựa trên nguyên lý này, được cấu tạo như trên . 4-2-1-3 Đặc tuyến dòng áp cuả diode: − Thông qua nguyên lý hoạt động cuả diode mà ta đã khảo sát như trên. Trong thực tế người ta xây dựng đặc tuyến dòng, áp cuả diode thể hiện được nguyên lý hoạt động cuả diode hình 19. Giải thích đặc tuyến: a. Khi phân cực thuận diode: − Ta thấy khi phân cực cho diode với điện áp trên hai đầu diode nhỏ hơn V TO khoảng 0,5V thì dòng điện đi qua diode rất bé gần như bằng 0.( Turn – on , Điện áp mở diode) − Khi điện áp trên hai đầu diode lớn hơn V TO , dòng đi qua diode bắt đầu tăng. − Tuy nhiên khi dòng đi qua diode tăng vô cùng lớn thì điện áp trên hai đầu diode chỉ ghim ở mức 0,8v . Trong thực tế có các diode có điện áp ghim áp nhỏ hơn hoặc lớn hơn. − Các thông tin về các thông số làm việc cuả diode sẽ được nhà sản suất cung cấp thông qua đặc tuyến dòng, áp cuả nó. b. Khi phân cực nghòch diode: − Khi điện áp phân cực nghòch cho diode nhỏ hơn mức đánh thủng V BK (Bk: Breakdown) thì dòng điện đi qua diode bằng 0. − Khi điện áp phân cực nghòch cho diode tiến gần đến mức đánh thủng bắt đầu xuất hiện dòng điện đi qua diode . − Khi điện áp phân cực cho diode bằng hoặc lớn hơn mức đánh thủng thì xuất hiện dòng điện rất lớn đi qua diode có thể làm hỏng diode vì vậy trong thực tế khi sử dụng ta nên tránh không phân cực cho diode với điện áp ngược lớn hơn điện thế Bk. Bài giảng môn Điện tử công suất 5 V D (V) I D (A) 0,8 V Bk 1µA 0,5 Phân cực thuận Phân cực nghòch Hình 19 . Đặc tuyến dòng, áp cuả diode TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TPHCM 4-2-1-4 Đặc tính đóng cắt của diode ( Đặc tính động) Là đặc tính có xét đến quá trình quá độ của diode • Quá trình đóng - u(t) : điện áp đặt vào diode - i(t) : dòng điện đặt vào diode - Giai đọan 1 ( o – t 1 ) : u(t) phân cực nghòch cho diode  i(t) = 0 - Giai đọan 2 ( t 1 – t 3 ) : điện áp phân cực nghòch u(t) giảm dần  dòng i(t) bắt đầu xuất hiện và tăng dần do sự nạp điện của tụ điện được hình thành bởi vùng ion. Điều nầy làm cho u(t) tăng đến 1giá trò u(c) khỏang vài vôn. Sau đó giảm xuống ổn đònh ở mức sụt áp dV khỏang 1V – 1,5V • Quá trình ngắt diode Mạch điện khảo sát Trong các hiện tượng quá độ, quá trình đóng ngắt diode đóng vai trò quan trọng. Ta khảo sát 1 diode đang dẫn và sau 9ó được ngắt bằng 1 nguồn điện áp nghòch V n đặt lên AK khi đóng S. Dòng qua diode theo chiều thuận là I F - Khi t = 0  khóa S ngắt , i(t) = I F - Khi t= t o  đóng khóa S, áp ngược Vn đặt lên diode và dòng thuận giảm dần - Khi t= t 1  dòng thuận giảm về 0, I F = 0 . Do sự tồn tại chuyển động các hạt dẫn thiểu số nên diode tiếp tục dẫn, cho dòng ngược đi qua Bài giảng môn Điện tử công suất 6 TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TPHCM - Khi t= t 2  dòng ngược có giá trò cực đại. - Thời gian từ t 2 – t 3  dòng ngược giảm dần - Khi t = t 3  dòng ngược giảm về 0. Quá trình ngắt diode kết thúc. - Thời gian t r gọi là thời gian phục hồi và là một trong những thông số quan trọng của diode , t r thường nhỏ hơn 1µs. 4-2-1-5 Các thông số cơ bản của diode 1- Giá trò trung bình của dòng điện I F cho phép chạy qua diode theo chiều thuận.Đây là giá trò làm tinh thể bán dẫn của diode phát nhiệt. Nếu giá trò nầy vượt mức cho phép sẽ làm hỏng diode. 2- Giá trò điện áp ngược cực đại V nmax cho phép đặt lên diode. 3- Tần số làm việc f c là tần số lớn nhất của dòng điện cho phép qua diode. 4- Thời gian hồi phục t r , là thời gian dòng điện thuận I F bắt đầu giảm cho đến khi diode bò ngắt hòan tòan. Điện áp ngược đặt vào diode càng lớn thì t r càng nhỏ và ngược lại. 4-3 Transistor BJT (Bipolar Junction Transistors ) ( 65 phút) 4-3-1 Cấu tạo Người ta dùng 3 miếng bán dẫn gồm 2 mếng bán dẫn loại N có nồng độ tạp chất khác nhau (lượng âm điện tử thưà khác nhau) hoặc hai miếng loại P khác nhau như trên sau đó ghép xen giữa bán dẫn khác loại tạo thành 2 tiếp giáp PN, nên gọi là transistor lưởng cực (BJT) Nếu ta dùng 2 miếng bán dẫn loại N ta có transistor loại NPN (xem hình 2). Nếu ta dùng 2 miếng bán dẫn loại P ta có transistor loại PNP (xem hình 1). Tại các đầu cực các bán dẫn người ta gắn 3 chân và được đặt tên là.  E : (Emitter) cực phát  B : (Base) cực khiển  C : (Collector) cực thu. Bài giảng môn Điện tử công suất 7 E C Hình 2. Transistor loại NPN B C B E Hình 1. Transistor loại PNP 0.15inch 0.001inch P P + N PN + N TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TPHCM Do cấu tạo như trên sẽ hình thành 2 mối nối P-N rất gần nhau. Mối nối P-N thứ nhất ở ranh giới cực phát và miền khiển là mối nối BE,ký hiệu là J E . Mối nối P-N thứ 2 ở ranh giới miền khiển và miền thu là mối nối BC, ký hiệu là J C . Hoạt động của BJT chủ yếu dựa trên sự tương tác giữa 2 mối nối rất gần nhau này . 4-3-2 : Ký hiệu 4-3-3: Hình dạng 4-3-4 Các trạng thái hoạt động của transistor 4-3-4-1 Trạng thái ngưng dẫn a. Mạch điện cấu trúc Xem mạch điện như hình vẽ 11 ta thấy nếu phân cực nghòch mối nối BC và không phân cực hoặc phân cực nghòch mối nối BE thì tại các cực của transistor không có dòng điện ta nói transistor ngưng dẫn. Bài giảng môn Điện tử công suất Hình 5e Hình 4. Transistor công suất lớn H1061 D 718 4a 4b 4c 4d 4e Hình 3.Transistor công suất nhỏ C2383 C1815 D2012 8 B C E PNP C E B NPN TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TPHCM b. Mạch nguyên lý : b. c. Các thông số dòng,áp trong mạch Khi transistor bò phân cực nghòch mối nối BE nghóa là I B =0 do đó I C =0. Khi I C = 0 điện áp trên các điện trở Re và Rc đều bằng 0V. Do Re và Rc nối tiếp với mối nối CE và nối vào nguồn cung cấp nên ta có: Vcc =V Rc +V CE +V Re mà V Rc và V Re đều bằng 0v, nên V EC = Vcc. Như vậy: Khi ta phân cực nghòch mối nối BC và BE hoặc không phân cực mối nối BE thì transistor ngưng dẫn I C = 0, V CE = Vcc. 4-3-4-2 Trạng thái khuếch đại: a. Mạch cấu trúc Xem hình 14 khi ta phân cực thuận mối nối BE (V B >V E) ) và phân cực nghòch mối nối BC (V C >V B ) lúc này xuất hiện dòng điện đi qua mối BE là I B và dòng I C đi từ cực C sang cực E Bài giảng môn Điện tử công suất . Phân cực nghòch mối nối BE và BC transistor loại NPN N N P E J E J C C N P N 9 . Không phân cực BE + V c c R b R c R e . . V EC = Vcc . Phân cực nghòch BE V EC =Vcc + V c c R c R b R e - V c c . . TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TPHCM b. Mạch điện nguyên lý c. Các thông số dòng, áp trong mạch Ta có I C = I B xβ (β là hệ số khuếch đại dòng của transistor do nhà sản xuất quy đònh), thường β có giá trò khoản vài chục đến vài trăm lần Như vậy ta thấy I C rất lớn so với I B người ta nói transistor có khả năng khuếch đại dòng và lúc này I E =I B +I C Nếu ta đặt 1 điện trở tại chân C transistor nối lên nguồn cung cấp khi dòng I C thay đổi sẽ làm điện áp chân C thay đổi trong khoản từ 0V đến V CC tuỳ theo dòng I C lớn nhất hay nhỏ nhất Trong khi đó dòng I C lệ thuộc nào dòng I B , dòng I B biến thiên lệ thuộc vào điện thế phân cực tại mối nối BE, mà điện áp phân cực mối nối BE biến thiên trong khoản 0V – 0,8V thì transistor sẽ dẫn điện từ yếu nhất đền mạnh nhất làm cho điện áp mối nối EC biến thiên từ 0V – Vcc nếu ta có Vcc càng lớn thì điện áp ra biến thiên càng lớn. Người ta nói trasistor có khả năng khuếch đại điện áp. Như vậy: Khi ta phân cực nghòch mối nối BC và phân cực thuận BE thì transistor hoạt động trong vùng khuếch đại  I C =I B β  V CE = Vcc- I B β (R E +R C ). Bài giảng môn Điện tử công suất Phân cực thuận mối nối BE và nghòch BC N N P C B E J C J E I E I B I C + V c c R b 2 R b 1 R c R e . . I B I C I E . Transistor khuếch đại + V c c R b 2 R b 1 R c R e . . I B I C I E . 0V < V CE < V cc 10 [...]... biện pháp khắc phục 4-3 -7 : Các thông số cơ bản của transistor 1-Dòng ICmax Là dòng điện lớn nhất cho phép qua transistor 2- Công suất Pmax Là công suất làm việc lớn nhất cho phép của transistor 3- Hệ số khuếch đại dòng điện β Là thông số đặc trưng cho mức độ khuếch đại của transistor 4- Thời gian trễ lúc đóng cắt của transistor 4- 4: SCR ( Silicon controlled Rectifier ) (70phút) 4 -4 -1 :Cấu tạo – ký... SỐ TIẾT : 06 I- TÊN BÀI GIẢNG : Chỉnh lưu không điều khiển II- MỤC TIÊU : Sau khi học xong bài nầy sinh viên sẽ đạt được kiến thức sau : - Nắm được các kiểu mạch chỉnh lưu một pha và 3 pha dùng diode - Hiểu được nguyên lý hoạt động của các kiểu mạch chỉnh lưu - Phân tích được tương quan giữa dòng và áp đồng thời nắm vững các công thức tính toán III- ĐỒ DÙNG VÀ PHƯƠNG TIỆN GIẢNG DẠY : - Bài giảng Điện... : 06 I- TÊN BÀI GIẢNG : Chỉnh lưu có điều khiển II- MỤC TIÊU : Sau khi học xong bài nầy sinh viên sẽ đạt được kiến thức sau : - Nắm được các kiểu mạch chỉnh lưu một pha và 3 pha dùng SCR - Hiểu được nguyên lý hoạt động của các kiểu mạch chỉnh lưu có điều khiển - Phân tích được tương quan giữa dòng và áp đồng thời nắm vững các công thức tính toán III- ĐỒ DÙNG VÀ PHƯƠNG TIỆN GIẢNG DẠY : SCR Ui - Bài... 10 Goff = I GOFF 4-8 PUT: Programmable unijunction transistor (10 phút) 4-8 -1 Cấu tạo: Bài giảng môn Điện tử công suất 21 TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TPHCM Về cấu tạo thì PUT gồm có 4 lớp bán dẫn P - N xếp xen kẽ nhau như thyristo nhưng cực cổng bây giờ tiếp xúc với lớp bán dẫn N (GA của SCS) RA RG 1 A VDC G VCC RG 2 K hình 1.6: cấu tạo và kí hiệu hình 1.7: mạch phân cực cho PUT 4-8 -2 Nguyên lý – đặc... VM ~ VCC - IM là giá trò của dòng IC khi transistor ngưng dẫn , IM có giá trò rất nhỏ gọi là dòng rò của transistor 2- Tại điểm N tương ứng với transistor đang ở trạng thái bão hòa -VN là giá trò của VCE khi transistor bão hòa : VN ~ Vsat Vsat ~0,2V đối với transistor công suất nhỏ, Vsat ~(1V-2V) đối với transistor công suất lớn -IN là giá trò của dòng IC khi transistor bão hòa , IN ~ Icsat 3- Trường... transistor bão hòa - Muốn tăng giá trò dòng IC bão hòa ta tăng IB - Khi IB = 0  IC có giá trò rất nhỏ gọi là dòng rò 4-3 -6 : Khảo sát đặc tính tónh của transistor với các lọai phụ tải Tải thuần trở Tải có tính dung kháng Bài giảng môn Điện tử công suất 12 Tải có tính cảm kháng TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TPHCM Nhận xét 1- Tại điểm M tương ứng với transistor đang ở trạng thái ngưng dẫn - VM là giá trò... Điện tử công suất R Up - Tài liệu tham khảo : U +Giáo trình Điệin tử côngUsuất –RL trung học chuyên nghiệp dạy nghề Vụ Xun O g +Bài giảng ĐTCS kích – Trường Đại học Bá0h khoa TPHCM 2π c π +Điện tử công suất – Nguyễn Bính -Up IV- NỘI DUNG BÀI GIẢNG i 4-1 Mạch chỉnh lưu bán kỳ có điều khiểnG(60 phút) 0 α 2π+ α UO Up 0 ωt ωt π 2π ωt π 2π ωt UN Bài giảng môn Điện tử công suất 33 0 -Up TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG... TRIAC 17 G N3 T1 DIAC Bài giảng môn Điện tử công suất N2 P N3 P1 N1 N P2 N T2 P N2 P P P1 N1 N T2 TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TPHCM Cấu tạo Diac-Triac • Ký hiệu TRIAC DIAC T2 T2 T1 T1 G • Hình dạng Ký hiệu Diac-Triac K G Mã số K A G A Hình dạng Diac-Triac 4-5 -2 : Phân cực – đo kiểm tra • Đối với Diac khơng cần kiếm tra cực tính vì ta có thể sử dụng T 1 và T2 giống nhau Tuy nhiên ta nên đo kiểm tra... KẾT BÀI Sinh viên phải hiểu được các vấn đề cơ bản sau : - Nắm vững các kiểu mạch chỉnh lưu 1 pha và 3 pha KĐK - Phải hiểu rõ nguyên lý họat động của các mạch chỉnh lưu KĐKvà các công thức tính VDC, IDC VI CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP VỀ NHÀ 1-Nguyên lý họat động của các mạch chỉnh lưu KĐK 2- Trình bày các công thức tính dòng và áp trung bình chỉnh lưu 3-Vẽ đồ thò dạng sóng dòng áp trước và sau chỉnh lưu Bài... lần 4-7 GTO: Gate turn off thyristo ( 10 phút ) 4-7 -1 Cấu tạo: GTO có cấu tạo như thyristo, cũng có 4 lớp bán dẫn P – N xếp xen kẽ và nối ra 3 chân là anod, catod và gate Điều khác nhau giữa GTO và SCR là GTO được chế tạo với transistor trong mạch tương đương có độ khuếch đại β khá nhỏ Bài giảng môn Điện tử công suất 20 TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TPHCM A G K hình 1.4: cấu tạo và kí hiệu GTO 4-7 -2 Nguyên . trên sự tương tác giữa 2 mối nối rất gần nhau này . 4-3 -2 : Ký hiệu 4-3 -3 : Hình dạng 4-3 -4 Các trạng thái hoạt động của transistor 4-3 - 4-1 Trạng thái ngưng dẫn a. Mạch điện cấu trúc Xem mạch. TPHCM 4-2 - 1-4 Đặc tính đóng cắt của diode ( Đặc tính động) Là đặc tính có xét đến quá trình quá độ của diode • Quá trình đóng - u(t) : điện áp đặt vào diode - i(t) : dòng điện đặt vào diode - Giai. ĐTCS – Trường Đại học Bách khoa TPHCM +Điện tử công suất – Nguyễn Bính +Một số linh kiện bán dẫn công suất IV- NỘI DUNG BÀI GIẢNG : 4-1 Các khái niệm cơ bản (20 phút) 4-1 -1 Đònh nghóa Điện tử công